ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 3 TTL Entegre Karakteristiği

Benzer belgeler
SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ

TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ

ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?...

İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LOJİK DEVRELERİ LABORATUVARI DENEY RAPORU. : TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ

..:: LOJİK KAPI ENTEGRELERİ ::..

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LABORATUVARI I

BM217 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVAR DENEYLERİ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 1 MULTİSİM E GİRİŞ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 3 FF Devreleri

MANTIK DEVRELERĐ I DERSĐ DENEY RAPORLARI

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 1 MULTİSİM E GİRİŞ

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ

Teorik Bilgi DENEY 7: ASENKRON VE SENKRON SAYICILAR

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 1 7 Parçalı Gösterge

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUVAR DENEY RAPORU

DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

Deney 1: Lojik Kapıların Lojik Gerilim Seviyeleri

SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ

SAYICILAR. Tetikleme işaretlerinin Sayma yönüne göre Sayma kodlanmasına göre uygulanışına göre. Şekil 52. Sayıcıların Sınıflandırılması

VE DEVRELER LOJİK KAPILAR

DENEY FÖYÜ8: Lojik Kapıların Elektriksel Gerçeklenmesi

DENEY in lojik iç şeması: Sekil 2

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek.

DENEY 2 DİYOT DEVRELERİ

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4 DENEYİN ADI: JK, RS, T VE D TİPİ FLİP-FLOPLARIN İNCELENMESİ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

DENEY 4-1 Kodlayıcı Devreler

Bölüm 3. Sayısal Elektronik. Universal (Genel) Geçitler 10/11/2011 TEMEL MANTIK GEÇİTLERİ. Temel Mantık Geçitleri. Temel Mantık Geçitleri

açık olduğu bir anahtar gibi davranır. Kesim durumu genellikle baz ile emetör arasına VBE uygulanması ile sağlanır, ancak 0.

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ DENETİM SİSTEMLERİ LABORATUVARI. Deney No:2 Birinci-İkinci Dereceden Denklemler Açık-Kapalı Çevrim Sistemler

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 2

TURGUT ÖZAL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM201 DEVRE ANALİZİ I LABORATUARI. Deney 2. Süperpozisyon, Thevenin,

T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLİŞİM SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

SAYISAL ANALOG DÖNÜŞTÜRÜCÜ DENEYİ

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi

DENEY 3-1 Kodlayıcı Devreler

TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALARI LABORATUARI I

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir.

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRİK DEVRELERİ I LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 6 GEÇİCİ DURUM ANALİZİ

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

Üç-faz Tam Dalga (Köprü) Doğrultucu

İnönü Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü

8.HAFTA MANTIKSAL KAPI DEVRELERİ

Elektronik Laboratuvarı

DENEY 5 RS FLİP-FLOP DENEYLERİ

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

I R DENEY Ohm Kanunun İncelenmesi

İÇİNDEKİLER. 1-1 Lojik ve Anahtara Giriş Lojik Kapı Devreleri... 9

1. DENEY-1: DİYOT UYGULAMALARI

(VEYA-DEĞİL kapısı) (Exlusive OR kapısı) (Exlusive NOR kapısı)

DENEY #1 LOJİK KAPILAR. Lojik kapılarının doğruluk tablosunu oluşturmak

Deney 8: ALU da Aritmetik Fonksiyonlar

LOJİK KAPILAR (ANSI / IEEE-1973)

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4

DENEY 1a- Kod Çözücü Devreler

EEM309 SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUARI. AND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır.

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

SAYISAL ELEKTRONİK. Ege Üniversitesi Ege MYO Mekatronik Programı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 1

Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS. Dijital Elektronik EEE

dirençli Gerekli Donanım: AC güç kaynağı Osiloskop

Deney 6: Ring (Halka) ve Johnson Sayıcılar

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

Proje #2 - Lojik Devre Benzetimi

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 1 MULTİSİM E GİRİŞ

5. LOJİK KAPILAR (LOGIC GATES)

KMU MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL DEVRELER II LABORATUVARI DENEY 1 TOPLAYICILAR - ÇIKARICILAR

Şekil 1. 74LS47 entegresi bağlantı şeması

SAYISAL TASARIM Derin

DENEY 8- Flip Flop ve Uygulamaları. Amaç: - Flip Flop çalışma mantığını kavramak

TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALARI LABORATUARI I

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

Deney 3: Asenkron Sayıcılar

Lojik Kapı Devreleri. Diyotlu Devreler:

