BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

Benzer belgeler
Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

Şekil Sönümün Tesiri

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

RC Osilatörler. Şekil Temel Osilatör Blok Diyagramı

1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır?

Deney 4: 555 Entegresi Uygulamaları

BÖLÜM 3 OSİLASYON KRİTERLERİ

SAYISAL TASARIM Derin

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

Şekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI

AMLİFİKATÖRLER VE OSİLATÖRLER

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

Şekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri)

Analog Sayısal Dönüşüm

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

DENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

YÜKSELTEÇLER Ö Ğ R. G Ö R. D R. E S R A B İ L A L Ö N D E R

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

DERS NOTLARI. Yard. Doç. Dr. Namık AKÇAY İstanbul Üniversitesi Fen Fakültesi

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

BÖLÜM VIII ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLER

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

DENEY FÖYÜ 5: Diyotlu Doğrultma Devreleri

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

FM VERİCİ YAPIMI VE ÇALIŞMA PRENSİBİNİN ÖĞRENİLMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

Alternatif Akım Devreleri

Tek kararlı(monostable) multivibratör devresi

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

İleri Diferansiyel Denklemler

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

M BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİEĞİ

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

KISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM)

T.C. MİLLÎ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ OSİLATÖR

Deney 5: Osilatörler

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

İNDEKS. Cuk Türü İzolesiz Dönüştürücü, 219 Cuk Türü İzoleli Dönüştürücü, 228. Çalışma Bölgeleri, 107, 108, 109, 162, 177, 197, 200, 203, 240, 308

Bölüm 14 FSK Demodülatörleri

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir.

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

ZENER DİYOTLAR. Hedefler

(BJT) NPN PNP

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

Elektrik Devre Lab

ALTERNATİF AKIMIN TANIMI

TEMEL ELEKTRİK-ELEKTRONİK DERSİ SORU BANKASI

Temel Kavramlar Doðru Akým (DA, DC, Direct Current) Dinamo, akümülâtör, pil, güneþ pili gibi düzenekler tarafýndan

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Transkript:

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen, testere dişi gibi dalga şekillerini oluşturan dalga üreteçleri birçok devrelerde kullanılırlar. Dalga üreteçlerine osilatör denir. Aslında bir osilatör, kendi giriş sinyalini kendi temin eden bir yükselteçtir. 9.2 DALGA ÜRETEÇLERİNİN SINIFLANDIRILMASI Dalga üreteçleri, çıkış dalga şekillerine göre sinüsoidal ve sinüsoidal olmayan osilatörler olarak iki geniş kategori içinde sınıflandırılır. Sinüsoidal bir osilatör, çıkışında sinüs dalga şekli oluşturur. Burada, çıkış genliğinin sabit olması arzu edilir. Alçak frekans osilatör tiplerinde frekans tespit edici devre için direnç ve kondansatör kullanılıyorsa R-C osilatör olarak adlandırılır. Bu tip osilatörler, alçak frekanslı sinüsoidal sinyal ürettiği için ses frekans sahasında kullanılırlar. L-C osilatörlerde, frekans tespit edici olarak bobin ve kondansatör kullanılır. L-C osilatörlerde yüksek frekanslı sinyaller elde edilir ve alıcı-verici gibi devrelerde kullanılırlar. Diğer tip osilatörler ise kristal kontrollü osilatör olup bunlar frekans kararlığının en iyi olduğu osilatördür. Ses frekansın ortasından, radyo frekans sahasının tamamında kullanılırlar. Sinüsoidal olmayan osilatörler; kare, dikdörtgen veya testere dişi gibi kompleks dalga şekillerini meydana getirirler. Sinüsoidal olmayan osilatörlerin çıkışları genellikle ani bir değişme belirlediği için bu tip osilatörlere relaksasyon osilatörü denir. Relaksasyon (Relaxtion) osilatörü, bir bobin veya kondansatörün bir direnç üzerinden yavaş yavaş şarj ve hızla deşarj olmasıyla sinüsoidal olmayan bir sinyali üreten osilatördür. Kare dalga üreten multivibratörler ve testere dişi üreten osilatörler, sinüsoidal olmayan osilatörler sınıfına girer.

