DENEY 4 PUT Karakteristikleri
|
|
- Gül Akbulut
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. PUT karakteristiklerini ve yapısını öğrenmek. 2. PUT un çalışmasını ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek. 3. PUT karakteristiklerini ölçmek. 4. Temel PUT uygulama devreleri ve bu devrelerin ölçümlerini yapmak. GİRİŞ Programlanabilir Unijonksiyon Transistör (PUT) Şekil 4-1 de gösterildiği gibi dört katlı bir PNPN yarı iletken elemandır. Şekilden, ismindeki benzerliğe rağmen PUT un gerçek yapısının UJT den tamamen farklı olduğunu görebiliriz. Şekil 4-1 PUT Yapısı. (a) Devre Sembolü Ve PNPN Dizilişi, (b) İki Transistörlü Eşdeğer Devre. Şekil 4-1(a) daki iki transistörlü PUT eşdeğer devresinin birer adet PNP ve NPN transistörlerden oluştuğunu görebiliriz. Bu yapıda PNP transistörün emetörü anot (A), NPN transistörün kollektörü kapı (G: gate), ve NPN transistörün emetörü katot (K) olur. Kapı, anota yakın olduğundan, bazen anot kapısı olarak adlandırılır. PUT un yapısı SCR ye benzerdir. Bu iki eleman arasındaki birincil fark kapılar arasındaki farktır. SCR nin kapısı NPN transistörün bazı (P tipi), PUT un kapısı is N tipi bir yarı iletkendir. Dolayısıyla PUT, N-kapılı SCR yada Tümleşik SCR (Complementary SCR: CSCR) olarak adlandırılır. PUT un kapısında çok yüksek tetikleme hassasiyeti vardır. PUT un gerilim ve akım sınıfı SCR nin akım ve gerilim sınıfından daha küçüktür. Genellikle bir tetikleme darbesi üreteci yada düşük güçlü bir anahtar olarak kullanılır. 4-1
2 PUT Karakteristikleri ve Parametreleri PUT karakteristikleri, Şekil 4-2 de gösterildiği gibi, UJT ye çok benzerdir. Eşdeğer bir UJT ye göre PUT un bir avantajı η parametresinin harici elemanlar tarafından kontrol edilebilmesidir. Şekil 4-2 PUT Anot Karakteristikleri Şekil 4-2 ye bakınız. V A = 0 da PUT kesimdedir ve sadece I GA0 ters kaçak akımı akar. V A artarken I A negatiften sıfıra doğru yükselir. I A sıfıra ulaştığındaki V A değeri V S olarak adlandırılır. V S gerçekte UJT için tanımlanan ηv BB değeridir. Burada η değeri devre tasarımcıları tarafından programlanabilir. V A V P ye (P noktası) ulaştığında, I A, I P den I V ye doğru yükselir ve V A, V P den V V ye doğru azalır, böylece PUT negatif direnç bölgesinde P ve V noktaları arasında çalışır. Negatif direnç bölgesi kararsız bölge olarak da adlandırılır. V noktasının sağında kalan bölge kararlı bölge yada ON konumu olarak adlandırılır. PUT, UJT de olduğu gibi, kararsız konumda kalamaz; yani ON yada OFF konumundan birine geçer. Karakteristik eğrisinde gösterildiği gibi, parametreler PUT un çalışmasını anlamada önemli anahtarlardır. Her bir parametrenin tanımını altta verdik: 1. I GA0 : Kapı-anot kaçak akımı kapı ve anot arasında akan küçük bir ters akımdır. Bu akım, Şekil 4-3 te gösterildiği gibi açık devre edilmiş katot ve ters kutuplanmış A-G jonksiyon koşullarında ölçülmüştür. I GA0 değeri tipik olarak T A = 25 o C de ve V S = 10V de 1µA dır. I GA0 değeri sıcaklıktaki her 10 o C artışta yaklaşık iki katına çıkar. Şekil 4-3 I GA0 Ölçümü 4-2
