ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

Benzer belgeler
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

ELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

1. Şekildeki devreyi benzetim programında kurunuz (sinyal kaynağı: 3Hz, sinüzoidal dalga: min -3V, max 3V, diyot:1n4001).

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 1

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

ELEKTRONİK-1 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Diyot Karakteristikleri Deneyleri (PN Jonksiyon)

ELEKTRONİK LAB. 1. DENEY QUİZ ÇALIŞMA SORULARI

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1. DİYOT ve UYGULAMALARI

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

SICAKLIK ALGILAYICILAR

DENEY 6 TUNGSTEN FİTİLLİ AMPUL VE YARIİLETKEN DİYOT

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI (OHM, KİRCHOFF AKIM VE GERİLİM)

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

Şekil 1. R dirençli basit bir devre

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.

ZENER DİYOTLAR. Hedefler

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

Atomdan e koparmak için az ya da çok enerji uygulamak gereklidir. Bu enerji ısıtma, sürtme, gerilim uygulama ve benzeri şekilde verilebilir.

Elektronik Laboratuvarı

DENEY DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK

AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVAR DENEY # 1

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI-GERİLİM VE AKIM ÖLÇÜMLERİ

1) Seri ve paralel bağlı dirençlerin eşdeğer direncinin bulunması. 2) Kirchhoff akım ve gerilim yasalarının incelenmesi.

Doğru Akım Devreleri

DENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

DENEY 1- LABORATUAR ELEMANLARININ TANITIMI VE DC AKIM, DC GERİLİM, DİRENÇ ÖLÇÜMLERİ VE OHM KANUNU

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

ELEKTRİK AKIMI Elektrik Akım Şiddeti Bir İletkenin Direnci

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

Temel Elektrik Elektronik. Seri Paralel Devrelere Örnekler

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALARI LABORATUARI I

1. Diyot Çeşitleri ve Yapıları 1.1 Giriş 1.2 Zener Diyotlar 1.3 Işık Yayan Diyotlar (LED) 1.4 Fotodiyotlar. Konunun Özeti

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

V R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

P-N Birleşimli Diyotlar

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

KIRCHHOFF YASALARI VE WHEATSTONE(KELVİN) KÖPRÜSÜ

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

Transkript:

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ ADI SOYADI : NUMARA : Ön Çalışma : Deney Başarısı : Deney Raporu : TOPLAM : 1

i. ÖN ÇALIŞMA (%30) 1. Diyotun nerelerde kullanıldığını araştırınız (Niçin elektronikte diyot kullanıyoruz?). Bu konuya ilişkin üç örnek veriniz. 2. Yarıiletken nedir? 3. En yaygın bilinen 2 yarıiletken elementin adını yazınız. 4. Bunlarından birini seçerek, bu maddenin nasıl P ve N tipi yarıiletken olduğunu açıklayınız. 5. Aşağıdaki değerler için Silisyum bir diyotu 27 de ve I s=1,73 na olarak I D değerlerini bulunuz: (DENKLEM 1 VEYA DENKLEM 2 Yİ KULLANABİLİRSİNİZ) 0,45 0,52 0,55 0,58 0,6 0,61 0,62 0,63 0,64 0,65 0,68 0,7 I D 6. Benzetim programında (Multisim) şekil 5 teki devreyi kurunuz ve (aşağıdaki) tablo 1 i doldurunuz. E (v) 0 0,5 0,75 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 5 10 15 V R (v) I D (ma) 7. Tablo 1 e göre (aşağıdaki) şekil 6 daki eğriyi tamamlayınız. I D V D 2

8. Benzetim programında (Multisim) şekil 5 teki devreyi kurunuz, güç kaynağının yönünü çeviriniz ve (aşağıdaki) tablo 2 yi doldurunuz. E (v) 0 1 2 3 4 5 10 15 V R (mv) I D (µa) 9. Tablo 2 e göre (aşağıdaki) şekil 7 daki eğriyi tamamlayınız. I D V D KURALLAR: Cevapları olduğunca basit, anlaşılabilir tutunuz. Örneğin, iletken nedir sorusuna iletken elektrik akımını geçiren maddelerdir. Ör: Bakır, demir cevabı yeterlidir. Cevapları tamamıyla kendi çalışmanız olarak yapınız grup çalışması kabul edilmez. İki ya da daha fazla öğrencinin çalışması aynıysa kabul edilmez. Deneye gelmeden önce çalışma yapılmış ve tamamlanmış olmalıdır, aksi halde deneye katılmanıza izin verilmez ve deney notu sıfır olarak verilir. Cevapları çizgisiz bir A4 kâğıdına mavi/siyah tükenmez kalemle yapınız ve her sayfanın sol üst köşesine isim soy isim, öğrenci numarası ve Elektronik 1 Deney 1 olarak açıklama yazınız. 3