9.3 OSİLASYON İÇİN GEREKLİ ŞARTLAR Paralel bobin ve kondansatörlerden oluşan devreye tank devresi adı verilir. Bir tank devresinden osilasyon (salınım) elde edilebilir. Bir kondansatörü, DC bir bataryaya tam olarak şarj ettikten sonra bir bobine paralel bağlayalım. Şu anda kondansatör kaynak görevini görür. Kondansatör, bobin üzerinden deşarj oldukça, bobinden akan akım, bobin etrafında manyetik alan oluşturur. Kondansatör, üzerindeki potansiyeli, bobine manyetik alan oluşturarak aktarmıştır. Kondansatör, tam olarak deşarj olduktan sonra bobin üzerindeki manyetik alan çökmeye başlar. Manyetik alan tamamen çökünceye kadar akım devamlı akacak ve kondansatör bir önceki durumuna göre ters yönde şarj olacaktır. Devrede, elemanları birbirine irtibatlandırmada kullanılan iletken tellerin az da olsa bir direnci olduğundan, şu andaki kondansatörün üzerindeki şarj miktarı, bir öncekine göre daha az miktarda olacaktır. Olaylar böyle devam ederse tank devresi uçlarından gittikçe sıfıra ulaşan bir salınım elde edilir. Sıfıra ulaşmasının nedeni, devredeki direnç değeridir. Sönümsüz bir sinüsoidal dalga, devrede direncin bulunmadığını, iletken tellerin direncinin sıfır olduğu ideal bir ortamda elde edilir. Gerçekte varolan böyle bir dahili direncin, tank devresinden elde edilen sinüsoidal sinyalin sönmesine ve giderek sıfıra gitmesine sönüm (damping) denir. Osilasyonların devamlılığını sağlamak için gerekli şartlar; Yükseltme, Geri Besleme ve Frekans Tespit Edici Devre dir. Bir osilatör, kendisine giriş sinyali temin eden bir yükselteçtir. Bir osilatörden istenen, sabit genlikte ve belli bir frekansta dalga şekli meydana getirmektir. Geri Besleme Yükselteç Şekil 9.1 Temel osilatör blok diyagramı Bir yükselteçte olduğu gibi bir osilatörün de yükseltme yapabilmesi için güç kaynağına ihtiyaç vardır. Yükseltilen sinyalin gücü, girişten çıkışa doğru meydana geldiğinden çıkışın bir kısmı şekil 9.1 de görüldüğü gibi giriş olarak kullanılmak üzere geriye beslenmelidir.

Devre kayıplarının önüne geçebilmek ve osilasyonların devamlılığı için kullanılması gereken geri besleme pozitif geri besleme olmalıdır. Bir osilatörün önceden belirlenecek bir frekansta osilasyon yapabilmesi için bir frekans tespit ediciye ihtiyaç vardır. Bu frekans tespit edici, aslında filtre devresi olup istenen sinyalleri geçirip istenmeyenleri bastırır. Osilatör çıkışındaki sinyalin, genlik ve frekansının sabit tutulabilmesi için, osilatör devresindeki yükseltecin, çıkış yükü ve pozitif geri besleme için yeterli kazancı sağlaması gerekir. Genellikle güç kazancının büyük olması, giriş ve çıkış empedansının birbirine kolayca uydurulabildiği tertip olarak emiteri ortak bağlantı olarak kullanılır. 9.4 SİNÜSOİDAL DALGA ÜRETEÇLERİ Sinüsoidal sinyal üreten osilatör devrelerinde, frekans tespit edici olarak R-C devresi ve kristal kullanılır. Eğer, frekans tespit edici olarak R-C devresi kullanılırsa, osilatörden alçak frekanslı sinüs sinyali elde edilir. Frekans kararlılığının en iyi olduğu osilatörler ise kristal kontrollü osilatörlerdir. Alıcı ve verici devrelerde kullanılan osilatörlerin frekans kararlılığının çok iyi olması istenir. R-C osilatörler 20 Hz - 20 KHz arasındaki ses frekans sahasında kullanılmak üzere sinüs sinyali üretirler. Frekans tespit edici olarak direnç ve kondansatörler kullanılır. D C B A Giriş Sinyali Emiteri Ortak Yükselteç Şekil 9.2 R-C osilatörün blok diyagramı Şekil 9.2 deki blok diyagramda R-C osilatörün blok diyagramı gösterilmiştir. Blok diyagramdaki R- C devresi, hem pozitif geri beslemeyi, hem de frekans tespit edici devreyi sağlar. Blok diyagramdaki yükselteç devresi, emiteri ortak yükselteç olduğu için A noktasındaki kollektör sinyali ile base üzerindeki sinyal 180 faz farklıdır. Sinyal, C 1 den R 1 e uygulandığında yaklaşık 60 lik faz kaydırma

