ELM 331 ELEKTRONIK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
|
|
- Selim Muhiddin
- 7 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 ELM 331 ELEKTONK LABOATUA DENEY FÖYÜ DENEY 3 AKM KAYNAKLA 1. AMAÇ Bu deneyin amaci, akim kaynagi tasarlamaktir. Genel olarak kullanilan üç tip akim kaynagi vardir. Bu akim kaynaklarinin tasarimi ve analizi yapilarak aralarindaki fark incelenecektir.. TEOK BLG Akim kaynagi, ideal olarak herhangi bir yük direnci üzerinden akan sabit bir akim üreten enerji kaynagidir. Akim kaynaklari hem DC çalisma noktasini saglamak hem de aktif yük olarak kullanilirlar. Genel olarak temel, gelistirilmis, Widlar, kaskad ve Wilson akim kaynaklari yaygindir..1. Temel Akim Kaynagi Temel akim kaynagi, iki transistor ve bir dirençten olusur (Sekil 1). Sekil 1
2 Sekil 1 de görüldügü gibi Q1 tranzistörünün bazi kolektörü ile kisa devredir ve V CB =0 dir. Bu demektir ki, Q1 tranziztörü aktif bölgede çalismaktadir. Q tranzistörü ise doyum bölgesinde çalistirilabilecegi gibi, aktif bölgede de çalistirilabilir. ki transistor ayni baz emitör voltajina sahiptir. Kollektör ve baz akimlari birbirine esittir ( B1 = B, C1). Çikis akimi olan C = O, denklem (1) den elde edilir. C1 = (1) β Buradaki, 1 üzerinden akan referans akimidir. Bu akim transistorün DC akim kazanci β oldugu zaman C1 alinir. Yani = C1 = O olur. Bu da tasarim parametresi olan 1 degerine su sekilde baglidir: VCC V BE1 1 =. ().. Gelistirilmis Akim Kaynagi Denklem (1) de β oldugu zaman basit bir akim kaynagi düsünülür. Küçük DC akim kazançli transistorlerle çalisildiginda C ile arasinda önemli bir fark vardir. Bu fark diger bir transistor eklenerek azaltilabilir. Böylece C akimi tranzistorün ß parametresine daha az bagimli olur. Olusturulan yeni devre gelistirilmis temel akim kaynagi olarak adlandirilir (Sekil ). Sekil
3 Çikis akimi olarak verilir. O = C1 = (3) β + β nin 1 degerine bagimliligi ise su sekildedir: VCC VBE1 V BE3 1 =. (4).3. Widlar Akim Kaynagi Temel akim kaynaginda düsük siddette örnegin µa mertebelerinde çikis akimi olusturmak için Q tranzistörünün emitörüne bir direnç baglanir. Bu yeni olusum Widlar akim kaynagi olarak adlandirilir (Sekil 3). Sekil 3 Devreye eklenen direnç ile sonuçta C artik ye esit olmayacaktir. C nin degeri C1 den daha küçüktür. Bu devre artik µa seviyesinde akim verebilir. Emitördeki direnç degeri asagidaki formülle bulunabilir. ln C1 VT (5) C Devreden elde edilecek referans akimi
4 = C B B (6) dir. Buradan β exp C C = C + (7) β VT β bulunur. nin 1 direncine bagimliligi denklem () deki gibidir. Bu devrede iki bagimsiz direnç degeri tasarima katkida bulundugu için ve O birbirinden bagimsiz seçilebilir. 3. HAZLK ÇALSMAS 1. N3904 transistörünün katalog bilgilerinden yararlanarak, ß in degerini belirleyiniz. Asagidaki adimlar için bu degeri kullaniniz.. Sekil 1 de verilen temel akim kaynagini, çikis akimi O = 1 ma ( ± %10 ) olacak sekilde tasarlayiniz. V CC yi 30 V aliniz. Devrenin esdeger Thevenin gerilimini bulunuz. 3. Sekil de verilen gelistirilmis temel akim kaynagini çikis akimi O = 1 ma ( ± %10 ) olacak sekilde tasarlayiniz. V CC yi 30 V aliniz. 4. Sekil 3 de verilen Widlar akim kaynagini çikis akimi O = 50 µa ve = 1 ma olacak sekilde tasarlayiniz. V CC yi 30 V ve V T = 6 mv aliniz. 