7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI



Benzer belgeler
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

1.1 FET Çal³ma Bölgeleri. Elektronik-I Laboratuvar 6. Deney. Ad-Soyad: mza: Grup No: JFET; jonksiyon FET. MOSFET; metal-oksit yar iletken FET

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

8. FET İN İNCELENMESİ

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Bölüm 9 FET li Yükselteçler

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Elektrik Devre Temelleri

FET Transistörün Bayaslanması

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9

Bölüm 1. Elektriksel Büyüklükler ve Elektrik Devre Elemanları

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI. DENEY 1 ve 2 İSTATİSTİK ÖRNEKLEME VE ÖLÇME HATALARI

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI-GERİLİM VE AKIM ÖLÇÜMLERİ

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

Fotovoltaik Teknoloji

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

2. KİRCHHOFF YASALARI AMAÇLAR

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

KIRCHHOFF YASALARI VE WHEATSTONE(KELVİN) KÖPRÜSÜ

DENEY 2. Şekil KL modülünü, KL ana ünitesi üzerine koyun ve a bloğunun konumunu belirleyin.

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ

MOSFET Karakteristiği

Mühendislik Mekaniği Statik. Yrd.Doç.Dr. Akın Ataş

DENEY 2: TEMEL ELEKTRİK YASALARI (OHM, KİRCHOFF AKIM VE GERİLİM)

DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ

(BJT) NPN PNP

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Ders 3- Direnç Devreleri I

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

Artvin Meslek Yüksekokulu

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

DENEY-4 WHEATSTONE KÖPRÜSÜ VE DÜĞÜM GERİLİMLERİ YÖNTEMİ

DOĞRUSAL DENKLEMLER VE KOORDİNAT SİSTEMİ

Fiz102L TOBB ETÜ. Deney 2. OHM Kanunu, dirençlerin paralel ve seri bağlanması. P r o f. D r. S a l e h S U L T A N S O Y

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI

DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

DC DEVRE ÇÖZÜM YÖNTEMLERİ

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

EEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

Bölüm 2 DC Devreler. DENEY 2-1 Seri-Paralel Ağ ve Kirchhoff Yasası

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

DENEY 5 RC DEVRELERİ KONDANSATÖRÜN YÜKLENMESİ VE BOŞALMASI

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

EEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VI. DENEY FÖYÜ

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI IV. DENEY FÖYÜ

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI

11. Sunum: İki Kapılı Devreler. Kaynak: Temel Mühendislik Devre Analizi, J. David IRWIN-R. Mark NELMS, Nobel Akademik Yayıncılık

Doğru Akım Devreleri

YAPILACAK DENEYLERİN LİSTESİ

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

ZENER DİYOTLAR. Hedefler

Tali Havalandırma Hesaplamaları Auxiliary Ventilation Calculations

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

DENEY 1 Basit Elektrik Devreleri

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

2. DA DEVRELERİNİN ANALİZİ

I R DENEY Ohm Kanunun İncelenmesi

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Transkript:

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1

Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Oluşturmalı MOFET (E-MO) Geri Beslemeli Yapı Gerilim Bölücü Öngerilim evresi 2

Genel Bağıntılar Bütün FETlerde: I G 0A I I JFETler ve Kanal Ayarlamalı MOFETlerde: 2 G I I 1 P Kanal Oluşturmalı MOFETlerde : I 2 k(g T ) 3

JFET JFETlerin BJTlerden farkları; Giriş ( G ) ve çıkış (I ) arasında doğrusal olmayan ilişki JFETler gerilim kontrollü elemanlardır, BJTler ise akım kontrollüdür. 4

abit Öngerilim evresi C G 0 G GG I 5

Kendinden Öngerilim evresi 6

Kendinden Öngerilim Hesapları Şekilde gösterilen çevrede, G I dir Bu eşitliği çözmek için: Bir I < I değeri seçilir ve direncinin değeri kullanılır. Bu noktanın çizimi: I ve G noktaları arasından bu noktaya bir doğru çizilir. I ve P (katalogdan P = Goff değeri bulunarak) değerleri ve bunun yanı sıra I = I / 4 vei = I / 2 gibi birkaç değer hesaplanarak transfer eğrisi çizilir. Q-noktası, ilk eğrinin transfer eğrisi ile kesiştiği noktada belirlenir. iğer gerilim değerlerini bulmak için Q noktasındaki I (I Q ) kullanılır: I I ( 7 )

