Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Benzer belgeler
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

DENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

DENEY 7 OP-AMP Parametreleri ve Uygulamaları

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI (OHM, KİRCHOFF AKIM VE GERİLİM)

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER

İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302)

3.4. ÇEVRE AKIMLAR YÖNTEMİ

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ÖDEV-2

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları

BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

Elektrik Devre Temelleri 5

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS. Doğrusal Entegre Devreler EEE

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

Elektrik Devre Temelleri 5

Introduction to Circuit Analysis Laboratuarı 1.Deney Föyü

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER

Elektronik Laboratuvarı

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

DENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

ELEKTRONİK DEVRELER-II LABORATUVARI

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

DENEY 5 RC DEVRELERİ KONDANSATÖRÜN YÜKLENMESİ VE BOŞALMASI

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G

Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü DENEY-5-

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

8. FET İN İNCELENMESİ

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

DENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ

Transkript:

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017

DENEY 1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi A. Amaç Bu deneyin amacı, BJT'li fark kuvvetlendiricisine ait DC ve AC analizlerin yapılarak, ortak-mod ve farksal-mod kazançlarının ve ortak mod zayıflatma oranının bulunmasıdır. B. Temel Bilgiler Fark kuvvetlendiricisi veya Diferansiyel Kuvvetlendirici tümdevrelerde en çok kullanılan ve yüksek kazanç sağlayan kuvvetlendirici yapılarından biridir. Bu devreler işlemsel kuvvetlendiricilerin (operational amplifiers-opamp) giriş katını oluştururlar. Daha önceki deneylerde incelenmiş olan farklı BJT ve MOSFET li kuvvetlendirici devrelerinde yalnızca tek girişe karşılık tek çıkış var iken fark kuvvetlendiricilerinde iki girişe karşılık olarak tek çıkış bulunmaktadır. Şekil 1 temel fark kuvvetlendiricisinin blok yapısını göstermektedir. Adından da anlaşılacağı gibi bu kuvvetlendirici girişine uygulanan iki gerilimin farkı ile orantılı bir çıkış gerilimi üretir. Bir fark kuvvetlendiricisinde çıkış işareti; Şekil 1 Fark kuvvetlendiricisinin blok gösterimi v 0 = A vol (v 1 v 2 ) şeklinde yazılır. Burada A vol ye açık devre (open-loop) gerilim kazancı denir. İdeal durumda eğer devrenin girişlerine uygulanan gerilim eşit ise (v 1 = v 2 ) çıkış sıfıra eşit olacaktır. Bir başka deyişle devre yalnızca girişler birbirinden farklı olduğunda çıkış üretecektir. Farksal-mod (differential mode) giriş işareti; olarak, ortak-mod giriş işareti ise; v d = v 1 v 2 v cm = v 1 + v 2 2 şeklinde tanımlanır. Bu ifadelerden yola çıkarak giriş işaretleri v 1 = v 2 olduğu durumda farksal-mod giriş işaretinin sıfır ve ortak-mod giriş işaretinin ise v cm = v 1 = v 2 olduğu görülmektedir. Örneğin giriş gerilimleri v 1 = +10mV ve v 2 = 10mV ise v d = 20mV ve v cm = 0Volur. Bunun yanında eğer giriş işaretleri v 1 = 110mV ve v 2 = 90mV ise farksal-mod giriş işareti yine v d = 20mV olurken

ortak-mod giriş işareti v cm = 100mV olur. Bu durumda her iki giriş çifti de ideal bir fark kuvvetlendiricisine uygulandığı takdirde her bir çift giriş işaretine karşılık çıkış geriliminin aynı değerde olması gerekir. Fakat pratikte kuvvetlendiricilerin ideal olmamasından dolayı ortak-mod giriş işareti çıkış gerilimini etkilemektedir. Fark kuvvetlendiricisi tasarımlarında en önemli amaçlardan birisi buradaki ortak-mod giriş işaretinin çıkış gerilimine olan etkisini en düşük seviyelere çekmektir. BJT li Fark Kuvvetlendiricisinin Çalışması: Şekil 2 temel BJT li bir fark kuvvetlendirici devresini göstermektedir. Burada Q 1 ve Q 2 emiterleri birbirine bağlanmış iki eş transistördür. Her iki transistörün akımı V negatif kaynağa bağlı I Q sabit akım kaynağı tarafından belirlenir. Transistörlerin kolektörleri R C dirençleri ile V + pozitif kaynağa bağlanmıştır. Fark kuvvetlendiricilerinde Q 1 ve Q 2 transistörleri ileri aktif bölgede kalacak şekilde tasarlanmıştır. Burada R C dirençlerinin eşdeğer, v B1 ve v B2 kaynakları ideal olarak kabul edilir. Şekil 2 Temel BJT li fark kuvvetlendiricisi Şekil 2 deki devrede giriş gerilimleri v B1 ve v B2 sıfıra eşit olsa bile Q 1 ve Q 2 transistörleri I Q akım kaynağının bulunması nedeniyle ileri aktif modda çalışmaya devam edeceklerdir. Öncelikle Şekil 3 deki gibi transistör bazlarının birbirine bağlı ve v cm ortak mod işaretinin uygulandığı durum göz önüne alınırsa emiterdeki gerilim v E = v cm v BE(on) olur. Burada Q 1 ve Q 2 eş transistörler olduğundan I Q akımı transistörlere eşit olarak bölünecek ve emiter akımları; i E1 = i E2 = I Q 2 olacaktır. Bu durumda baz akımları emiter akımından çok çok küçük olduğundan i C1 i E1 ve i C2 i E2 olacaktır. Böylece çıkış gerilimleri; şeklinde hesaplanabilir. v C1 = V + I Q 2 R C = v C2

