TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ

Benzer belgeler
T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LABORATUVARI I

İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LOJİK DEVRELERİ LABORATUVARI DENEY RAPORU. : TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ

SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ

SAYISAL SİSTEMLERDE ORTAK YOLUN KULLANILMASI

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 3 TTL Entegre Karakteristiği

OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek.

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

1) Seri ve paralel bağlı dirençlerin eşdeğer direncinin bulunması. 2) Kirchhoff akım ve gerilim yasalarının incelenmesi.

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 4

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

İKİLİ SAYILAR VE ARİTMETİK İŞLEMLER

EEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

DENEY 5. Pasif Filtreler

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

T.C. Kırklareli Üniversitesi Meslek Yüksekokulu Elektronik ve Otomasyon Bölümü

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ

DENEY NO: 7 OHM KANUNU

Elektrik Müh. Temelleri

Bölüm 6 Multiplexer ve Demultiplexer

DENEY NO: 14 SERİ-PARALEL DEVRELERİN DİRENCİ

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DENEY FÖYÜ

DENEY 2: AC Devrelerde R, L,C elemanlarının dirençlerinin frekans ile ilişkileri ve RC Devrelerin İncelenmesi

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ÖDEV-2

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

ELM 324 ELEKTROMEKANİK ENERJİ DÖNÜŞÜMÜ DERSİ LABORATUVARI

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI. DENEY 1 ve 2 İSTATİSTİK ÖRNEKLEME VE ÖLÇME HATALARI

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4 DENEYİN ADI: JK, RS, T VE D TİPİ FLİP-FLOPLARIN İNCELENMESİ

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Deney 3 5 Üç-Fazlı Tam Dalga Tam-Kontrollü Doğrultucu

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ

EEM0304 SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ

DİRENÇ ELEMANLARI, 1-KAPILI DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF UN GERİLİMLER YASASI

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

FOTOVOLTAİK SİSTEM DENEY FÖYÜ

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

ÜÇ-FAZ SENKRON JENERATÖRÜN AÇIK DEVRE VE KISA DEVRE KARAKTERİSTİKLERİ DENEY

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

MOSFET Karakteristiği

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

KTÜ OF TEKNOLOJĠ FAKÜLTESĠ ENERJĠ SĠSTEMLERĠ MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ FOTOVOLTAĠK SĠSTEM DENEY FÖYÜ

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

5. Elektriksel Büyüklüklerin Ölçülebilen Değerleri

TOPLAMSALLIK ve ÇARPIMSALLIK TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ

SERİ, PARALEL DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF KANUNLARI

V R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen

10. e volt ve akımıi(

ELEKTRONİK LAB. 1. DENEY QUİZ ÇALIŞMA SORULARI

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRİK DEVRELERİ I LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 5 Güç Korunumu

GEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ

ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 4:ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID) KONTROL ELEMANLARININ İNCELENMESİ 2

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

DENEY 6: SERİ/PARALEL KARIŞIK DEVRELERİN ANALİZİ

kdeney NO:1 OSİLASKOP VE MULTİMETRE İLE ÖLÇME 1) Osiloskop ile Periyot, Frekans ve Gerlim Ölçme

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY - I

DENEY 7 DC DEVRELERDE GÜÇ ÖLÇÜMÜ VE MAKSİMUM GÜÇ AKTARIMI UYGULAMALARI

DENEY 7: GÖZ ANALİZİ METODU UYGULAMALARI

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

Transkript:

TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 5 GİRİŞ Bu deneyde TTL ve CMOS bağlaçların statik ve dinamik karakteristikleri incelenerek, aralarındaki farklılık ve benzerlikler belirlenecektir. Burada incelenecek olan karakteristikler, elemanların lojik işlevleriyle değil, iç yapılarını oluşturan elektronik devrelerin davranışlarıyla ilgilidir. Bu davranışlar gerilim ve akım değerleri ile ifade edilecektir. DENEY ÖNCE YAPILACAKLAR Deneyden önce deney kılavuzu ile birlikte verilen Sayısal Tümdevre Aileleri ni okuyunuz. Lojik elemanları oluşturan elektronik devreleri inceleyiniz. TTL ve CMOS elemanların çalışmalarını gözden geçiriniz. DENEY ELEMANLARI C.A.D.E.T Deney kiti Osiloskop 74LS00 TTL TVE bağlacı, 2 adet 4011 CMOS TVE bağlacı, 2 adet Direnç 100Ω DENEY 5.1. TTL ve CMOS TVE BAĞLACI STATİK KARAKTERİSTİKLERİNİN BULUNMASI Bu deneyler hem TTL hem de CMOS TVE bağlaçları için yapılacak ve karakteristik tabloları elde edilecektir. 1.A.Boşta Çalışma Karakteristiği Boşta çalışma karakteristiği, çıkış yüksüzken V Ç = f (V G ) bağıntısıdır. Deney düzeneğini kurunuz. 1K lık potansiyometre yardımı ile oluşturduğunuz ayarlı gerilim kaynağının gerilimini 0-5 V arası değiştirerek giriş ve çıkış gerilimlerini TTL ve CMOS için ayrı ayrı DENEY 5 1

ölçerek aşağıdaki tablolara yerleştiriniz. Tabloda gösterilen sayıda değer ölçmeye özen gösteriniz. Elemanların konum değiştirme gerilimlerine dikkat ediniz. Giriş Çıkış Tablo 5.1.a. TTL Giriş Çıkış Vg Tablo 5.1.b. CMOS 1 +Vç 1.B. V OH - I OH Karakteristiği V OH - I OH karakteristiği bağlacın çıkışını Lojik-1 düzeyinde tutmak isteyen giriş koşulları oluşmuşken, çıkışın Lojik-0 düzeyine doğru zorlanması halinde elde edilen V OH = f (I OH ) bağıntısıdır. Burada amaç, bağlacın çıkışı lojik-1 konumundayken akıtabileceği en büyük çıkış akımı I OH(MAX) değerini belirlemektedir. Böylece incelenen bağlacın çıkışına bağlanabilecek eleman sayısının belirlenmesi için ilk adım gerçekleştirilmiş olur. Deney düzeneğini kurunuz. V OH gerilimini 5V -> 0V arası değiştirerek 6 tane V OH değerine karşı düşen gerilimini ölçünüz ve tabloya yazınız. değerlerini kullanarak I OH akımının değerlerini hesaplayıp tabloya yazınız (R=100Ω). V OH = f (I OH ) karakteristiğini yorumlayınız. Çıkış akımının arttırılması (çıkışa çok sayıda eleman bağlanması) bağlacın çıkış değerini nasıl etkilemektedir? V OH I OH Tablo 5.2.a. TTL DENEY 5 2

V OH I OH Tablo 5.2.b. CMOS 1 IOH A 100Ω V OH B 1.C.V OL - I OL Karakteristiği V OL - I OL karakteristiği bağlacın çıkışını Lojik-0 düzeyinde tutmak isteyen giriş koşulları oluşmuşken, çıkışın Lojik-1 düzeyine doğru zorlanması halinde elde edilen V OL = f (I OL ) bağıntısıdır. Burada ise bağlacın çıkışı lojik-0 konumundayken yutabileceği en büyük akım değeri I OL(MAX) belirlenecektir. I OH(MAX) ve I OL(MAX) değerleri sayesinde bu bağlacın çıkışına kaç tane eleman bağlanabileceği belirlenebilir. Deney düzeneğini kurunuz. V OL gerilimini 0V -> 5V arası değiştirerek 6 tane V OL değerine karşı düşen gerilimini ölçünüz ve tabloya yazınız. değerlerini kullanarak I OL akımının değerlerini hesaplayıp tabloya yazınız (R=100Ω). V OL = f (I OL ) karakteristiğini yorumlayınız. Çıkış akımının arttırılması (çıkışa çok sayıda eleman bağlanması) bağlacın çıkış değerini nasıl etkilemektedir? V OL I OL Tablo 5.3.a. TTL V OL I OL Tablo 5.3.b. CMOS DENEY 5 3

