DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

Benzer belgeler
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

Şekil Sönümün Tesiri

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

BLM 224 ELEKTRONİK DEVRELER. Hafta 8. Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER)

NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS

DENEY 4. Rezonans Devreleri

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

Sinüsoidal Gerilim ve Akım ALIŞTIRMALAR

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

8. ALTERNATİF AKIM VE SERİ RLC DEVRESİ

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER

OPAMPLAR OPERASYONEL KUVVETLENDİRİCİLER

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

AC DEVRELERDE KONDANSATÖRLER

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

Deney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

Transkript:

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi, alçak ve yüksek frekanslardaki küçük işaret eşdeğer modellerinin incelenmesidir. B. Temel Bilgiler Bir kuvvetlendiricinin kazancı, girişine uygulanan AC işaretin frekansına da bağlıdır. Kuvvetlendiricilerde, katlar arasında kullanılan kuplaj ve köprüleme kapasiteleri her ne kadar orta ve yüksek frekanslı AC işaretler için kısa devre kabul edilse de (X C ; frekans büyüklüğü ile ters orantılı olarak değişir. Yüksek frekanslarda X C değeri düşecek ve kapasitör kısa devre davranışı gösterecektir.) düşük frekanslardaki kapasitif reaktanslarından dolayı dikkate alınmaları gerekir. Yüksek frekanslarda çalışırken kuvvetlendiricilerde kullanılan kuplaj ve köprüleme kapasitelerinin kazanca önemli bir etkisi olmaz, fakat bu durumda BJT ler için emiter ve kollektör jonksiyon kapasiteleri (Ce,Cc) ile FET ler için elektrotlar arası kapasiteler (Cgs,Cgd,Cds) etkili olmaya başlar. Böylece düşük frekanslarda, devrede dışarıdan eleman olarak kullanılan kapasiteler, yüksek frekanslarda ise aktif elemanların jonksiyon kapasiteleri kazancın düşmesine neden olurlar. Buna göre bir kuvvetlendirici girişine uygulanan AC işareti bütün frekans değerleri için aynı şekilde kuvvetlendirmeyecektir. Buna göre bir kuvvetlendiricinin kazancının frekansla değişimini gösteren Şekil 1 deki eğriye kazanç-frekans eğrisi denir. Buradaki kazanç akım veya gerilim kazancı olabilir. Ancak yaygın olarak kullanılan gerilim kazancıdır. Şekil 1 e dikkat edildiğinde, kuvvetlendiricinin kazancı üst ve alt 3dB köşe veya kırılma frekansları arasında nisbeten frekansla değişmektedir. f H ve f L arasındaki bu bölgeye kuvvetlendiricinin bandgenişliği (BG veya BW) denir. f H den yüksek veya f L den düşük frekans bölgelerinde kazancın düştüğü görülmektedir. Kazanç-frekans eğrisinin yarı logaritmik bir düzlemde, yani kazandın doğrusal frekansın ise logaritmik ölçeklendirildiği bilinmelidir. Buna göre, bir frekans kuvvetlendiricisinde tipik olarak f L nin nümerik değeri birkaç 10 Hz lerde bulunurken f H nin değeri birkaç 10 khz lerde olabilir. f L değeri f H ye göre küçük olacağından bu kuvvetlendiricinin bandgenişliği yaklaşık olarak; şeklinde ifade edilir. f BG = f H - f L f H Kazanç ve zayıflamanın desibel (db) cinsinden ölçülmesi pratikte kullanılan bir yöntemdir.