3 2. I P : Tepe akımı PUT u ateşlemek için gerekli minimum akımdır. Şekil 4-4 teki PUT gevşemeli osilatör devresinde R T şarj direncinden akan akım I P den daha büyük olmalıdır, böylece PUT iletime geçer. I P değeri PUT teknik özelliklerinde belirtilen çok önemli bir parametredir. I P değeri R G nin büyüklüğü ve sıcaklık ile değişir. R G değerinin yada sıcaklığın daha büyük olması durumunda I P küçülür. V R1 = V S R1 + R 2, R1R 2 R G = R1 + R2 Şekil 4-4 Temel PUT Gevşemeli Osilatör 3. V P : I A =I P iken anot ve katot arasındaki gerilim, tepe gerilimdir. V P değeri daima V S den daha büyüktür. Şekil 4-5 V P ve V T Ölçümleri 4. V T : Ofset gerilimi V P ve V S değerleri arasındaki gerilim farkıdır. Şekil 4-5 te gösterildiği gibi, V T şu denklemle verilir: V T I P = VP VS VBE( ON ) + RG.(4-1) 1+ β1 Burada V BE(ON) değeri, PNP transistörün iletimdeki V BE değerine karşılık gelir. V BE(ON) ve I P nin sıcaklık değişimlerine çok duyarlı olmasından dolayı V T de sıcaklığa duyarlıdır. 25 o C de V T tipik olarak 0.5V dir. V T nin sıcaklık katsayısı 2.5mV / o C. 4-3
4 5. I V : Çukur noktası akımı, PUT doyma bölgesine girmeden önceki I A değeridir. Şekil 4-4 teki PUT gevşemeli osilatörün çalışmasında, R T üzerinden akan akım I V den daha küçük olmalıdır. Dolayısıyla I A, I P ile I V aralığında olmalıdır. Şekil 4-6 V V Ölçümü 6. V V : Tepe noktası gerilimi, I A = I V iken anot ile katot arasındaki gerilimdir. Şekil 4-6 da gösterildiği gibi, V V değeri alttaki eşitlikle ifade edilebilir. V V = V BE(sat-PNP) + V CE(sat-NPN).(4-2) Yani iki transistörün doyma gerilimlerinin toplamıdır. V V değeri 1V den daha küçüktür. 7. V F : İleri gerilim (Forward voltage) PUT doymada çalışırken anot ve katot arasındaki gerilimdir. I F = 50mA iken V F değeri tipik olarak 1.2V dir. Şekil 4-7 İleri Devrilme Gerilimi Ölçümü Devresi 4-4
5 Anot ve katot kısa devre edilirse yada Şekil 4-7 de gösterildiği gibi aralarına küçük değerli bir direnç takılırsa, PUT kesim bölgesinde çalışır. Bu durumda, belirli bir ileri gerilim (pozitif A ya, negatif K ya bağlanacak şekilde),v AK, PUT u iletime geçirecektir. Bu gerilim sınıfı ileri devrilme gerilimi olarak tanımlanır. V AK nın kutuplarının değiştirilmesi durumunda OFF konumu SCR ye benzerdir. Şekil 4-8 deki devreye bakın. V GK değeri uygulanırsa ve V GK > V AK ise, PNP transistörün B-E jonksiyonu ters kutuplanır, dolayısıyla transistörler kesime giderler. Dolayısıyla PUT OFF durumda çalışır. Şekil 4-8 PUT Çalışmasının İllüstrasyonu Şekil 4-9 PUT Karakteristiği V AK > V GK + V T ise, PNP transistörün B-E jonksiyonu ileri kutuplanır, ve transistörler iletime geçerler. Dolayısıyla PUT ON durumda çalışır. A ile K arasındaki direnç çok küçüktür, dolayısıyla V AK gerilim düşümü Şekil 4-9 da gösterildiği gibi küçüktür. 4-5
6 PUT Kapı Devresinden Etkilenen Parametreler 1. I P :2N6027 ve 2N6028 PUT ların I P &R G eğrileri Şekil 4-10 da gösterilmiştir. Tepe akımı I P nin R G değeri ile ters orantılı olduğu eğriden görülebilir. Şekil 4-10 I P &R G Eğrileri 2. I V : PUT iletim durumundayken, I G = V G / R G kapı akımı kapıdan akar. Şekil 4-11 den çukur akımı I V nin kapı akımı I G ile doğru orantılı olduğunu görebiliriz. 3. V P : PUT kapısının kutuplaması için genellikle temel bir gerilim bölücü devre kullanılır. Şekil 4-12 de gösterildiği gibi, R2 üzerindeki gerilim düşümü, Thevenin eşdeğer gerilimi V G, gerilim bölücü kuralı ile belirlenir. V G = V BB x R2 / (R1 + R2) Burada UJT için tanımlandığı gibi η = R2 / (R1 + R2), ve V G V P dir. Şekil 4-11 I V & I G eğrileri 4-6
