00316 ELEKTRONĐK DENEY FÖYLERĐ
|
|
- Pembe Uzunlar
- 7 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 Đnönü Üniversitesi Mühendislik fakültesi, Elektrik-Elektronik Bölümü ELEKTRONĐK DENEY FÖYLERĐ Ders Sorumlusu: Yard. Doç. Dr. M. E. Tagluk Bu dönemde yedi deney + bir uygulamalı ödev olarak bir ses anfisi (yükselteç) yapılacaktır. Deneylerin başarılı bir şekilde yapılabilmesi için birinci dönemde yaptığınız deneylerin tümünü çok iyi bilmeniz gerekmektedir. Takıldığınız noktaları Laboratuar danışmanınıza veya ders sorumlusundan yardım alabilirsiniz. Uygulama Ödevi: Mıkrofon AUDIO (Ses) YÜKSELTECĐ Pre-anfi, Orta kat-anfisi ve Son kat anfisi. Hoparlör Özellikle son iki hafta yoğunlaşacağımız bu ses anfisini ikinci dönem boyunca hazırlanmaya çalışılacaktır. Anfi şeması özellikle verilmeyişinin nedeni her öğrencinin kendi çabasıyla araştırıp uygun bulduğu bir anfi devresini tasarlamasıdır. 1
2 DENEY NO : 1 DENEY ADI: Darlington düzenleme yükseltecin analizi. AMAÇ : BJT li Darlington düzenleme yükseltecin laboratuar şartlarında Gerilim, Akım kazançları, Giriş ve çıkış empedanslarını ölçme ve değerlendirme. Şekil 1.1 de verilen Darlington yükselteç için; R B =500K, R E =5K ve R L =5K için, a) devrenin DC analizini yapınız. b) Devrenin AC analizini yapınız. Av, Ai ve Ap kazançlarını hesaplayınız. c) Devrenin giriş ve çıkış empedanslarını orta frekans bandında hesaplayınız. V CC =20V R B Q1 Q2 hie=3.5k hie=0.13k hfe=50 hfe=50 hoe=10µs hoe=10µs Ci=10µF Co=20µF I E R E R L Z i Z o Şekil Şekil 1.1 de verilen Darlington yükselteç devresini kurunuz ve Q kesime girmeden ve maximum oluncaya kadar R B potansiyometresini ayarlayınız. (Not eğer 500K küçük gelirse daha büyük pot kullanınız). Giriş geriliminin frekansını 1KHz ye ayarlayınız. 2. Devrenin Akım ve gerilim kazançlarını osiloskop kullanarak ölçünüz. 3. Devrenin giriş ve çıkış empedanslarını ölçünüz. Elde ettiğiniz Av ve Ai ölçümlerinden Ap yi hesaplayınız. Bulduğunuz pratik ve teorik sonuçları karşılaştırınız. Olası farklılıkların nedenini açıklayınız. Bu tür devreler niçin gereklidir? Nerelerde kullanılır? Açıklayınız. Malzeme Listesi: Devrede bulunan rezistanslar, kapasianslar 2x5K, 500Kpot, 10,20µF, 1 adet NPN, 1 adet güçlü NPN (BD serisinden) transistor. 2
3 DENEY NO : 2 DENEY ADI: Çift Kutuplu eklem transistörlü (BJT) ses amplifikatörün frekans analizi AMAÇ : BJT li ses yükselteçlerin frekans tepkisini laboratuar şartlarında elde etmek ve devre parametrelerinin frekans tepkisine etkisini incelemek. Şekil 2.1 de verilen anfi için; =50K, R 2 =10K, R C =5K, R E =1K, R L =10K, hie=1k, hfe=100 C i =10µF, C o =10µF ve C E =20µF ise, a) Devrenin DC analizini yapınız. b) Devrenin AC analizini yapınız. c) Devreye bağlanan C i C o ve C E kapasitanslardan hangisi devrenin alçak kesim frekansını belirler? hesaplayınız. d) Eğer R L yerine bu anfinin aynısından bir tane daha bağlanırsa (iki bir katlı anfi olursa) frekans tepkisi nasıl değişir? e) Eğer C i =20µF, C o =20µF ve C E =50µF ise devrenin frekans tepkisi nasıl olur? V CC =20V R C R S Co Ci R 2 R E C E R L Şekil Şekil 2.1 de verilen devreyi kurunuz ve V oq =/2 oluncaya kadar R 2 yi ayarlayınız. 