DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

Benzer belgeler
DENEY 2-5 Karşılaştırıcı Devre

DENEY 2- Sayıcılar. 1. Sayıcıların prensiplerinin ve sayıcıların JK flip-flopları ile nasıl gerçeklendiklerinin incelenmesi.

DENEY 6- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri

DENEY 2- Sayıcılar ve Kaydırmalı Kaydediciler

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri

DENEY 6a- Dijital/Analog Çevirici (DAC) Devreleri

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ

DENEY 1a- Kod Çözücü Devreler

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek.

Şekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

Bölüm 6 Multiplexer ve Demultiplexer

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 2-5 Karşılaştırıcı Devre

DENEY 1-3 ÖZEL VEYA KAPI DEVRESİ

DENEY 2-1 VEYA DEĞİL Kapı Devresi

Deney 4: 555 Entegresi Uygulamaları

DENEY 4-1 Kodlayıcı Devreler

DENEY 3-1 Kodlayıcı Devreler

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

DENEY 5- Elektronik Silinebilir, Programlanabilir Salt Okunur Bellek (EEPROM) Devresi

DENEY 3a- Yarım Toplayıcı ve Tam Toplayıcı Devresi

Bölüm 2 Kombinasyonel Lojik Devreleri

İÇİNDEKİLER. 1-1 Lojik ve Anahtara Giriş Lojik Kapı Devreleri... 9

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

Bölüm 7 Ardışıl Lojik Devreler

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi

DENEY-4 Yarım ve Tam Dalga Doğrultucular

1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek.

Deney 3 5 Üç-Fazlı Tam Dalga Tam-Kontrollü Doğrultucu

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri

Bölüm 13 OPAMP lı Karşılaştırıcı ve Osilatör Devreleri

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

DENEY 11 PUT-SCR Güç Kontrolü

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri

Bölüm 13 FSK Modülatörleri.

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü DENEY-5-

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Ölçüm Temelleri Deney 1

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

SAYISAL DEVRE TASARIMI DERSİ LABORATUVARI DENEY 4: Yarım Toplayıcı ve Tam Toplayıcı Devresi

açık olduğu bir anahtar gibi davranır. Kesim durumu genellikle baz ile emetör arasına VBE uygulanması ile sağlanır, ancak 0.

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

ÜÇ-FAZLI TAM DALGA YARI KONTROLLÜ DOĞRULTUCU VE ÜÇ-FAZLI EVİRİCİ

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Taşıyıcısı Bastırılmış Çift Yan Bant ve Tek Yan Bant Genlik Modülatör ve Demodülatörleri

KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 8 Ardışıl Lojik Devre Uygulamaları

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri

DENEY 5: ALTERNATİF AKIMDA FAZ FARKI (R, L VE C İÇİN)

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

DENEY 4 PUT Karakteristikleri

Bölüm 2 DC Devreler. DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları

SAYISAL SİSTEMLERDE ORTAK YOLUN KULLANILMASI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI. DENEY 1 ve 2 İSTATİSTİK ÖRNEKLEME VE ÖLÇME HATALARI

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

V R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Bölüm 16 CVSD Sistemi

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

DENEY 10 UJT-SCR Faz Kontrol

SAYISAL TASARIM Derin

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6

Bölüm 13 FSK Modülatörleri.

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL)

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

Transkript:

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. Schmitt kapılarının yapı ve karakteristiklerinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Schmitt kapısı aşağıdaki karakteristiklere sahip olan tek lojik kapıdır: 1. Girişe uygulanan gelişigüzel dalga şekillerini çıkışta tek şekilli hale dönüştürür. Schmitt kapısı giriş gerilimi pozitif eşik gerilimini (VTH) aşınca tetiklenir. Giriş gerilimi negatif eşik geriliminin (VTL) altına düşünce çıkış tekrar durum değiştirir. 2. VTH gerilimi VTL geriliminden daha yüksek olmalıdır. VTH ile VTL arasındaki alana Histerezis adı verilir. 3. Schmitt kapısı, VTH ve VTL gerilimleri sayesinde, çoğu lojik kapıyı olumsuz etkileyen gürültüden daha az etkilenir. Kapının çıkış darbelerinin hızı da diğer kapılarınkilerden daha yüksektir. Şekil-1 (a) da Schmitt kapısının giriş ve çıkış dalga şekillerinin karşılaştırması verilmiştir. Şekil-1 (b) de ise temel lojik kapılar kullanılarak gerçeklenmiş bir Schmitt kapısı gösterilmektedir. Vo=0 ve R2 Vi Vs iken, Vs gerilimi yeteri kadar yüksek olursa Vi giriş R1 R2 gerilimi VTH gerilimini aşar. Vs gerilimi VTH gerilimini aştığında ve Vo= R2 Vcc R1 Vi Vs R1 R2 R1 R2 iken, Vs gerilimi yeteri kadar düşük olursa Vi giriş gerilimi, VTL geriliminin altına düşer. 4-1

