1 9 9 2 TMMOB TMMOB Tekstil Mühendisleri Odası UCTEA The Chamber Of Textile Engineers The Jurnal Of Textiles and Engineers YIL 17 SAYI 79 SOL-JEL YÖNTEMİ İLE DÜŞÜK SICAKLIKTA POLİETİLEN TEREFTALAT DOKUSUZ YÜZEY KUMAŞLARIN İNDİYUM ÇİNKO OKSİT ÇÖZELTİLERİ İLE KAPLANMASI a,b a b Xuyuan TAO, Vladan KONCAR, Claude DUFOUR a GEMTEX, Fransa IEMN (CNRS, UMR 8520), Universite des Science et Technlgies de Lille, Fransa c d Nurhan ONAR, Aysun AKŞİT c Pamukkale Üniversitesi Tekstil Mühendisliği Bölümü, Denizli d Dkuz Eylül Üniversitesi, Tekstil Mühendisliği Bölümü, Izmir b ÖZET Bu çalışmada plietilen tereftalat (PET) dkusuz yüzey kumaş literatürde ilk defa larak indiyum çink ksit sl çözeltisi ile düşük sıcaklıkta sl-jel yöntemiyle kaplanmıştır. İndiyum çink ksit (IZO) ile kaplanan kumaşların elektriksel direnç değerleri dört nkta prb yöntemi kullanarak yıkamadan önce ve snra ölçülmüştür. Kumaş örneklerinin yüzey mrfljisi ve yapısal özellikleri sırasıyla tarama elektrn mikrskbu (SEM) ve X-ışınları difraktmetresi (XRD) kullanarak incelenmiştir. Ayrıca 3 kat ve 6 kat lmak üzere kaplama kat sayısının artırılmasının kaplanan kumaşların elektriksel özellikleri üzerine etkisi araştırılmıştır. 6 kat kaplanan kumaşların elektriksel direnç değerinin 89 kω cm lduğu bulunmuştur. Anahtar Kelimeler: iletken kaplama, sl-jel yöntemi, dkusuz yüzey kumaş, SEM, XRD COATING OF POLYETHYLENE TEREPHTHALATE NONWOVEN FABRICS WITH INDIUM ZINC OXIDE SOLUTIONS AT LOW TEMPERATURE BY SOL-GEL PROCESS In this study, the plyethylene terephthalate (PET) nnwven fabric was firstly cated with indium zinc xide slutin at lw temperature by sl-gel prcess. The electrical resistivity values f the fabrics cated with indium zinc xide (IZO) was measured by using fur-pint prbe methd befre and after washing test. The surface mrphlgy and structural prperties f the fabric samples were investigated by scanning electrn micrscpy (SEM) and X-ray diffractmeter, respectively. Mrever, the effect f cating layer numbers as three and six layers n electrical prperties f the cated fabric samples was figured ut. It was determined that the electrical resistivity values f the fabric samples cated by six layers were 89 kω cm. Keywrds:. ABSTRACT cnductive cating, sl-gel prcess, nnwven fabric, SEM, XRD The Jurnal f Textiles and Engineer YIL 17 - SAYI 79 SAYFA 2
Sl-jel Yöntemi ile Düşük Sıcaklıkta Plietilen Tereftalat Dkusuz Yüzey Kumaşların İndiyum Çink Oksit Çözeltileri ile Kaplanması 1. GİRİŞ İndiyum kalay ksit (ITO), çink ksit-indiyum ksit (ZnO-In 2O 3) ve kalay ksit-çink ksit (SnO 2-ZnO) gibi amrf saydam iletken ksit filmler (TCOs) yüksek görünür geçirgenlik özellikleri ve nispeten yüksek elektriksel iletkenlikleri nedeniyle günümüzde ilgi çekmektedir [1]. Amrf saydam iletken ksit filmler; gösterge teknljisi, ince film transistörler (TFT), sıvı kristal gösterge (LCD) içinde saydam pencereler, yansıma yapmayan kaplamalar, ptelektrnikler, ftnikler ve elektrkrmik araçlar, güneş hücreleri, elektrluminesent araçlar, sensörler ve rganik ışık emisyn ditları (OLED), IR yansıtmalı veya ısıtmalı tabakalar, elektrmanyetik kruyucu tabakalar, statik elektriği dağıtıcı tabakalar vs. gibi çk çeşitli uygulama