Şekil 1 Kuvvetlendiricinin kazanç-frekans eğrisi Bell, bir sistemdeki güç oranının logaritmasıdır. Fakat küçük güç oranlarında elde edilecek sayı, kesirli olacağından bell in 10 katı olarak desibel kullanılır. Bir kuvvetlendiricinin giriş ve çıkış güçleri (P İ P O ) için düşünülürse; log 10 P o P i Bell A P db = 10log P o = 10log V o 2 /R o P i V 2 i /R i Eğer, R o = R i = R veya giriş-çıkış dirençlerinin büyüklüğü ve etkisi ihmal edilebiliyorsa, gerilim ve akım kazancı olarak sırasıyla; A V(dB) = 10 log( V o V i ) 2 = 20 log A v Şeklinde yazılabilir. Alt ve üst 3dB kırılma noktalarına yarım-güç ya da gücün yarıya düştüğü noktalar da denir. Kuvvetlendiricilerde harici kapasitif etkiyi devreye dışarıdan eleman olarak bağlanan kuplaj ve köprüleme kapasiteleri oluştururken, dahili kapasitif etkiyi de BJT lerde beyz-emiter ve beyz-kollektör jonksiyon kapasiteleri (Ce, Cc) ile FET lerde transistörün terminalleri arasındaki kapasiteler (Cgs, Cgd, Cds) oluşturmaktadır. Katlar arasında kullanılan kuplaj ve emiter köprüleme kapasiteleri kuvvetlendiricide alçak frekanslarda etkili iken BJT'de jonksiyon kapasiteleri ile FET'lerde transistör terminalleri arası kapasiteler ise yüksek frekanslarda etkilidir. Yani düşük ve orta frekans bölgelerinde çalışırken jonksiyon kapasiteleri dikkate alınmayacak kadar küçük, orta ve yüksek frekanslarda ise kuplaj ve köprüleme kapasiteleri kısa devre kabul edilir. Bir kuvvetlendiricide kazancın frekansla hemen hemen değişmediği ve kazancın da en yüksek olduğu frekans sahası orta frekans bölgesidir.

BJT li Kuvvetlendiricinin Frekans Cevabı: Şekil 2 BJT li bir kuvvetlendirici devresini göstermektedir. Kuvvetlendirici devresine bakıldığında daha önce anlatıldığı gibi küçük işaret gerilim kazancını etkileyen C 1 ve C 2 kuplaj kapasiteleri ve C 3 köprüleme kapasitesi görülmektedir. Bunun yanında Şekil 3 ise Şekil 2 deki kuvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer devresini göstermektedir. Burada zaman sabiti tekniği ile devredeki kapasitelerin etkileri tek tek hesaplanacaktır. Şekil 2 BJT'li bir kuvvetlendirici devresi Şekil 3 BJT'li kvvetlendirici devresinin küçük işaret eşdeğer devresi C 1 Kondansatörünün Etkisi: C 2 ve C 3 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 1 kondansatöründen görünen rezistans (r π / R TH ) olur. Böylece zaman sabiti;

Bu durumda köşe frekansı; şeklinde yazılır. C 2 Kondansatörünün Etkisi: C 1 ve C 3 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 2 kondansatöründen görünen rezistans (r o // R C + R L ) olur. Böylece zaman sabiti; Bu durumda köşe frekansı; şeklinde yazılır. C 3 Kondansatörünün Etkisi: C 1 ve C 2 kondansatörlerinin yeterince büyük olduğu düşünülürse bu kondansatörlerin etkisi ihmal edilebilir düzeydedir. Bu durumda öncelikle tüm bağımsız kaynaklar sıfıra eşitlenirse C 3 ) olur. Böylece zaman sabiti; kondansatöründen görünen rezistans ( R E // R 1//R 2 β + r π β Bu durumda köşe frekansı; şeklinde yazılır. Sonuç olarak Şekil 2 deki kuvvetlendirici devresi için C 1, C 2 ve C 3 kondansatörlerinin her birinin etkisi ayrı ayrı hesaplandıktan sonra, f C1, f C2 ve f C3 frekansları içerisinde en büyük ve en küçük değerleri; kuvvetlendiricinin alt 3dB ve üst 3 db kesim frekansını belirlemektedir.

C. Deney Çalışması 1. Aşağıdaki devreyi kurunuz. Tablodaki frekans değerlerine göre devrenin küçük işaret gerilim kazancını bularak desibel cinsinden kazanç-frekans eğrisini aşağıdaki şablona çiziniz. R S = 0.1 KΩ R 1 = 56 KΩ R 2 = 5.6 KΩ R C = 4.7 KΩ R E = 0.1 KΩ R L = 10 KΩ C 1 = 1 µf C 2 = 220 nf V CC = +12 V -V CC = -12 V V in = 0.2sin(wt) V Q 1 = BC237B 2. Çizilen eğriyi kullanarak ortaband gerilim kazancı, alt kesim frekansını ve üst kesim frekansını bularak Tablo 1 i doldurunuz. f(hz) V i (mv) V o (mv) A V A V (db) f(hz) V i (mv) V o (mv) A V A V (db) 5 200 300 200 10 200 350 200 20 200 500 200 50 200 1K 200 100 200 1.5K 200 150 200 3K 200 200 200 5K 200 250 200 10K 200 A Vort (db) f L f H