GEÇİŞ METALİ Dy KATKILI Zn 0.80-4y Dy y O x BİLEŞİKLERİNİN YAPISAL VE MANYETİK ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI Investigation of Structural and Magnetic Properties of Transition Metal Dy Substituted Zn 0.80-4y Dy y O x Compounds Mustafa AKYOL Kerim KIYMAÇ Ahmet EKİCİBİL Fizik Anabilim Dalı Fiziki Anabilim Dalı Fizik Anabilim Dalı ÖZET Bu çalışmada Zn 0.80-4y Dy y O x (0.05 y 0.10) seyreltilmiş manyetik yarı iletkenler katıhal tepkime yöntemi ile sentezlendi. Numunelerin yapısal ve manyetik özellikleri, X-Işını Kırınımı (XRD), Taramalı Elektron Mikroskopisi (SEM) ve Enerji Dağılımlı X-Işını Spektrometresi (EDX), farklı ölçüm sıcaklıklarında Histeresis ölçüm teknikleri kullanılarak çalışıldı. SEM sonuçları Dy iyonlarının ZnO yapısı içerisinde herhangi bir problem olmadan yerleştiğini göstermektedir. Numunelerin tanecikleri birbirleriyle iyi bir şekilde bağlanmış ve sıkı paketlenmiştir. Numunelerin XRD ve EDX spektrumlarından katkılamanın ZnO un hegzagonal-wurtzite yapısında herhangi bir değişikliğe neden olmadığı sonucu çıkarıldı. 10 ve 300 K sıcaklıklarında yapılan histeresis ölçümlerinden tüm numunelerin paramanyetik fazda olduğu gözlendi. Anahtar Kelimeler: ZnO, XRD,SEM, DMS, Manyetik histeresis. ABSTRACT In this study, Zn0.80-4yDyyOx (0.05 y 0.10) diluted magnetic semiconductors were synthesized by the solid state reaction method. The structural and magnetic properties of the samples have been studied by using the X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy Dispersive XRay spectroscopy (EDX), Hysteresis technique at different masurement temperatures. The SEM results clearly demonstrate that Dy ions integrate into the ZnO structure without any problem. The grains of the samples are very well connected to each other and tightly packed. From the XRD and EDX spectra of the samples, it has been concluded that the doping causes no change in the hexagonal wurtzite structure of ZnO. Paramagnetism has been observed for all the samples at temperatures between 10 K and 300 K. Key Words: ZnO, XRD, SEM, DMS, Magnetic hysteresis, Giriş Seyreltilmiş manyetik yarı iletkenler spintronikteki aygıtlardaki umut verici uygulamalarından dolayı son yıllarda yoğun bir şekilde araştırılmaktadır (Ueda ve ark., 2001). Manyetik iyonların malzemeye katkılanması spintronik malzemelerin Yüksek Lisans Tezi-MSc. Thesis - 173 -
manyetik ve yarı iletken özelliklerinin birleşmesiyle optoelektronik aygıtlarda, rasgele veri seçen manyetik kaydedicilerde ve bilgi kaydedicilerde potansiyel uygulamaları arttırabilir (Mandal ve ark., 2006., Wolf ve ark.,2001). DMS materyalleri içerisinde ZnO geniş bant aralığına (E g =3.2eV) sahip olmasından dolayı en vaat verici materyaldir. Geniş bant aralığından dolayı mavi, mor, UV ışık yayan diyotlar (LED) gibi optik aletler ile laser diyotlar için ilgi çekici bir bileşiktir. Ayrıca ZnO, güçlü bir piezoelektriktir. Bu nedenle geçiş metali katkılı ZnO, manyetik, yarı iletken, elektrokimyasal ve optik özellikleri bir arada barındıran çok fonksiyonlu bir madde olma özelliğine sahiptir (Sharma ve ark., 2007). Geçiş metali katkılanan ZnO malzemelerin manyetik karakteristikleri ve yapıları teorik ve deneysel olarak oldukça geniş bir şekilde çalışılmıştır (Liu ve ark., 2009). ZnO ya farklı oranlarda Co katkılayarak elde