Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I DENEY 5 FM MODÜLASYONU

Benzer belgeler
Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I DENEY 3 GENLİK (AM) MODÜLASYONU

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I DENEY 4 GENLİK (AM) DEMODÜLASYONU

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi

Bölüm 7 FM Modülatörleri

DENEY 7. Frekans Modülasyonu

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3.

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I

ANALOG HABERLEŞME (GM)

Bölüm 6 DSB-SC ve SSB Demodülatörleri

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DĐYOTLARIN DOĞRULTUCU DEVRELERDE KULLANILMASI

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 4 AM DEMODÜLATÖRLERİ

AC (ALTERNATİF AKIM)

6. DENEY Alternatif Akım Kaynağı ve Osiloskop Cihazlarının Kullanımı

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

Şekil 6-1 PLL blok diyagramı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Bölüm 8 FM Demodülatörleri

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

KABLOSUZ İLETİŞİM

DENEY 5. Rezonans Devreleri

AC DEVRELERDE KONDANSATÖRLER

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

EEM 202 DENEY 8 RC DEVRELERİ-I SABİT BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ

EEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

Şekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

= + ise bu durumda sinüzoidal frekansı. genlikli ve. biçimindeki bir taşıyıcı sinyalin fazının modüle edildiği düşünülsün.

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

AC DEVRELERDE BOBİNLER

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

EEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3

ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID) KONTROL ELEMANLARININ İNCELENMESİ *

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

BÖLÜM 3 AM MODÜLATÖRLERİ

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ

PARALEL RL DEVRELERİ

Deney 3 5 Üç-Fazlı Tam Dalga Tam-Kontrollü Doğrultucu

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

DENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler

kdeney NO:1 OSİLASKOP VE MULTİMETRE İLE ÖLÇME 1) Osiloskop ile Periyot, Frekans ve Gerlim Ölçme

HABERLEŞME ELEKTRONĐĞĐNE DENEY FÖYLERĐ 2011 V.Y.S.

Bölüm 16 CVSD Sistemi

Alternatif Akım Devreleri

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I DENEY 6 FM DEMODÜLATÖRÜ

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ

Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

3 FAZLI SİSTEMLER fazlı sistemler 1

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI

5. Elektriksel Büyüklüklerin Ölçülebilen Değerleri

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ

Alternatif Akım; Zaman içerisinde yönü ve şiddeti belli bir düzen içerisinde değişen akıma alternatif akım denir.

ÜÇ-FAZLI TAM DALGA YARI KONTROLLÜ DOĞRULTUCU VE ÜÇ-FAZLI EVİRİCİ

DİYOTLU DEVRELER. 1. Kırpma devresi: Giriş işaretinin bazı kısımlarını kırpar ve kırpılmış sinyali çıkış işareti olarak kulanır.

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri

YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü ESM 413 Enerji Sistemleri Laboratuvarı-I

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

Bölüm 13 FSK Modülatörleri.

Bölüm 14 FSK Demodülatörleri

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 5: GENLİK KAYDIRMALI ANAHTARLAMA (ASK) TEMELLERİNİN İNCELENMESİ

DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler

8. ALTERNATİF AKIM VE SERİ RLC DEVRESİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

ALTERNATİF AKIM (AC) II SİNÜSOİDAL DALGA; KAREKTRİSTİK ÖZELLİKLERİ

Transkript:

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölüü EEM 36 Haberleşe I ENEY 5 FM MOÜLASYONU 5. Aaçlar. Varaktor diyotun çalışası ve karakteristiğinin inelenesi. 2. Frekans Modülasyonunda, gerili kontrollü osilatörün çalışa prensibinin anlaşılası. 3. Varaktor diyot ve gerili kontrollü osilatör (MC 648) ile Frekans odülatör uygulaası. 5.2 Ön Çalışa Kitaptan 5. Üniteyi okuyunuz. 5.3 Cihazlar ve Malzeeler eney için gerekli alzeeler Tablo 5. de listeleniştir. eneye başlaadan öne, deneyde kullanılaak olan ihazların odel nuarasını, seri nuarasını ve ofis stok nuarasını yazınız. Ayrıa, hasarlı ihazları not ediniz. Tablo 5. eneyde kullanılaak alzee listesi No: Malzeeler Model Seri No: Ofis Stok No: ijital Osiloskop 2 Sinyal Jeneratörü () 3 Sinyal Jeneratörü (2) 4 C Güç Kaynağı 5 Osiloskop Probları ve Kablolar 6 MC648 FM Modülatör Ünitesi Hasar ve diğer yorular: 5.4 Teel bilgiler Frekans Modülasyonunda (FM), taşıyıı dalganın frekansı, odülasyon sinyalinin genliği tarafından değiştirilir. FM sinyali aşağıdaki eşitlikle ifade edilebilir; Burada; x FM [ ] ( t) A t + K x( t) = os dt (5.) EEM 36 Haberleşe I eney 5 Sayfa /8