meydana gelir. Faz kaydırma oluştuğu için genlikte bir miktar azalma olur. B noktasındaki sinyal C 2 üzerinden R 2 ye uygulandığında yaklaşık 120 lik bir faz kayması meydana gelir ve genlikte yine azalma olur. C noktasındaki sinyal C 3 üzerinden R 3 e uygulanırken 180 faz kaydırmaya maruz kalır. 3 adet R-C devresinin her biri 60 faz kaydırıp toplam 180 lik kaymaya neden olmuştur. D noktasındaki sinyal, transistörün beyzine uygulanan pozitif geri besleme sinyalidir. 9.5 KRİSTALLER 9.5.1 KRİSTALİN YAPISI VE ÇALIŞMASI Osilatörlerde frekans kararlılığı çok önemlidir. Bir osilatörün sabit frekansta kalabilme özelliğine Frekans Kararlılığı denir. RC ve LC osilatörlerde frekans kararlılığı iyi değildir. Verici devrelerinde, tahsis edilen frekansta yayın yapabilmesi için frekans kararlığı en iyi olan kristal kontrollü osilatörler kullanılır. RC veya LC osilatörlerde, L, C ve R değerlerindeki değişiklikler, transistörlü yükseltecin statik çalışma noktasındaki değişiklikler, sıcaklık ve nem gibi çevresel değişimlere bağlı olarak frekans kararlılığı değişir. Kristal, piezoelektrik etkiyle çalışan bir elemandır. Piezoelektrik özellik sergileyen doğal kristal elemanlar; quartz ( kuvars ), Rochelle tuzu ve turmalindir. Genellikle kristal mikrofonlarda Rochelle tuzu kullanılırken osilatörlerde frekans kararlılığı nedeniyle quartz kullanılır. Quartz kristalinin bir yüzüne mekanik baskı uygulandığı zaman karşıt yüzler arasında bir gerilim oluşur. Kristallerde etki iki türlüdür. Mekanik titreşimlerin elektriki salınımlar; elektriki salınımların mekanik titreşimler üretmesine Piezoelektrik Etki adı verilir. Bir kristalde, rezonans frekansında veya buna yakın bir frekansta AC bir sinyal uygulandığında, kristal mekanik salınımlar yapmaya başlar. Mekanik titreşimlerin büyüklüğü, uygulanan gerilim büyüklüğü ile doğru orantılıdır. Şekil 9.3 Kristalin Sembolü ve Eşdeğer Devresi