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması

T.C. İstanbul Medeniyet Üniversitesi Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Transkript:

TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU Deney No: 3 TTL Entegre Karakteristiği Yrd.Doç. Dr. Ünal KURT Arş. Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Öğrenci: Adı Soyadı Numarası Rapor Teslim Tarihi Hazırlık Çalışması %20 Laboratuvar Çalışması %30 Çalışma Soruları %30 Düzen %20 Toplam Deney raporu puanlandırılırken dikkat edilecek noktalar: Hazırlık Çalışması: Hazırlık sorularıyla beraber tüm deney raporunu okuyup inceleyiniz. Benzetim programında devreyi tasarlayınız. Sonuçları ve varsa soruları not alınız. Laboratuvar Çalışması: Deneyi laboratuvarda gerçekleştirirken cihazları ve elemanları doğru şekilde kullanmaya özen gösteriniz. Devreyi çalıştırınız. Devre çalışmıyorsa sorunun kaynağını bulunuz ve devreyi onarınız. Çalışma Soruları: Tamamıyla kişisel araştırma ve çalışma ile soruları yeterince detaylandırarak cevaplayınız. Düzen: Deney raporundaki kapağı kullanınız. Sayfa sırasına dikkat edeniz. Tüm sayfaları sol üst köşeden zımbalayınız. İmla kurallarına ve üsluba dikkat ediniz. Resimlerin (devre şeması/dalga formu vb.) ayırt edilebilir olmasına dikkat ediniz. Raporun temiz kalmasını sağlayınız.

Ön Bilgi STANDART TTL ENTEGRELER Standart TTL entegreler 74 veya 54 ile kodlanırlar. Her bir kapı iiçin 10mW güç tüketimine sahiptirler. Ortalama yayılım gecikmesi 9ns ve hızı 35MHz dir. SSI (kapı devreleri ve FF olarak) ve MSI devrelerinde (kaymalı kaydedici, sayıcı, kod çözücü olarak) kullanılırlar. DÜŞÜK GÜÇ TÜKETİMLİ TTL (LOW POWER TTL-LTTL) Bu TTL standart TTL ile aynı devre yapısına sahip olmasına rağmen devredeki direnç değerleri artırıldığı için, devredeki akım dolayısıyla güç küçültülmüştür. Güç kaybı her bir kapı için 1mW a kadar düşürülmüştür fakat yayılım gecikmesi 33ns ye çıkmış, hızı 3MHz e kadar yavaşlamıştır. Bu seri 74LXXXX ile adlandırılır. YÜKSEK HIZLI TTL (HTTL- HIGH SPEED TTL) Standart TTL serisindeki diren. Değerleri düşürülmüş ve çıkış transistörü darlington bağlanmıştır. Yayılım gecikmesi 6ns ve hızı 50MHz dir. Hızlı olmasına karşın güç tüketimi çok yüksek olduğu için (20mW), çok fazla kapının bulunduğu devrelerde çok tercih edilmezler. Bu seri 74HXXXX ile adlandırılır. SCHOTTKY (ŞOTKİ)TTL (STTL) Standart TTL ailesinde transistörlerin doyum-kesim durumuna geçişleri gecikmeye neden olur. Şoyki TTL de ise transistörlerin tam olarak kesime gitmesi B-C arasına bir şotki diyot bağlanarak engellenmiştir. Buna şotki engelleme diyotu (Schottky barier diode- SBD) denir. bu diyot 0,25V ileri polarizasyon gerilimine sahiptir. Transistörün beyz akımından üzerlerine akım çekerek transistörün kesime gitme hızını artırır. 74H serisi ile aynı güç tüketimine sahip olmasına karşın iki kat hızlı olduğu için daha avantajlıdır. Bu seri 74SXXXX ile adlandırılır. DÜŞÜK GÜÇLÜ ŞOTKİ TTL (LOW POWER SCHOTTKY TTL-LSTTL) Şotki TTL devresinde direnç değerleri büyülterek, devrenin düşük akım çekmesini dolayısıyla düşük güç tüketmesini sağlayan TTL tipidir. 74LSXXXX ile adlandırılır. Yayılım gecikmesi 9ns ve güç tüketimi 2mW tır. Bu seri 74LSXXXX ile adlandırılır. GERLİŞTİRİLMİŞ ŞOTKİ TTL (ADVANCED SCHOTTKY TTL-ASTTL) VE GELİŞTİRİLMİŞ DÜŞÜK GÜÇLÜ ŞOTKİ TTL (ADVANCED LOW POWER SCHOTTKY TTL-ALSTTL) Şotki TTL lerin geliştirilmesiyle ALS ve AS tipi TTL ler oluşturulmuştur. ALS tipi TTL ler ASTTL lere göre daha hızlıdır ve daha az güç harcarlar. Bu avantajlarından dolayı