7 Şekil 4-12 Temel Kutuplama Devresi Ve Kapı Devresi İçin Thevenin Eşdeğeri Yukarıda anlatılan bu üç parametre PUT gevşemeli osilatör tasarımında çok önemlidirler ve tasarımcılar tarafından programlanabilirler. PUT ve UJT nin Karşılaştırması PUT ve UJT nin karakteristiklerinin benzer olmasına rağmen, PUT un farklılığı η, R BB, I P, ve I V gibi PUT parametrelerinin kontrol edilebilirliğinden dolayı tasarım ve uygulamada UJT den daha esnek olmasıdır. Şimdi Şekil 4-13 te gösterilen gevşemeli osilatör devrelerini inceleyerek Tablo 4-1 de PUT ve UJT karakteristiklerinin karşılaştırmasını özetleyeceğiz. Şekil 4-13 PUT ve UJT Gevşemeli Osilatörler 4-7
8 Tablo 4-1 PUT & UJT karşılaştırması Karakteristikler PUT (Şekil 4-13a) UJT (Şekil 4-13b) V S V S = V BB xr1 / (R1 + R2) Kapı-katot gerilimi R G R G = R1R2 / (R1 + R2) Kapı-katot direnci R BB Baz arası direnci R BB = R1 + R2 Programlanabilir R BB = 4K~10K Değiştirilemez η Doğal devrilme oranı η= R1 / (R1 + R2) η = 0.45~0.8 Değiştirilemez I P Tepe akımı Programlanabilir, 0.5µA dan küçük olabilir I P = 2µA Tipik, değiştirilemez I V Çukur akımı Programlanabilir, 2mA dan küçük olabilir. I V = 10mA Tipik, değiştirilemez Doyma gerilimi V AK(sat) =1.2V Tipik, I A = 50mA da V EB1(sat) = 3V Tipik, I E = 50mA da V O Darbe çıkış gerilimi V O = 10V Tipik V O = 6V Tipik t r Darbe yükselme zamanı t r = 40ns Tipik t r = 200ns Tipik Frekans aralığı 0.003Hz ~ 80KHz 0.03Hz ~ 500KHz Tablo 4-1 den, PUT un tepe ve çukur akımlarının UJT nin değerlerinden daha küçük olduğunu görebiliriz. Dolayısıyla, PUT gevşemeli osilatörün osilasyon frekansı kademesi, UJT osilatörün değerinden daha küçüktür. Frekans aralıklarını genişletmek için, Şekil 4-14 te gösterildiği gibi I P yi azaltacak ve I V yi arttıracak bazı teknikler kullanılabilir. (a) (b) (c) (d) Şekil 4-14 (a) düşük I P ve I V, (b) düşük I P ve oldukça yüksek I V, (c) düşük I P ve ortalama I V, (d) düşük I V ve ortalama I P 4-8
9 Şekil 4-14(a) da R G için yüksek değerli direnç kullanılması, I P ve I G akımlarının R G ile ters orantılı oluşundan dolayı, I P ve I G akımlarını küçülmesine neden olur. Şekil 4-14(b) deki transistör, PUT iletimdeyken I AK akımını şöntlemek için kullanılmıştır. Böylece oldukça yüksek I V elde edilmiştir. Şekil 4-14(a) ve (b) de diyot ve PUT iletimde değildir. Yüksek R G direnci I P nin küçük olmasına neden olur. PUT iletimdeyken, diyot ileri yönde kutuplanmıştır ve düşük bir R G direnci gösterir. Düşük R G direnci yüksek I V akımına neden olur. PUT un Ohmmetre ile test edilmesi Analog multimetrede bulunan ohmmetre PUT un durumunu kontrol etmek ve uçlarını tespit etmek için kullanılabilir. Burada, pilinin negatif ucu ohmmetrenin + ucuna (normalde kırmızı) ve pilinin pozitif ucu ohmmetrenin ucuna (normalde siyah) içerden bağlı bir ohmmetre kullanıyoruz. 1. Multimetrenin kademe seçicisini R kademsine getirin. Kırmızı ucu PUT un kapısına (G: gate) ve siyah ucu anota (A) bağlayın. Düşük bir direnç değeri okunmalıdır. Probların yerini değiştirmek sonsuz direnç görünmesine neden olur. 2. G ve K arasındaki direnç kutuplamadan bağımsız olarak daima sonsuzdur. 