(a) Vi-Vo (b) Schmitt kapısının devresi Şekil-1 Schmitt kapısı KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL-31001 Dijital Lojik Lab 2. KL-33002 Modülü DENEYİN YAPILIŞI 1. Bağlantı klipslerini Şekil-2 (a) ya göre yerleştirin. Şekil-2 (b) de kurulacak devreye eşdeğer bir devre gösterilmiştir. Şekil-2 (a) 4-2

Şekil-2 (b) 2. Y girişini darbe üretecinin sinüs dalgası çıkışına bağlayın. R3 direncini ayarlayarak F çıkışının kare dalga olmasını sağlayın. F noktasındaki (VF) ve A noktasındaki (VA) gerilimlerin dalga şekillerini Tablo-1 e çizin. SONUÇLAR Tablo-1 1. Bu devre yüksek-hızlı çıkış darbelerine sahiptir. 2. Schmitt kapılarının girişine uygulanan sinüs dalgalarının iki kritik noktası vardır: Üst tetikleme noktası ve alt tetikleme noktası. ALIŞTIRMALAR 1. CMOS temel lojik kapılarını kullanarak bir Schmitt kapısı gerçeklemeye çalışın. 4-3

DENEY 4b- Schmitt Kapı ile Osilatör Devresi Gerçekleştirme DENEYİN AMACI 1. Schmitt kapısının osilasyon karakteristiklerinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Schmitt kapıları için VH ve VL olmak üzere iki ayrı giriş gerilimi seviyesi vardır. Çıkış ancak giriş gerilimi VH den yüksekse veya VL den düşükse durum değiştirir. Schmitt kapıları, bu iki kesin değerli gerilim seviyesiyle R-C dolma/boşalmasından faydalanarak salınan dalga şekilleri üretir. Şekil 2 de Vo, çıkış gerilimi yüksek seviye konumundayken, C kondansatörü VH ye ulaşıncaya kadar R direnci üzerinden dolacaktır. Vo çıkış gerilimi, durum değiştirip düşük seviye konumuna geçince C kondansatörü R üzerinden boşalacaktır. Vo gerilimi, VL den düşük olunca tekrar durum değiştirecek ve döngüyü tekrarlayacaktır. Vo nun frekansı, R ile C nin değerleri ayarlanarak değiştirilebilir. Şekil 2 Şekil 3 te gösterilen devrenin çalışma döngüsü, çıkış frekansını etkilemeden değiştirilebilir. CR1 in dolma süresi azalırsa boşalma süresi artar. CR2 nin dolma süresi artarsa boşalma süresi azalır. Bununla birlikte T döngüsü (T=T1+T2) değişmez. Yapısal sınırlamalar nedeniyle TTL ve CMOS ların R dirençleri sırasıyla 5Ω dan küçük ve 100KΩ dan büyük olmalıdır. 4-4

Şekil 3 Şekil 4 ve 5 te R1 direnci sırasıyla a ve b konumlarındayken çıkıştaki dalga şekillerini göstermektedir. Şekil 4 R1= a Şekil 5 R1= b 4-5

KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL-31001 Dijital Lojik Lab. 2. KL-33007 Modülü 3. Osiloskop DENEYİN YAPILIŞI 1. Şekil 3-27 deki devreyi kurmak için bağlantı klipslerini Şekil 3-26 ya göre yerleştirin. 2. Giriş ve çıkışı osiloskop ile ölçün. Şekil 3-26 Şekil 3-27 3. VR yi ayarlayarak giriş/çıkış dalga şekillerini aşağıya kaydedin. Şekil 3-28 4. Bağlantı klipslerini Şekil 3-29 a göre yerleştirin. 4-6

5. R6 dirençleri a ve b konumundayken VA3 girişindeki ve VF1 çıkışındaki dalga şekillerini gözlemleyip kaydedin. SONUÇLAR 1. Schmitt osilatör devrelerinin çıkışlarındaki dalga şekli darbe şeklindedir. 2. Schmitt osilatör devrelerini kurmak oldukça basittir. HATA BENZETİMİ U1 kapısı kullanılırken F1 çıkışında dalga gözlenememektedir. Hata ne olabilir? ALIŞTIRMALAR 1.CMOS kullanarak Schmitt kapısı (40106) osilatör devresi gerçekleyin. Direnç 100KΩ u aşabilir mi? 4-7