ettikleri numunelerin analizlerinden tüm numunelerin paramanyetik fazda olduğunu gözlediler (Bouloudenine ve ark., 2005). Başka bir makalede yine Co katkılaması farklı sentezleme ve ortamlarında elde edilmiş ve numunelerde konsantrasyon değişimine bağlı olarak ferromanyetik ve paramanyetik fazlar gözlediler (Peng ve ark., 2007). Çökelti yöntemiyle farklı Ni konsantrasyonunda hazırlanan bir başka çalışmada numunelerin düşük Ni konsantrasyonunda Ferromanyetik, yüksek Ni konsantrasyonunda ise paramanyetik fazın olduğunu belirttiler. Bunun sebebinin ise birbirine yaklaşan Ni-Ni atomların manyetik momentlerinin birbirleriyle etkileşmesi sonucu antiferromanyetik etkileşim oluşturacağı ve bu nedenle mıknatıslanma azalıp malzemenin paramanyetik hale geçtiğini belirttiler (Sharma ve ark., 2009). Bunlara ek olarak sol-gel yöntemi ile hazırlanan bulk polikristal Ni:ZnO örneklerinde de oda sıcaklığı ferromanyetizması tespit edilmiştir (Singh ve ark., 2008). Ayrıca katıhal tepkime yöntemi ile hazırlanan Ni katkılı ZnO örneklerde oda sıcaklığı ferromanyetizması gözlenmiş ancak ferromanyetizmanın orjininin kalsinasyon sırasında NiO in nano boyutlarda çökelti oluşturması olduğu söylenmiştir (Mao ve ark., 2008). Oda sıcaklığı ferromanyettizmasının sebebi tartışmalı bir konu olarak belirtilmektedir (Liu ve ark., 2009). Bir başka çalışmada ZnO ya Dy geçiş metali çökelme yöntemi ile katkılanarak farklı sıcaklıklarda tavlamanın etkilerini araştırılmış. Bu çalışma sonucunda numunelerin hepsinin paramanyetik fazda olduğu ve tavlama sıcaklığının artışıyla mıknatıslanmada azalma olduğunu belirttiler (Bandyopadhyay ve ark., 2009). Çalışmamızda, ZnO içerisine katıhal tepkime yöntemi ile katkı miktarını diğer çalışmalardan farklı konsantrasyonlarda (y=0.05-0,10) tutarak Dy ile gerçekleştirdik. Malzemelerin yapısal ve manyetik özelliklerini inceledik. Materyal ve Metod Malzemelerin hazırlanmasında birçok yöntem kullanılır. Bu yöntemlerden birisi de katıhal tepkime yöntemidir. Katı hal tepkime yöntemi kolaylığı ve ucuzluğu bakımından en geniş kullanım alanına sahip yöntemlerden biridir. Bu yöntemde bileşikler oksit, karbonat, nitrat gibi başlangıç maddeleriyle hazırlanır. Başlangıç maddelerinin saflığı uygun sonuçlar elde edebilmek için şarttır. Başlangıç maddeleri uygun oranlarda karıştırılır ve ince tozlar haline getirilmek için öğütülür. Daha sonra - 174 -
tozlar kalsine edilir. Karıştırma, öğütme ve kalsine işlemleri birkaç kez tekrar edilir. Bu işlemler sürecinde örneklerde renk değişimi gözlenir. Son olarak, toz numune tablet haline getirilerek farklı sıcaklık ve sürelerde tavlanır. Örneklerin hazırlanmasında %99.999 ZnO (Çinko Oksit) ve Dy 2 O 3 (Disprosiyum Oksit) toz bileşikleri kullanıldı. Bileşikler Zn 0.80-4y Dy y O x sağlayacak şekilde y nin değişik değerleri ((0.05 y 0.10) için denklem dekleştirmeleri yapıldıktan sonra uygun stokiyometrik oralarda ZnO ve Dy 2 O 3 hassas terazide tartıldı. Daha sonra bu tozlar bir havan içerisine yerleştirilip, Restch marka öğütücüde homojen bir karışım elde edilinceye kadar öğütüldü. Elde edilen karışım alümüna potaya konularak kalsine edilmek üzere fırına yerleştirildi. Kalsinasyon işlemi toz karışımının ilk ısıl - kimyasal işlemini oluşturmaktadır. Kalsinasyon işlem sayesinde toz karışımının içindeki yabancı maddelerin sıcaklıkla