3. G açık devre iken, siyah ucu anota (A) ve kırmızı ucu katota (K) bağlayın, düşük bir değer sıklıkla okunacaktır. Bunun sebebi kapının çok yüksek tetikleme duyarlılığıdır. Eğer sonsuz değer okunuyorsa, kapıya (G) elinizle dokunmanız düşük direnç okunmasına neden olacaktır. Kutuplamanın yönü değiştirildiğinde, sonsuz değer okunur. Put un İki Transistörle İfade Edilmesi Şekil 4-15 PUT a Karşılık Gelen İki Transistörlü Model Şekil 4-15 te gösterildiği gibi bağlanan iki silikon tümleşik transistör PUT u ifade edebilir. D2 diyotu ters gerilim sınıfını arttırmak için kullanılmıştır. VR kapı tetikleme duyarlılığını ayarlamak için kullanılır. VR değerinin büyüklüğü I P ve I V değerlerini belirler. VR yükseldikçe I P ve I V küçülür. 4-9
10 Deney Devresinin Açıklaması Şekil 4-16 Modül KL deki deney devresini gösterir. Bu devrede PUT, iki transistörlü eşdeğer devresi, CDS, RTH, ve LED sürücüsü vardır. Şekil 4-16 Deney Devresi Devrenin besleme gerilimi 12VAC den alınır, ve D1 yarım dalga doğrultucusu ile dalgalı dc gerilime V+ dönüştürülür. PUT un kapı gerilimi V G, VR3 ve R9 dan oluşan gerilim bölücü tarafından belirlenir ve şu şekilde yazılır: V G = (R9 x V+) / (VR3 + R9) VR3 ü ayarlayarak V G değerini değiştirebilirsiniz. Anot gerilimi V A, R4, R5, ve VR1 den oluşan gerilim bölücü tarafından belirlenir ve şöyle ifade edilir: V A = ((VR1 + R5) x V+) / (VR1 + R5 + R4) V A değeri VR1 ayarlanarak kontrol edilebilir. Güç uygulandığında V A <V G ise PUT kesimdedir, dolayısıyla Q3 ve LED OFF durumundadırlar. V A >V G + 0.5V olacak şekilde VR1 ayarlanarak, PUT iletime geçirilir ve R8 de bir gerilim darbesi görünür. Böylece Q3 ve LED ON durumuna geçerler. Her pozitif yarım dalgada PUT iletimde iken, V G değerini düşürmek için VR3 ayarlansa bile UJT iletimde kalmaya devam eder. I AK < I H ise UJT kesime gider. Q1 ve Q2 transistörleri PUT un iki transistörlü eşdeğer devresini oluştururlar. Bu devre gerçek bir PUT un çalışmasını canlandırmak için kullanılmıştır. Q3 transistörü bir LED sürücü olarak davranır ve Q3 ün baz işareti R8 üzerindeki tetikleme işaretinden gelir. 4-10
11 R4 ile bir CDS değiştirilerek ışıkla kontrol edilen anahtar elde edilir. CDS ışığa duyarlı bir elemandır ve ortamın ışık yoğunluğu ile ters orantılıdır. V A değeri, R3, CDS, VR1, ve R5 ten oluşan gerilim bölücü ile belirlenir. Düşük ışıklı bir ortamda CDS nin direnci çok yükseleceğinden PUT u iletime geçirecek V A değeri çok küçük kalır. Yüksek ışıklı bir ortamda CDS nin direnci düşeceğinden, V A PUT u ateşleyecek gerilim değerine ulaşır ve LED yanar. Bu devre temel bir sokak lambası kontrol devresidir. Aynı şekilde, R4 ile bir RTH termistör değiştirilerek yangın alarm devresi elde edilir. RTH negatif sıcaklık katsayılı (NTC: Negatif Temperature Coefficient) termistördür. NTC nin direnci ortam sıcaklığı ile ters orantılıdır. Diğer bir deyişle, sıcaklığın artması NTC termistörün direncinin azalmasına, sıcaklığın düşmesi NTC termistörün direncinin artmasına neden olur. Devrenin çalışması yukarıda anlatılan CDS ışıkla kontrol edilen devre ile aynıdır. KULLANILACAK ELEMANLAR KL Güç Kaynağı Ünitesi KL Modülü Dual-Trace Osiloskop Analog Multimetre DENEYİN YAPILIŞI 1. Şekil 4-16 ya bakarak, KL Güç Kaynağı Ünitesinin AC12V çıkışını KL Modülüne bağlayın. A. PUT Karakteristiklerinin Ölçümü 2. VR1 ve VR3 ü saat yönünün tersi yönde sonuna kadar çevirin. 3. Bağlantı fişlerini 1, 4, 6, 7, ve 10 numaralara takın. Multimetrenin kademe seçicisini DCV kademesine getirin. Kapı (G) ile toprak (GND) arasındaki gerilimi ölçün ve kaydedin (kırmızı prob G ucuna ve siyah uç GND ye bağlanır). V G = V 4. V G = 2V olacak şekilde VR3 ü ayarlayın. 5. LED (yanık yada sönük). PUT durumunda çalışıyor. Multimetreyi kullanarak, R8 üzerindeki DC gerilimi ölçün ve kaydedin. V R8 = V 4-11