ii. DENEY PUANLAMASI (%40) Devre kurumu düzen %10 Teknik bilgi %10 Ölçüm Sonuçları %15 Çalışmanı düzeni %5 iii. DENEY RAPORU (%30) 1. Deney tahtası üzerine kurduğunuz devre için aşağıdaki değerleri not ediniz. E (v) 0 0,5 0,75 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 5 10 15 V R (v) I D (ma) 2. yukarıdaki tabloya göre yandaki grafiği çiziniz. 3. Deney sonuçlarına göre tablo 1 şekil 6 daki grafik ile deney sonrası çizdiğiniz grafik arasında fark var mıdır? Varsa nedenlerini tartışınız. 4. Deney tahtası üzerinde niçin terspolarma deneyi yapılmamıştır? Açıklayınız? I V 4

5 ELEKTRONİK LAB. I DİYOTUN KARAKTERİSTİĞİ

DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ I. ÖNBİLGİ Yarı İletken Yarı iletken malzemeler, P (pozitif) veya N (negatif) tip yarıiletken olarak ikiye ayrılırlar. P tip yarıiletkende pozitif yük mevcuttur. Malzeme içindeki elektronlar (negatif yüklü) ve delikler (pozitif yüklü) eşleştiğinde boşlukta serbest olarak dolaşan delikler vardır çünkü delik sayısı elektrondan oldukça fazladır, buna çoğunluk yük taşıyıcısı denir. Bu da malzemeye (+) yük katar. Tam tersi şekilde N tip malzemede çoğunluk yük taşıyıcısı elektronlardır. Elektronlardaki negatif yük sebebiyle malzeme de ( ) yükle yüklüdür. (Şekil 1) Yarıiletken Diyot P tip N tip ŞEKİL 1: P VE N TİP MATERYALLER. Yarıiletken diyotların temeli P ve N tipi madde ve aralarındaki elektron akışı oluşturur. P tipi maddede delikler, N tipi maddede elektronlar serbesttir. Bu iki malzeme arasında engel bulunmaktadır. Bu engeli bir miktar azınlık yük taşıyıcısı (çoğunluk olmayan yükler: P maddede (-) ler, N maddede (+) lar) geçebilir. Pozitif ve negatif yükler birbirini çeker. (+) YÜKLER BİRBİRİNİ İTER (-) YÜKLER BİRBİRİNİ İTER Bir miktar (-) yük P bölgesine ve bir miktar (+) yük N bölgesine geçer. 6

P bölgesindeki (-) yükler N bölgesindeki elektronları, N maddesindeki bölgesindeki (+) yükler ise P bölgesindeki delikleri iter. Böylece PN arasında bir potansiyel oluşmuş olur ve bu potansiyeli daha fazla (+) veya (-) yük geçemez. Bu potansiyele engelin yüksekliği denir, birimi Volt tur. İleri Polarma (Düz Besleme) Diyotun P ucuna bataryanın artı ucu bağlandığında bu bölgedeki delikler birleşim bölgesine doğru itilir. Benzer şekilde diyotun N ucu eksi uca bağlı olduğundan, buradaki elektronlar da birleşim bölgesine itilir. Böylece iki madde arasındaki potansiyel engel (engelin yüksekliği) azalır. Azalan potansiyel sebebiyle çoğunluk yük taşıyıcıları artık karşı tarafa geçebilir. İletim sağlanır. Geri Polarma (Ters Besleme) Diyotun P ucuna bataryanın - ucuna ve N ucu artı beslemeye bağlı olduğundan bu yükler birbirini çeker. Böylece yükler birleşim alanından uzaklaşır, engelin yüksekliği (aradaki potansiyel ) artar. Bu yüksek potansiyelden sadece belli miktarda azınlık yük taşıyıcısı geçebilir. Bir süre sonra bu alandan geçebilen azınlık yük taşıyıcısı sabitlenir, buna ters doyma akımı denir. Eğer aradaki potansiyel daha yükseltilirse diyot içerindeki PN madde yapıları bozulur. Buna kırılma denir. II. GEREKLİ MALZEMELER 1. 1 adet 1N4001 Diyot 2. 1kΩ direnç 3. Ayarlı güç kaynağı (DC 0v-10v) 4. Ölçü Aleti (kendi multimetrenizi getiriniz. Bir gruba 3 ölçüm aleti gerekli) III. DENEYİN YAPILIŞI VE SONUÇLARI Amaç: Diyodun çalışma prensibini ve karakteristik yapısını incelemek. Diyot: bir yönünde küçük direnç göstererek akım geçişine izin veren, diğer yönde yüksek direnç göstererek akım geçirmeyen (veya çok az akım geçiren) devre elemanlarına diyot denir. Şekil 1 de diyotun içyapısı, devre sembolü ve paketlenmesi gösterilmektedir. Diyodun devre eşdeğeri aşağıdaki gibidir. Silisyum diyotlar için 0,7 v ve germanyum diyotlar için 0,3v eşik gerilimi vardır. ŞEKİL2: YARIİLETKEN DİYOT 7