günümüzde yaygın şekilde kullanılmaktadır. Sadece fiyatları TTL tipine göre daha yüksektir. 74ALSXXXX şeklinde adlandırılırlar. Parametre 74 74L 74H 74S 74AS 74ALS Yayılım Gecikmesi (ns) 9 33 6 3 1,7 4 Güç Tüketimi (mw) 90 33 138 60 13,6 4,8 Hız-Güç Üretimi (pj) 35 3 50 125 200 70 Max. Tetikleme Hızı 10 20 10 20 40 20 Fan Out 40 16 40 20 15 10 Deneyde 74LS00 (4 adet NAND kapısı) entegresi kullanılarak TTL entegrelerin karakteristiği incelenecektir. Aşağıda entegrelere parametrelerini açıklayınız ve entegre kullanma kılavuzundan bulunan değerleri karşılarına yazınız. Parametre Açıklama Veri (Datasheet) VIL(MAX) Girişin 0 olması için olabilecek en yüksek gerilim seviyesi 0.8V VIH(MIN) VOL(MAX) VOH(MIN) IOH IOL IIH IIL Fan Out TPD-HL TPD-LH VN

Deney a) Boşta çalışma karakteristiği Kapının çıkışında herhangi bir yük bağlı değilken giriş-çıkış gerilimleri arasındaki ilişkidir. Aşağıdaki devreyi kurunuz ve giriş gerilimini artırarak çıkış gerilimini gözlemleyiniz. VGiriş VÇıkış b) Yüklü çalışma karakteristiği Kapının çıkışında yük bağlı iken oluşan değilken giriş-çıkış gerilimleri arasındaki ilişkidir. Aşağıdaki devreyi kurunuz ve giriş gerilimini artırarak çıkış gerilimini gözlemleyiniz. VGiriş VÇıkış

c) VOH - IOH karakteristiği Kapının çıkışı lojik 1 olması durumunda, çıkışı lojik 0 durumuna getirmek için zorlanması halinde oluşan V-I fonksiyonudur. Aşağıdaki devreyi kurunuz ve ayarlı gerilim kaynağının gerilimini, kapı çıkışındaki gerilim ve kapıdan akan akımı ölçünüz. Ayarlı güç kaynağı VOH IOH d) VOL - IOL karakteristiği Kapının çıkışını lojik 0 düzeyde tutmak isteyen giriş koşulları oluşmuş iken çıkışın lojik 1 düzeyine zorlanması halinde elde edilen V-I bağıntısıdır. Aşağıdaki devreyi kurunuz. Ayarlı gerilim kaynağının gerilimini, kapı çıkışındaki gerilim ve kapıdan akan akımı ölçünüz. Ayarlı güç kaynağı VOL IOL

e) VGiriş IGiriş Karakteristiği V I karakteristiği, çıkış yüksüz iken giriş gerilimi ile akımı arasındaki bağıntıdır. Aşağıdaki devreyi kurarak Ayarlı güç kaynağını, Vgiriş ve I giriş değerlerini gözlemleyiniz. Ayarlı güç kaynağı VGiriş IGiriş Çalışma Soruları 1) Deneyde bulduğunuz değerler entegre kullanım kılavuzundaki değerlerle aynı mıdır? Her bir parametre için tek tek karşılaştırarak açıklayınız. 2) a,b,c,d ve e basamakları için karakteristikleri çiziniz. 3) Deneyde incelediğiniz parametreler için TTL-CMOS (CMOs Kapı-74HCT00) ailelerini karşılaştırınız.