x ( t) A os t = (5.2) x ( t ) ; odüle edileiş taşıyıı, ( t) x ise odülasyon sinyalidir. FM sinyalinin anlık frekansı (5.) deki eşitlikteki os fonksiyonunun açısının türevini alarak aşağıdaki denkledeki görüldüğü gibi edilebilir: [ dt] = + Kx( t) d ( t) = t + K x( t) dt. (5.3) Buradan, FM sinyalinin anlık frekansı, odülasyon sinyali ( t) orantı sabitidir. x ile orantılı hale gelir. K ise Modülasyon sinyali, tepe değeri örneğin; A ve frekansı da olan sinüzoidal bir dalga olduğunda, x ( t) A os t, = (5.4) FM sinyali ve anlık frekans (5.), (5.3), ve (5.4) denklelerini kullanarak; x FM şeklinde ifade edilir. KA (5.5) = + KA os (5.6) ( t) = A os t + sin t, ( t) t Frekans sapası, (5.6) dan aşağıdaki gibi elde edilir. = KA (5.7) Buradan anlık frekans; arasında değişir. os nin [-, +] arasındaki değerleri için [, + ] t FM sinyalin sapa oranı β ; B β = (5.8) Burada sinyalin frekans sapası ve ise sinyalin en yüksek frekans bileşenidir. enkle (5.7) ve (5.8) de gösterilen eşitlikleri kullanarak Modülasyon Sabiti K ve Sapa Oranı β arasındaki ilişki aşağıdaki şekilde bulunur: KA β β or K = A =, (5.9) EEM 36 Haberleşe I eney 5 Sayfa 2/8

5.4. Varaktor iyot Varaktor diyot (ayarlanabilir diyot), p-n kesişilerine (juntion) uygulanan ters yöndeki geriliin iktarına bağlı olarak kapasite değeri orantılı olarak değişen devre eleanıdır. Uygulanan ters gerili değeri büyüdükçe kapasite değerleri düşer. Tersi olarak, uygulanan ters gerili değeri düştükçe kapasite değerleri artar. iyota AC gerili uygulandığında, diyotun kapasite değeri AC geriliin değerinin değiştirilesi ile değişir. Şekil 5. Varaktor ve paralel plakalı kapasitör arasındaki ilişki Bir varaktor ve bir kondansatör arasındaki ilişki Şekil 5. de gösteriliştir. Gerçekten de, ters gerili uygulandırılış varaktor diyot bir kapasitör ile aynıdır. p ve n yarı iletkenleri birleştirildiğinde azınlık taşıyııların yayınıı sebebi ile küçük bir azala (depletion) bölgesi oluşur. Pozitif ve negatif yükler anılan sıraya göre kesişilerine (juntion) p ve n taraflarını doldururlar. Bu, kapasitörle aynıdır. iyotun iç kapasitesinin iktarı kapasite değer forülü ile hesaplanabilir. εa C =, (5.) d Burada; ε =.8ε = yalıtkanlık sabiti, 2 ε = 8.85 x F/, A = Kapasitör plakalarının alanı, d = plakalar arası genişlik Yukarıdaki forüle göre eğer plakaların alanı A sabit bir sayı ise varaktör kapasitansı, plakalar arası genişlikle ters orantılıdır. Bu nedenle, düşük voltajlı ters gerili, küçük azala (depletion) ve büyük kapasite değerine neden olur. Tersi olarak, uygulanan ters geriliin artan değeri büyük azala (depletion) bölgesi ve küçük kapasite değerine neden olur. EEM 36 Haberleşe I eney 5 Sayfa 3/8