12 6. Multimetreyi kullanarak, anot-toprak arası gerilimi ölçün ve kaydedin. V A = V 7. VR1 i sağa doğru (saat yönünde) yavaşça çevirerek, gerilim değeri bir tepe değere ulaşıp ardından aniden bir çukur değere düşene kadar V A daki değişimi gözlemleyin. Tepe ve çukur değerlerini kaydedin. Tepe ve çukur değerleri sırasıyla PUT un tepe ve çukur gerilimleridir. V P = V V V = V 8. LED (yanık yada sönük). PUT durumunda çalışıyor. 9. Multimetreyi kullanarak, R8 üzerindeki gerilimi ölçün ve kaydedin. V R8 = V. 10. V G = 3V olacak şekilde VR3 ü sola doğru (saat yönünün tersine) çevirin. Bu anda LED (yanık yada sönük). V A = V. PUT durumundadır. 11. LED yanana kadar VR1 i sağa doğru çevirin. V P ve V V değerlerini ölçün ve kaydedin. V P = V. V V = V ve 11. Adımlardaki V P ve V V değerlerini karşılaştırın. Uyuşuyorlar mı? V P ve V V değerleri değişken mi? 13. Dual-trace osiloskopu X-Y moduna getirin. GND yi PUT un anotuna (A), CH1 girişini R6 nın diğer ucuna, ve CH2 girişini katota (K) bağlayın. Osiloskopta V AK & I AK eğrisini gözlemleyin ve Tablo 4-2 ye çizin. Tablo
13 14. VR1 i çevirerek V AK & I AK eğrisindeki değişimi gözlemleyin ve kaydedin. 15. VR3 ü çevirerek V AK & I AK eğrisindeki değişimi gözlemleyin ve kaydedin. B. PUT Sıcaklık Kontrol Devresinin Yapılması ve Ölçümleri 16. Bağlantı fişini 4 numaradan çıkarıp 3 numaraya takın. 17. V G = 2V olacak şekilde VR3 ü ayarlayın. 18. VR1 i yavaşça çevirin ve LED yanmak üzere iken durun. V A gerilimini ölçün ve kaydedin. V A = V. 19. RTH termistöre sıcak bir havya yaklaştırın. V A daki değişimi ölçün ve kaydedin. 20. RTH ı ısıtmaya devam edin. PUT ve LED in durumlarını gözlemleyin ve kaydedin. 21. Havyayı RTH den uzaklaştırın. PUT un durumundaki değişimi gözlemleyin ve kaydedin. C. PUT Işık Kontrollü Devrenin Yapılması ve Ölçümleri 22. Bağlantı fişini 3 numaradan çıkarın ve 2 numaraya takın. CDS penceresini elinizle kapatın Ve 18. Adımları tekrar edin. V A = V. 24. Işık seviyesini arttırmak için elinizi CDS penceresinden uzaklaştırın. PUT ve LED durumlarını gözlemleyin ve kaydedin. 4-13
14 D. İki transistörlü PUT devresinin karakteristiklerinin ölçümü 25. Bağlantı fişlerini 1, 4, 5, 8, ve 9 numaralara takın. 2 den 13. Adıma kadar olan adımları tekrar edin ve karakteristik eğrisini Tablo 4-3 e çizin. Tablo 4-2 ve Tablo 4-3 teki eğrileri karşılaştırın, uyuşuyorlar mı? Tablo 4-3 SONUÇ Üçüncü adımda ölçülen V G değeri 4.9V civarında olmalıdır. V G > V A olduğundan, PUT ve LED OFF durumundadır. VR1 direnci arttıkça ölçülen V A değeri de artar. V A, V P = 2.5V değerine ulaşınca PUT iletime geçer ve R8 üzerindeki 0.5V lik bir gerilim düşümü LED i yakar. Ölçülen V V değeri 0.9V civarındadır. V G = 3V iken V G > V V olduğundan PUT kesimdedir. PUT u iletime geçirmek için V A değeri VR1 ayarlanarak 3.5V ye çıkarılmalıdır. Bu durumda, ölçülen V V değeri 1V civarında olmalıdır. Bu deneyde PUT u kesimden iletime geçirecek koşulun V A > (V G + 0.5V) olduğunu görülmüştür. 4-14