alanlarına sahiptirler [2, 3, 4]. Saydam iletken ksit (TCO) filmler saçılma (sputtering), reaktif ısıl biriktirme, kimyasal buhar biriktirme, elektrn demeti buharlaşması, püskürtme pirliz, lazer aşındırma ve daha güncel bir alan larak sl-jel yöntemi gibi çeşitli yöntemlerle hazırlanabilir. Günümüzde sl-jel yöntemi geniş yüzeyli filmlerin luşumunun sağlanması; katkı düzeyinin, çözelti knsantrasynun ve hmjenitenin klay kntrlü ve düşük masraf knsantrasynunun lması nedeniyle ilgi çekmektedir [3, 5]. Literatürde çink (Zn), kadmiyum (Cd), indium (In) ve kalay (Sn) esaslı ksitler için pek çk katkı maddesi (dpant) araştırılmıştır. Bu katkılar varlığında bu ksit malzemeler için ksijen eksikliği ile dping etkisi mümkündür ve bu nedenle saydam iletken ksitler n-tipi iletkenlik göstermektedir [6]. TCO materyaller arasında çink ksit (ZnO) önemli bir yere sahiptir. ZnO aluminyum, indiyum veya haljenler gibi katkı maddeleri ile iletkenlik özelliği kazanmaktadır [7]. Örneğin bir yalıtkan lan stkimetrik indiyum ksit (In 2O 3), ksijen eksikliği yaratan dping etkisi ile stkimetrik lmayan indiyum ksit (In2O 3-x) frmunda ldukça yüksek iletkenlik özelliği kazanmaktadır [2]. TCO materyallerin en yüksek iletkenlik değerleri genellikle kristalin fazda elde edilebilir. Bununla birlikte aynı zamanda amrf frmda çk yüksek iletkenliğe sahiptirler. Dlayısıyla TCO materyaller düşük sıcaklıkta ve ısıya karşı hassas esnek rganik altlıklar üzerine kaplanabilir ve böylece amrf iletken kaplamalar üretilebilir [8, 9, 10, 11]. Ayrıca amrf TCO filmlerin hazırlanması için kullanılan yöntem ve kşullar örneklerin direnç değerini önemli miktarda etkilemiştir. Örneğin amrf IZO filmleri magnetrn saçılma (sputtering) yöntemi ile plastik altlık üzerine kaplandığında bu filmlerin %85 gibi yüksek transmitans değeri (saydamlık) ve 2,9x10 Ω cm gibi düşük direnç (resistivity) değeri gösterdiği bildirilmiştir [12]. Rady frekans gücü kullanan saçılma (sputtering) sistemi ile hazırlanan çink-indiyum -2 ksit (Zn 2In 2O 5) kristalit yapısı ise 3W/cm güç değerinde 4 1,2x10 Ω cm direnç değeri (resistivity) göstermiştir [13]. Bu çalışmada, plietilen tereftalat (PET) dkusuz yüzey kumaşlar sl-jel yöntemi kullanarak indiyum çink ksit (IZO) çözeltisi ile 3 ve 6 kat kaplanmış ve 145 C gibi düşük sıcaklıkta ısıl işleme maruz bırakılmıştır. Kaplanan kumaşların yapısal, mrfljik ve elektriksel özellikleri araştırılmıştır. Aynı zamanda kaplanan kumaşların elektriksel özelliklerinin yıkamaya dayanımı çalışılmıştır. Bu çalışma ile literatürde ilk defa PET dkusuz yüzey kumaşlar nispeten yüksek elektrik iletkenliği elde edebilmek için amrf saydam iletken ksit filmlerin luşumunu sağlayan IZO sl çözeltisi kaplanmıştır. 2. MATERYALVE METOD 2.1. Materyal PET dkusuz yüzey kumaş IZO sl çözeltisi ile kaplanmıştır. Bu çalışmada kullanılan tüm kimyasal maddeler reaktif derecededir. İlk larak 0,6 M çink asetat dihidrat, 15 ml 2-metksietanl içinde çözülmüştür. 0,6 M mnetanlamin (MEA), çink asetat çözeltisi içine stabilizatör larak ilave edilmiştir. Bu çözelti saydam çözelti elde edilinceye kadar manyetik karıştırıcı ile karıştırılmıştır. 