2. Devrenin frekans cevabını osiloskop kullanarak C i =1µF, C o =1µF ve C E =20µF için elde ediniz ve defterinize ölçekli olarak çiziniz. a. Devrenin Vi girişine sinyal generatörünü bağlayınız ve 1KHz de devrenizin çıkışı kesime gitmeyecek şekilde AC genliği ayarlayınız. b. Sinyal jeneratörün frekans düğmesini sıfır dan başlayarak yavaş yavaş arttırarak osiloskop ile devrenin çıkış gerilimini okuyup kayd ediniz (en az on değer). c. Okuduğunuz bu değerleri birleştirerek devrenin frekansa bağlı tepkisi elde edilecektir. d. Devrenin kesim frekanslarını maximum çıkış genliğini ile çarpıp elde edilen değere karşılık gelen genliğin elde edildiği frekanslari okuyarak defterinize not ediniz. 3 Size verilen kapasitanslardan C i, C o ve C E nin her birisi için ayrı ayrı üç değişik kapasitans değeri için 2. şıkkı tekrarlayınız ve kapasitansların frekans cevabı üzerindeki etkisini saptayınız. 4 R L yerine bu anfinin aynısından bir tane daha kurup devreyi iki katlı bir anfi haline getiriniz ve tüm devrenin frekans tepkisini C i =1µF, C o =1µF ve C E =20µF için elde edip çiziniz. Elde ettiğiniz ölçümlerden yola çıkarak devredeki kapasitanslarının frekans tepkisini nasıl etkilediğini yorumlayınız. Buna göre ses anfisi tasarımında devre elemanlarının seçiminde nelere dikkat edilmelidir açıklayınız. Malzeme Listesi: Devrede bulunan rezistanslar, kapasianslar 1, 10, 20,50,100µF, 2 tane NPN transistor 3
4 DENEY NO : 3 DENEY ADI: Alan etkili transistörlü (FET) amplifikatörün frekans analizi AMAÇ : FET li ses anfilerin frekans tepkisini laboratuar şartlarında elde etmek ve devre parametrelerinin frekans tepkisine etkisini incelemek. Şekil 3.1 de verilen anfi için; R G =1M, R D =5K, V P =-6V, I DSS =10mA, C i =10µF, C o =10µF ve C S =20µF ise, a) Ddevrenin DC analizini yaparak V O =V DD /2 olacak şekilde R S i hesaplayınız. b) Devrenin AC analizini yapınız c) Devreye bağlanan C i C o ve C E kapasitanslardan hangisi devrenin alçak kesim frekansını belirler? hesaplayınız. d) Eğer R L yerine bu anfinin aynısından bir tane daha bağlanırsa (iki bir katlı anfi olursa) frekans tepkisi nasıl değişir? e) Eğer C i =20µF, C o =20µF ve C E =50µF ise devrenin frekans tepkisi nasıl olur? V DD =20V Ci R D C O V o R G Vs C s R L R S Şekil Şekil 3.1 de verilen devreyi kurunuz ve V oq =/2 oluncaya kadar R S i ayarlayınız. 2. Devrenin frekans cevabını osiloskop kullanarak C i =1µF, C o =1µF ve C E =20µF için elde ediniz ve defterinize ölçekli olarak çiziniz. a. Devrenin Vi girişine sinyal generatörünü bağlayınız ve 1KHz de devrenizin çıkışı kesime gitmeyecek şekilde AC genliği ayarlayınız. b. Sinyal jeneratörün frekans düğmesini sıfır dan başlayarak yavaş yavaş arttırarak osiloskop ile devrenin çıkış gerilimini okuyup kayd ediniz (en az on değer). c. Okuduğunuz bu değerleri birleştirerek devrenin frekansa bağlı tepkisi elde edilecektir. d. Devrenin kesim frekanslarını maximum çıkış genliğini ile çarpıp elde edilen değere karşılık gelen genliğin elde edildiği frekanslari okuyarak defterinize not ediniz. 