DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir."

Transkript

1 DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf, 2x10 µf Direnç: 3x470KΩ, 1x150 KΩ, 1x1 KΩ, 2x10 KΩ, 1x820 Ω, 2x100 Ω, 500KΩ luk pot, 1KΩ luk pot MOS entegresinin yapısı Şekil 9.1 de verilmiştir. Şekil 9.1. Entegrenin düğüm adları ve içindeki devre yapısı Bu deneyde dikkat edilmesi gereken noktalardan biri 14 ve 7 numaralı bacakların bağlantılarıdır. Bu bacaklar tüm p ve n kanallı elemanların taban (substrate) bağlantılarıdır. 14 numaralı bacak en pozitif kaynağa, 7 numaralı bacak ise en negatif kaynağa bağlanmalıdır. Bu iki düğüm arasındaki potansiyel fark 16 voltu geçmemelidir. Aksi halde kanalın kırılması olayı (punch-through) meydana gelir. DİKKAT: MOSFET ler statik elektrikten olumsuz etkilendiklerinden bacaklarına dokunmayınız! 1

2 ÖN BİLGİ Alan etkili tranzistörler (Field - effect transistor, FET) genel olarak metal oksit yarıiletken alan etkili tranzistörler (MOSFET) ve jonksiyonlu FET olmak üzere iki ana gruba ayrılırlar. Jonksiyonlu FET ler de pn jonksiyonlu FET (JFET) ve metal yarıiletken alan etkili tranzistör (MESFET) olmak üzere iki gruba ayrılırlar. MOSFET lerde NMOS ve PMOS lar beraber kullanılarak (CMOS) çok küçük alanlara daha fazla tranzistör sığdırıldığından özellikle sayısal devrelerde MOSFET ler kullanılır. Şekil 9.2 de N kanallı MOSFET in yapısı gösterilmiştir. MOSFET e herhangi bir gerilim uygulanmadığında kaynak ve akaç terminalleri arasında p tipi bölge vardır. Bu durumda teorikte akım sıfırdır. Eğer kapıya yeterince gerilim uygulanırsa (VGS >VTN) (taban ve kaynak toprağa bağlı) oluşan alan ile p tipi bölgedeki elektronlar kaynak ile akaç arasındaki kanalda birikirler. Burada gerilimi MOSFET in eşik gerilimidir (iletime geçmesi için kapı ucuna uygulanması gereken minimum gerilim). Böylece kaynak ve akaç bölgeleri n tipi kanal ile birbirlerine bağlanırlar ve kaynak ile akaç arasına bir gerilim uygulandığında kaynaktan, akaca doğru bir akım akar. Burada akım taşıyıcılar elektronlar olduğundan bu tip MOSFET n kanallı MOSFET veya kısaca NMOS olarak adlandırılır. NMOS da akaç - kaynak geriliminin uygulanması ile elektronlar kaynaktan akaca doğru akarlar. Akan akımın değeri, kanaldaki taşıyıcı yoğunluğuna dolayısıyla da kapı gerilimine bağlıdır. Kapı bölgesi kaynak ve akaç arasındaki kanaldan oksit tabakası ile ayrıldığından teorik olarak kapıdan akım akmaz. Benzer şekilde kanal ile taban da birbirinden fakirleşmiş bölge ile ayrıldığından tabana doğru da bir akım akmaz. Eğer VGS değeri NMOS un eşik geriliminden küçük ise NMOS tıkamadadır ve akaçtan kaynağa bir akım akmaz (ID=0). Eğer VGS gerilimi artırılır ve eşik gerilimini geçerse (VGS >VTN) MOSFET iletime geçer ve akaçtan bir akım akar. VGS geriliminin eşik gerilimine yakın değerlerinde, kanalda toplanan elektron sayısı çok fazla olmadığından, kanalın direnci hala yüksek olduğundan akaç akımı çok yüksek değildir ve VDS > VGS - VTN olduğundan MOSFET doyumdadır. 2