0,6 M indiyum (III) nitrat trihidrat ayrı larak 15 ml 2-metksietanl içinde çözülmüş ve manyetik karıştırıcı ile karıştırılmıştır. İki çözelti karıştırılmış ve 60 C'ye ısıtılıp 2 saat byunca karıştırmaya devam edilmiştir. Sütümsü kıvamda ve stabil çözelti elde edilmiştir. Bu çalışmada In:Zn:MEA mlar ranı 1:1:1 larak alınmıştır. Literatürde bu mlar randa çalışarak en yüksek yük hareketliliği (iletkenlik değerleri) elde edilmiştir [14]. Çözelti hazırlandıktan snra iki gün içerisinde kaplama işlemi için kullanılmıştır [15,16, 17]. Temizlenen PET dkusuz yüzey kumaş (5cm x 5cm) bu çözelti ile daldırma-kaplama yöntemi kullanarak 10 cm/dk. çekim hızında kaplanmıştır. Kaplanan kumaşlar etüvde 100 C'de 1 saat kurutulmuştur. Kaplama işlemi 3 ve 6 defa gerçekleştirilmiştir. Kaplama tamamlandıktan snra kumaşlar 145 C'de 45 dk. etüvde ısıl işleme maruz bırakılmıştır. Şekil 1 sl-jel yöntemi ile IZO ile kaplanan PET kumaşların hazırlanması için işlem akışını göstermektedir. Çink asetatın 2-metksietanl içinde çözülmesi Çink asetat çözeltisine MEA ilavesi İki çözeltisinin karıştırılması 60 C ye ısıtma 2 saat karıştırma PET kumaşın daldırma kaplaması 100 º C de 1 saat kurutma 145 º C de 45 dk. ısıl işlem ZnkInk+3O2ile kaplanan kumaş İndiyum nitratın 2- metksietanl içinde çözülmesi 3 ve 6 kat kaplama Şekil 1. Sl-jel yöntemi ile IZO ile kumaş örneklerinin kaplanması için işlem akışı The Jurnal f Textiles and Engineer YIL 17 - SAYI 79 SAYFA 3
Sl-jel Yöntemi ile Düşük Sıcaklıkta Plietilen Tereftalat Dkusuz Yüzey Kumaşların İndiyum Çink Oksit Çözeltileri ile Kaplanması 2.2. Karakterizasyn IZO sl çözeltisi ile hazırlanan iletken kaplama tabakası ile kaplanan kumaş örneklerinin yüzey mrfljisi enerjidispersif spektrskpisi aparatı ile birlikte Tarama Elektrn Mikrskbu (ZEISS ULTRA 55) kullanarak araştırılmıştır. Kumaş örneklerinin yüzey direnci (sheet resistance) glve-bx içerisinde Agilent 4156C Kesin Yarıiletken Parametre Analizörü kullanarak dört-prb yöntemiyle yıkamadan önce ve snra tespit edilmiştir. Kumaş örnekleri (2 cm x 2 cm) 4 g/l ticari deterjan çözeltisi içerisinde 40 C'de 30 dk. manyetik karıştırıcıda karıştırılarak yıkanmıştır. Aynı zamanda IZO kaplama tabakasının faz analizini yapabilmek için kumaş üzerine uygulanan işleme benzer şekilde cam altlıklar IZO çözeltisi ile kaplanmıştır. Cam üzerindeki kaplama tabakasının yapı analizi Bruker-AXS D8 marka X-ışınları difraktmetre (XRD) cihazı kullanarak 40 kv ve 200mA işlem kşullarında CuKα ışıması ile gerçekleştirilmiştir. 3. SONUÇLAR VE TARTIŞMA Şekil 2. Sl-jel yöntemi ile 3 kat (a ve b) ve 6 kat (c ve d) IZO ile kaplanan kumaş örneklerinin 100X ve 1000X büyütme ile SEM görüntüleri. 3.1. Mrfljik Özellikler IZO sl çözeltisi ile kaplanan kumaşların SEM görüntüleri Şekil 2'de gösterilmiştir. 3 ve 6 tabaka kaplanan liflerin yüzey tpljisi ldukça farklıdır. Şekil 2c ve 2d'de görüldüğü gibi 6 kat kaplama, kumaş aralarına (lifler arasına) tümüyle nüfuz eden iletken bir kaplama luşturur. Snuç larak 6 kat kaplamadan snra liflerin çğunluğu gözlenemez. Ayrıca dkusuz yüzey kumaşın pürüzlülüğü nedeniyle kaplama tabakasında yüzeysel kırılmalar görülmüştür. Bu snuçlara zıt larak 3 kat kaplanan kumaşlarda belirgin bir farklılık gözlenmiştir. 