ayrışması sağlanır.bu işlem, malzemeler fırında 300 C 0 de 1 saat bekletilerek gerçekleştirilmiştir. Kalsinasyon işleminden sonra elde edilen toz karışımı öğütücüde yeterli incelikte olana kadar öğütüldü. Öğütme işleminden sonra bu tozların her biri, 18 bar basınç altında presleme işlemi ile tablet haline getirildi. Hazırlanan tabletler fırına yerleştirilerek 950 C 0 de 24 saat sinterlendi. Sinterleme sırasında malzemenin buharlaşma yoluyla kaybını önlemek için potaların ağzı almüna potayla kapatıldı. Sinterleme, malzemenin erime sıcaklığının hemen altındaki bir sıcaklıkta uzun süre ısıtılma işlemidir. Sinterleme sayesinde karışımı oluşturan atomlar arasındaki bağlar kuvvetlendirilerek kristal kusurlar ortadan kaldırılmaya çalışılır. Malzemelerin yapısal analizi için XRD, EDX ve SEM analizleri gerçekleştirildi. Magnetizasyon ölçümleri için PPMS cihazı kullanılarak 10 ve 300K sıcaklıklarında M- H analizleri gerçekleştirildi. Araştırma Bulguları ve Tartışma XRD Analizleri ve Sonuçları Malzemelerin içyapısının morfolojik özelliklerinin tanımlanması aşamasında ve kristal yapının incelenmesinde X-ışınları analizleri (XRD) oldukça önemli bulgular sağlar. Numunelerin uygulanan sıcaklıkla sinterlenme işleminde ilk çekirdeklenmeden başlayarak son kristalleşme safhasına kadar olan tüm kristallenme olayları yani bu süreçteki yapısal değişimler XRD ile takip edilebilmektedir. Bu analizler, işlem süresince numunelerde değişik kristal fazların ortaya çıkmasındaki ardışıklığın belirlenmesinde ve uygun sıcaklık şartlarını tanımlamakta da büyük faydalar sağlar. Katkısız ZnO ve Dy katkılı Zn 0.80-4y Dy y O x (0.05 y 0.10) yarı iletken numunelerine ait X-ışını kırınım desenleri poli-kristal difraktometresinde 2θ = 20 70 açı aralığında elde edildi. Şekil 1 de katkısız ZnO ya ait XRD grafiği verilmiştir. Ayrıca Dy katkılı numunelerin (y=0.05 ve y=0.10 için) de XRD grafikleri Şekil 2 de verilmiştir. - 175 -
Şekil 1. Katkısız ZnO ya ait XRD grafiği. a) b) Şekil 2. a) y=0.05 ve b) y=0.10 Dy katkılı Zn 0.80-4y Dy y O x örneklerine ait XRD grafikleri. Numuneye yapılan Dy 3+ katkılaması sonucu, katkısız ZnO nun yansımalarına ek olarak yeni fazları temsil eden yeni pikler oluşmuştur. Katkılanan Dy 3+ miktarındaki artışa bağlı olarak piklerde 2θ açı değerinde çok az da olsa kaymalar ve şiddet değerlerinde değişimler gözlenmiştir. Piklerin şiddetindeki artma ve azalmaların yapılan katkı miktarlarına bağlı olarak daha önce oluşan bazı fazların bozularak yeni fazlar ortaya çıkışından kaynaklandığı düşünülmektedir. Aynı nedenlerden dolayı piklerde meydana gelen kaymalarda yine çok az da olsa numunede oluşan safsızlık fazlarıyla ve örgü parametrelerindeki değişimle bağlantılıdır. Elde edilen kırınım desenlerindeki ilgili düzlemlerin (hkl) Miller indisleri belirlenerek düzlemler arası mesafe (d), örgü parametreleri (a, c), u parametresi ve birim hücre hacmi hesaplandı. Dy 3+ katkı miktarının artışı katkısız ZnO ya göre a örgü parametrelerinde artışa, c parametrelerinde ise azalmaya neden olmaktadır. ZnO ya yapılan katkılamanın sonucunda a ve c örgü parametrelerinde oluşan küçük değişimlerin nedeni olarak Dy 3+ nın iyonik yarıçapının (0.97Å), Zn 2+ nın iyonik yarıçapından (0.74Å) farklı oluşu düşünülmektedir. Örgü parametrelerinde az da olsa değişme birim hücre hacminde artmaya neden olmuştur. Bu da Dy 3+ iyonlarının kısmen de olsa ZnO yapısına girdiğini göstermektedir. - 176 -