Açık Kolektörlü Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. Açık kolektörlü kapıların karakteristiklerini ve bağlantılı VE kapıların işlevinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Şekil-3 (a) da açık kolektörlü bir devre (O.C.) gösterilmiştir. Q3 transistörünün kolektör ucuna hiçbir eleman bağlanmamıştır. Y çıkışını kullanmak için çıkışa bir yük veya direnç bağlanması gerekir. Kolektör ucuna herhangi bir eleman bağlamamanın avantajları şunlardır: 1. Yüksek gerilimli yükler doğrudan sürülebilir. 2. Bağlantılı VE kapıları gerçeklenebilir. (a) (b) (c) Şekil-3 4-8

(1) Doğrudan Sürülen Yüksek Gerilimli Yükler Şekil-3 (b) de kapı gerilimi +5V iken RL yükü +30V a bağlanmıştır. Eğer elektrik ampulleri, röleler gibi daha büyük yükler sürülecekse devreye Şekil-3 (c) de gösterildiği gibi ilave bir transistör bağlanabilir. (2) Bağlantılı-VE Kapısı Şekil-4 (a) da gösterilen VE DEĞİL kapılarının çıkışları birbirilerine bağlanırsa ve çıkışlardan biri lojik 0 olursa devrenin çıkışı da lojik 0 olur. Bu durumda VE DEĞİL kapılarının çıkışları VE kapısından geçmiş gibi davranır. Böyle lojik kapılara Bağlantılı-VE kapısı denir. Şekil-4 Bağlantılı-VE Kapısı Bağlantılı VE kapısına eşdeğer devre Şekil-4 (b) de gösterilmiştir. TTL lojik kapılar birleştirilerek bağlantılı VE kapıları oluşturulabilmesine rağmen, birbirlerine bağlanan girişlerin üreteceği yüksek akım nedeniyle oluşabilecek hasarları önlemek amacıyla TTL kapıların çıkışları birbirilerine bağlanmamalıdır. TTL tümdevrelerin pek çoğunda totem-pole çıkış düzeni bulunmaktadır. Şekil- 5 e bakın. 4-9

Y1 çıkışı yüksek seviyede ve Y2 çıkışı düşük seviyedeyse, Y çıkışı (Y=Y1*Y2) teorik olarak düşük seviyede olmalıdır. Bu durumda Q1 ve Q4 transistörleri iletimdedir ve 130Ω luk direncin üzerinden Q1, Q4 transistörlerine doğru yüksek bir akım akmaktadır. Bu yüksek akım kapının çıkışına bağlanan yüklerin sürülmesi sonucunda oluşmamıştır. Aksine tümdevrenin içinde üretilmiştir ve tüketilmektedir. Bu yüzden totem-pole çıkış düzenindeki TTL kapıları, bağlantılı VE kapıları gerçeklemek için elverişli değildir. Şekil- 6 da çıkışları birleştirilmiş tipik bir açık kolektörlü kapı devresi gösterilmiştir. Şekil -6 RL direnci harici bir aygıttır. RL direnci bağlı değilken Q1, Q2 transistörlerinin hiçbiri iletimde olmayacaktır. Eğer RL direnci bağlı ve Q1 transistörü iletimdeyse Q2 transistörü kesimde olacak ve +Vx gerilimi RL direnci üzerinden Q1 e doğru akacaktır. Q2 transistöründe akım olmayacak ve çıkış Y=1 olacaktır. Eğer Q1 transistörü kesimde ve Q2 transistörü iletimdeyse +Vx gerilimi Q2 ye doğru akacak ve çıkış Y=0 olacaktır. Akım RL yükünden geçirildiği için tümdevrenin içinde yüksek akım üretilmemiştir. Bağlantılı-VE kapısının çok önemli uygulamaları vardır. Örneğin sekiz adet 4Kb lık belleğe bağlantılı-ve işlemi uygulayarak 32Kb lık bellek elde edilebilir. Açık kolektör işlevi olan tümdevrelerden bazıları şunlardır: 7401, 7403, 7405 ve 7409. 7406 ve 7407 devreleri açık kolektörlü olmalarının yanı sıra, tampon/sürücü işlevine ve 30V veya daha fazla gerilime dayanabilme yeteneğine sahiptir. 4-10

KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL-31001 Dijital Lojik Lab 2. KL-33002 Modülü 3. Multimetre DENEYİN YAPILIŞI (a) Yüksek Gerilim/Akım Devresi 1. C noktasını +Vcc gerilimine, A girişini SW1 veri anahtarına, F1 çıkışını ise L1 lojik göstergesine bağlayın. A= 0 ve A= 1 durumlarında çıkış gerilimini ölçün ve L1 göstergesini gözlemleyin. Şekil-8 (1) A=0 iken, F1= V. L1 göstergesinin durumu nedir? (2) A=1 iken, F1= V. L1 göstergesinin durumu nedir? 2. F1 ve R1 arasına bir bağlantı klipsi yerleştirin. C girişini ayarlanabilir güç kaynağına bağlayarak gerilimi maksimum değere getirin. A girişi ve F1 çıkışı SW1 anahtarına ve L1 göstergesine bağlı kalacaktır. A= 0 ve A= 1 durumlarında F1 gerilimini ölçünüz ve L1 göstergesini gözlemleyin. (1) A=0 iken, F1= V. L1 göstergesinin durumu nedir? (2) A=1 iken, F1= V. L1 göstergesinin durumu nedir? 3. F1 ve R1 arasındaki bağlantı klipsini kaldırın. Elektrik ampulünü yük olarak kullanmak için bağlantı klipsini F1 ve R2 arasına yerleştirin. Diğer bağlantılar aynı kalacaktır. L1 göstergesini gözlemleyin. (1) A=0 iken L1 göstergesinin durumu nedir? (2) A=1 iken L1 göstergesinin durumu nedir? 4-11

(b) Açık Kolektörlü Kapı ile VE Kapısı Gerçekleştirme 1. Bağlantı klipslerini Şekil-9 (a) ya göre yerleştirin. Şekil 2-26 (b) de eşdeğer devre gösterilmiştir. A, B girişlerini SW0, SW1 anahtarlarına, F3 çıkışını L1 lojik göstergesine bağlayın. F3 çıkışını ölçüp L1 göstergesini gözlemleyin. Şekil-9 (a) Şekil-9 (b) 2. SW0(A)=SW1(B)=0 iken F3= V. L1=. SW0(A)=SW1(B)=1 iken F3= V. L1=. SW0(A) SW1(B) iken F3= V. L1=. 3. Bu devre bir kapısı gibi davranır. 4-12

SONUÇLAR 1. Eğer açık kolektörlü bir kapının çıkışına direnç veya yük bağlanmamışsa kapının çıkışının herhangi bir lojik fonksiyonu olmaz. 2. Devrenin çıkışına bağlanan direnç devrenin sınırlaması dahilinde istenilen büyüklükteki gerilime bağlanabilir. 3. Açık kolektörlü bir devrenin çıkışları birbirilerine bağlanmışsa bu bağlantı bir VE kapısı görevi görür. ALIŞTIRMA Dört adet açık kolektörlü kapı kullanarak bir DEĞİL elemanı gerçekleyin. Çıkışları birbirine bağlayın. Elde ettiğiniz devrenin karakteristikleri nelerdir? ÇOKTAN SEÇMELİ SORULAR ( ) 1. O.C. kısaltmasıyla belirtilen tümdevreler: 1. Yüksek gerilime dayanabilir 2. Aşırı akım yüklemesine dayanabilir 3. Açık kolektörlü devrelerdir. ( ) 2. Aşağıdaki kapılardan hangisinin girişleri birbirine bağlanabilir? 1. TTL kapısı 2. CMOS kapısı 3. Üç durumlu kapı 4. Yukarıdakilerin hepsi ( ) 3. Aşağıdaki kapılardan hangisinin çıkışları birbirine bağlanabilir? 1. Totem-pole çıkışlı kapılar 2. Açık kolektörlü kapı 3. Yukarıdakilerin hepsi ( ) 4. Çıkışı herhangi bir yüke bağlanmamış açık kolektörlü bir kapı hangi durumdadır? 1. Değişken 2. Yüksek seviye 3. Düşük seviye 4-13

( ) 5. Açık kolektörlü kapılar kullanılarak aşağıdakilerden hangisi gerçeklenebilir? 1. Bağlantılı VEYA kapısı 2. Bağlantılı VE kapısı 3. Bağlantılı VEYA DEĞİL kapısı ( ) 6. Aşağıdaki devrenin F çıkışı neye eşittir? 1. A B 2. A+B 3. A B ( ) 7. Eğer bir tümdevre ve açık kolektörlü bir kapı için belirlenmiş gerilimler sırasıyla 5V ve 30V ise çıkıştaki yükün bağlanacağı gerilim ne olur? 1. en az 5V 2. en az 10V 3. en fazla 30V 4-14