AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVAR DENEY # 1

Benzer belgeler
EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI II. DENEY FÖYÜ

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

DERS BİLGİ FORMU. Okul Eğitimi Süresi

DENEY-4 Yarım ve Tam Dalga Doğrultucular

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi

DC/DC DÖNÜSTÜRÜCÜLER

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

R 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1

DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY - I

DENEY 3 DİYOT DOĞRULTUCU DEVRELERİ

kdeney NO:1 OSİLASKOP VE MULTİMETRE İLE ÖLÇME 1) Osiloskop ile Periyot, Frekans ve Gerlim Ölçme

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır.

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

4. 8 adet breadboard kablosu, 6 adet timsah kablo

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

ELEKTRİK DEVRELERİ UYGULAMALARI

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP

DENEY FÖYÜ 5: Diyotlu Doğrultma Devreleri

dirençli Gerekli Donanım: AC güç kaynağı Osiloskop

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması

DENEY 1- LABORATUAR ELEMANLARININ TANITIMI VE DC AKIM, DC GERİLİM, DİRENÇ ÖLÇÜMLERİ VE OHM KANUNU

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

Bölüm 1 Güç Elektroniği Sistemleri

MOSFET Karakteristiği

Elektronik Devre Tasarım Laboratuarı

Y-0035 GÜÇ ELEKTRONİĞİ EĞİTİM SETİ

DENEY NO: 7 OHM KANUNU

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VII. DENEY FÖYÜ

OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

TEK FAZLI KONTROLLU VE KONTROLSUZ DOĞRULTUCULAR

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ

Güç Elektroniği Ders 02

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ FİZİK II LABORATUVARI DENEY 2 TRANSFORMATÖRLER

(3-fazlı Senkron Generatörün Boşta, Kısadevre Deneyleri ile Eşdeğer Devre Parametrelerinin Bulunması ve Yükte Çalıştırılması)

Deney Esnasında Kullanılacak Cihaz Ve Ekipmanlar

TOPLAMSALLIK ve ÇARPIMSALLIK TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 2. Şekil KL modülünü, KL ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ LABORATUARI

GÜÇ ELEKTRONİĞİ EĞİTİM SETİ DENEY KİTABI KONU: PNPN DİYOT

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

ALTERNATİF AKIM (AC) II SİNÜSOİDAL DALGA; KAREKTRİSTİK ÖZELLİKLERİ

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VI. DENEY FÖYÜ

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

1. Güç Elektroniğinin Kapsamı ve Uygulamaları. 2. Önemli Yarı İletken Güç Elemanları. 3. AC-DC Dönüştürücüler / Doğrultucular

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

Artvin Meslek Yüksekokulu

DENEY 5 SÜPERPOZİSYON VE MAKSİMUM GÜÇ AKTARIMI

ÜÇ-FAZLI TAM DALGA YARI KONTROLLÜ DOĞRULTUCU VE ÜÇ-FAZLI EVİRİCİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Transformatörün İncelenmesi

Elektronik Laboratuvarı

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI IV. DENEY FÖYÜ

Transkript:

Önbilgi: AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ Yarıiletken elemanlar, 1947 yılında transistorun icat edilmesinin ardından günümüze kadar geliserek gelen bir teknolojinin ürünleridir. Kuvvetlendirici ve anahtarlayıcı olmak üzere iki temel uygulama alanı bulan bu elemanlar, güç elektroniğinde anahtarlayıcı eleman olarak kullanılırlar. Güç elektroniği uygulamalarında kullanılan yarıiletken anahtarlar, ideal bir anahtar görevi yapmalı, yani kesim durumunda sonsuz direnç gösterirken, iletim durumunda sıfır dirence sahip olmalıdır. Günümüzde güç elektroniği devrelerinin tümünde anahtarlama işlemi için yarıiletken elemanlar kullanılmaktadır. Kullanım alanları çok geniş olmakla beraber örnek vermek gerekirse, kontrollü ve kontrolsüz doğrultucular, AA ve DA kıyıcılar, eviriciler, aktif filtreler, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor sürücüleri gibi uygulamaları gösterilebilir. Bu deneyde, yaygın kullanım alanı bulan iki farklı yarıiletken anahtar Diyot, Mosfet, IGBT ve Tristör ün uygun devre yapılarıyla kontrol edilmesi, deneysel yolla akım-gerilim karakteristiklerinin çıkartılması ve anahtarlara ait bilgi kitapçıklarının kullanılması amaçlanmaktadır. Deneye Gelmeden Önce Bilinmesi Gerekenler: Diyot, Mosfet, IGBT ve Tristör ün yapıları çalışma prensipleri, yapısı, özellikleri, iletim ve kesim koşulları araştırılması, Yarıiletken anahtarlar için iletim ve kesim durumu, iletimdeki güç kaybı, kesimdeki güç kaybı, anahtarlama kaybı, anahtarlama hızı, eleman kılıfları (paket türleri), soğutucu boyutlandırılması gibi kavramlar, Hangi yarıiletken elemanın ne tür uygulamalar için uygun olduğu, Yarıiletken elemanlara ait bilgi kitapçıkları (datasheet),