3. Size verilen kapasitanslardan C i, C o ve C E nin her birisi için ayrı ayrı üç değişik kapasitans değeri için 2. şıkkı tekrarlayınız ve kapasitansların frekans cevabı üzerindeki etkisini saptayınız 4. R L yerine bu anfinin aynısından bir tane daha kurup devreyi iki katlı bir anfi haline getiriniz ve tüm devrenin frekans tepkisini C i =1µF, C o =1µF ve C E =20µF için elde edip çiziniz. Elde ettiğiniz ölçümlerden yola çıkarak devredeki kapasitanslarının frekans tepkisini nasıl etkilediğini yorumlayınız. Buna göre ses anfisi tasarımında devre elemanlarının seçiminde nelere dikkat edilmelidir açıklayınız. Malzeme Listesi: Devrede bulunan rezistanslar, kapasianslar 1, 10, 20,50,100µF, 2 tane FET transistor 4
5 DENEY NO : 4 DENEY ADI: Büyük sinyal yükselteçlerinin analizi. AMAÇ : Ses anfilerinin çıkış katında bulunan büyük sinyal yükselteçlerini laboratuar şartlarında tasarlamak ve devrenin frekans tepkisini ve verimini ölçmek. Şekil 4.1 a ve b de verilen büyük sinyal anfileri için; =R 2 =20K, R=5Kpot, ise, a) Ddevrenin DC analizini yaparak V O, I O çıkış gerilimi ve akımını hesaplayınız.. b) Devrenin verimini (Po/Pi) hesaplayınız. Maximum verim için =R 2 ve R değerlerini yeniden hesaplayınız. c) Devrenin giriş ve çıkış empedanslarını hesaplamaya çalışınız. V CC =20V V CC =20V C 1 =1µF Q 1 Q 1 C i =1µF Vi R V O R C 0 =20µF V 0 R 2 Q 2 R L =8Ω C 2 =1µF Q 2 R L =8Ω -V EE =-20V R 2 (a) (b) Şekil Şekil 4.1 a da verilen tümler devreyi kurunuz. 2. Devrenin çıkı (=Vi) olacak şekilde maksimum bozulmasız çıkış AC gerilimi içim R direncini ayarlayınız. Po/Pi verimini osiloskop la ölçerek bulunuz. Devrenin frekans tepkisi için: a. Devrenin Vi girişine sinyal generatörünü bağlayınız ve 1KHz de devrenizin çıkışı kesime gitmeyecek şekilde AC genliği ayarlayınız. b. Sinyal jeneratörün frekans düğmesini sıfır dan başlayarak yavaş yavaş arttırarak osiloskop ile devrenin çıkış gerilimini okuyup kayd ediniz (en az on değer). c. Okuduğunuz bu değerleri birleştirerek devrenin frekansa bağlı tepkisi elde edilecektir. d. Devrenin kesim frekanslarını maximum çıkış genliğini ile çarpıp elde edilen değere karşılık gelen genliğin elde edildiği frekanslari okuyarak defterinize not ediniz. 3. Şekil 4.1. b de gösterilen yarı-tümler devre için 1. ve 2. deney şıklarını tekrarlayınız.. Elde ettiğiniz ölçümlerden yola çıkarak her iki devre için elde ettiğiniz sonuçları karşılaştınız. Devrenin verimini yükseltmek için ne yapılmalıdır. Çıkış katında kullanılan bu yükselteçler hangi gruba girer ve neden bu tür yükselticilere ihtiyaç duyulmaktadır. Malzeme Listesi: Devrede bulunan rezistanslar 2x10K, 5Kpot, 8 vya10ω, kapasianslar 1,20µF, 2 tane düşük güçlü BJT (PNP ve NPN), 2 tane düşük güçlü BJT (NPN) transistor 5