3 kat kaplanan kumaşlarda kumaş aralıklarında (lifler arasında) az miktar kaplama tabakası görülmüştür. Yine bu kumaşlar için lif yüzeyinde hmjen bir kaplama mevcutken (Şekil 2b), 6 kat kaplanan kumaşlarda düzgünsüz bir yüzey luşmuştur (Şekil 2d). Şekil 3 kaplanan kumaş örneklerinin EDX spektrumunu göstermiştir. Kumaş üzerindeki kaplamalarda bulunan elementlerin atmik ranları Tabl 1'de verilmiştir. EDX ile belirlenen tek başına elementlerin bileşen ranının Zn:(Zn+In), 1:2 atmik ranına sahip lduğu ve bu snucun başlangıç mlar ranı ile uyumlu lduğu bulunmuştur. Kaplama kat sayısı 3 kattan 6 kata artırıldığında, kaplama kalınlaştığı için kaplama tabakası üzerindeki karbn atmik ranı azalmıştır. Snuç larak, PET liflerinden ileri gelen karbn atmik ranı 3 kat kaplamanınkinden çk daha düşüktür. EDX ile ölçülen kaplama tabakası kalınlığı 0,45 mm larak bulunmuştur. 6 kat kaplamada, kaplama tabakası kalınlığı ölçüm aralığının üstündedir. Şekil 3. Sl-jel yöntemi ile IZO ile kaplanan kumaş örneklerinin EDX spektrumu. Tabl 1. 3 kat ve 6 kat IZO ile kaplanan kumaş örneklerinin EDX analizi snucu elde edilen atmik ranları (%). Element Atmik ran, % 3 kat kaplama 6 kat kaplama C 37,28 1,56 O 55,21 64,39 Zn 3,33 17,43 In 4,17 16,62 Zn:(Zn+In) 1:2,27 1:2 3.2. Elektriksel Özellikler Tabl 2'de farklı kaplama kat sayılarında kumaş örneklerinin elektriksel direnç değerleri verilmiştir. Elektriksel karakterizasyn snuçlarına göre, ilgili literatür çalışması ile uyumlu larak 3 kat kaplanan kumaşlar için 97 kω cm ve 6 kat kaplanan kumaşlar için 89 kω cm larak yüksek direnç değerleri elde edilmiştir [13]. The Jurnal f Textiles and Engineer YIL 17 - SAYI 79 SAYFA 4
Sl-jel Yöntemi ile Düşük Sıcaklıkta Plietilen Tereftalat Dkusuz Yüzey Kumaşların İndiyum Çink Oksit Çözeltileri ile Kaplanması Kaplanan kumaşların direnç değerleri kaplama kat sayısının 3 kattan 6 kata çıkması ile önemli miktarda değişmemiştir. Çklu evsel yıkamalara maruz kalan tekstil materyallerine kazandırılan fnksiynel özelliklerin yıkamaya dayanıklı lması istenmektedir. Dlayısıyla bu amaçla bu çalışmada kaplanan kumaşların elektriksel direnç özelliklerinin yıkamaya dayanımı test edilmiştir. Yıkamadan snra kumaş örnekleri elektriksel iletkenlik özelliklerini kaybetmişlerdir. Snuç larak düşük sıcaklıkta sl-jel yöntemi yüksek elektrik iletkenliğinin ve düşük direnç değerlerinin (10 Ω cm mertebesinde) elde edilmesini sağlayacak lan ksijen eksikliğini yaratmak için yeterli değildir. Bu direnç değerlerindeki kumaşlar antistatik tekstil materyali larak kullanılabilmektedir. Fakat daha düşük (10 Ω cm mertebesinde) direnç değerleri gerektiren elektrmanyetik kruyucu tekstil, ısıtıcı tekstil veya data transfer eden tekstil materyali larak kullanılamamaktadır. İleriki çalışmada kumaşların direnç değerlerini azaltmak için kumaşlar IZO sl çözeltisi ile slvtermal sl-jel yöntemi kullanarak kaplanacaktır. Slvtermal sl-jel yönteminde mleküler başlatıcı maddeler reaksiyn aracında (tklavda 145 C'de) parçalanabilirler ve işlem basıncıyla (2 bar) elde edilen enerji ile ksit türlerinin kristalizasynu geliştirilebilir [19]. Tabl 2. 