DENEY-3. FET li Yükselticiler



Benzer belgeler
Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

8. FET İN İNCELENMESİ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Ölçü Aletlerinin Tanıtılması

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

MOSFET Karakteristiği

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Bölüm 9 FET li Yükselteçler

DENEY-4 Yarım ve Tam Dalga Doğrultucular

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

Introduction to Circuit Analysis Laboratuarı 1.Deney Föyü

AC DEVRELERDE BOBİNLER

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

DENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT

1. RC Devresi Bir RC devresinde zaman sabiti, eşdeğer kapasitörün uçlarındaki Thevenin direnci ve eşdeğer kapasitörün çarpımıdır.

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 1

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 3

DENEY 4. Rezonans Devreleri

Elektronik Laboratuvarı

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

EEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

FET Transistörün Bayaslanması

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

NECMETTİN ERBAKAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK-1 LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

TOPLAMSALLIK ve ÇARPIMSALLIK TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KIRCHHOFF YASALARI VE WHEATSTONE(KELVİN) KÖPRÜSÜ

EEM 202 DENEY 8 RC DEVRELERİ-I SABİT BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY - I

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 5

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

PARALEL RL DEVRELERİ

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI (OHM, KİRCHOFF AKIM VE GERİLİM)

Kırpıcı devrelerin çalışma prensiplerinin deney yoluyla incelenmesi.

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

Transkript:

DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type) MOSFET ler de kutuplama ve kuvvetlendirme işlemleri JFET lerle aynı özellikleri taşıdığından bu deneyde yapılan işlemler ve sonuçları azaltıcı tip MOSFET leri de kapsamaktadır. Teorinin Özeti: FET ler BJT ler gibi yarı iletken malzemelerden yapılmasına rağmen tek tip (unipolar) taşıyıcılara sahip olmaları çok yüksek giriş dirençlerin bulunması, gürültülerinin ve ısıl kararlılıklarının daha iyi olması gibi avantajları ve kazanç-bant genişliğinin nispeten küçük olması gibi gibi dezavantajları ile BJT lerden ayrılmaktadır. İki eleman arasındaki çalışma prensipleri açısından temel farklılık ise BJT lerin akım kontrollü FET lerin ise gerilim kontrollü eleman olmalarıdır. Bir elektriksel elemanların özellikleri en açık onun karakteristik eğrilerinden anlaşılır. Şekil 3.1 de bir FET için geçiş ve çıkış öz eğrileri birleştirilerek verilmiştir. Bu eğrilerden geçiş öz eğrisi daha sık kullanılır. Bu sebeple bu eğrinin kolay çizilmesi ve üzerinde Q çalışma noktasının bulunması için bir takım metotlar geliştirilmiştir. Bunlardan en yaygın olanı verilen denklemdir. I DS =I D =I DSS (1-V GS /V P ) 2 Burada; V p pinch-off (kısılma) voltajı, I DSS maksimum akaç (Drain) akımıdır. Şekil 3.1 Bir N kanal FET için karakteristik eğrileri 1

Deneyin Yapılışı:.1 Ortak Kaynaklı (Common Source) Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.2 Ortak Kaynaklı Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.2 deki devreyi kurunuz. BF245 için I CSS =10mA V P =-5V alınacaktır Giriş işareti olarak fonksiyon jeneratörünün mili voltlar mertebesinde (yaklaşık 100 mv PP ) 10KHz lik sinüzoidal bir işaret uygulayınız. Bu girişi çıkışta maksimum bozulmasız (distorsiyonsuz), bir işaret elde edinceye kadar ayarlayınız. Giriş ve çıkış sinyallerini osiloskoptan gözlemleyerek ölçekli bir şekilde çizip voltaj kazancını hesaplayınız. Giriş ve çıkıştaki voltaj ve akım değerlerini rms cinsinden ölçerek akım kazançlarını, giriş ve çıkış direnç değerlerini hesaplayınız. Teorik hesaplarınızla karşılaştırma yaparak aralarında farklılıklar varsa sebeplerini araştırınız. Giriş işaretini çıkararak DC kapı (V G ) ve kaynak gerilimini (V S ) multimetre ile ölçünüz. Elde ettiğiniz ölçüm sonuçlarını bu devre için hesaplayacağınız teorik sonuçlarla karşılaştırınız. Sonuçlar arasında bir fark varsa sebebini açıklayınız. 2