6 DENEY NO : 5 DENEY ADI: Fark yükselteçlerinin analizi. AMAÇ : Đki gerilim arasındaki farkı ölçmek için transistorlu fark yükselteçlerini laboratuar şartlarında tasarlamak, devrenin frekans tepkisini ölçmek ve R E direncinin devrenin Ortak işareti bastırma oranı üzerindeki etkisini ölçerek belirlemek. Şekil 5.1 a de verilen fark yükselteci için; V CC =V EE = 10V ve R C =5K, R E =100K, ise, a) Eğer Vi 1 =Vi 2 ise devrenin DC analizini yaparak V O1, ve V O2 çıkış gerilimlerini hesaplayınız. b) Eğer Vi 1 = -Vi 2 ise devrenin DC analizini yaparak V O1, ve V O2 çıkış gerilimlerini hesaplayınız. c) Eğer Vi 1 =Vi 2 ise devrenin AC analizini yaparak ortak-mod gerilim kazancı A c. yi hesaplayınız. d) Eğer Vi 1 = -Vi 2 ise devrenin AC analizini yaparak fark-mod gerilim kazancı A d. yi hesaplayınız. e) R E =100K ve R E =1K için devrenin Ortak Đşareti Bastırma Oranı (CMRR) nı hesaplayınız. 1 R b1 =1K R C V O1 V O2 R C R b2 =1K 2 I DSS = I E r d =100K V p =-6V I DSS =10mA R 2 R E I C =I E R E -V EE (a) (b) (c) Şekil Şekil 5.1 a da verilen fark yükselteç devresini kurunuz. (V CC =V EE = 10V ve R C =5K, R E =100K) 2. Vi 1 =Vi 2 için R E =100K ve R E =1K için devrenin A C sini ölçünüz. 3. Vi 1 = -Vi 2 için R E =100K ve R E =1K için devrenin A d sini ölçünüz 4. R E yerine Şekil 5 1.b de verilen FET li sabit akım kaynağını kullanarak 2 ve 3. şıkları tekrarlayınız. 5. R E yerine Şekil 5 1.c de verilen BJT li sabit akım kaynağını kullanarak 2 ve 3. şıkları tekrarlayınız. (R E =100K ve R K pot.) Elde ettiğiniz ölçümlerden yola çıkarak her üç durum için (R E rezistans iken ve sabit akım kaynağı iken) devrenin Ortak Đşareti Bastırma Oranını (CMRR) ölçtüğünüz değerleri kullanarak hesaplayınız ve karşılaştırınız. Bunlardan hangisi daha iyidir?. Malzeme Listesi: Devrede bulunan rezistanslar 2x5K, 100K, 3x1K, transistörler:3xnpn BJT 1xFET, bir adet 5V lık zener, bir adet 10K pot. 6
7 DENEY NO : 6 DENEY ADI: Đşlemsel yükseltici (Operational amplifier; OPAMP) deneysel analizi. AMAÇ : Elektronik devrelerinde sıkça kullanılan Đşlemsel yükselticilerin (OPAMP) laboratuar şartlarında incelemek ve OPAMP kullanarak yükseltici ve fark yükseltici tasarlamak, devrenin frekans tepkisini ve Ortak Đşareti Bastırma Oranını (Common Mode Rejection Ratio; CMRR) ölçerek belirlemek. Not: OPAMP ın bacak bağlantıları Şekil 5.1.a da verilmiştir. Şekil 6.1 c ve d de verilen OPAMP lı yükseltec için V CC =-V CC = 10V ve =1K, R F =100K, ise, a) Devrenin analizini yaparak /Vi transfer fonksiyonunu çiziniz. Vi=1mse =? hesaplayınız. b) Şekil 6.1 d için =R 2 =1K, R F1 = R F2 =100K alınız. 1 =2 =1se ı hesaplayınız. c) 1 =-2 = 1V için ve 1 =1V,2 =0 için ı hesaplayınız ve karşılaştırınız K (a) (b) R F R F1 1-2 R 2 - R F2 (c) (d) Şeki Şekil 6.1 c deki Vi=1 sinωt mvdevrenin ve /Vi transfer fonksiyonunu ölçünüz. Not: OPAMP tan daha iyi sonuç alabilmek için öncelikle Şekil 5.1.b de gösterildiği gibi OPAMP ın 1,7 ve 5 nolu uçları arasına bir yaklaşık 25K lık bir pot bağlayınız. 1 =2 =1çin =0 oluncaya kadar pottansiyometreyi ayarlayınız. Bu ayarlamaya DC ofset ayarlaması denir. 2. Şekil 6.1 d için =R 2 =1K, R F1 = R F2 =100K bağlayınız. 1 =2 =1se ı çlçünüz =-2 = 1V için ve 1 =1V,2 =0 için ı ölçünüz ve karşılaştırınız. A d ve A C yi bulunuz ve 3. şıkları 1 =2 = 1 sinωt ve 1 =1 sinωt 2 =1 sin(ωt+π/2) için tekrarlayıp vi ve ı aynı ölçekte çiziniz. (Not: π/2 faz açısını bir kapasitans yardımıyla gerçekleştiriniz). Şekil 6.1 d için elde ettiğiniz ölçümlerden yola çıkarak devrenin Ortak Đşareti Bastırma Oranını (CMRR) hesaplayınız ve karşılaştırınız. Bunlardan hangisi daha iyidir?. Malzeme Listesi: Rezistanslar 2x1K, 2x100K ve 25K pot. 741 OPAMP ve 10µF Capasitans. 7