3 kat ve 6 kat sl-jel yöntemi ile IZO ile kaplanan kumaş örneklerinin elektriksel direnç değerleri. Kaplama kat sayısı 3.3. XRDAnalizi Elektriksel direnç, kω cm Yıkamadan Yıkamadan önce snra 3 kat kaplama 97 İletken değil (> 10 9 ) 6 kat kaplama 89 İletken değil (> 10 9 ) Cam altlıklar üzerine kaplanan IZO kaplama tabakasının XRD paterni Şekil 4'te gösterilmiştir. Bu paternde amrf indiyum çink ksit kaplama tabakasının karakteristik piki lan 2θ~34 'de geniş bir pik gözlenmiştir. Gözlenen diğer pikler ise 2 θ=20, 22 ve 29 'dir. Bu çalışmada sl-jel yöntemi ile nispeten düşük sıcaklıkta kaplanan kaplama tabakasının amrf frmda lduğu kanıtlanmıştır. Literatürde TCO kaplama tabakasının kristalin fazının en yüksek iletkenlik özelliğine sahip lduğu bildirilmiştir [8, 9, 10, 11]. Bununla birlikte PET kumaşlar üzerinde IZO kaplama tabakasının kristalin fazı düşük sıcaklıkta sl-jel yöntemi ile üretilememiştir. Aynı zamanda amrf yapıdaki TCO filmleri iletken özelliğe sahiptir ve düşük sıcaklıkta sl-jel yöntemi ile PET kumaşlar üzerinde amrf yapıda TCO kaplama tabakası luşturulmuştur. Fakat amrf yapıdaki kaplama tabakalarının iletkenlik özellikleri kristalin yapıdaki kaplama tabakalarının iletkenlik özelliklerine göre nispeten daha düşüktür. Şekil 4. Cam altlık üzerine kaplanan IZO kaplama tabakasının XRD paterini 4. SONUÇLAR Bu çalışmada PET dkusuz yüzey kumaşlar düşük sıcaklıkta sl-jel yöntemi ile farklı kaplama kat sayılarında IZO sl çözeltisi ile kaplanmıştır. Kaplanan kumaşlar 89 kω cm yüksek direnç değerine sahiptir. Kaplanan kumaşların direnç değerleri kaplama kat sayısı artışı ile önemli miktarda değişmemiştir. Yıkamadan snra kaplanan kumaşlar iletkenlik özelliklerini kaybetmişlerdir. Kaplanan kumaşların iletkenlik özellikleri yıkamaya dayanıklı değildir. Aynı zamanda 3 kat kaplanan kumaşların yüzeyi hmjenken, 6 kat kaplanan kumaşların yüzeyi hmjen değildir ve pürüzlüdür. IZO sl çözeltisi ile kaplanan kumaşların XRD paterni kumaşlar üzerindeki IZO kaplama tabakasının amrf yapıda lduğunu göstermiştir. İleri ki çalışmada kumaşlar slvtermal yöntem ile IZO sl çözeltisi ile kaplanacaktır. Slvtermal yöntemde sıcaklık ve basınç etkisi, IZO sl çözeltisi ile kaplanan kumaşların elektriksek özelliklerini geliştirmek için kullanılabilir. Snuç larak sl-jel yöntemi ile 145 C'de çalışmak yüksek elektriksel iletkenliği elde etmek için gerekli ksijen eksikliğini yaratmak için yeterli değildir. KAYNAKLAR 1. Makise, K., Funaki, M., Shinzaki, B., Yan, K., Shimane, Y., Inue, K., Nakamura, H., (2008), Electrn weak lcalizatin, and electrn-phnn interactin in amrphus zinc-dped indium xide films, Thin Slid Films, 516, 5805-5808. 2. Savarimuthu, E., Lalithambika, K.C., Raj, A. M. E., Nehru, L. C., Ramamurthy, S., Thayumanavan, A., Sanjeeviraja, C., Jayachandran, M., (2007), Synthesis and materials prperties f transparent cnducting In2O3 _lms prepared by sl-gel-spin cating technique, Jurnal f Physics and Chemistry f Slids, 68, 1380-1389. 3. Zhi-hua, L., Dng-yan, R., (2006), Preparatin f ITO transparent cnductive film by sl-gel methd, The Transactins f Nnferrus Metals Sciety f China, 16, 1358-1361. 4. Aegerter, M. A., Al-Dahudi, N., (2003), Wet-chemical prcessing f transparent and antiglare cnducting ITO cating n plastic substrates, Jurnal f Sl-Gel Science and Technlgy, 27, 81-89. The Jurnal f Textiles and Engineer YIL 17 - SAYI 79 SAYFA 5