1 I A 100 Ω OL V OL B 1.D.V İ - I İ Karakteristiği V İ - I İ karakteristiği çıkış yüksüzken giriş gerilimi ile giriş akımı arasındaki V i = f (I i ) bağıntısıdır. Bu karakteristik bir lojik elemanın girişinden çektiği/beslediği akım değerini belirler. Bir bağlacın girişi, başka bir bağlacın çıkışına bağlandığında sözü edilen giriş akımı diğer bağlacın çıkışından çekilecektir; ya da bu akım diğer bağlacın çıkışından içeri doğru akıtılacaktır. Bu nedenle bir bağlacın giriş akımı değeri, onun diğer bağlaçların çıkışı için ne kadar yük oluşturduğunu belirleyen bir değerdir. Deney düzeneğini kurunuz. V İ gerilimini 0-5V arası değiştirerek 6 tane V İ değerine karşı düşen gerilimini ölçünüz ve tabloya yazınız. değerlerini kullanarak I İ akımının değerlerini hesaplayıp tabloya yazınız (R=100Ω). V İ I İ Tablo 5.4.a. TTL V İ I İ Tablo 5.4.b. CMOS A Ii 100Ω V i 1 DENEY 5 4

DENEY 5.2. TTL ve CMOS TVE BAĞLACI DİNAMİK KARAKTERİSTİKLERİNİN BULUNMASI Bu deney önce TTL TVE bağlacı ile yapılacak, gerekli tedbirler alındıktan sonra CMOS TVE bağlacı ile tekrarlanacaktır. Bir lojik bağlacın gecikmesinin Şekil a da gösterildiği gibi t + pd ve t - pd olmak üzere iki bileşeni vardır. Şekil b de verilen devre, Şekil c deki gibi bir ideal bağlaç ve gecikme elemanıyla temsil edilebilir. Burada gecikme elemanı bağlaçların gecikmelerini ifade eden sembolik bir elemandır. Devre n (n = 1, 3, 5, 7,..) elemandan oluşmuş ise, üretilen işaretin periyodu T olmak kaydıyla, bir bağlacın gecikmesi t pd = t + pd + t - pd = T / (2n) olacaktır. Deneyde bir bağlacın toplam gecikmesi, tek sayıda tümleyici bağlacın oluşturduğu osilatör devresinin ürettiği işaretin periyodunun ölçülmesi ile bulunacaktır. Bunun için Şekil b deki devre kurulacak ve oluşan salınımın periyodu osiloskop yardımıyla belirlenecektir. Şekil a. 1 2 5V 1.5V 0V 1 5V 1.5V 0V 2 t + pd t - pd..... Şekil b. 1 2 3 n Şekil c. Gecikme Elemanı DENEY 5 5

DENEY 5.3. TTL ve CMOS TVE BAĞLACI ÜZERİNDE HARCANAN GÜÇ ÖLÇÜMÜ Bu bölümde TTL ve CMOS bağlaçlar üzerinde harcanan gücün frekansla değişimi incelenecektir. Deneyde tüm girişlere birden 0 Hz ile 1 Mhz arasında çeşitli frekansta işaretler uygulayınız ve ölçülen güç değerlerini tabloya yazınız. Böylece P D = G( f ) bağıntısını elde ediniz. Burada I CC akımı, V CC ile tümdevre arasına koyulan R=100Ω luk direnç üzerindeki gerilim düşümü ile hesaplanacaktır. NOT: Bir TTL bağlacın harcadığı güç, P D = I CC * V CC dir. Frekans (Hz) Güç (watt) Tablo 5.5.a. TTL Frekans (Hz) Güç (watt) Tablo 5.5.b. CMOS RAPORDA İSTENENLER 1- Deneyde elde edilen tüm karakteristikleri düzgün bir biçimde çiziniz. Çizimlerin eksenleri üzerinde önemli değerleri işaretleyiniz. Örneğin konum değiştirme gerilimleri. 2- Deneyde incelediğiniz bağlacın çıkışına aynı bağlaçtan kaç tane bağlanabileceğini deneyde bulduğunuz değerlerden yararlanarak hesaplayınız. 3- Deney sonuçlarına göre TTL ve CMOS bağlaçlar arasındaki temel farklıları belirtiniz. DENEY 5 6