Şekil 5.2 Varaktor diyot eşdeğer devresi Bir varaktor diyot şekilde görüldüğü gibi seri bağlanış bir kapasitör ve direnç olarak düşünülebilir. C, p ve n kesişiler (juntion) arasındaki kesişi (juntion) kapasitansı dır. R ise yaklaşık birkaç ohluk kütle direni ve kontak direnin toplaıdır ve varaktor diyotun kalitesine karar verede öneli bir unsurdur. Ayar oranı (Tuning Ratio) (TR); V 2 olarak ters gerilileniş varator diyotun kapasitansının, başka ters öngerililee V değerine oranı olarak tanılanabilir ve C, V 2 TR = (5.) C, V Burada, TR = Ayar oranı, = C,V V deki varaktor diyot kapasitansı, = V deki C,V 2 2 varaktor diyot kapasitansıdır. TR genellikle den büyük bir raka olarak ifade edilir. Bu nedenle, C, V 2 > C, V olası V 2 < V anlaına gelir. eneyiizde SV55 varaktor diyotu kullanılaak ve bu diyotun en öneli karakteristikleri C, 3 V = 42 pf (3V için Varaktor diyotun kapasitansı), TR = 2.65 ( 3V~3V için). 5.4.2 MC648 VCO ile Frekans Modülatörü Bu deneyde Şekil 5.3 de görülen MC648 VCO tü devre ile bir frekans odülasyonu tasarlandı. Teel olarak bu devre bir osilatördür ve girişin sonrasındaki ayar devresi salını (osilasyon) frekansını belirler. Bu devredeki C 2 ve C 3 kapasitörleri gürültüyü filtreleek için konulus atlaa kapasitörleridir. Yüksek bir frekansta çalışırken (örneğin 2.4 MHz), bu iki kapasitörün kapasitif reaktansı ok düşüktür ve pratik olarak C 2, C 3, L, şeklinde oluşturuluş LC çevriinde ihal edilebilir. Bu da nin L ile paralel varsayılasını ükün kılar. Bu nedenle, ayarlaa tank devresi ve bir paralel LC rezonans devresi Şekil 5.4 de gösteriliştir. C, SV55 C in kapasitansı ve MC648 C in in giriş kapasitanslarının paralel bağlanış şekilde düşünebiliriz. Yani C = C + C in değeri yaklaşık olarak 6pF dir. Gürültü kapasitörü ihal edilirse osilasyon frekansı aşağıdaki forülle hesaplanabilir; f = 2π LC = 2π 2 ( + 6x ) L C (Hz) (5.2) EEM 36 Haberleşe I eney 5 Sayfa 4/8

Şekil 5.3 MC648 FM odülatör devresi aha öne de bahsedildiği gibi, varaktor diyot nin kapasitansı C, kendisine uygulanan ters ön gerililenenin iktarı kadardır. C nin değişii osilasyon frekansının da değişesine sebep olduğu bilinekteydi. Şekil 5.3 deki devrede küçük bir C gerililene, büyük bir C ve düşük bir frekans çıkışına neden olur. Öte yandan uygulanan C gerili büyüdükçe, daha küçük C ve daha yüksek çıkış frekansı elde edilir. Bu nedenle, C kutuplaa sabit iken ses (bilgi) sinyali, ses girişine verildiğinde kutuplaa voltaj değeri sabitlenen değer etrafında değişir. VCO çıkış sinyali, ses girişinin frekans odülasyonlu sinyali olur. Şekil 5.4 Ayarlaa tank devresinin eşdeğer odeli 5.5 ENEY UYGULAMASI Not: O (dijital osiloskop) kullandığınızda; O dan verileri kaydederken, kritik tü bilgileri kaydedin. Örneğin; C seviyesi, tepe değeri, periyot ve frekenas değerleri. Sonrasında çıkış dalga şeklini düzgün olarak O çıkışı olarak dereeli grafiğe çiziniz. O çıkışı sabitleek için hold ve storage özelliklerini kullanınız. EEM 36 Haberleşe I eney 5 Sayfa 5/8