DENEY 2 UJT Karakteristikleri
DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. UJT nin iç yapısını ve karakteristiklerini öğrenmek. 2. UJT nin çalışma ilkelerini ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek 3. UJT karakteristiklerinin
DetaylıDENEY 11 PUT-SCR Güç Kontrolü
DENEY 11 PUT-SCR Güç Kontrolü DENEYİN AMACI 1. PUT-SCR güç kontrol devresinin çalışmasını öğrenmek. 2. Otomatik ışık kontrol devresinin yapımı ve ölçümü. GİRİŞ Önemli parametrelerinin programlanabilir
DetaylıDENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri
DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. Triyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 2. Diyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 3. Diyak-Triyak faz kontrol devrelerini incelemek.
DetaylıDENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü
DENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Elektromanyetik rölelerin çalışmasını ve yapısını öğrenmek 2. SCR kesime görüme yöntemlerini öğrenmek 3. Bir dc motorun dönme yönünü kontrol
DetaylıDENEY 16 Sıcaklık Kontrolü
DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Sıcaklık kontrol elemanlarının türlerini ve çalışma ilkelerini öğrenmek. 2. Bir orantılı sıcaklık kontrol devresi yapmak. GİRİŞ Solid-state sıcaklık kontrol
DetaylıDENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre
DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ
DetaylıDENEY 10 UJT-SCR Faz Kontrol
DNY 0 UJT-SCR Faz Kontrol DNYİN AMACI. Faz kontrol ilkesini öğrenmek.. RC faz kontrol devresinin çalışmasını öğrenmek. 3. SCR faz kontrol devresindeki UJT gevşemeli osilatör uygulamasını incelemek. GİRİŞ
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 1. Deneyin Amacı Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI CDS (Kadmiyum
DetaylıElektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü DENEY-5-
KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik-Mimarlık Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektrik Makinaları ve Güç Sistemleri Laboratuarı DENEY-5- HAZIRLIK ÇALIŞMASI 1. Opamp uygulama devreleri
DetaylıDENEY 3 UJT Osilatör ve Zamanlayıcı Devreleri
DENEY 3 UJT Osilatör ve Zamanlayıcı Devreleri DENEYİN AMACI 1. UJT gevşemeli osilatör devresinin çalışmasını öğrenmek. 2. UJT zamanlayıcı devresinin çalışmasını öğrenmek. GİRİŞ UJT (Relaxation) Gevşemeli
DetaylıŞekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri
DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N
DetaylıDENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI
DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-21001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. Devre elemanı üzerinden akım akmasını sağlayan
DetaylıBölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri
DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.
DetaylıÖlçüm Temelleri Deney 1
Ölçüm Temelleri Deney 1 Deney 1-1 Direnç Ölçümü GENEL BİLGİLER Tüm malzemeler, bir devrede elektrik akımı akışına karşı koyan, elektriksel dirence sahiptir. Elektriksel direncin ölçü birimi ohmdur (Ω).
