ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

Benzer belgeler
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 5. Pasif Filtreler

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

AC DEVRELERDE BOBİNLER

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

DENEY-3. FET li Yükselticiler

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

DENEYDEN HAKKINDA TEORİK BİLGİ:

EEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

DENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ

ELM 232 Elektronik I - Deney 2 Zener Diyotlu Regülatör Tasarımı. Doğrultucu Regülatör Yük. R L yükü üzerinde oluşan sinyalin DC bileşeni

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

DENEY-4 Yarım ve Tam Dalga Doğrultucular

ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID) KONTROL ELEMANLARININ İNCELENMESİ *

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ

DENEY 4. Rezonans Devreleri

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

Transkript:

ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını, yapımını ve analizini gerçekleştirerek teorik ve pratik bilgi birikiminin arttırılmasıdır. Öncelikle, bazı istenilen özellikleri sağlayacak olan CE kuvvetlendiricisinin DC besleme tasarımı Elektronik I dersinde verilen temellerle tamamlanacaktır. Daha sonra bağlama kapasitörlerinin değerleri istenilen alçak frekans karakteristiğine uygun olarak seçilerek tasarım tamamlanacaktır. Devrenin kurulumundan sonra istenilen orta-bant kazancı ve frekans karakteristiğine sahip olup olmadığı deneysel olarak gözlenecektir. 2. TEORİK BİLGİ Şekil de temel ortak emitörlü kuvvetlendirici görülmektedir. Bu şekilde R S, kuvvetlendiricinin girişine bağlanacak akım veya gerilim kaynağının çıkış direncini gösterir. Genellikle sinyal jeneratörlerinin çıkış direnci 50 Ω dur. Benzer şekilde R L ise kuvvetlendiricinin çıkış gücünün aktarıldığı devrenin giriş direncini gösterir. R L ve R C devrenin orta-bant gerilim kazancını belirler. R S ve R L devrenin frekans cevabına etki ettikleri için tasarım sırasında dikkate alınmalıdırlar. R ve R 2 transistörün bazına uygun besleme gerilimin sağlanmasında, R E ise istenilen DC kollektör akımının ayarlanmasında kullanılan dirençlerdir. C ve C 2 bağlama kapasiteleri, kuvvetlendiricinin giriş ve çıkış bağlantılarından transistorun DC çalışma noktalarının etkilenmesini önlemek içindir. Kapasiteler bu görevi yerine getirmelerine rağmen kuvvetlendiricinin kazancının frekans bağımlılığını da arttırırlar.

Şekil. Ortak emitörlü kuvvetlendirici devresi. Devrenin DC çalışma noktası ve orta-bant gerilim kazancı için temel tasarım denklemleri aşağıda özetlenmiştir: V T 0.026V () VT r π I BQ (2) R B R // R 2 (3) v ( // ) ( ) o RL RC R A i v mid vs rπ / β + RE Ri + Rs (4) Besleme devresi tasarımında yararlı olan bazı pratik kurallar da vardır. Örneğin baza bağlı dirençlerin üzerinden akan akımın % 90 ı R ve R 2 üzerinden geçerken % 0 u da transistörün bazına doğru akmalıdır. Bunu başarmak için genellikle RB 0.β RE (5) seçilir. Ayrıca çıkışta maksimum AC gerilim salımına imkan sağlamak için V I CC CQ Rac + Rdc (6) seçimi yapılır. Burada Rac ( RL // RC ) + RE ve Rdc RC + RE dir. Devrenin frekans cevabı (kısa devre ve sıfır değer yöntemlerinde göstrildiği üzere) bağlama kapasitelerinden ve RC zaman sabitlerinden etkilenir. Transistörün iç bağlantı kapasiteleri de kazancın yüksek frekanslarda düşmesini sağlar. Sonuçta CE kuvvetlerndiricisi, denklem (7) daki gerilim kazancı ifadesindeki şekilde bant geçirgen bir transfer fonksiyonuna sahip olur.