.2 Ortak Akıtıcılı (Common Drain) Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.3 Ortak Akıtıcılı Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.3 deki devreyi kurunuz. BF245 için I CSS =10mA V P =-5V alınacaktır Giriş işareti olarak fonksiyon jeneratöründen 400mV, 1KHz lik sinüzoidal bir işaret uygulayınız. Giriş ve çıkış işaretlerini osiloskoptan gözlemleyerek ölçekli bir şekilde çizip voltaj kazancını hesaplayınız. Giriş ve çıkıştaki voltaj ve akım değerlerini rms cinsinden ölçerek akım kazançlarını, giriş ve çıkış direnç değerlerini hesaplayınız. Teorik hesaplarınızla karşılaştırma yaparak aralarında farklılıklar varsa sebeplerini araştırınız. Giriş işaretini çıkararak DC kapı ve (V G ) ve kaynak (V S ) gerilimlerini multimetre ile ölçünüz. Elde ettiğiniz ölçüm sonuçlarını bu devre için hesaplayacağınız teorik sonuçlarla karşılaştırınız. Teorik hesaplamalarınızda giriş ve çıkış değerlerini bulunuz. Sonuçlar arasında bir fark varsa sebebini açıklayınız. 3

.3 Ortak Kapılı (Common Gate) Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.4 Ortak Kapılı Kuvvetlendirici Devresi Şekil 3.4 deki devreyi kurunuz. BF245 için I CSS =10mA V P =-5V alınacaktır Giriş işareti olarak fonksiyon jeneratöründen 400mVpp 1 KHz lik sinüzoidal bir işaret uygulayınız. Çıkış işaretlerini osiloskoptan gözlemleyerek ölçekli bir şekilde çizip voltaj kazancını hesaplayınız. Giriş ve çıkıştaki voltaj ve akım değerlerini rms cinsinden ölçerek akım kazançlarını, giriş ve çıkış direnç değerlerini hesaplayınız. Teorik hesaplarınızla karşılaştırma yaparak aralarında farklılıklar varsa sebeplerini araştırınız. Giriş işaretini çıkararak DC akıtıcı (V D ), kaynak (V S ) gerilimlerini multimetre ile ölçünüz. Elde ettiğiniz ölçüm sonuçlarını bu devre için hesaplayacağınız teorik sonuçlarla karşılaştırınız. Sonuçlar arasında bir fark varsa sebebini açıklayınız. 4

Ön Çalışma Ön çalışma 1,2 ve deney esnasında kullanılmak üzere ölçüm sayfasından 3 kopya alınız. 1..1, 3.2, 3.3 de istenen değeleri Proteus ile bularak tabloları, şablonları doldurunuz. 2..1, 3.2, 3.3 de istenen değerleri teorik olarak hesaplayınız tabloları, şablonları doldurunuz. 3. JFET,MOSFET hakkında araştırma yaparak bu tip yükselticilerin hangi alanlarda kullanıldığını araştırınız. BJT yükselticiler hakkında araştırma yaparak bu tip yükselticilerin hangi alanlarda kullanıldığını araştırınız. Rapor Notları Deney sonuçlarınızı ve yorumlarınızı ön çalışmanıza ekleyiniz. Malzeme Listesi 3 adet BF245, 4x 10uF, 2,2MΩ, 5,6KΩ, 22KΩ, 3,3KΩ, 1MΩ, 2,2KΩ, 1,2KΩ, 3,3KΩ Not: Deney föyü ve ön çalışması olmayan öğrenci derse alınmayacaktır. Devrenizi önceden breadboard üzerine kurarak getirmeniz tavsiye edilir. 5

DENEY 3.1 ORTAK KAYNAKLI KUVVETLENDİRİCİ DEVRESİ SONUÇ TABLOSU RMS Giriş Çıkış Kazanç Akım Gerilim V G V S DC DENEY 3.2 ORTAK AKITICILI KUVVETLENDİRİCİ DEVRESİ SONUÇ TABLOSU RMS Giriş Çıkış Kazanç Akım Gerilim V G V S DC DENEY 3.3 ORTAK KAPILI KUVVETLENDİRİCİ DEVRESİ SONUÇ TABLOSU RMS Giriş Çıkış Kazanç Akım Gerilim V G V S DC 6

7