BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

Benzer belgeler
BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER

Hafta 5 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

Hafta 4 BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü BJT TRANZİSTÖRLERİN TEMELLERİ

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİ

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

Şekil Sönümün Tesiri

BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ÖDEV-2

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

Elektronik Ders Notları 6

Nedim Tutkun, PhD, MIEEE Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Konuralp Düzce

2. DA DEVRELERİNİN ANALİZİ

Elektrik Müh. Temelleri

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302)

(BJT) NPN PNP

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

Yükselteçlerde Geri Besleme

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ

SERİ, PARALEL DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF KANUNLARI

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

Adı Soyadı: Öğrenci No: DENEY 3 ÖN HAZIRLIK SORULARI. 1) Aşağıdaki verilen devrenin A-B uçlarındaki Thevenin eşdeğerini elde ediniz.

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

Şekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9

Elektrik Müh. Temelleri

OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER

THEVENIN VE NORTON TEOREMLERİ. Bu teoremler en güçlü analiz tekniklerindendir EBE-215, Ö.F.BAY 1

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

DENEY-3. FET li Yükselticiler

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

Nedim Tutkun, PhD, MIEEE Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Konuralp Düzce

EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

BLM1612 DEVRE TEORİSİ

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Transkript:

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER Hafta 8 BJT TRANZİSTÖRLERLÜ KUVVENLENTİRİCİLER (YÜKSELTEÇLER) II Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 1

Tranzistor devrelerinin ac eşdeğer devre örnekleri ve Gerilim Kazancı A v tanımı Şekil 14: Örnek tranzistorlü ortak emiterli yükselteç 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 2

Şekil 13 teki devrenin ac eşdeğer devresi aşağıdaki gibi olur: Şekil 15 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 3

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 4 Gerilim kazancı çıkış gerilimini giriş gerilimine oranı olarak tanımlanır: R r R r r ve βi i )i R β(r r i - i R i βr r i - V V A C o C o c b c b E e c c e E b e c c i o v olur. R r r - )i R β(r i βr - A E e c b E e b c v yazılırsa

Çoğu zaman r o >>R C olduğundan ro ihmal edilebilir ve gerilim kazancı aşağıdaki gibi olur: A v r e R c R E olur. 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 5

R E beyz tarafına atıldığında i e =βi b olduğundan, ve r o ihmal edildiğinde ac eşdeğer devre aşağıdaki gibi olur. Şekil 15 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 6

V o = - R C i c = -βr C i b V i = β(r e +R E ) A v =V o /V i = - R C /(r e +R E ) olur (aynı sonuç) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 7

GERİLİM BÖLÜCÜ KUTUPLAMALI YÜKSELTEÇ (AMPLIFIER) (KUVVETLENDİRİCİ) Daha önce açıklandığı gibi tranzistorlu yüselteçler analiz edilirken öce dc analiz yapılır yapılır, ve ardındanda ac analiz yapılır. Bizde burada aynı yolu izleyeceğiz. 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 8

a) DC Analiz: Çoğu kez I E ve r e lazım DC eşdeğer devre 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 9

b) AC analiz: ac eşdeğer devreyi çizerek başlanır. r e =26 mv / I E (ma) π π Z b = r inb 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 10

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 11

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 12

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 13

Or: 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 14

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 15

(1+β)r e (βr e ) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 16

ÖRNEK1: Aşağıda verilen devrede bypass kapasitörü (C BP ) bağlı olduğe ve bağlı olmadığı durumlarda gerilim kazancını bulunuz. I E =2.4 ma olarak verilmiştir. Parametreler aşağıda verilmiştir. 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 17

β ac =140, R S =300 Ω, R 1 =22 kω, R 2 =4.7 kω, R C =1 kω, R E =600 Ω ÇÖZÜM: a) Bypass kapasitör yokken: r e =26 mv/ 2.4 ma=10.4 Ω Z b =R inb = β ac (r e +R E )=140(10.4+600) Z b =R inb =85.5 kω R in =R 1 //R 2 //R inb Sayısal değerler yerlerine konursa: 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 18

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 19

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 20

ÖRRNEK 2: 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 21

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 22

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 23

ORTAK BEYZLİ YÜKSELTEÇ (COMMON BASE AMPLIFIER) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 24

Yukarıda verilen şekil aşağıdaki gibide çizilebilir: Ac eşdeğer devresi aşağıdaki gibi olur: 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 25

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 26

O halde ortak beyzli yükselteç devresinin en belirgin özelliği akım kazancının 1 e yakın olması ve buna karşılık gerilim kazancının yüksek olmasıdır. 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 27

ÖRNEK: 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 28

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 29

KOLLEKTÖR DİRENCİ GERİ BESLEMELİ YÜKSELTEÇ (COLLECTOR FEEDBACK RESİSTSNCE AMPLIFIER) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 30

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 31

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 32

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 33

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 34

Çözüm bir sonraki sayfada 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 35

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 36

kw 21W) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 37

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 38

COMON COLLECTOR (EMİTER FOLLOWER) AMPLIFIER ORTAK COLLECTOR (EMİTER SÜRÜCÜ) YÜKSELTEÇ 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 39

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 40

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 41

ÖRNEK: Aşağıdaki ortak kollektör (emiter srücü) (common collector (emiter follower)) yükseltecin giriş ve çıkış dirençlerini, gerilim ve akım kazançlarını bulunuz. β=175. 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 42

Emiterden görünen direnç: Beyzden bakınca görülen giriş direnci: Toplam giriş direnci: Budevre için gerilim kazancının yaklaşık 1 olduğunu biliyoruz. Ancak daha hassas hesap yapabiliriz: 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 43

r e Akım kazancını yukarıda verilen analizden biraz değişik olarak aşağdaki gibi hesaplayabiliriz. (geçekte bu değer -42.8 dir) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 44

Çıkış direnci yakalşık olarak re ye eşittir. Dolayısiyle çıkış direnci 1.76 Ω olur. Yukarıdaki sonuçlar bu devrenin daha önce tanımladığımız özelliklerini açıkça göstermekredir (yüksek giriş direnci, küçük çıkış direnci, 1 e yakın gerilim kazancı ve yüksek akım kazancı) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 45

SOURCE FEEDBACK RESISTOR BIASED COMMON COLLECTOR BJT AMPLIFIER (KAYNAKTAN GERİ BESLEME DİRENÇLE KUTUPLANMIŞ ORTAK EMETÖRLU BJT YÜKSELTEÇ) Circuit is given below (Devre aşağıda verilmiştir). 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 46

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 47

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 48

Expressing i b interms of i e, the circuit becames as:( i b akımı i e akımı cinsinden ifade edilirse devre aşağıdaki gibi olur: 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 49

Şekilde kesik çizgilerle işaretlenen kısmın Thevenin eşdeğeri aşağıdaki gibi olur: (Thevenin equivalent of the part serrounded with dotted line in the figure will be:) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 50

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 51

The above circuit can be redrawn as (yukarıdaki devre yeniden aşağıdaki gibi çizilebilir) 14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 52

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 53

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 54

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 55

14.06.2015 ELECTRONİK DEVRELER Prof. M. Akbaba 56

KAYNAKLAR 1. Robert Boylestad and Louis Nashelski, Elektromik Cihazlar ve Devre Teorisi, Palme Yayıncılık 2. Mehmet Akbaba, Elektronik Ders Notları 3. Thomas L. Floyd, Electronic Devices, Merill Publishin Company. KBUZEM Karabük Üniversitesi Uzaktan Eğitim Uygulama ve Araştırma Merkezi 57