2 A ( ) () v mid s Av s ( s+ ωc)( s+ ωc2)( s+ ωh) Bu denklemdeki köşe frekanslarının ω C ω C2 ω H (8) C ( Rs + Ri ) C2( RC + RL) ( Cπ + Cm)( Rs // Ri) olduğunu gösterebilir misiniz? Burada C m Miller kapasitansıdır. Üst kesim frekansını etkileyen transistörün iç kapasitörlerinin değerlerini transistörün üretici kataloğundan doğrudan bulabilirsiniz. Her ne kadar ısı ve besleme koşullarına bağımlı olsa da C π değeri yaklaşık olarak kataloglarda verilen C ibo ve C µ de kataloglardaki C obo olarak alınabilir. Bu bilgiler ışığında transistörlü bir CE kuvvetlendiricisinin tasarımı şu üç aşamadan oluşur:. Transistör seçimi ( β, V BE gibi parametrelere bağlı olarak) 2. DC besleme tasarımı ( R, R 2, R C ve R E seçimi) 3. AC tasarımı (köşe frekanslarının belirlenmesi ve C, C 2 ve C x seçimi) (7) 3. HAZIRLIK ÇALIŞMASI. Ekte 2N3904 bipolar NPN transistörü için verilmiş olan veri yapraklarını (katalog bilgilerini) inceleyiniz. β in minimum değerini belirleyiniz. 2. Teorik Bilgi kısmında verilen formüllerden faydalanarak şekilde verilen ortak emiterli devreyi aşağıdaki isterleri (yaklaşık olarak) karşılayacak şekilde tasarlayınız. Tasarım sırasında β in en küçük değerini kullanınız. R 50 + 470 Ω A ( mid) 0 ( ± %0) V/V V S CC i L 2 V R > 3 kω R 0 kω v I ω ω CQ 0 ( ± %0) ma 2000 π rad / s,( f khz) C C 00 π rad / s,( f 50 Hz) C2 C2 Not: R 22 kω ve R C 0 kω seçimleri ile tasarıma başlayabilirsiniz. 3. Şekil deki tasarımda gösterilen C x geri besleme kapasitörünü göz önüne almadan üst kesim frekasını ω H bulunuz. 4. Katalogtan elde edilen C µ değerini kullanarak tasarımın üst kesim frekansının 500 khz olmasını sağlayacak C x değerini bulunuz.

4. DENEYİN YAPILIŞI BÖLÜM : Devreyi Kurma. Şekil de verilen devreyi C x geri besleme kapasitörü olmadan asistanların size vereceği direnç değerleri ile kurunuz. Sinyal jeneratörünün çıkışına 470 Ω luk seri direnç bağlayarak R S yi 520 Ω yapınız. I B ve I C akımlarını bir multimetre ile ölçerek kullandığınız 2N3904 ün β değerini ölçünüz. Ölçülen değer 50 β 250 şartını sağlamıyorsa transistörü değiştiriniz. 2. Ön hazırlıkta yaptığınız hesaplamaları ölçülen β için tekrarlayınız. 3. Bir multimetre yardımıyla devrenin DC çalışma gerilimlerini ( V BE, V CE ) ve akımlarını ( I B, I C ) kontrol edin. Devrenin doğru çalıştığına dair sonuçlar elde ettikten sonra devrenin girişine 0 khz frekanslı ve 0.2 V tepe genliği olan sinüsoidal bir sinyal verin ve orta-band kazancını ölçünüz. Kazancın 0 dan çok farklı olması durumunda tasarım ve devrenin kurulması gözden geçirilmelidir. Bu şartların sağlanması durumunda 2.bölüme geçiniz. BÖLÜM 2: rekans Cevabı 4. Bu aşamada devrenin gerçek frekans cevabı ölçülecektir. Devrenin girişine (çıkış direnci 50 Ω olan) sinyal jeneratörünü bağlayınız. Aynı zamanda osiloskopun. kanalını da sinyal jeneratörüne bağlayınız. Osiloskopun 2. kanalını da yük direnci R L üzerine bağlayınız. Bu durumda bir tablo oluşturularak devrenin ferkansa bağlı genlik ve faz cevabı kaydedilecektir. Bunun için 0.2 V tepe gerilimine sahip sinüsoidal bir giriş sinyali vererek 0 Hz 00 khz aralığında devrenin transfer fonksiyonunun genlik ve fazını kaydediniz. Ölçüm yapacağınız frekans değerlerini anlamlı bir Bode grafiği elde edecek şekilde seçiniz. 5. Alt kesim frekansını, çıkış ile giriş gerilimleri arasında 3 db fark olan frekansı bularak belirleyiniz. Bu frekans yaklaşık olarak khz mi? khz de faz cevabı orta-bant değerinden 45 farklı mı? 6. Üst kesim frekansını madde 4 teki ölçümleriniz sonucunda görebiliyor musunuz? Göremiyorsanız, frekansı yükselterek üst kesim frekansını ( ω H ) bulmaya çalışınız. 7. Kullanılan devre elemanlarının gerçek değerlerini ölçüp kaydediniz. Elemanların gerçek değerleri teorik kazanç ve faz cevabındaki değerlerdeki hataları açıklamakta mıdır? 8. Yukarıdaki ölçümlerin yapıldığı devreye x C geri besleme kapasitörünü ekleyiniz.. ve 5. maddeler arasındaki adımları bu yeni devre için yeniden uygulayınız. 5. ve 7. maddeler arasındaki soruları bu yeni devreye göre cevaplayınız.

5. ANALİZ VE YORUMLAR. Tasarımınız ile ilgili hesapları asistanların size verdiği direnç değerleri için tekrar yapınız ve raporunuzda sununuz. 2. Deneyden elde edilen tablo haline getirilmiş sonuçları raporunuza ekleyiniz. 3. Beklenen (teorik) Bode diyagramını (genlik ve faz olarak) ve deneyden elde edilen değerleri aynı grafikte bilgisayar yardımıyla çizdiriniz ve bu sonuçları yorumlayınız. 4. Deneyin amacına ulaşıp ulaşmadığını yorumlayınız.