Gerilim Bölücü Öngerilim evresi I G = 0A BJT de I B akımı I C akımından etkilenir. FETlerde ise G gerilimi I akımını kontrol eder. 8

Gerilim Bölücü Öngerilim Hesapları G gerilim 2 direnci üzerindeki gerilime eşittir : G 2 1 2 Kirchhoff kanunundan: G G I Q noktası, transfer eğrisini kesen bir çizginin çizilmesi ile bulunur. 9

Gerilim Bölücü evrede Q-noktası 1. Adım İki noktanın belirlenmesi ile bir çizginin çizilmesi: G = G, I =0 G = 0, I = G / 2. Adım I, P ve I nin hesaplanan değerleri kullanılarak transfer eğrisi çizilir. 3. Adım Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada Q-noktası bulunur. 10

Gerilim Bölücü Öngerilim Hesapları Q noktasındaki I akımının değeri kullanılarak gerilim bölücü devrenin diğer değerleri aşağıdaki gibi hesaplanır: I I I ( ) I 1 I 2 1 2 11

Kanal Ayarlamalı MOFETler (-MO) -MO ların öngerilim devreleri de JFET lerin öngerilim devrelerin benzerdir. Aralarındaki tek fark ise kanal ayarlamalı MOFETlerin pozitif G ve I den daha yüksek I akım değerlerinde de çalışabilmesidir. 12

Kendinden Öngerilim 1. Adım Aşağıdaki değerler arasında bir çizgi çizilir: G = G, I = 0 I = G /, G = 0 2. Adım I, P ve I nin hesaplanan değerleri kullanılarak transfer eğrisi çizilir. 3. Adım Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada Q-noktası bulunur. Q noktasındaki I akımı kendinden öngerilimli devredeki diğer değerlerin bulunması için kullanılır. Burada yapılan hesaplamalar JFET devresindeki hesaplamalar ile aynıdır. 13

Gerilim-Bölücü Öngerilim 1. Adım Aşağıdaki değerler arasında bir çizgi çizilir: G = G, I = 0 I = G /, G = 0 2. Adım I, P ve I nin hesaplanan değerleri kullanılarak transfer eğrisi çizilir. 3. Adım Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada Q- noktası bulunur. Q noktasındaki I akımı gerilim bölücü devredeki diğer değerlerin bulunması için kullanılır. Burada yapılan hesaplamalar JFET devresindeki hesaplamalar ile aynıdır. 14

Kanal Oluşturmalı MOFET (E-MO) Kanal oluşturmalı MOFET in transfer karakteristiği JFET ve kanal ayarlamalı Mosfet (- MO) in transfer eğrisinden çok farklıdır. 15

Geri Beslemeli Öngerilim evresi I G = 0A, G = 0 Böylece = G ve G = I olarak ifade edilir. 16

Geri Beslemeli Öngerilim Q-Noktası 1. Adım Aşağıdaki değerler arasında bir çizgi çizilir: G =, I = 0 I = /, G = 0 2. Adım Katalogdaki değerler kullanılarak transfer eğrisi çizilir. GTh, I = 0 G(on), I (on) 3. Adım Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada Q-noktası bulunur. 4. Adım Q noktasındaki I akımı devredeki diğer değerlerin bulunması için kullanılır. 17

Gerilim-Bölücü Öngerilim ve I çizgisi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada Q-noktası bulunur. Aşağıdaki eşitlikler ile devredeki değerler hesaplanır; G 2 1 2 G G I I ( ) 18

Gerilim-Bölücü Q-Noktası 1. Adım Aşağıdaki değerler arasında bir çizgi çizilir: G = G = ( 2 ) / ( 1 + 2 ), I = 0 I = G /, G = 0 2. Adım Katalogdaki değerler kullanılarak transfer eğrisi çizilir. GTh, I = 0 G(on), I (on) 3. Adım Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada Q-noktası bulunur. 4. Adım Q noktasındaki I akımı, devredeki diğer değerlerin bulunması için kullanılır. 19

p-kanal FETler p-kanal FETlerde, gerilim polariteleri ve akım yönleri n- kanalın tam tersi olarak aynı hesaplamalar ve grafikler kullanılır. Çizilen grafikler, n-kanaldaki grafiklerin ayna görüntüsü ya da simetriği olarak tanımlanır. 20

Uygulama evreleri Gerilim kontrollü dirençler JFET voltmetreler Zamanlama evreleri Fiber optik devreler MOFET röle sürücüleri 21