8 DENEY NO : 7 DENEY ADI: Aktif filtrelerin (Operational amplifier; OPAMP) deneysel analizi. AMAÇ : Elektronik devrelerinde sıkça kullanılan Đşlemsel yükselticilerin (OPAMP) laboratuar şartlarında Alçak geçiren filtre (AGF), Yüksek geçiren filtre (YGF), Bant geçiren filtre (BGF) ve Bant söndüren filtre (BSF) olarak kullanılması. Şekil 7.1 a ve b de verilen OPAMP lı birinci dereceden aktif AGF ve YGF için V CC =-V CC = 10V ve gerilim kazancı ise R F / dir. (Örneğin =10R F =10K alabilirsiniz). Buna göre: a) AGF için C=100µF ve R=10K ise devrenin yüksek kesim frekansını bulunuz. b) YGF için C=10µF ve R=10K ise devrenin alçak kesim frekansını bulunuz. c) AGF ve YGF devreleri seri bağlandığında elde edilecek BGF nin kesim frekanslarını hesaplayarak frekans tepkisini çiziniz. d) AGF ve YGF devreleri parallel bağlandığında elde edilecek BSF nin kesim frekanslarını hesaplayarak frekans tepkisini çiziniz. Not: Alçak kesim frekansı ve yüksek kesim frekansı sırasıyla 1 f LC = ve 2πRC 1 f HC = ile hesaplanır. Burada, R ve C ilgili devrenin elemanlarıdır. 2πRC R F R F R C - C R - (a) Şeki 7. 1 (b) 1. Şekil 7.1 a da verilen AGF nin yüksek kesim frekansını R potansiyometresi ile 5KHz e ayarlayın. 2. Şekil 7.1 b da verilen YGF nin alçak kesim frekansını R potansiyometresi ile 1KHz e ayarlayın. 3. AGF ve YGF devreleri seri bağlandığında elde edilecek BGF nin kesim frekanslarını ölçünüz ve frekans tepkisini çiziniz. 4. AGF ve YGF devreleri parallel bağlayıp alçak kesim frekansı 2KHz ve yüksek kesim frekansı 5Khz olan bir bant söndüren filtre tasarlayınız. (Kesim frekansları R potansiyometresi ile ayarlayınız). Şekil 7.1a ve b için elde ettiğiniz ölçümleri hesapladığınız değerlerle karşılaştırınız ve olası farklılıkların nedenini açıklayınız. Malzeme Listesi: Rezistanslar 2x1K, 2x10K, 2x100K ve 2x50K pot. OPAMP 2x741 ve Capasitans 2x100µF. 8
9 DENEY RAPORLARININ HAZIRLANIŞI Tarih : Deneyin Adı : Deneyi yapanın ismi : Deney partnerlerin ismleri: Deneyin Amacı : deneyin amacı yazılacak Ön çalışma: Ön çalışmanın tamamı yapılacaktır. Mazereti olmaksızın ön çalışmayı yapmayan öğrenciler labaratuvara alınmayacaktır. Đşlem Basamakları: 1. Deneyin her basamağı teker teker yapılacaktır. Elde edilen sonuçlar kayıt edilecektir. 2. Varsa şekil veya çizim şekil 1 deki gibi sayfa ortasında verilecek. Eğer şekildeki bir ayrıntıyı vurgulamak istersek gereki bölge hemen şeklin yanına büyültülmüş olarak çizilecek. Şekil 1. şekil açıklanacak 2. Aynı işleme tabi deneyden alınan sonuçların grafiği Şekil 2 deki gibi aynı grafikte gösterilecek her tülü boyut ve detay verilecek. Vi, Ii Ii Vi t T/2 T 3T/2 2T Şekil 2. şekil açıklanacak Sonuç değerlendirmesi yapılacak ve sorulan sorular cevaplandırılacak. 9
ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.
Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıDENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ
DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ 1 AMAÇ Bu deneyin temel amacı; bant geçiren ve alçak geçiren seri RLC filtrelerin cevabını incelemektir. Ayrıca frekans cevabı deneyi neticesinde elde edilen verileri
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI
DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L
DetaylıĐnönü Üniversitesi Mühendislik fakültesi, Elektrik-Elektronik Bölümü 00315 ELEKTRONĐK DENEY FÖYLERĐ
1 Đnönü Üniversitesi Mühendislik fakültesi, Elektrik-Elektronik Bölümü 00315 ELEKTRONĐK DENEY FÖYLERĐ Ders Sorumlusu: Yard. Doç. Dr. M. E. Tagluk Bu dönemde dokuz deney + bir uygulamalı ödev yapılacaktır.
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Deneyin Amacı: Alçak frekans güç yükselteçleri ve çıkış katlarının incelenip, çalışma mantıklarının kavranması Kullanılacak Materyaller: BD135 (npn Transistör)
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri
DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.
DetaylıDeney 2: FARK YÜKSELTEÇ
Deney : FARK YÜKSELTEÇ Fark Yükselteç (Differential Amplifier: Dif-Amp) Fark Yükselteçler, çıkışı iki giriş işaretinin cebirsel farkıyla orantılı olan amplifikatörlerdir. O halde bu tip bir amplifikatörün
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıDENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ
DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ 8.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde fark yükselteçleri analiz edilecek ve girşçıkış sinyalleri incelenecektir. 8.2 TEORİK BİLGİ Fark yükselteçleri birçok entegre devrelerde kullanılan
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
DetaylıŞekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi
DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.
DetaylıDENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri
DENEY NO 3 Alçak Frekans Osilatörleri Osilatörler ürettikleri dalga şekillerine göre sınıflandırılırlar. Bunlardan sinüs biçiminde işaret üretenlerine Sinüs Osilatörleri adı verilir. Pek çok yapıda ve
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 11 Deney Adı: OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri Malzeme Listesi:
DetaylıEEM 311 KONTROL LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 311 KONTROL LABORATUARI DENEY 01: OPAMP KARAKTERİSTİĞİ 2012-2013 GÜZ DÖNEMİ Grup Kodu: Deney Tarihi: Raporu Hazırlayan
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
DetaylıDENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri
DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri 1. Amaç Bu deneyin amacı; alternatif akım devrelerinde, direnç-kondansatör birleşimi ile oluşturulan RC filtre
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE
BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:
DetaylıDENEY 5. Pasif Filtreler
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM24 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2425 Bahar DENEY 5 Pasif Filtreler Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı : Ön
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alternatif akım (AC) ve doğru akım nedir örnek vererek kısaca tanımını yapınız. 2. Alternatif akımda aynı frekansa sahip iki sinyal arasındaki faz farkı grafik üzerinde (osiloskopta)
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı
DetaylıDENEY 2: AC Devrelerde R, L,C elemanlarının dirençlerinin frekans ile ilişkileri ve RC Devrelerin İncelenmesi
ilişkileri ve RC Devrelerin 1. Alternatif Akım Devrelerinde Çeşitli Dirençlerin Frekansla Olan İlişkisi 1.1. Deneyin Amacı: AA. da R,L ve C elemanlarının frekansa bağlı olarak değişimini incelemek. 1.2.