Multimetre ile Diyodun Sağlamlık Kontrolü: Diyodun sağlamlık kontrolü OHM kademesinde yapılır. Çünkü diyot bir yönde direnç göstermeden akım geçişine izin verirken, diğer yönde çok yüksek direnç göstererek akım geçişine müsaade etmez. Bu doğrultuda diyotun ohmmetrede bir yönde çok küçük direnç (sıfıra olabildiğince yakın), diğer yönde çok yüksek direnç (sonsuz olması istenir fakat genelde 4-5 MΩ gösterebilir) göstermesi gereklidir. Yarıiletken Diyodun Karakteristiği Diyodun artı ucuna Anot, eksi ucuna Katot denir. Akım geçişi ileri polarmada sağlanırken, ters polarmada sağlanmaz. ŞEKİL3: DMM İLE DİYOTUN SAĞLAMLIK KONTROLÜ I D (ma) İleri polarma bölgesi Kırılma noktası Sızıntı akımı İletime geçme gerilimi Ters polarma bölgesi I D (µa) ŞEKİL 4: DİYODUN AKIM-GERİLİM EĞRİSİ Diyodun akım-gerilim karakteristiği aşağıdaki formülle matematiksel olarak gösterilir. I D = I o (e qv D ktn 1) denklem 1 I D=diyot akımı I o=diyot ters yön doyma akımı I o = V R R eş R eş = R R DMM (DMM: Dijital multimetre) V D= diyot gerilimi k=boltzmann sabiti 1,3806.10-23 ev q=elektron yükü 1,6.10-19 C ƞ=yarı iletken katsayı (genelde Ge:1 ve Si:2 olarak kabul edilir) T=sıcaklık (Kelvin cinsinden T k=t c+273 ) 8

Denklem 1 in V D türünden eşitliğini yazarsak: V D = ktn ln q (I D + 1) I o denklem 2 bulunur. Diyodun DC karakteristiği Yandaki şekilde gösterilen devreyi benzetim programında gerçekleştiriniz. Gerilim kaynağı E yi tabloda gösterilen değerlere getiriniz ve tabloyu doldurunuz. Tablodaki değerleri kullanarak akımgerilim eğrisini çiziniz. ŞEKİL5: DİYODUN DC KARAKTERİSTİĞİ E (v) 0 0,5 0,75 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 5 10 15 V R (v) I D (ma) TABLO 1: İLERİ POLARMA BENZETİM SONUÇLARI I D = V R R olduğunu gösteriniz. I D Formül ile deneyde bulduğunuz rakamları kullanarak ID=VR/R olduğunu kanıtlayınız. V D ŞEKİL 6: DİYOT DÜZ POLARMA V-I EĞRİSİ 9

Devrede güç kaynağının yönünü ters çeviriniz ve işlem başmaklarını tekrarlayınız (birimlere dikkat ediniz). E (v) 0 1 2 3 4 5 10 15 V R (mv) I D (µa) TABLO2: TERS POLARMA BENZETİM SONUÇLARI I D V D ŞEKİL 7:DİYOT TERS POLARMA V-I EĞRİSİ İleri polarma devresini breadboard üzerine kurunuz. Gerilim kaynağını kademeli olarak aşağıdaki tabloya göre artırınız ve tüm işlemleri benzetim programındaki gibi tekrarlayınız (tek bir multimetreyi sırasıyla direnç gerilimini ve diyot gerilimini ve sonrasında devreden geçen akımı ölçmek için kullanabilirsiniz). E (v) 0 0,5 0,75 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 5 10 15 10

V R (v) I D (ma) TABLO 3: UYGULAMA DENEY SONUÇLARI I V ŞEKİL 8: DİYOT DÜZ POLARMA V-I EĞRİSİ-UYGULAMA 11