3 Bu durumda akaç akımı, olur. kn n kanallı MOSFET in iletkenlik parametresi olup değer, şeklindedir. Burada µn ; elektronların hareket yeteneği, Cox ; kapı bölgesindeki dielektriğin birim alanındaki kapasite ( F m 2 ), W; kanalın genişliği (m) ve L; kanalın boyudur (m). İletkenlik parametresinin birimi A V 2 dir. λ ise kanal boyu modülasyon parametresi olup değeri oldukça küçüktür ve genellikle sıfır alınır. Bu durumda doyum bölgesinde akaç akımı sadece VGS değerine bağlı olur. Eğer VGS gerilimi daha arttırılırsa VDS < VGS - VTN olur ve MOSFET lineer bölgeye geçer. Bu durumda akaç akımı, olur. Şekil 9.2 de n kanallı MOSFET in akım gerilim karakteristiği gösterilmiştir. 3

4 ÖN HAZIRLIK 1. Şekil 9.4 de verilen devrede VG, VD, VS, ID değerlerini teorik olarak hesaplayıp, sonuçlarını deneyin yapılışı kısmındaki tabloya kaydediniz. 2. Şekil 9.5 de verilen devrede VG, VD, VS, ID değerlerini teorik olarak hesaplayıp, sonuçlarını deneyin yapılışı kısmındaki tabloya kaydediniz. DENEYİN YAPILIŞI I. ORTAK KAYNAKLI KUVVETLENDİRİCİ 1. Şekil 9.4 de gösterilen n kanallı MOSFET li ortak kaynaklı kuvvetlendirici devresini kurunuz. Devrenin girişine tepe değeri 50mV, frekansı 1KHz olan sinüzoidal işareti uygulayınız. VDD=10V. R1= R2= 470KΩ, RD=1 KΩ, RS =100 Ω, RY =10 KΩ, C1=C2=C3=1 µf 2. VG, VD, VS, ID değerlerini ölçünüz. Aşağıdaki tabloda ölçülen değer kısmına yazıp, hesapladığınız sonuçlarla karşılaştırınız. VD VG VS ID Ön Hazırlıkta Hesaplanan Değer 4 Deneyde Ölçülen Değer

5 3. RY yük direnci devrede yok iken; devrenin giriş ve çıkış işaretlerini ölçekli olarak aşağıya çiziniz. Devrenin gerilim kazancını hesaplayınız ve aşağıya yazınız. Giriş işaretiyle çıkış işareti arasında oluşan faz farkının sebebini açıklayınız. 4. RY yük direnci devrede iken; devrenin gerilim kazancını hesaplayınız. Çıkış gerilimi Vo ı kaydediniz. Çıkıştaki gerilim değerinin azalmasının sebebini açıklayınız. 5. Giriş direncinin bulunması: Şekil 9.4. deki devrede A noktası ile C1 kondansatörü arasındaki bağlantıyı açınız. Buraya 500KΩ luk potansiyometreyi seri olarak bağlayınız.(pot. un değeri yaklaşık orta değerlerde olsun.) Çıkış gerilimini 4. Adımdaki değerin yarısı olacak şekilde pot. u ayarlayınız. (Çıkış işareti simetrik ve kırpılmasız olmalıdır.)bu değer yükseltecin giriş direncidir. Bu değeri aşağıdaki tabloya kaydediniz. 5

6 6. Çıkış direncinin bulunması: RY yük direncini ve girişe bağladığınız potansiyometreyi devreden çıkarıp C1 kondansatörünü A noktasına tekrar bağlayınız. Çıkışa 1KΩ luk pot. ve 100Ω luk direnci seri olarak bağlayınız. (100Ω luk direncin seri olarak bağlanmasının nedeni, 1KΩ luk pot.un yanlışlıkla 0Ω yapılması durumunda pot.u korumak içindir.) 3. Adımdaki çıkış gerilimini yarıya düşürene kadar 1KΩ luk pot.u ayarlayınız. Bu durumda çıkış direnci; Rçıkış= Rpot + 100Ω dur. Rgiriş Rçıkış II. ORTAK AKAÇLI KUVVETLENDİRİCİ 1. Şekil 9.5 de gösterilen ortak kaynaklı devreyi kurunuz. Devrenin girişine tepe değeri 50mV, frekansı 1KHz olan sinüzoidal işareti uygulayınız. Devrenin Giriş ve çıkış işaretlerini ölçekli olarak aşağıya çiziniz. Devrenin gerilim kazancını hesaplayınız ve aşağıya yazınız. 6

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 3 Süperpozisyon İlkesi ve Thevenin Eşdeğer Devreleri İMZA KAĞIDI (Bu sayfa laboratuvarın sonunda asistanlara teslim edilmelidir) Ön-Çalışma Lab Saatin Başında

