DENEY 10: JFET Lİ YÜKSELTEÇLER

Benzer belgeler
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY-3. FET li Yükselticiler

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Bölüm 9 FET li Yükselteçler

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

AC DEVRELERDE BOBİNLER

DENEY-4 RL DEVRE ANALİZİ. Alternatif akım altında seri RL devresinin analizi ve deneysel olarak incelenmesi.

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

DENEY-4 Yarım ve Tam Dalga Doğrultucular

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

AC DEVRELERDE KONDANSATÖRLER

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

MOSFET Karakteristiği

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID) KONTROL ELEMANLARININ İNCELENMESİ *

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

EEM 202 DENEY 8 RC DEVRELERİ-I SABİT BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

DENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

DENEY 4. Rezonans Devreleri

Kırpıcı devrelerin çalışma prensiplerinin deney yoluyla incelenmesi.

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları

8. FET İN İNCELENMESİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

DENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ

DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ

Selçuk Üniversitesi Teknoloji Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

EET-201DEVRE ANALİZİ-1 DENEY FÖYÜ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

Nedim Tutkun, PhD, MIEEE Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Konuralp Düzce

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI

DENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Diyotlu Doğrultucu Uygulamaları

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

EEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi

Transkript:

DENEY 10: JFET Lİ YÜKSELTEÇLER 10.1. Deneyin Amacı JFET ortak kaynak yükselteç devresini gerçekleştirmek ve incelemek 10.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler J113 N-kanallı JFET, 560 Ω, 3.1 kω, 10 kω, 1 MΩ direnç, 10 µf, 47 µf kapasitör, bağlantı kabloları DC güç kaynağı, Multimetre, Sinyal jeneratörü, Osiloskop 10.3. Teorik Bilgiler Alçak Frekans JFET Devre Modeli Ortak kaynak yükselteç, hem yüksek voltaj kazancı hem de büyük giriş empedansı nedeniyle diğer JFET konfigürasyonları arasında yaygın olarak kullanılır. Bu konfigürasyonda, giriş sinyali kapıya uygulanır ve çıkış sinyali drain den alınır. JFET yükseltici olarak kullanmak için, kapı-kaynak voltajı gerekli drain akımı için dc kutuplanmalıdır. JFET yüksek giriş empedansından dolayı kapı akımı neredeyse sıfırdır. Şekildeki kendinden kutuplu devrede, sadece drain e gerilim kaynağı bağlayarak, kaynak direncindeki voltaj düşümüyle, negatif kapı-kaynak gerilimi sağlanır. Bu devre, tek gerilim kaynağı kullanan, en basit ve pratik JFET yükselteç devrelerinden biridir. Bu devrenin dc analizinde kullanılan formüller aşağıdaki gibidir. 1

Tipik bir ortak-kaynak yükseltici devresi aşağıdaki şekilde verilmiştir. Buradaki C c1 ve C c2 kapasitörleri, dc bloklama için kullanılmıştır. C S ise R S kaynak direnci için bypass kapasitörü olarak kullanılmıştır. Bu devrenin küçük sinyal eşdeğer devresi aşağıdaki gibi verilir. Q çalışma noktasındaki iletkenlik: Burada g mo şu şekilde verilir: Gerilim kazancı, eşdeğer devreden elde edilebilir: 2

Eğer C S bypass kapasitörü devreden çıkarılacak olursa gerilim kazancı: Kapı terminalinden görülen giriş empedansı: Çıkış terminalinden görülen çıkış empedansı: 3

Örnek: Şekildeki devrede I DSS = 10mA ve V P = 8V verilmiş ve çalışma noktası değerleri V GSQ = 2V, I DQ = 5.65mA olarak hesaplanmıştır. y os (çıkış admitansı) değeri 40µS olarak verilmiştir. Aşağıdaki değerleri hesaplayınız. a) g m b) r d c) Z i d) Z o e) A v f) A v (r d yi ihmal ederek) Çözüm: 10.4. Ön Hazırlık Soruları Deneyi Proteus programında gerçekleştiriniz (J113 yerine U309 kullanabilirsiniz). 4

10.5. Deneyin Yapılışı 1. Aşağıdaki devreyi kurunuz. Tablodaki değerleri ölçüp kaydediniz. V DD V G V S V D V GS I D V DS g m 2. Kurduğunuz devreyi aşağıdaki devreye göre tamamlayınız. V DD + - + V S - V in - + + + V out - 3. Devreye V pp genliği 200 mv ve frekansı 10 khz olan sinüs sinyalini VS kaynağı olarak bağlayınız. 4. Giriş ve çıkış dalga şekillerini osiloskopla gözlemleyip, grafiğe çiziniz. Faz farkı olup olmadığına dikkat ediniz. Gerilim kazancını bulunuz. 5. C S bypass kapasitörünü çıkarıp giriş ve çıkış dalga şekillerini çizip, gerilim kazancını bulunuz. 6. R L yük direncini çıkarıp (C S kapasitörü bağlı) giriş ve çıkış dalga şekillerini çizip, gerilim kazancını bulunuz. 5

Verilen devrede giriş, çıkış dalga şekilleri ve gerilim kazancı C S bypass kapasitörünü yokken giriş, çıkış dalga şekilleri ve gerilim kazancı R L yük direnci yokken giriş, çıkış dalga şekilleri ve gerilim kazancı 10.6. Deney Sonuç Soruları 1. Deney 9 da bulduğunuz I DSS ve V P değerlerini kullanarak bu deneydeki devrenin Q çalışma noktası I DQ ve V GSQ değerlerini teorik olarak hesaplayınız. Ölçtüğünüz değerlerle kıyaslayınız. 2. Üç durum için (orijinal devre, C S yok, R L yok) gerilim kazançlarını teorik olarak hesaplayınız. 3. C S kapasitörünün gerilim kazancına etkisi ne olmuştur? 4. R S direncinin arttırılmasının gerilim kazancına etkisi nedir? 6