SEM Analizleri ve Sonuçları Amorf yapıdaki malzemelerin kristal dönüşümü atomlar arasındaki bağların kırılmasını gerektirir. Bu durum dışarıdan numuneye verilecek termal enerji ile mümkün olmaktadır. Bu ısı malzemeye rasgele değil belirli sürelerde ve miktarlarda yani, kontrollü olarak verilir. Bu ısıyla ve gerekli ısıl işlem süresince malzemede faz dönüşümü gerçekleşirken, içyapıda boyutsal ve hacimsel dönüşümler de gerçekleşmektedir. Belirli miktarlardaki ısıl uygulama esnasında meydana gelen bu faz dönüşümleri, malzemenin içerisinde atomik anlamda farklı merkezlerde gerçekleşir. Malzemenin kristalleşmesi ilk olarak çekirdekler halindeki küçük kristaller biçiminde oluşur. Bu nedenle kristalleşme işlemi; çekirdeklenme ve kristalleşme olarak iki şekilde gerçekleşir. Çekirdeklerin oluşumu esnasında kritik büyüklüğe erişildiğinde kararlı fazların gerçekleştiği bölgeler oluşur. Sonuçta ısıl işlem sırasında kristaller bu çekirdekler üzerinde büyürler. Bu esnada ana fazın bütün elemanları kimyasal enerji ve yapısal anlamda özdeş yani homojen ya da yapıları boşluk veya safsızlıklar içeren heterojen bir şekilde olabilir. SEM analizleri bize malzemelerde ısıl işlem süresince meydana gelen değişiklikleri yani çekirdeklenme, kristal büyümesi, atomik oranlar ve kristal yapısı gibi özellikler hakkında ayrıntılı bilgi sağlamaktadır. ZnO ya değişik oranlarda Dy 2 O 3 katkılanmasından sonra uygulanan ısıl işlemin kristal yapıda oluşturduğu değişiklikler bu bölümde incelenmektedir. Katkısız ZnO örneğinin wurtzite yapısına sahip olduğu bilinmektedir. Bu yapıyı içeren bölgelerde parçacıklar, sıkı paketlenmiş, hemen hemen homojen olarak dağılmış, yaklaşık küresel ve oval şekillerde olup mikrometre boyutlarındadır. Bu tanecikler arasındaki mesafeler oldukça dardır ve tanecik boyutları yaklaşık olarak 0.35µm civarındadır. Katkısız ZnO örneğine ait SEM fotoğrafında ZnO nun bilinen Würtzite yapısında olduğu görülmektedir (Şekil 3). Şekil 3. Katkısız ZnO ya ait SEM fotoğrafı. - 177 -
Farklı konsantrasyonlarda hazırlanan Zn 0.80-4y Dy y O x (0.05 y 0.10) yarı iletken numunelerin her birinin farklı iki bölgesinden alınan SEM fotoğraflarındaki en belirgin ortak görünüm, parçacık boyutlarındaki homojen olmayan durumlardır. Zn 0.80-4y Dy y O x (0.05 y 0.10) kompozisyonunda y değeri arttırıldıkça değişik morfolojiler gözlenmektedir. Yine küresel ve dar aralıklarla yerleşmiş parçacıklar mevcut olup yer yer yaklaşık kare görünümlü parçacıklar da görülmektedir. Taneciklerin boyutları ~ 0.2-6 µm aralığında değişmektedir (Şekil 4). SEM fotoğraflarında rastlanan diğer bir hususta farklı boyut ve şekillerdeki bu taneciklerin yine farklı tonlarda olmasıdır. Kimi parçacıklar koyu siyah görünümlü iken bazı bölgelerde açık gri ve beyazımsı renklerdeki parçacıklar da göze çarpmaktadır. SEM fotoğraflarındaki bu görünüm, literatürde de yer alan, ZnO ya yapılan katkılamalara ait elde edilen tipik bir şekil yapısıdır. Yer yer homojen olmayan durumlar gözlense de Dy 3+ kristal yapıya iyi bir şekilde entegre olmuştur. Numunelerin SEM fotoğraflarından görüldüğü gibi taneciklerin sıkı bir formda olması ve aşırı boşluk ve iri taneciklere rastlanılmamış olması bu durumun bir kanıtıdır. a) b) Şekil 