DetaylıDC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2
DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DENEY 1-3 DC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-22001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını
DetaylıŞekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi
FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıŞekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki
DARBE GENİŞLİK MÖDÜLATÖRLERİ (PWM) (3.DENEY) DENEY NO : 3 DENEY ADI : Darbe Genişlik Modülatörleri (PWM) DENEYİN AMACI : µa741 kullanarak bir darbe genişlik modülatörünün gerçekleştirilmesi.lm555 in karakteristiklerinin
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıGÜÇ ELEKTRONİĞİ EĞİTİM SETİ DENEY KİTABI KONU: PNPN DİYOT
KONU: PNPN DİYOT Giriş: Shockley diyot yada 4 tabaka diyot olarak da bilinen PNPN DİYOT, tek yönlü çalışan yarıiletken anahtar elemanıdır. Sembolü ve görünüşü şekil 6.1 de ve karakteristik eğrisi şekil
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıTRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının
DetaylıDENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü
DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC voltmetre, ac gerilimleri ölçmek için kullanılan
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
Detaylı1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıBölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları
Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıOsiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3
Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 DENEY 1-6 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC
DetaylıELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI
ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri
ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri DENEYİN AMACI (1) Yarım-dalga, tam-dalga ve köprü doğrultucu devrelerinin çalışma prensiplerini anlamak. GENEL BİLGİLER Yeni Terimler (Önemli
DetaylıDENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri
DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri DENEYİN AMACI :Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi.
DetaylıEEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
DetaylıDENEY 7 SCR ve RC Faz Kontrol
DENEY 7 SCR ve RC Faz Kontrol DENEYİN AMACI 1. Bir SCR nin karakteristiklerini ve yapısını öğrenmek 2. Bir SCR nin çalışmasını öğrenmek. 3. Bir SCR nin ohmmetre ile ölçümü. 4. SCR kapı tetikleme çeşitlerini
DetaylıBölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri
Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıBölüm 1 Temel Ölçümler
Bölüm 1 Temel Ölçümler DENEY 1-1 Direnç Ölçümü DENEYİN AMACI 1. Ohmmetrenin temel yapısını öğrenmek. 2. Ohmmetre kullanarak nasıl direnç ölçüleceğini öğrenmek. GENEL BİLGİLER Tüm malzemeler, bir devrede
DetaylıSüperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6
Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 DENEY 2-3 Süperpozisyon, Thevenin ve Norton Teoremleri DENEYİN AMACI 1. Süperpozisyon teoremini doğrulamak. 2. Thevenin teoremini doğrulamak. 3. Norton teoremini
DetaylıDENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi
DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. Schmitt kapılarının yapı ve karakteristiklerinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Schmitt kapısı aşağıdaki karakteristiklere sahip olan tek lojik kapıdır: 1.
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıA.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 3. HAFTA
A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜÇ ELEKTRONİĞİ 3. HAFTA 1 İçindekiler Tristör Triyak 2 TRİSTÖR Tristörler güç elektroniği devrelerinde hızlı anahtarlama görevinde kullanılan, dört yarı iletken
DetaylıDENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI
DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI Teorinin Açıklaması: Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı geçiren bir elemandır. Yükselteçlerde DC yi geçirip AC geçirmeyerek filtre
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıFatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)
Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) 9.1 Amaçlar 1. µa741 ile PWM modülatör kurulması. 2. LM555 in çalışma prensiplerinin
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıBölüm 1 Temel Lojik Kapılar
Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar DENEY 1-1 Lojik Kapı Devreleri DENEYİN AMACI 1. Çeşitli lojik kapıların çalışma prensiplerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların girişi ve çıkış gerilimlerini
DetaylıDOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER 1. Deneyin Amacı Yarım
DetaylıDEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI
DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıBölüm 2 DC Devreler. DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası
Bölüm 2 DC Devreler DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası DENEYİN AMACI 1. Seri, paralel ve seri-paralel ağları tanımak. 2. Kirchhoff yasalarının uygulamaları ile ilgili bilgi edinmek. GENEL BİLGİLER
DetaylıŞekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı
DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için
DetaylıBu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.
TRANZİSTÖRLERİN ÇALIŞMASI VE KARAKTERİSTİKLERİ Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. Temel kavramlar PNP ve NPN olmak üzere iki çeşit BJT tranzistör vardır.