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

ELM 331 ELEKTRONIK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELM 331 ELEKTRONIK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ ELM 331 ELEKTONK LABOATUA DENEY FÖYÜ DENEY 3 AKM KAYNAKLA 1. AMAÇ Bu deneyin amaci, akim kaynagi tasarlamaktir. Genel olarak kullanilan üç tip akim kaynagi vardir. Bu akim kaynaklarinin tasarimi ve analizi

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

DİYOTLU DALGA ŞEKİLLENDİRİCİLER

DİYOTLU DALGA ŞEKİLLENDİRİCİLER DENEY NO : 6 DİYOTLU DALGA ŞEKİLLENDİRİCİLER Bu deneyde, diyotun bir dalga şekillendirici olarak çalışmasını görmek ve regülatör, kırpıcı, kenetleyici devrelerin çalışmasını öğrenmek amaçlanmıştır. I-

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 4 REGÜLE DEVRELERİ (GERİLİM REGÜLATÖRLERİ)

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 4 REGÜLE DEVRELERİ (GERİLİM REGÜLATÖRLERİ) T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 4 REGÜLE DEVRELERİ (GERİLİM REGÜLATÖRLERİ) Deneyi Yapanlar Grubu

Detaylı

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi-- ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6 --Thevenin Eşdeğer Devresi-- 3 Nisan 2013 DENEYİN AMACI Deneyin amacı iki terminal arasındaki gerilim ve akım ölçümlerini yaparak, Thevenin eşdeğer devresini elde etmektir.

Detaylı

MOSFET Karakteristiği

MOSFET Karakteristiği Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 6 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

Bölüm 12 PWM Demodülatörleri

Bölüm 12 PWM Demodülatörleri Bölüm 12 Demodülatörleri 12.1 AMAÇ 1. Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. 2. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi. 12.2 TEMEL KAVRAMLARIN

Detaylı

10. ÜNİTE DİRENÇ BAĞLANTILARI VE KİRCHOFF KANUNLARI

10. ÜNİTE DİRENÇ BAĞLANTILARI VE KİRCHOFF KANUNLARI 10. ÜNİTE DİRENÇ BAĞLANTILARI VE KİRCHOFF KANUNLARI KONULAR 1. SERİ DEVRE ÖZELLİKLERİ 2. SERİ BAĞLAMA, KİRŞOFUN GERİLİMLER KANUNU 3. PARALEL DEVRE ÖZELLİKLERİ 4. PARALEL BAĞLAMA, KİRŞOF UN AKIMLAR KANUNU

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELERİ LABORATUVARI 1. DENEY

ELEKTRONİK DEVRELERİ LABORATUVARI 1. DENEY DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELERİ LABORATUVARI 1. DENEY Yrd.Doç.Dr. Mehmet Uçar Arş.Gör. Erdem Elibol Arş.Gör. Melih Aktaş 2014 1. DENEY:

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

MALATYA BATTALGAZİ METEM ENDÜSTRİYEL KONTROL VE ARIZA DERSİNDE YAPILABİLECEK DENEYLER

MALATYA BATTALGAZİ METEM ENDÜSTRİYEL KONTROL VE ARIZA DERSİNDE YAPILABİLECEK DENEYLER MALATYA BATTALGAZİ METEM ENDÜSTRİYEL KONTROL VE ARIZA DERSİNDE YAPILABİLECEK DENEYLER Bu derse giren arkadaşlarımızın ders işlenirken öğrencilerine yaptırabilecekleri dört adet deney hazırladık. Arkadaşlarımızın

Detaylı

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar DENEY 1-1 Lojik Kapı Devreleri DENEYİN AMACI 1. Çeşitli lojik kapıların çalışma prensiplerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların girişi ve çıkış gerilimlerini

Detaylı

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11 MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051

Detaylı

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

GEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ

GEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ GEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELM222 DEVRE TEORİSİ II LABORATUVARI DENEY 1: KONDANSATÖR KARAKTERİSTİĞİNİN İNCELENMESİ Öğrencinin Numarası : Adı Soyadı : Deney Arkadaşının Numarası

Detaylı

Bölüm 5 DSB-SC ve SSB Modülatörleri

Bölüm 5 DSB-SC ve SSB Modülatörleri Bölüm 5 DSB-SC ve SSB Modülatörleri 5.1 AMAÇ 1. Çift yan band bastırılmış taşıyıcı ve tek yan band modüleli işaretlerin nasıl üretildiğinin öğrenilmesi. 2. Çift yan band bastırılmış taşıyıcı ve tek yan

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik1 Laboratuvarı eney Föyü eney#3 iyot Kırpıcı ve Kenetleyici evreler oç. r. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU AANA, 2016 BMM212 Elektronik

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2016

Detaylı

Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir.

Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir. GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVARI DENEYLERİ DENEY 01 DİRENÇLİ TETİKLEME Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir. Gerekli

Detaylı

RC Osilatörler. Şekil 3.26 - Temel Osilatör Blok Diyagramı

RC Osilatörler. Şekil 3.26 - Temel Osilatör Blok Diyagramı RC Osilatörler Kendi kendine sinyal üreten devrelere "osilatör" denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen, testere dişi gibi sinyaller meydana

Detaylı

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 DENEY 2-3 Süperpozisyon, Thevenin ve Norton Teoremleri DENEYİN AMACI 1. Süperpozisyon teoremini doğrulamak. 2. Thevenin teoremini doğrulamak. 3. Norton teoremini

Detaylı

DENEYĐN AMACI: Bu deneyin amacı MOS elemanların temel özelliklerini, n ve p kanallı elemanların temel uygulamalarını öğretmektir.

DENEYĐN AMACI: Bu deneyin amacı MOS elemanların temel özelliklerini, n ve p kanallı elemanların temel uygulamalarını öğretmektir. DENEY NO: 7 MOSFET ÖLÇÜMÜ ve UYGULAMALARI DENEYĐN AMACI: Bu deeyi amacı MOS elemaları temel özelliklerii, ve p kaallı elemaları temel uygulamalarıı öğretmektir. DENEY MALZEMELERĐ Bu deeyde 4007 MOS paketi

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DENEY 4. Rezonans Devreleri ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2012-2013 Bahar DENEY 4 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı

Detaylı

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı

Detaylı

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI Sayısal Devreler (ojik Devreleri) SYIS EEMNIN İÇ YPII Sayısal tümdevrelerin gerçeklenmesinde çeşitli tipte tranzistorlar kullanılır. İlk olarak bipolar tipteki tranzistorlar tanıtılacaktır. ipolar Tranzistor:

Detaylı

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER 1. DENEYİN AMACI KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER DC-DC gerilim azaltan

Detaylı

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken) KTÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı DOĞRULTUCULAR Günümüzde bilgisayarlar başta olmak üzere bir çok elektronik cihazı doğru akımla çalıştığı bilinen

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

DENEY 2. Şekil 2.1. 1. KL-13001 modülünü, KL-21001 ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin. DENEY 2 2.1. AC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. AC voltmetre, AC gerilimleri ölçmek için kullanılan kullanışlı bir cihazdır.

Detaylı

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ

SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ SAYISAL ELEKTRONİK DERSİ LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ 2013-2014 EGE ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DENEYLER İÇİN GEREKLİ ÖN BİLGİLER Tablo 1: Direnç kod tablosu OSİLOSKOP KULLANIMINA AİT TEMEL

Detaylı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad

Detaylı

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR 1.1 Amaçlar AC nin Elde Edilmesi: Farklı ve değişken DC gerilimlerin anahtar ve potansiyometreler kullanılarak elde edilmesi. Kare dalga

Detaylı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

Yarıiletkenler Diyotlar

Yarıiletkenler Diyotlar Yarıiletkenler Diyotlar 1 Bohr Atom Modeli Bu modelde görüldüğü gibi, elektronlar çekirdek etrafında belirli bir yörüngede yer almaktadırlar. Bir malzemenin atomik yapısı, onun iletkenlik ya da yalıtkanlık

Detaylı

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör DENEY 7 : OSİLATÖR UYGULAMASI AMAÇ: Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörün temel çalışma prensipleri MALZEMELER: Güç Kaynağı: 12VDC, 5VDC Transistör: BC108C veya Muadili

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

Bölüm 9 FET li Yükselteçler

Bölüm 9 FET li Yükselteçler Bölüm 9 FET li Yükseleçler DENEY 9-1 Orak-Kaynaklı (CS) JFET Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Orak kaynaklı JFET yükselecin öngerilim düzenlemesini anlamak. 2. Orak kaynaklı JFET yükselecin saik ve dinamik karakerisiklerini