Kristalin ( xtall ) sembolü ve eşdeğer devresi şekil 9.3 te gösterilmiştir. Eşdeğer devredeki her bir eleman, kristalin mekanik bir özelliğinin karşılığıdır. C m, kristalin mekanik montajından kaynaklanan kristalin elektrotları arasında var olan kapasitansı gösterir. Eşdeğer devredeki C, kristalin mekanik yumuşaklığına ( esneklik-elastisite ) eşdeğeridir. Eşdeğer devredeki L, titreşim yapan kristalin kütlesini, R ise kristal yapısının iç sürtünmesinin elektriksel eşdeğerini gösterir. R ile gösterilen kristal kayıpları çok küçük olduğundan, kristallerin Q kalite faktörü 20.000 gibi çok büyük bir değerdedir. L- C tank devrelerinde elde edilemeyen yüksek kalite faktörü kristal kontrollü osilatörlerde elde edilir. Bu da kristalli osilatörlerin yüksek kararlılığını ve kesinliğini gösterir. Bir kristalin, seri ve paralel eşdeğer devresi olduğu için seri ve paralel olmak üzere iki rezonans frekansı vardır. Seri rezonans devresi R, L ve C den paralel rezonans ise L ve C m den oluşur. 9.6 KARE DALGA ÜRETEÇLERİ VE DEVRE ÇEŞİTLERİ Kare dalga üreten devrelere MULTIVIBRATOR denir. Bir multivibratör, temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genellikle bir yükselteç iletimde iken diğeri yalıtımdadır. 3 tip multivibratör vardır: -Kararsız ( astable ) multivibratör -Tek kararlı ( monostable ) multivibrator -Çift kararlı ( bistable ) multivibrator 9.6.1 KARARSIZ ( ASTABLE ) MULTİVİBRATOR Şekil 9.4 Astable Multivibratör

Bu multivibratör devresi sabit bir konumda değildir. Dışarıdan bir tetikleme palsi uygulanmadığından, transistörler sıra ile yalıtımdan iletime geçer. Şekil 9.4 teki astable multivibratör devresinde R 1 = R 2, R 3 = R 4, C 1 = C 2, Q 1 = Q 2 olduğundan iki transistörün aynı anda iletimde yada kesimde olduğu düşünülebilir. Fakat devredeki elemanların az da olsa birbirinden ayıran toleransları vardır. Örneğin, 100KΩ luk direncin toleransı %5 ise bu direncin değeri 95KΩ ile 105KΩ arasındadır. O halde devredeki elemanların toleransları olduğu için başlangıçta bir transistör iletimde, diğeri ise kesimdedir. Başlangıçta; Q 1 yalıtımda, Q 2 iletimde olsun. Bu durumda C 2 kondansatörü Q 2 ve R 4 üzerinden V 0 gibi bir voltaja şarj olur. Bu esnada C 1 kondansatörü de Q 2, R 1 ve +Vcc üzerinden dolmaya başlar. C 1 in sol ucu ( + ), sağ ucu ( - ); C 2 nin sol ucu ( + ), sağ ucu ise ( - ) olarak kutuplanır. C 2 kapasitesi üzerindeki gerilim Q 1 transistörünü iletime geçirebilecek seviyeye ulaştığında Q 1 iletime geçer. Bu anda, C 1 in ( + ) ucu şaseye, ( - ) ucu ise Q 2 nin beyzine bağlanmış olacağından Q 2 kesime girer. C 1 kapasitesi R 3 ve Q 1 üzerinden deşarj olmaya başlar. C 1 in üzerindeki gerilim miktarı 0Volt a iner ve ilk durumuna göre ters yönde yükselmeye başlar. Bu esnada C 2 kapasitesi, Q 1 ve R 2 üzerinden kaynak voltajı olan Vcc ye şarj olmaktadır. C 1 üzerindeki gerilim V 0 gibi yeterli seviyeye ulaştığında Q 2 iletime girer. Bu anda C 2 kondansatörünün ( + ) ucu şaseye, ( - ) ucu ise Q 1 transistörünün beyzine irtibatlı olduğundan Q 1 yalıtıma girer. Bu olay böyle devam eder. Q 1 in kollektör voltajı Q 2 in kollektör voltajı Şekil 9.5 Astable Multivibratörün Dalga Şekilleri Şekil 9.5 te transistörlerin çıkışlarından alınan sinyaller gösterilmiştir. Q 1 veya Q 2 transistörlerinin kollektöründen kare dalga elde edilir. Bu kare dalganın frekansı R 3, R 4, C 1 ve C 2 değerlerine bağlıdır. Elde edilen kare dalganın periyodu: T = 0,7.( R 3.C 1 + R 4.C 2 ) formülüyle bulunur. Düzgün bir kare dalga için R 3 = R 4, C 1 = C 2, olacak şekilde seçilmelidir.