4. DENEYN YAPLS BÖLÜM 1: Temel Akim Kaynagi 1. Sekil 1 deki temel akim kaynagi devresini ön hazirlikta N3904 transistörü için tasarladiginiz sekilde kurunuz. Bu akim kaynagina 10 kω luk bir yük direnci baglayin ve C1, O, B1, B ve degerlerini ölçünüz. Transistörlerin β degerlerini hesaplayiniz. Devre tasarladiginiz sekilde çalisiyor mu? V CE1 ve V CE gerilimlerini ölçünüz ve kaydediniz.. Yük direncini 1 kω a düsürünüz. O ve C1 akimlari ile V CE1 ve V CE gerilimlerini ölçünüz. Çikis akiminda degisiklik gördünüz mü? Degisiklik olduysa bunu açiklayabilir misiniz? 3. Yük direncini kaldiriniz ve V CE gerilimini ölçünüz. Ölçtügünüz gerilim Thevenin gerilimine esit midir? Degil ise neden? 4. Yeniden 10 kω luk yük direncini baglayiniz ve transistörlerin kollektör ve emitör baglantilarinin yerlerini degistiriniz. Bir BJT transistörün kolektör ve emitörünü ters baglamak efektif olarak düsük β li bir transistör kullanmaya denktir. Bu durumda birinci adimi tekrar ediniz.
5 BÖLÜM : Gelistirilmis Temel Akim Kaynagi 1. Sekil deki gelistirilmis temel akim kaynagi devresini ön hazirlikta N3904 tranzistörü için tasarladiginiz sekilde kurunuz. Bu akim kaynagina 10 kω luk bir yük direnci baglayin ve C1, O, B1, B ve degerlerini ölçünüz. Transistörlerin β degerlerini hesaplayiniz. Devre tasarladiginiz sekilde çalisiyor mu?. Transistörlerin kollektör ve emitör baglantilarinin yerlerini degistiriniz ve birinci adimi tekrar ediniz. BÖLÜM 3: Widlar Akim Kaynagi 1. Sekil 3 teki Widlar akim kaynagi devresini ön hazirlikta N3904 tranzistörü için tasarladiginiz sekilde kurunuz. Bu akim kaynagina 10 kω luk bir yük direnci baglayin ve C1, O, B1, B ve degerlerini ölçünüz. Transistörlerin β degerlerini hesaplayiniz. Devre tasarladiginiz sekilde çalisiyor mu?. Transistörlerin kollektör ve emitör baglantilarinin yerlerini degistiriniz ve birinci adimi tekrar ediniz. 5. ANALZ VE YOUMLA 1. Tasariminiz ve ilgili hesaplari sununuz.. Deneyden elde edilen tablo haline getirilmis sonuçlari raporunuza ekleyiniz. 3. Bölüm 1 de sorulan sorulara ek olarak asagidaki sorulara da cevap veriniz: a) Bölüm 1 in ilk basamaginda elde etmis oldugunuz C1, C ve akimlari esit midir? Esit ise neden? Esit degilse neden esit olmadiklarini açiklayiniz. b) Bölüm 1 in birinci ve ikinci basamaklarinda yaptiginiz ölçümlerden transistörlerin Early gerilimini bulabilir misiniz? Sadece evet ya da hayir cevabi vererek açiklamasini yapiniz. c) Dördüncü adim sonucunda ölçtügünüz akim degerlerini yorumlayiniz. 4. Bölüm de birinci ve ikinci adimlar arasinda gözlemlediginiz O akimindaki fark ile bölüm 1 in birinci ve dördüncü adimlari arasindaki farki karsilastiriniz. Hangi devrenin daha avantajli olduguna karar verebiliyor musunuz? 5. Bölüm 3 te elde ettiginiz sonuçlari yorumlayiniz. 6. Deneylere dayanarak temel, gelistirilmis ve Widlar akim kaynaklari arasindaki farklari yaziniz.
ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--
ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6 --Thevenin Eşdeğer Devresi-- 3 Nisan 2013 DENEYİN AMACI Deneyin amacı iki terminal arasındaki gerilim ve akım ölçümlerini yaparak, Thevenin eşdeğer devresini elde etmektir.
DetaylıDENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.
DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,
DetaylıELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 4 REGÜLE DEVRELERİ (GERİLİM REGÜLATÖRLERİ)
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 4 REGÜLE DEVRELERİ (GERİLİM REGÜLATÖRLERİ) Deneyi Yapanlar Grubu
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 3 Süperpozisyon İlkesi ve Thevenin Eşdeğer Devreleri İMZA KAĞIDI (Bu sayfa laboratuvarın sonunda asistanlara teslim edilmelidir) Ön-Çalışma Lab Saatin Başında
Detaylı5/21/2015. Transistörler
Transistörler İki polarmalı yüzey temaslı transistörler, teknik ifadelerde BJT ( Bipolar Junction Transistör) olarak adlandırılmaktadır. Transistör birçok elektronik devrede uygulama bulan işaret yükseltme
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıSüperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6
Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 DENEY 2-3 Süperpozisyon, Thevenin ve Norton Teoremleri DENEYİN AMACI 1. Süperpozisyon teoremini doğrulamak. 2. Thevenin teoremini doğrulamak. 3. Norton teoremini
DetaylıDeneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir.
DENEY 4 THEVENİN VE NORTON TEOREMİ 4.1. DENEYİN AMACI Deneyin amacı, Thevenin ve Norton Teoremlerinin öğrenilmesi ve laboratuar ortamında test edilerek sonuçlarının analiz edilmesidir. 4.2. TEORİK İLGİ
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıGEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
GEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELM222 DEVRE TEORİSİ II LABORATUVARI DENEY 1: KONDANSATÖR KARAKTERİSTİĞİNİN İNCELENMESİ Öğrencinin Numarası : Adı Soyadı : Deney Arkadaşının Numarası
DetaylıTHEVENIN VE NORTON TEOREMLERİ. Bu teoremler en güçlü analiz tekniklerindendir EBE-215, Ö.F.BAY 1
THEVENIN VE NORTON TEOREMLERİ Bu teoremler en güçlü analiz tekniklerindendir EBE-25, Ö.F.BAY THEVENIN EŞDEĞER TEOREMİ DOĞRUSAL DEVRE Bağımsız ve bağımlı kaynaklar içerebilir DEVRE A v O _ a + i Bağımsız
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıDENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ
Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ Devre Analiz yöntemlerinden olan Thevenin ve Norton teoremlerinin deneysel olarak gerçeklenmesi. Doğrusal devreleri analiz etmek
DetaylıKTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I. I kd = r. Şekil 1.
KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I THEENİN ve NORTON TEOREMLERİ Bir veya daha fazla sayıda Elektro Motor Kuvvet kaynağı bulunduran lineer bir devre tek
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıBölüm 12 PWM Demodülatörleri
Bölüm 12 Demodülatörleri 12.1 AMAÇ 1. Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. 2. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi. 12.2 TEMEL KAVRAMLARIN
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıMÜHENDİSLİK ve MİMARLIK FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI DENEY FÖYÜ 4
MÜHENDİSLİK ve MİMARLIK FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI DENEY FÖYÜ 4 LABORATUVARDA UYULMASI GEREKEN KURALLAR Laboratuvara kesinlikle YİYECEK VE İÇECEK getirilmemelidir.
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıDİYOTLU DALGA ŞEKİLLENDİRİCİLER
DENEY NO : 6 DİYOTLU DALGA ŞEKİLLENDİRİCİLER Bu deneyde, diyotun bir dalga şekillendirici olarak çalışmasını görmek ve regülatör, kırpıcı, kenetleyici devrelerin çalışmasını öğrenmek amaçlanmıştır. I-
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıBölüm 5 DSB-SC ve SSB Modülatörleri
Bölüm 5 DSB-SC ve SSB Modülatörleri 5.1 AMAÇ 1. Çift yan band bastırılmış taşıyıcı ve tek yan band modüleli işaretlerin nasıl üretildiğinin öğrenilmesi. 2. Çift yan band bastırılmış taşıyıcı ve tek yan
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 2 Thevenin Eşdeğer Devreleri ve Süperpozisyon İlkesi 1. Hazırlık a. Dersin internet sitesinde yayınlanan Laboratuvar Güvenliği ve cihazlarla ilgili bildirileri
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--
ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6 --Thevenin Eşdeğer Devresi-- DENEYİN AMACI Deneyin amacı iki terminal arasındaki gerilim ve akım ölçümlerini yaparak, Thevenin eşdeğer devresini elde etmektir. GEREKLİ
DetaylıELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ÖDEV-2
ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ 06.05.2015 ÖDEV-2 1. Aşağıdaki şekilde verilen devrenin; a) a-b uçlarının solunda kalan kısmının Thevenin eşdeğerini bulunuz. b) Bu eşdeğerden faydalanarak R L =4 luk yük direncinde
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıSERİ, PARALEL DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF KANUNLARI
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ SERİ, PARALEL DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF KANUNLARI Dr. Öğr. Üyesi Ahmet ÇİFCİ SERİ DEVRELER Birden fazla direncin,
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıÖlçü Aletlerinin Tanıtılması
Teknoloji Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği 2017-2018 Bahar Yarıyılı EEM108 Elektrik Devreleri I Laboratuvarı 1 Ölçü Aletlerinin Tanıtılması Öğrenci Adı : Numarası : Tarihi : kurallarını okuyunuz.