4. a) y=0.05 ve b) y=0.10 Dy katkılı Zn 0.80-4y Dy y O x örneklerine ait SEM fotoğrafları. SEM fotoğraflarında kimi parçacıklar koyu görünümlü iken bazı bölgelerde açık gri ve beyazımsı renklerdeki parçacıklarda göze çarpmaktadır. SEM fotoğraflarındaki bu görünüm, literatürde de yer alan, ZnO ya yapılan katkılamalara ait elde edilen tipik bir şekil yapısıdır. Ni 2+ kristal yapıya çok iyi bir şekilde uyum sağlamıştır. Bunun en büyük göstergesi taneciklerin sıkı bir formda olması, aşırı boşluk ve iri taneciklere hiç rastlanılmamış olmasıdır. EDX Analizleri ve Sonuçları Bir malzemedeki element miktarları EDX analizi ile tespit edilir. EDX analizi ile oluşturulan veri spektrumunu gösteren pikler analiz edilen numunenin kompozisyonunu oluşturan öğelere karşılık gelir. Bu çalışmada kullanılan 6 farklı Dy konsantrasyonlu Zn 0.80-4y Dy y O x (0.05 y 0.10) bileşikleri için yapılan EDX analiz spektrumları şekil 5 deki gibidir. EDX spektrumlarından da görüldüğü gibi yapıda - 178 -
Zn, Dy ve O dışında başka bir elemente ait pik gözlenmemiştir. Zn 0.80-4y Dy y O x kompozisyonunu elde etmek için kullanılan başlangıç karışımlarının tamamının yapıda var olduğu görülmektedir. Bunun dışında bileşik içerisinde herhangi başka bir elementin bulunmaması belirgin düzeyde safsızlık fazlarının oluşmadığını göstermektedir. Bu olgulardan yola çıkarak açıkça ifade edebiliriz ki Dy 3+ elementi ZnO matrisinde hemen hemen homojen bir şekilde dağılmıştır. Ayrıca Dy 3+, ZnO ile bağ yaparak matris formunu oluşturmuştur. a) b) Şekil 5. a) y=0.05 ve b) y=0.10 Dy katkılı Zn 0.80-4y Dy y O x örneklerine ait EDX spektrumları. Manyetik Analizler ve Sonuçları Manyetik olmayan bir malzemedeki atomların bir kısmının manyetik atomlarla rastgele yer değiştirerek oluşturduğu yarı iletkenlere seyreltilmiş manyetik yarı iletkenler (Diluted Magnetic Semiconductors, DMSs) denir. IIB VIA gruplarındaki bileşikler (CdTe, ZnSe, ZnO ) ile 3d geçiş ve 4f lantanit metallerinin oluşturdukları bileşikler en yaygın seyreltilmiş manyetik yarı iletkenlerdir. Bu çalışmada, lantanit metallerinden olan Dy elementi ve IIB VIA grubundan olan ZnO bileşiği kullanılarak oluşturulan seyreltilmiş manyetik yarı iletken numunelerin manyetik özellikleri incelendi. Üretilen numunelerin manyetik analizleri için PPMS (Fiziksel Özellik Ölçüm Sistemi) kullanılarak; 10 ve 300 K sıcaklıkları ve ±5000 Oe manyetik alan aralığında M-H ölçümleri gerçekleştirildi. En az (y=0.05) ve en fazla (y=0.10) Dy katkılı Zn 0.80-4y Dy y O x örneklerine ait 10K ve 300K sıcaklıklarında gerçekleştirilen M-H analiz grafikleri sırasıyla şekil 6.ab ve şekil 7.a-b de görülmektedir. Her durumda numunelerin paramanyetik fazda olduğu görülmektedir. 10K sıcaklığında yapılan M-H ölçümlerden görüldüğü gibi Dy katkılama oranı artarken mıknatıslanma değeri de artmıştır. Benzer şekilde 300K sıcaklığında yapılan M-H ölçümlerinde de Dy katkı oranı artarken mıknatıslanmada artış gözlenmiştir. Saf Dy elementi doğada paramanyetik fazdadır. Zn elementi diamanyetik bir faza sahipken ZnO bileşiği paramanyetik fazdadır. Dy katkı - 179 -