Şekil 9.4 deki devrede R 1 = R 2 = 270Ω, C 1 = C 2 = 0,1μF ise oluşacak kare dalganın frekansını bulunuz. T = 0,7.( 10.10 3.0,1.10-6 + 10.10 3.0,1.10-6 ) T = 0,7.( 1.10-3 + 1.10-3 ) = 0,7.2.10-3 = 1,4 ms f = 1/T = 1/1,4.10-3 = 714,28 Hz. 9.6.2 TEK KARARLI ( MONOSTABLE ) MULTİVİBRATÖR Monostable multivibratör, bir transistör iletimde ve diğeri yalıtımda olduğundan tek bir sabit konuma sahip olan bir devredir. Devrenin konum değiştirebilmesi için yani kesimde olan transistörün iletime geçebilmesi için bir tetikleme palsinin devreye tatbiki şarttır. Şekil 9.6 Monostable Multivibratör Şekil 9.6 daki devreye tetikleme palsi C T, R T ve D T elemanları ile Q 1 in beyzine tatbik edilir. C T, R T ve D T den oluşan devre bir türevleyici devredir. Girişten kare dalga uygulanır. R T üzerinden pozitif ve negatif olmak üzere darbeler alınır. Bu darbelerin negatif alternanslarının yok edilmesi için diyod kullanılmıştır.

Şekil 9.6 daki devreye dışarıdan herhangi bir etkide bulunulmadığı sürece, yani girişten kare dalga verilmediği sürece Q 1 transistörü yalıtımda, Q 2 ise iletimdedir. Çünkü Q 2 beyz polarmasını almıştır. Q 1 transistörünü kesimden kurtarmak için beyzine yeterli genlikte bir pozitif darbenin uygulanması gerekir. Bunun için girişten kare dalga uygulanır. Q 1 transistörü iletime geçtiği anda C kapasitesinin ( + ) kutbu Q 1 vasıtasıyla ( C-E eklemi kısa devre ) toprağa, ( - ) kutbu ise Q 2 nin beyzine bağlı durumdadır. Böylece, Q 2 nin beyzine ( - ) sinyal geldiği için Q 2 transistörü kesime girecektir. Yani girişe kare dalga uygulandığında, Q 1 kesimde iken iletime, Q 2 iletimde iken kesime girecektir. C kondansatörü R üzerinden deşarj olmaya başlar. Daha sonra, Q 2 nin beyzine bağlı olan ucu ( + ) olacak şekilde tekrar şarj olmaya başlar. C nin üzerindeki gerilim, uygun bir değere ulaştığında Q 2 iletime, Q 1 yalıtıma girer. C kondansatörü, kaynak gerilimine kadar dolar. Yeni bir tetikleme palsine kadar, devre konumunu koruyacaktır. 9.6.3 ÇİFT KARARLI ( BISTABLE ) MULTİVİBRATÖR Şekil 9.7 Bistable Multivibratör İki istikrarlı duruma sahiptir. Devreye tetikleme palsi tatbik edilinceye kadar, devre sabit konumunu korur. Tetikleme palsi uygulandıktan sonra devre diğer sabit duruma girer ve önceki sabit duruma dönebilmesi için tekrar tetikleme palsine ihtiyaç vardır. Bu multivibratörde bir transistör iletimde iken diğeri yalıtımdadır. Örneğin, Q 1 in iletimde Q 2 nin yalıtımda olduğunu düşünelim. Devreye dışarıdan herhangi bir etkide bulunulmadığı sürece transistörler bu konumunu korurlar. Dışarıdan uygulanacak bir tetikleme ile yalıtımda olan Q 2 iletime,

iletimde olan Q 1 yalıtıma girecektir. Uygulanacak bir tetikleme palsi ile devre konum değiştirecektir. Dışarıdan tetikleme yapabilmek için, Q 1 ve Q 2 transistörlerinin beyzlerine birer diyod bağlanarak diyotların katotlarından giriş sinyalleri uygulanmalıdır.