Detaylı10. ÜNİTE DİRENÇ BAĞLANTILARI VE KİRCHOFF KANUNLARI
10. ÜNİTE DİRENÇ BAĞLANTILARI VE KİRCHOFF KANUNLARI KONULAR 1. SERİ DEVRE ÖZELLİKLERİ 2. SERİ BAĞLAMA, KİRŞOFUN GERİLİMLER KANUNU 3. PARALEL DEVRE ÖZELLİKLERİ 4. PARALEL BAĞLAMA, KİRŞOF UN AKIMLAR KANUNU
DetaylıDEVRE ANALİZİ LABORATUARI. DENEY 3 ve 4 SERİ, PARALEL VE KARIŞIK BAĞLI DİRENÇ DEVRELERİ
DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 3 ve 4 SERİ, PARALEL VE KARIŞIK BAĞLI DİRENÇ DEVRELERİ DENEY 3: SERİ VE PARALEL BAĞLI DİRENÇLİ DEVRELER 1. Açıklama Bu deneyin amacı; seri, paralel bağlı dirençlerin etkisini
DetaylıAdı Soyadı: Öğrenci No: DENEY 3 ÖN HAZIRLIK SORULARI. 1) Aşağıdaki verilen devrenin A-B uçlarındaki Thevenin eşdeğerini elde ediniz.
dı Soyadı: Öğrenci No: DENEY 3 ÖN HZIRLIK SORULRI 1) şağıdaki verilen devrenin - uçlarındaki Thevenin eşdeğerini elde ediniz. 3 10 Ω 16 Ω 10 Ω 24 V 5 Ω 2) şağıda verilen devrenin Norton eşdeğerini bulunuz.
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları
DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı; İşlemsel yükselteçlerle (OP-AMP) yapılabilecek doğrusal uygulamaları laboratuvar ortamında gerçekleştirmek ve
DetaylıMALATYA BATTALGAZİ METEM ENDÜSTRİYEL KONTROL VE ARIZA DERSİNDE YAPILABİLECEK DENEYLER
MALATYA BATTALGAZİ METEM ENDÜSTRİYEL KONTROL VE ARIZA DERSİNDE YAPILABİLECEK DENEYLER Bu derse giren arkadaşlarımızın ders işlenirken öğrencilerine yaptırabilecekleri dört adet deney hazırladık. Arkadaşlarımızın
DetaylıDENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ
9.1. DENEYİN AMAÇLARI DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
DetaylıDENEY 3 ÇEVRE AKIMLAR & DÜĞÜM GERİLİM METODU
DENEY 3 ÇEVRE AKIMLAR & DÜĞÜM GERİLİM METODU 3.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, en önemli devre analiz yöntemlerinden olan çevre akımlar ve düğüm gerilim metotları incelenecek, yapılan ön çalışmalar deney
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 4 Temel İşlemsel Kuvvetlendirici (Op-Amp) Devreleri 1. Hazırlık a. Dersin internet sitesinde yayınlanan Laboratuvar Güvenliği ve cihazlarla ilgili bildirileri
DetaylıDENEY NO : 2 DENEY ADI : Sayısal Sinyallerin Analog Sinyallere Dönüştürülmesi
DENEY NO : 2 DENEY ADI : Sayısal Sinyallerin Analog Sinyallere Dönüştürülmesi DENEYİN AMACI :Bir sayısal-analog dönüştürücü işlemini anlama. DAC0800'ün çalışmasını anlama. DAC0800'ı kullanarak unipolar
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıR 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1
DENEY #4 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ ve MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi Kullanılan Alet ve Malzemeler: 1) DC Güç Kaynağı 2) Avometre
DetaylıTHEVENİN VE NORTON TEOREMLERİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİ Dr. Öğr. Üyesi Ahmet ÇİFCİ THEVENİN TEOREMİ Bir elektrik devresi herhangi bir noktasına
DetaylıRC Osilatörler. Şekil 3.26 - Temel Osilatör Blok Diyagramı
RC Osilatörler Kendi kendine sinyal üreten devrelere "osilatör" denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen, testere dişi gibi sinyaller meydana
DetaylıOsiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3
Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 DENEY 1-6 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ
BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını
DetaylıDC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2
DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DENEY 1-3 DC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-22001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını
DetaylıDENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.
DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıElektrik Devre Temelleri
Elektrik Devre Temelleri 3. TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) 1 PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Şaban ULUS Şubat 2014 KAYSERİ
Detaylıdq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ
OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıElektrik Devre Temelleri 3
Elektrik Devre Temelleri 3 TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
DetaylıV R1 V R2 V R3 V R4. Hesaplanan Ölçülen
DENEY NO : 1 DENEYİN ADI : Kirchhoff Akım/Gerilim Yasaları ve Düğüm Gerilimleri Yöntemi DENEYİN AMACI : Kirchhoff akım/gerilim yasalarının ve düğüm gerilimleri yöntemi ile hesaplanan devre akım ve gerilimlerinin
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2016
Detaylı+ 1. ) transfer edilir. Seri. Isı T h T c sıcaklık farkı nedeniyle üç direnç boyunca ( dirençler için Q ısı transfer miktarı aşağıdaki gibidir.
GİRİŞ Isı değiştiricileri (eşanjör) değişik tiplerde olup farklı sıcaklıktaki iki akışkan arasında ısı alışverişini temin ederler. Isı değiştiricileri başlıca yüzeyli ısı değiştiricileri, karışımlı ısı
DetaylıDENEY 9: THEVENİN VE NORTON TEOREMİ UYGULAMALARI
A. DENEYİN AMACI : Thevenin ve Norton teoreminin daha iyi bir şekilde anlaşılması için deneysel çalışma yapmak. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Multimetre 2. DC Güç Kaynağı 3. Değişik değerlerde
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 3 Temel İşlemsel Kuvvetlendiriciler 1. Hazırlık a. Ön-çalışma soruları laboratuvara gelmeden önce çözünüz. Ön-çalışma çözümleriniz asistan Bürkan Tekeli'ye Z11'de
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 3 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıAREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ
AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER DR. GÖRKEM SERBES İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ İşlemsel kuvvetlendirici (Op-Amp); farksal girişi ve tek uçlu çıkışı olan DC kuplajlı, yüksek kazançlı
DetaylıDENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ
DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi. Maksimum güç transferi teoreminin geçerliliğinin deneysel
DetaylıDENEY 10: DEVRE ANALİZ METODLARININ UYGULAMALARI VE PSPICE DA BAĞIMLI KAYNAK ANALİZİ
A. DENEYİN AMACI : - Ele alınan bir devrenin değişik yöntemlerle analizi üzerine deneysel çalışma yapmak. - PSPICE ortamında bağımlı kaynak içeren devrelerin analizini yapmak. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER
DetaylıBölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları
Bölüm Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları. Temel Elektriksel Büyüklükler: Akım, Gerilim, Güç, Enerji. Güç Polaritesi.3 Akım ve Gerilim Kaynakları F.Ü. Teknoloji Fak. EEM M.G. .. Temel
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRİK DEVRELERİ I LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 5 Güç Korunumu
TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRİK DEVRELERİ LABORATUVAR DENEY RAPORU Deney No: 5 Güç Korunumu Yrd. Doç Dr. Canan ORAL Arş. Gör. Ayşe AYDN YURDUSEV Öğrencinin: Adı Soyadı Numarası
DetaylıDENEY-4 WHEATSTONE KÖPRÜSÜ VE DÜĞÜM GERİLİMLERİ YÖNTEMİ
DENEY- WHEATSTONE KÖPÜSÜ VE DÜĞÜM GEİLİMLEİ YÖNTEMİ Deneyin Amacı: Wheatson köprüsünün anlaşılması, düğüm gerilimi ile dal gerilimi arasındaki ilişkinin incelenmesi. Kullanılan Alet-Malzemeler: a) DC güç
Detaylı1) Seri ve paralel bağlı dirençlerin eşdeğer direncinin bulunması. 2) Kirchhoff akım ve gerilim yasalarının incelenmesi.