Gerekli Ekipmanlar: AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ Bread Board : Elemanların yerleştirileceği delikli plaket Ayarlı DC Kaynak : Çok çıkışlı ayarlı doğru gerilim kaynağı Multimetre ve Osiloskop : Dijital Avometre ve osiloskop Diyot : 4 adet 1N4001 Tristör : 1 adet istenilen bir marka Kondansatör : 1000uF/50V Jumper : Telefon teli Potansiyometre : 1kW 1) Doğru Gerilimde Diyot un Akım-Gerilim Karakteristiğinin Çıkartılması: Deneyin bu kısmında gerekli bağlantılar kurularak diyot un akım-gerilim karakteristiği için gerekli ölçümler alınacaktır. Deneyde izlenmesi gereken prosedür aşağıda verilmektedir. 1. Devre kartındaki diyotun bilgi kitapçığını (datasheet: 1N4001 diyot) kullanarak modelini, paket tipini, ters gerilim dayanma gerilimini (VT), ve 25 C için gerilim düşümünü (VF) Deney Verileri sayfasında Tablo 1 e yazınız. 2. Vk kaynak gerilimi 0-10V olacak şekilde gerekli bağlantı noktalarını kullanarak Şekil 1 deki devreyi kurunuz. Yük direnci olan Ry potansiyometreyi maksimum direnç değeri olacak konuma ayarlayınız. Devreye enerji veriniz. 3. Vk gerilimini sıfırdan 10 V a kadar yavaş yavaş artırınız. 4. Ry direnci maksimum direnç değeri konumundayken, yavaş yavaş azaltınız. 5. Diyot un iletim durumunu yorumlayınız. 6. Her kademe için giriş gerilimi, akımı, anot-katot gerilimi VAK değerlerini, Yük direncini Tablo 2 ye yazınız. 7. Bulduğunuz sonuçları yorumlayarak grafik üzerinde diyotun akım gerilim grafiğini çıkartınız.

Tablo 1 Tablo 2 Tablo 3 VT(V) IT(RMS) (A) IH (A) VF (V) Tipi(Si,Ge,...) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VT(V) VAK(V) IK(A) Ry Modeli Kılıf Türü VAK(V) ID(A)@25 C RDS(Ω) VGS=10V Diyot un Akım-Gerilim Grafiği: I K V AK

2) Doğru Gerilimde Tristör ün Akım-Gerilim Karakteristiğinin Çıkartılması: Deneyin bu kısmında deney kartındaki gerekli bağlantılar kurularak model Tristör ün akımgerilim karakteristiği için gerekli ölçümler alınacaktır. Deneyde izlenmesi gereken prosedür aşağıda verilmektedir. 1. Devre kartındaki Tristör ün bilgi kitapçığını (datasheet) kullanarak ters gerilim dayanma gerilimini (VT), RMS akımını (IT(rms)), tutma akımını (IH) ve 25 C için gerilim düşümünü (VF) Deney Verileri sayfasında Tablo 1 e yazınız. 2. Vk kaynak gerilimi 30V, Vg kapı gerilimi 5V olacak şekilde deney kartında gerekli bağlantı noktalarını kullanarak Sekil 1 deki devreyi kurunuz. Deney kartı üzerindeki Rg direncini ve yük direnci olan Ry reostasını maksimum direnç değeri olacak konuma ayarlayınız. Devreye enerji veriniz. 3. Ry direnci maksimum direnç değeri konumundayken, Rg direncini azaltarak A2 ampermetresinde okunan ig akımını yavaşça artırınız. Bu sırada A1 ampermetresinde okunan Ik akımını okuyarak iletime geçme anını belirleyip o andaki ig akımını (ig1) Tablo 1 e yazınız. 4. İletimdeki Tristör ün kapı akımını önce ig1 değerinden büyük, sonra küçük bir değere sabitleyerek her iki kapı akımı değeri için Tristör ün iletim durumunu yorumlayınız. 5. Tristör iletimdeyken yük direncinin değerini değiştirerek A1 ampermetresinde okunan Ik akımını 0,6A e getiriniz. Bu noktadan sonra yük direncini azaltarak 3A e kadar Ik akımındaki her bir 0,2A lik artış için okunan Ik ve voltmetre V2 yi kullanarak okuduğunuz tristör anot-katot gerilimi VAK değerini Tablo 2 ye yazınız.

Tablo 1 Tablo 2 VT(V) IT(RMS) (A) IH (A) VF (V) ig1 (ma) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 IK(A) VAK(V) Tristör ün Akım-Gerilim Grafiği: I K V AK