5.5. MC648 deki Karakteristik Ölçüleri. MC648 FM Modülasyon Ünitesi ni asanıza alın ve giriş gerilii olarak +5 V uygulayın. L bobinini µ H ye ayarlaak için SW anahtarını kullanın. 2. 2 V C öngerili girişini bağlayın ve osiloskop kullanarak çıkış dalga forunu gözleleyin. Çıkışta sinüs dalgası görünene kadar R v yi ayarlayın. Frekansı Tablo 5.2 ye kaydedin. 3. Tablo 5.2 deki farklı giriş gerililerini kullanarak yukarıdaki adıları tekrar edin. Tablo 5.2 Öngerili voltajı ile MC648 VCO nun serbest osilasyon frekansının değişii C Kutuplaa Girişi (V) Çıkış Frekansı f MHz (deneysel) 2 3 4 5 6 7 8 9 5.5.2 MC648 FM Modülatör ile Frekans Modülasyonu. Bölü 5.5. deki ilk adıı tekrar edin. 2. Girişe 5 V öngerili bağlayın ve çıkış dalga forunu O nun ikini kanalından gözleleyin. Çıkışta sinüs dalgası görünene kadar R v yi ayarlayın. Tablo 5.3 ün açıklaalar kısına odüle edileiş taşıyıı frekansı f o ve tepeden tepeye değerlerini kaydedin. 3. Ses girişine 3 khz lik sinüs dalga bağlayın ve O nun birini kanalını kullanarak (CH I), dalganın genliğini 2 Vpp olarak ayarlayın. Giriş dalga şeklini Tablo 5.3 de ilgili yere çizin. Net bir şekilde frekansı ve tepe değerlerini gösterin. 4. Yukarıdaki bağlantı ile FM çıkış sinyalini O nun ikini kanalını kullanarak (CH II) gözleleyin Tablo 5.3 de ilgili yere çizin. FM çıkış sinyalinin tepeden tepeye değerini, aksiu ve iniu değerlerini ölçün ve tabloya kaydedin. O nun HOL ve MEMORY CONTROL fonksiyonlarını kullanın. 5. Spektru çözüleyiisini kullanarak FM çıkış sinyalinin spektruunu gözleleyin. Tablo 5.3 deki her bir bileşen için frekans ve genlik değerlerini kaydedin. 6. 5 khz ve 8 khz ses frekansları için 3 ten 5 e olan adıları tekrar edin. EEM 36 Haberleşe I eney 5 Sayfa 6/8

Tablo 5.3 MC648 FM Modülatörünün ses sinyali ve FM çıkış sinyalleri Ses Girişi:.5 V pp ; odüle edileiş taşıyıı:.v pp, f =...khz Ses Giriş Frekansı f (khz.) Ses Giriş Sinyali FM çıkış sinyal FM sinyal Spektruu Frekans Genlik 3 Tepe değeri: f =, f = in o ax Frekans Genlik 5 Tepe değeri: f =, f = in o ax Frekans Genlik 8 Tepe değeri: f =, f = in o ax EEM 36 Haberleşe I eney 5 Sayfa 7/8

5.6 SONUÇLAR. Tablo 5.2 deki deneysel sonuçları kullanarak, frekans-gerili eğrisini şekil 5.6 ya çizin. f C Kutup Gerilii (V) Şekil 5.6 Şekil 5.3 deki VCO MC648 in C öngerililee ile osilasyon frekansının değişii; L = µ H. 2. Tablo 5.3 de görülen her bir giriş sinyali için f = 3, 5, 8 khz aşağıdaki forülle yaklaşık frekans sapasını hesaplayın. f f ax f in = (5.3) 2 enkle 5.8 deki eşitliği kullanarak sapa oranını bulun. Sonuçları Tablo 5.4 e yazın. Sonuçları yorulayın. Tablo 5.4 FM da sapa oranının MC648 tarafından değişii Ses Giriş Frekansı f (khz.) 3 5 8 Frekans sapası f (khz.) Sapa oranı β = f / f EEM 36 Haberleşe I eney 5 Sayfa 8/8