DENEY 3. DİRENÇLERİN SERİ VE PARALEL BAĞLANMASI Amaç: 1) Seri ve paralel bağlı dirençlerin eşdeğer direncinin bulunması. 2) Kirchhoff akım ve gerilim yasalarının incelenmesi. Kuramsal Bilgi: Elektrik devrelerinde
DetaylıElektrik Makinaları Laboratuvarı
TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektrik Makinaları Laboratuvarı Deney No: 5-6 Deneyin Adı: Senkron Makine Deneyleri Öğrencinin Adı Soyadı : Numarası : Tarih: 1 Teorik Bilgi
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıDC/DC DÖNÜSTÜRÜCÜLER
DC/DC DÖNÜSTÜRÜCÜLER DC-DC dönüştürücüler, özellikle son dönemlerde güç elektroniği ve endüstriyel elektronik uygulamalarında çok yoğun olarak kullanılmaya baslayan güç devreleridir. DC-DC dönüştürücülerin
DetaylıDENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET
DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
Detaylı* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.
Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıDENEY 9: THEVENİN VE NORTON TEOREMİ UYGULAMALARI
A. DENEYİN AMACI : Thevenin ve Norton teoreminin daha iyi bir şekilde anlaşılması için deneysel çalışma yapmak. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Multimetre 2. DC Güç Kaynağı 3. Değişik değerlerde
DetaylıBölüm 6 Multiplexer ve Demultiplexer
Bölüm 6 Multiplexer ve Demultiplexer DENEY 6- Multiplexer Devreleri DENEYİN AMACI. Multiplexer ın çalışma prensiplerini anlamak. 2. Lojik kapıları ve TTL tümdevre kullanarak multiplexer gerçekleştirmek.
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıDENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI
DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-21001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. Devre elemanı üzerinden akım akmasını sağlayan
DetaylıÜrün Hakkında Bilgiler
RTU ve DW 1005E terminalleri için Ölçüm Kartları Ölçüm kartları sırasıyla, denetleme terminali olan RTU ve DW 1005 E ile ölçüm noktaları arasındaki bağlantılardır. Farklı ölçüm görevleri için özel tasarlanmış
DetaylıERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI
ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI DENEY FÖYÜ DENEY ADI ELEKTRİK İLETİM HATLARINDA GERİLİM DÜŞÜMÜ VE GÜÇ FAKTÖRÜ
DetaylıDENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI (OHM, KİRCHOFF AKIM VE GERİLİM)
DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI (OHM, KİRCHOFF AKIM VE GERİLİM) A. DENEYİN AMACI : Ohm ve Kirchoff Kanunları nın geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Multimetre
DetaylıDENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi
DENEY FÖYÜ 2: Doğru Akım ve Gerilimin Ölçülmesi Deneyin Amacı: Avometre ile doğru akım ve gerilimin ölçülmesi. Devrenin kollarından geçen akımları ve devre elemanlarının üzerine düşen gerilimleri analitik
Detaylı6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ
AMAÇLAR 6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ 1. Değeri bilinmeyen dirençleri voltmetreampermetre yöntemi ve Wheatstone Köprüsü yöntemi ile ölçmeyi öğrenmek 2. Hangi yöntemin hangi koşullar
DetaylıGÜÇ ELEKTRONİĞİ EĞİTİM SETİ DENEY KİTABI KONU: TURN-OFF ZAMANLAYICI DENEYİ. Giriş: Turn-off tipi zamanlayıcı devresi şekil 19.1 de görülmektedir.
KONU: TURN-OFF ZAMANLAYICI DENEYİ Giriş: Turn-off tipi zamanlayıcı devresi şekil 19.1 de görülmektedir. +Vcc R1 P1 7 3 2 6 D1 R2 Q1 B C1 4 R3 P2 -Vcc Şekil 19.1: Turn-off tipi zamanlayıcı devresi Turn-off
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
Detaylı