Sl-jel Yöntemi ile Düşük Sıcaklıkta Plietilen Tereftalat Dkusuz Yüzey Kumaşların İndiyum Çink Oksit Çözeltileri ile Kaplanması 5. Alam, M.J., Camern, D.C., (2002), Investigatin f annealing efects n sl-gel depsited indium tin xide thin films in different atmspheres, Thin Slid Films, 42021, 76-82. 6. Granqvist, C. G., Hultaker, A., (2002), Transparent and cnducting ITO films: new develpments and applicatins, Thin Slid Films, 411, 1-5. 7. Paul, G. K., Sen, S.K., (2002), Optical prperties f sme sl-gelderived gallium-dped ZnO films, Materials Letters, 57, 959-963. 8. Rbertsn, J., (2008), Physics f amrphus cnducting xides, Jurnal f Nn-Crystalline Slids, 354, 2791-2795. 9. Nishimura, E., And, M., Onisawa, K., Takabatake, M., Minemuba, T., (1996), Structural change during annealing f amrphus indium-tin xide films depsited by sputtering with H 2O additin, Japanese Jurnal fapplied Physics, 35, 2788-2792. 10. Wang, M.H., Onai, Y., Hshi, Y., Lei, H., Knd, T., Uchida, T., Singkarat, S., Kamwanna, T., Dangtip, S., Aukkaravittayapun, S., Nishide, T., Tkiwa, S., Sawada, Y., (2008), Thermal change f amrphus indium tin xide films sputter-depsited in water vapr atmsphere, Thin Slid Films, 516, 5809-5813. 11. Rgzin, A., Vinnichenk, M., Shevchenk, N., Kreissig, U., Klitsch, A., Mller, W., (2009), Real-time evlutin f electrical prperties and structure f indium xide and indium tin xide during crystallizatin, Scripta Materialia, 60, 199-202. 12. Hara, H., Hanada, T., Shit, T., Yatabe, T., (2004), Prperties f indium zinc xide thin films n heat withstanding plastic substrate, The Jurnal f Vacuum Science and TechnlgyA, 22(4), 1726-1729. 13. Aw, K.C., Tsakadze, Z.,. Lhani, A., Mhaisalkar, S., (2009), Infuence f radi frequency sputtering pwer twards the prperties f indium zinc xide semicnducting fims, Scripta Materialia, 60, 48-51. 14. Taylr, M.P., Ready, D.W., Teplin, C.W., van Hest, M. F.A.M., Alleman, J.L., Dabney, M.S., Gedvilas, L.M., Keyes, B.M., T, B., Perkins, J.D., Ginley, D.S., (2005), The electrical, ptical and structural prperties f InxZn1-xO y (0 x 1) thin films by cmbinatrial techniques, Measurement Science and Technlgy, 16(1), 90-94. 15. Hwangb, S., Lee, Y.J., Hwang, K.S., (2008), Phtluminescence f ZnO layer n cmmercial glass substrate prepared by sl-gel prcess, Ceramics Internatinal, 34, 1237-1239. 16. Huang, Y., Lin, J., Du, H., Ga, L., Hu, Y., (2006), Preparatin and phtluminescence prperties f ZnO/amrphus-BaTiO3 thin-films by sl-gel prcess, Materials Letters, 60, 3818-3821. 17. Lee, S.Y., Park, B.O., (2005), Electrical and ptical prperties f In 2O 3-ZnO thin films prepared by sl-gel methd, Thin Slid Films, 484, 184-187. 18. Textile tests fr clur fastness part C06: Clur fastness t dmestic and cmmercial laundering; BSI EN ISO 105-C06, British Standards Institutin, Lndn, UK, 1997. 19. Cimitan, S. Albnetti, S., Frni, L., Peri, F., Lazzari, D., (2009), Slvthermal synthesis and prperties cntrl f dped ZnO nanparticles. Jurnal f Cllid and Interface Science, 329, 73-80. The Jurnal f Textiles and Engineer YIL 17 - SAYI 79 SAYFA 6