Detaylı

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi: 1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k

Detaylı

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve

Detaylı

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,

Detaylı

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,

Detaylı

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2

DENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2 DENEY 1 AMAÇ: VE Kapılarının (AND Gates) çalısma prensibinin kavranması. Çıkıs olarak led kullanılacaktır. Kullanılacak devre elemanları: Anahtarlar (switches), 100 ohm ve 1k lık dirençler, 7408 entegre

Detaylı

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DENEY 1-3 DC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-22001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını

Detaylı

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

T.C. NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

T.C. NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ T.C. NİĞDE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ 2015 DENEY-1 TEMEL YARI İLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (DİYOT, ZENER DİYOT) 1.1. Deneyin

Detaylı

3. Bölüm. DA-DA Çevirici Devreler (DC Konvertörler) Doç. Dr. Ersan KABALCI AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ

3. Bölüm. DA-DA Çevirici Devreler (DC Konvertörler) Doç. Dr. Ersan KABALCI AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ 3. Bölüm DA-DA Çevirici Devreler (D Konvertörler) Doç. Dr. Ersan KABA AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İE EEKTRİK ÜRETİMİ Dönüştürücü Devreler Gücün DA-DA dönüştürülmesi anahtarlamalı tip güç konvertörleri ile yapılır.

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR

Detaylı

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma özellikleri gözlemlenecekir.

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT UYGULAMALARI

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT UYGULAMALARI T.. ULUAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK EVRELERİ LABORATUVARI I Kırpıcı devreler Kenetleme devreleri oğrultma devreleri ENEY 2: İYOT UYGULAMALARI ENEY

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL ELEKTRİK DEVRE LABORATUVARI TEMEL DEVRE TEOREMLERİNİN UYGULANMASI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Şaban ULUS Şubat 2014 KAYSERİ

Detaylı

1. SAYISAL SİSTEMLERE GİRİŞ

1. SAYISAL SİSTEMLERE GİRİŞ 1. SAYISAL SİSTEMLERE GİRİŞ Lojik devre temelleri dersinde, kısaca sayısal elektronik devrelerin analizi ve tasarımının temel kavram ve yöntemlerinin öğretilmesini amaçlamıştır. Konu ayrıca lojik tasarımı,

Detaylı

Malzemelerin elektriksel özellikleri

Malzemelerin elektriksel özellikleri Malzemelerin elektriksel özellikleri OHM yasası Elektriksel iletkenlik, ohm yasasından yola çıkılarak saptanabilir. V = IR Burada, V (gerilim farkı) : volt(v), I (elektrik akımı) : amper(a) ve R(telin

Detaylı

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ

6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ AMAÇLAR 6. DİRENÇ ÖLÇME YÖNTEMLERİ VE WHEATSTONE KÖPRÜSÜ 1. Değeri bilinmeyen dirençleri voltmetreampermetre yöntemi ve Wheatstone Köprüsü yöntemi ile ölçmeyi öğrenmek 2. Hangi yöntemin hangi koşullar

Detaylı

Elektrik Devre Temelleri

Elektrik Devre Temelleri Elektrik Devre Temelleri 3. TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) 1 PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

5/21/2015. Transistörler

5/21/2015. Transistörler Transistörler İki polarmalı yüzey temaslı transistörler, teknik ifadelerde BJT ( Bipolar Junction Transistör) olarak adlandırılmaktadır. Transistör birçok elektronik devrede uygulama bulan işaret yükseltme

Detaylı

DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI

DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI DENEY NO: DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI Bu deneyde direnç elamanını tanıtılması,board üzerinde devre kurmayı öğrenilmesi, avometre yardımıyla direnç, dc gerilim ve dc akım

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış

Detaylı

Elektrik Makinaları Laboratuvarı

Elektrik Makinaları Laboratuvarı TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektrik Makinaları Laboratuvarı Deney No: 5-6 Deneyin Adı: Senkron Makine Deneyleri Öğrencinin Adı Soyadı : Numarası : Tarih: 1 Teorik Bilgi

Detaylı

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 1.1. YARIİLETKEN DİYOT... 1 1.2. DİYOTUN DC MODELİ... 10 1.3. DİYOTUN ALÇAK FREKANS KÜÇÜK

Detaylı