DetaylıŞekil 6-1 PLL blok diyagramı
FREKANS DEMODÜLATÖRLERİ (6.DENEY) DENEY NO : 6 DENEY ADI : Frekans Demodülatörleri DENEYİN AMACI : Faz kilitlemeli çevrimin prensibinin incelenmesi. LM565 PLL yapısının karakteristiğinin anlaşılması. PLL
DetaylıT.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV
DetaylıBir devrede dolaşan elektrik miktarı gibi elektriksel ifadelerin büyüklüğünü bize görsel olarak veren bazı aletler kullanırız.
ÖLÇME VE KONTROL ALETLERİ Bir devrede dolaşan elektrik miktarı gibi elektriksel ifadelerin büyüklüğünü bize görsel olarak veren bazı aletler kullanırız. Voltmetre devrenin iki noktası arasındaki potansiyel
DetaylıDENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.
DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıBölüm 8 FET Karakteristikleri
Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri
DetaylıFRANCK HERTZ DENEYİ (CIVA TÜPLÜ 1. BİLGİSAYAR ORTAMINDA SONUÇ ALMAK İÇİN; DENEYİN YAPILIŞI:
FRANCK HERTZ DENEYİ (CIVA TÜPLÜ 1. BİLGİSAYAR ORTAMINDA SONUÇ ALMAK İÇİN; DENEYİN YAPILIŞI: Şekil 6 dan Franck-Hertz kontrol ünitesinde 6 numaralı bilgisayar çıkışını RS 232 kablosuyla seri olarak bilgisayara
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
Detaylı2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir.
Tristörlü Redresörler ( Doğrultmaçlar ) : Alternatif akımı doğru akıma çeviren sistemlere redresör denir. Redresörler sanayi için gerekli olan DC gerilimin elde edilmesini sağlar. Büyük akım ve gerilimlerin
DetaylıGERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ
GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine
DetaylıGÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ
Teorik Bilgiler ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Güç elektroniği devreleri ile güç dönüşümü anahtarlama teknikleri kullanılarak yapılır.
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ
KURALLAR: Deneye isminizin bulunduğu grupla beraber, ilgili saat ve günde geliniz. Deney grubu değişiklikleri için (başka bir dersle çakışması vb. durumlarda) deneyden sorumlu öğretim elemanı ile görüşebilirsiniz.
Detaylı12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI
Wheatstone Köprüsü ile Direnç Ölçümü 12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI Orta değerli dirençlerin (0.1Ω
DetaylıT.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları
T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232
DetaylıT.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT
T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ Deneyin Amacı: DENEY-1:DİYOT Elektronik devre elemanı olan diyotun teorik ve pratik olarak tanıtılması, diyot
DetaylıBu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.
Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Uygulama -1: Dirençlerin Seri Bağlanması Uygulama -2: Dirençlerin Paralel Bağlanması Uygulama -3: Dirençlerin Karma Bağlanması Uygulama
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıDeney 1: Saat darbesi üretici devresi
Deney 1: Saat darbesi üretici devresi Bu deneyde, bir 555 zamanlayıcı entegresi(ic) kullanılacak ve verilen bir frekansta saat darbelerini üretmek için gerekli bağlantılar yapılacaktır. Devre iki ek direnç
DetaylıElektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot
ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.
DetaylıDeney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:
Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları Amaç: Diyot elemanını ve çeşitlerini tanımak Diyotun çalışma mantığını kavramak Diyot sağlamlık kontrolü İleri kutuplama, geri kutuplama ve gerilim düşümü. Araç
DetaylıT.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LABORATUVAR RAPORU ADI SOYADI : Fedi Salhi 170214925 Bilge Batuhan Kurtul 170214006 Hamdi Sharaf 170214921 DERSİN ADI : Güç
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıDeney 3 5 Üç-Fazlı Tam Dalga Tam-Kontrollü Doğrultucu
Deney 3 5 Üç-Fazlı Tam Dalga Tam-Kontrollü Doğrultucu DENEYİN AMACI 1. Üç-fazlı tam dalga tam-kontrollü doğrultucunun çalışma prensibini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Üç-fazlı tam dalga tam-kontrollü
DetaylıELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ
DetaylıEEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)
EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
Detaylı