miktarının artması Zn atomlarının yerine geçen Dy atomlarının sayısının artması anlamına gelmektedir. Dolayısı ile katkı miktarı artışının paramanyetik durumu kuvvetlendirmesi beklenmektedir. Ancak 10K e göre 300K de mıknatıslanma değerinin azaldığı görülmektedir. Sıcaklık arttığında mıknatıslanma değerinin azalması dışarıdan uygulanan alan (H) yönüne yönelen net manyetik momentlerin (M) azaldığını göstermektedir. Net manyetik momentin azalması, örnek içerisinde bulunan her bir manyetik momentin sıcaklık etkisiyle farklı yönlere geçmesi ve manyetik alanın yöneltme etkisinin azalması demektir. Sıcaklık artışı malzeme içerisindeki atomların elektronlarının enerjisini arttırmış ve bu elektronların yörünge hareketini değiştirmiş ve bundan dolayı da manyetik momentlerin yönelimleri de değişmiş olabileceği düşünülmektedir. Yönelimleri değişen manyetik momentlerin alana paralel olan toplam değeri de azalmıştır. Bu durum beklendiği gibi sıcaklık arttıkça termal enerjinin manyetik potansiyel enerjiyi azaltması demektir. Grafiklerden de görüldüğü gibi (Şekil 6.1-b ve Şekil 7.a-b) malzemelerde 5000 Oe de bile mıknatıslanma manyetik alanla doğru orantılıdır ve doyum mıknatıslanması gerçekleşmemiştir. Bu koşullar altında doyum mıknatıslanmasının gözlenememesi, malzeme içerisinde alan yönünde yönelmemiş hala çok miktarda manyetik momentlerin bulunmasıyla açıklanabilir. Daha yüksek manyetik alan değerlerinde (>5000 Oe) alan yönünü alabilen manyetik moment sayısı artacağı, dolayısıyla malzemenin mıknatıslanmasının artabileceği ve nihayet doyum mıknatıslanmasının gözlenebileceği beklenmektedir. a) b) Şekil 6. 10K sıcaklığında ölçülen a) y=0.05 ve b) y=0.10 Dy katkılı Zn 0.80-4y Dy y O x örneklerine ait M-H analiz grafikleri. - 180 -
a) b) Şekil 7. 300K sıcaklığında ölçülen a) y=0.05 ve b) y=0.10 Dy katkılı Zn 0.80-4y Dy y O x örneklerine ait M-H analiz grafikleri. KAYNAKLAR BANDYOPADHYAY, A., MODAK, S., ACHARYA, S., DEB, A.K., CHAKRABART, P.K., 2009. Microstructural, Magnetic and Crystal Field Investigations of Nanocrystalline Dy 3+ Doped Zinc Oxide. Solid State Sciences. 12, 448 454. BOULOUDENINE, M., VIART, N., COLIS, S., KORTUS, J. and DINIA, A., 2005. Antiferromagnetism in Bulk Zn 1 x Co x O Magnetic Semiconductors Prepared by the Coprecipitation Technique. Applied Physics Letters. 87, 052501. LIU, X.J., ZHU, X.Y., SONG, C., ZENG, F., PAN, F. 2009. Intrinsic and extrinsic origins of room temperature ferromgnetism in Ni-doped ZnO films. J. Phys. D: Appl.Phys. 42, 035004. MANDAL, S.K., DAS, A.K., NATH, T.K., KARMAKAR, D., SATPATI, B., 2006. J. Appl. Phys. 100, 104315. MAO, X.Y., ZHONG, W., DU,Y.W. 2008. J. Magn. Magn.Mater. 320,1102. PENG, L., ZHENG, H.W., WEN, Q.Y., XIAO, J.Q.,2007. Room temperature ferromagnetism Co-doped ZnO bulks. Journal of Electric Science and Technology of China, 5.,4., 293. SHARMA, V.K., XALXO, R., VARMA, G.D., 2007. Structural and magnetic studies of Mn-doped ZnO. Cyrst. Res. Technol. 42,1,34-38. SHARMA, P. K., DUTTA, R. K., PANDEY, A. C., 2009. Effect of Nickel Doping Concentration on Structural and Magnetic Properties of Ultrafine Diluted Magnetic Semiconductor ZnO Nanoparticles. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 321, 3457 3461. SHINGH, S., RAMA, N., SETHUPATHI, K., RAMACHANDRA RAO, M.S. 2008. J. Appl. Phys. 103,07D108. UEDA, K., TABATA, H., KAWAI, T., 2001. Appl. Phys. Lett. 79. - 181 -
WOLF, S.A., AWSCHALOM, D.D., BUHRMAN, R.A., DAUGHTON, J.M., MOLNAR, S. VON, ROULES, M.L., CHTCHELKANOVA, A.Y., TREGER, D.M., 2001. Science 294, 1488. - 182 -