Şekil 3 Temel BJT li fark kuvvetlendiricisine ortak mod geriliminin uygulanması v C1 = V + I Q 2 R C = v C2 eşitliğinden anlaşıldığı gibi ortak mod gerilimi fark kuvvetlendiricisine uygulandığında I Q akımı Q 1 ve Q 2 transistörlerine eşit olarak bölünecek ve v C1 ve v C2 gerilimleri arasındaki fark sıfıra eşit olacaktır. Şekil 4 teki devrede gösterildiği gibi, eğer v B1 birkaç milivolt artıp v B2 aynı oranda azaldığında ya da v B1 = v d 2 ve v B2 = v d 2 olduğunda Q 1 ve Q 2 transistörlerinin bazlarındaki gerilimler artık eşit olmayacaktır. Böylece transistörlerin emiterleri ortak olduğundan B-E terminalleri arasındaki gerilimler de eşit olmayacaktır. v B1 gerilimi v B2 geriliminden büyük olduğundan (v B1 > v B2 ) I C1 akımı I kadar artacak ve I C2 akımı ise I kadar azalacaktır. Bu durumda iki kollektör terminali arasında potansiyel fark meydana gelecektir. Böylece; v C2 v C1 = [V + ( I CQ 2 I) R C] [V + ( I CQ 2 + I) R C] = 2 IR C yazılabilir. Şekil 4 teki devreye ortak mod giriş gerilimi uygulandığında v C1 ve v C2 terminalleri arasında gerilim farkı meydana gelmiştir.

Şekil 4 Temel BJT li fark kuvvetlendiricisine farksal mod geriliminin uygulanması BJT li Fark Kuvvetlendiricisinin AC Analizi: Şekil 5 BJT li bir fark kuvvetlendiricisinin küçük işaret eşdeğer devresini göstermektedir. Bu devrede R 0 direnci sabit akım kaynağının, R B dirençleri ise gerilim kaynaklarının çıkış dirençleridir. Her iki transistör için Early gerilimleri ise sonsuz olarak kabul edilmiştir. Şekil 5 BJT li fark kuvvetlendiricisinin küçük işaret eşdeğer devresi İki eş transistör de aynı sükunet akımında öngerilimlendirildiği için; - r π1 = r π2 r π ve g m1 = g m2 = g m3 yazılabilir. Şekil 5 teki V e düğümüne Kirchoff akım kanunu uygulanırsa; V π1 r π + g m V π1 + g m V π2 + V π2 r π = V e R 0

ya da V π1 ( 1 + β r π ) + V π2 ( 1 + β ) = V e ifadeleri yazılabilir. Burada g m r π = β olduğu unutulmamalıdır. Şekil 5 teki devreye bakıldığında; ve V π1 r π V π2 r π r π = V b1 V e r π + R B = V b2 V e r π + R B olduğu görülecektir. Bu eşitlikleri V π1 ve V π2 için çözüp yerlerine konulduğunda; yazılabilir. Buradan; elde edilir. R 0 (V b1 + V b2 2V e ) ( 1 + β r π + R B ) = V e R o V e = V b1 + V b2 2 + r π + R B (1 + β)r 0 Şekil 5 teki devreye göre eğer Q 2 nin kolektöründen tek taraflı çıkış alınırsa; V 0 = V C2 = (g m V π2 )R C = βr C(V b2 V e ) r π + R B yazılır. Yukarıdaki V e eşitliğini son eşitlikte yerine koyarsak; V 0 = βr V b2 [ r π + R B ] V C (1 + β)r b1 { 0 r π + R B 2 + r } π + R B (1 + β)r 0 şeklini alır. İdeal bir akım kaynağında çıkış direnci R 0 = olacağından son eşitlik; halini alır. Farksal-mod giriş işareti; V 0 = βr C(V b2 V b1 ) 2(r π + R B ) ve devrenin farksal-mod kazancı; V d = V b1 V b2