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıDENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı
DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100-200 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEYİN AMACI: Bu deneyi başarıyla tamamlayan her öğrenci 1. Filtre tasarımında uyulması gereken kuralları bilecek
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
DetaylıBölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları
Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini
DetaylıT.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle
DetaylıR 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1
DENEY #4 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ ve MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi Kullanılan Alet ve Malzemeler: 1) DC Güç Kaynağı 2) Avometre
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıANALOG FİLTRELEME DENEYİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının
DetaylıEEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)
EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 3 Temel İşlemsel Kuvvetlendiriciler 1. Hazırlık a. Ön-çalışma soruları laboratuvara gelmeden önce çözünüz. Ön-çalışma çözümleriniz asistan Bürkan Tekeli'ye Z11'de
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıGEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
GEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELM222 DEVRE TEORİSİ II LABORATUVARI DENEY 3: SERİ VE PARALEL EMPEDANSLAR Öğrencinin Numarası : Adı Soyadı : Deney Arkadaşının Numarası : Adı Soyadı
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıDENEY 4. Rezonans Devreleri
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2012-2013 Bahar DENEY 4 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı
DetaylıGEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
ELM221 DEVRE TEORİSİ I LABORATUVARI 2016 2017 GÜZ DÖNEMİ DENEY - 7 FÖYÜ Öğrencinin Numarası : Adı Soyadı : Grup Arkadaşının Adı Soyadı : AÇIKLAMALAR : Laboratuvar dersine gelirken bu föyü beraberinde getirmeyenler
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıDENEY NO: 7 OHM KANUNU
DENEY NO: 7 OHM KANUNU AMAÇ 1. Bir devrede akım, gerilim ve direnç arasındaki ilişkiyi deneysel olarak ispatlamak. 2. Ohm Kanununu ispatlamak. MALZEME LİSTESİ 1. 0-15 arası ayarlı bir DC güç kaynağı 2.
DetaylıEEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi
EEM 0 DENEY 0 SABİT FEKANSTA DEVEEİ 0. Amaçlar Sabit frekansta devrelerinin incelenmesi. Seri devresi Paralel devresi 0. Devre Elemanları Ve Kullanılan Malzemeler Bu deneyde kullanılan devre elemanları
DetaylıDENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri
1. Seri RC Devresinde Akım ve Gerilim Ölçme 1.1. Deneyin Amacı: a.) Seri RC devresinin özelliklerinin incelenmesi b.) AC devre ölçümlerinin ve hesaplamalarının yapılması 1.2. Teorik Bilgi: Kondansatörler
DetaylıELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID) KONTROL ELEMANLARININ İNCELENMESİ *
Deneyden sonra bir hafta içerisinde raporunuzu teslim ediniz. Geç teslim edilen raporlar değerlendirmeye alınmaz. ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID)
DetaylıDeney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.
Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıŞekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı
DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıAC DEVRELERDE KONDANSATÖRLER
A DEVRELERDE KONDANSATÖRLER 7.1 Amaçlar: Sabit frekansta çalışan kondansatörler Kondansatör voltaj ve akımı arasındaki faz farkının ölçülmesi Kondansatör voltaj ve akım şiddetleri arasındaki ilişkiler
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları
DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı; İşlemsel yükselteçlerle (OP-AMP) yapılabilecek doğrusal uygulamaları laboratuvar ortamında gerçekleştirmek ve
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıOHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI
OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI 2.1 Objectives: Ohm Kanunu: Farklı direnç değerleri için, dirence uygulanan gerilime göre direnç üzerinden akan akımın ölçülmesi. Dirençlerin Seri Bağlanması: Seri bağlı
DetaylıDENEY 5. Rezonans Devreleri
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2017-2018 Bahar DENEY 5 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı
DetaylıDeğişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.
DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SKRY ÜNERSTES TEKNOLOJ FKÜLTES ELEKTRK-ELEKTRONK MÜHENDSLĞ ELM22 ELEKTRONK-II DERS LBORTUR FÖYÜ DENEY YPTIRN: DENEYN DI: DENEY NO: DENEY YPNIN DI ve SOYDI: SINIFI: OKUL NO: DENEY GRUP NO: DENEY TRH
DetaylıNECMETTİN ERBAKAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK-1 LABORATUVARI DENEY FÖYÜ
NECMETTİN ERBAKAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK-1 LABORATUVARI DENEY FÖYÜ 1 LABORATUVARDA UYULMASI GEREKEN KURALLAR Laboratuvara kesinlikle
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıV R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen
DENEY NO : 1 DENEYİN ADI : Kirchhoff Akım/Gerilim Yasaları ve Düğüm Gerilimleri Yöntemi DENEYİN AMACI : Kirchhoff akım/gerilim yasalarının ve düğüm gerilimleri yöntemi ile hesaplanan devre akım ve gerilimlerinin
DetaylıĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER
K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral
DetaylıADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
DetaylıDC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER
1. DENEYİN AMACI KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER DC-DC gerilim azaltan
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıELEKTRİK DEVRELERİ UYGULAMALARI
ELEKTRİK DEVRELERİ UYGULAMALARI 2017/2018 GÜZ YARIYILI Uygulamalar için Gerekli Malzemeler 4 adet 100 Ω Direnç 4 adet 1K Direnç 4 adet 2.2K Direnç 4 adet 10K Direnç 4 adet 33K Direnç 4 adet 100K Direnç
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıDENEYDEN HAKKINDA TEORİK BİLGİ:
DENEY NO : 1 DENEYİN ADI : SERİ RL-RC DEVRELERİ DENEYİN AMACI : Alternatif akım devrelerinde; seri bağlı direnç, bobin ve kondansatör davranışının incelenmesi DENEYDEN HAKKINDA TEORİK BİLGİ: Alternatif
DetaylıDEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ
DEVRE NLİZİ DENEY FÖYÜ 2013-2014 Ders Sorumlusu: Yrd. Doç. Dr. Can Bülent FİDN Laboratuvar Sorumluları: İbrahim TLI : Rafet DURGUT İÇİNDEKİLER DENEY 1: SERİ VE PRLEL DİRENÇLİ DEVRELER... 3 DENEY 2: THEVENİN
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 2 Thevenin Eşdeğer Devreleri ve Süperpozisyon İlkesi 1. Hazırlık a. Dersin internet sitesinde yayınlanan Laboratuvar Güvenliği ve cihazlarla ilgili bildirileri
DetaylıDENEY 5: RC DEVRESİNİN OSİLOSKOPLA GEÇİCİ REJİM ANALİZİ
A. DENEYİN AMACI : Seri RC devresinin geçici rejim davranışını osiloskop ile analiz etmek. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Sinyal Üreteci, 2. Osiloskop, 3. Değişik değerlerde direnç ve kondansatörler.
DetaylıDeney 1: Saat darbesi üretici devresi
Deney 1: Saat darbesi üretici devresi Bu deneyde, bir 555 zamanlayıcı entegresi(ic) kullanılacak ve verilen bir frekansta saat darbelerini üretmek için gerekli bağlantılar yapılacaktır. Devre iki ek direnç
DetaylıDENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI-GERİLİM VE AKIM ÖLÇÜMLERİ
DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI-GERİLİM VE AKIM ÖLÇÜMLERİ A. DENEYİN AMACI : Ohm ve Kirchoff Kanunları nın geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi ve gerilim ve akım ölçümlerinin yapılması B. KULLANILACAK
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıT.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.
DetaylıBölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri
Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini
DetaylıADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
DetaylıDirenç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi
DENEY 8: PASİF FİLTRELER Deneyin Amaçları Pasif filtre devrelerinin çalışma mantığını anlamak. Deney Malzemeleri Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop.
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler
Masa No: No. Ad Soyad: No. Ad Soyad: ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9 --İşlemsel Yükselteçler 2013, Mayıs 15 İşlemsel Yükselteçler (OPerantional AMPlifiers : OP-AMPs) 1. Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı,
DetaylıADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : DENEY TARİHİ : DENEYİ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
Detaylıdirençli Gerekli Donanım: AC güç kaynağı Osiloskop
DENEY 01 DİRENÇLİ TETİKLEME Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir. Gerekli Donanım: AC güç kaynağı Osiloskop Kademeli
Detaylı