A d = V 0 βr C = V d 2(r π + R B ) olacaktır. V 0 = βr V b2 [ r π + R B ] V C (1 + β)r b1 { 0 r π + R B 2 + r } π + R B (1 + β)r 0 eşitliğinde ortak mod işareti (V cm = V b1 = V b2 ) uygulandığında çıkışın sıfır olmadığı görülecektir. Ortak mod ve farksal mod giriş işaretleri eşitlikleri düzenlendiğinde; ve v b1 = V cm + V d 2 v b2 = V cm V d 2 yazılabilir. Yukarıdaki V 0 eşitliğine son iki giriş eşitlikleri yerlerine konulduğunda; βr C V 0 = 2(r π + R B ) V βr C d V r π + R B + 2(1 + β)r cm 0 yazılır. Buradan çıkış gerilimi genel bir formda yazılabilir: V 0 = A d V d + A cm V cm Bu ifadede A d farksal-mod kazancı, A cm ise ortak-mod kazancı temsil etmektedir. Buradan yola çıkarak farksal-mod kazanç; ve ortak-mod kazanç; A d = βr C 2(r π + R B ) βr C A cm = r π + R B + 2(1 + β)r 0 olarak yazılabilir. Fark kuvvetlendiricisindeki akım kaynağının ideal olduğu düşünüldüğünde (R 0 = ) ortak-mod kazancı sıfıra eşit olacaktır. İdeal olmayan akım kaynağı için R 0 ın farklı değerlerinde ortakmod kazancı sıfır olmayacaktır. Buradan sıfır olmayan ortak-mod kazancı fark kuvvetlendiricisinin ideal olmadığı anlamına gelir. Ortak-Mod Bastırma Oranı (Common-Mode Rejection Ratio:CMRR): Bir fark kuvvetlendiricisinin ortak-mod işaretini bastırma kabiliyetine ortak-mod bastırma oranı (CMRR) denir.cmrr bir fark kuvvetlendiricisinin değerini gösterir.

CMRR = A d A cm İdeal bir fark kuvvetlendiricisinde A cm = 0 dır ve CMRR= olur. Genel olarak CMRR desibel cinsinden tanımlanır: Şekil 2 deki fark kuvvetlendiricisi için CMRR; CMRR db = 20 log 10 A d A cm CMRR = A d A cm = 1 2 [2(1 + β)r 0 r π + R B ] şeklinde yazılabilir. Burada R 0 değeri arttığında ortak-mod kazancının azaldığı görülür. Böylece ortakmod bastırma oranı CMRR nin R 0 ın artışıyla arttığı anlaşılmaktadır. Malzeme Listesi: Direnç : 10kΩ, 2X4.7kΩ Entegre : CA3146 Standard deney teçhizatı KAYNAKLAR: 1. Microelectronics Circuit Analysis and Design, Neamen D., 2010 2. Elektronik Devreler ve Uygulamaları-1, Alçı M., Kılıç R., 2007 3. Elektronik Devreler, Morgül A., 2012

Adı, Soyadı: Öğrenci No: C. Hazırlık Çalışması 1. Aşağıdaki devre için A d, A cm ve CMRR değerlerini bulunuz. (β=105, R1=10kΩ, Rc=4.7kΩ, V+=-V-=12V) V+ R1 Rc Rc Vout Q1 1 2 V1 3 5 Q2 4 V2 11 Q4 14 Q5 9 12 10 13 V-

Adı, Soyadı: Öğrenci No: D. Deney Çalışması 1. Aşağıdaki devreyi kurunuz. R 1 = 10kΩ, R C = 4.7kΩ, V + = V = 12V V 1 = 0.05sin (2π1000t) ve V 2 = 0 iken [(V 01 V 02 ) (t)]'yi osiloskobun math fonksiyonunu kullanarak çiziniz ve A d 'yi bularak Tablo 1'de yerine yazınız. V 1 = 0.5sin (2π1000t) ve V 2 = 0 iken [(V in1 V in2 ) (V 01 V 02 )] gerilim transfer eğrisini çiziniz. (Bu grafik için 4 prob gerektiğinden PSPICE yardımıyla çiziniz.) Gerilim transfer eğrisini kullanarak A d 'yi bulunuz ve Tablo 1'deki birinci adımda bulduğunuz değer ile karşılaştırınız. CA3146

2. Kurmuş olduğunuz devre üzerinde; V 1 = V 2 = 2sin (2π1000t) iken [(V 01 V 02 ) (t)] eğrisini çiziniz. Çizdiğiniz eğrideki değerleri kullanarak A cm 'yi bulunuz ve Tablo 1'de yerine yazınız. 3. Deneysel olarak bulduğunuz A d ve A cm değerlerini kullanarak CMRR değerini hesaplayınız ve Tablo 1'de yerine yazınız. A d A cm CMRR Tablo 1 Ön Hazırlık PSPICE Deney Çalışması

Adı, Soyadı: Öğrenci No: E. Tartışma 1. Tablo 1 de bulduğunuz değerleri karşılaştırınız. Bulduğunuz sonuçlar arasında farklar var ise bunların sebeplerini yazınız. 2. 1. Deneyin ikinci adımındaki gerilim transfer eğrisini PSPICE yardımıyla çiziniz ve yorumlayınız. Çizdiğiniz gerilim transfer eğrisini üzerinden fark mod gerilim kazancı A d yi bulunuz. 3. Ortak mod bastırma oranının bir kuvvetlendirici için önemini açıklayınız. (NOT: Birbirinin aynısı olan raporlar değerlendirilmeyecektir.)