Deney 1: Lojik Kapıların Lojik Gerilim Seviyeleri

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "Deney 1: Lojik Kapıların Lojik Gerilim Seviyeleri"

Transkript

1 eney : Lojik Kapıların Lojik Gerilim Seviyeleri eneyin macı: Lojik kapıların giriş ve çıkış lojik gerilim seviyelerinin ölçülmesi Genel ilgiler: ir giriş ve bir çıkışlı en basit lojik kapı olan EĞİL (NOT) kapısı çıkışında girişinin tümleyenini verir. Şekil..a da EĞİL kapısının lojik sembolü ve..b de ise, doğruluk tablosu görülmektedir. 0 0 (a) lojik sembolü (b) doğruluk tablosu Şekil. EĞİL lojik kapısı Şekil..a da görüldüğü gibi teorik olarak EĞİL kapısının girişine lojik 0() a karşı düşen gerilim uygulandığında, çıkışında lojik (0) e karşı düşen bir gerilim gözlenir. akat pratikte, girişte ve çıkışta görülecek gerilim seviyeleri kapı yapımında kullanılan teknolojiye bağlı olarak değişir. Örnek olarak TTL (Transistor Transistor Lojik) teknolojisi ile yapılmış bir EĞİL kapısı için gerilim seviyeleri Şekil..b de gösterilmiştir. V Çıkış Çıkış Lojik V Giriş V=+V V Çıkış V Giriş V Çıkış V Çıkış V =+V Çıkış Lojik elirsiz. ölge Çıkış Lojik 0 0V Giriş Lojik 0 V/=.V Giriş Lojik V =+V V Giriş V OH =.V V OL =0.V Çıkış Lojik 0 0V Giriş Lojik 0 V IL =0.V V IH =V Giriş Lojik V =+V V Giriş (a) İdeal lojik gerilim seviyeleri (b) Pratikteki lojik gerilim seviyeleri Şekil. EĞİL kapısının lojik gerilim seviyeleri una göre kritik gerilim seviyeleri ; VIH : Girişin lojik olarak algılanabilmesi için uygulanması gereken en küçük gerilim seviyesi, VIL : Girişin lojik 0 olarak algılanabilmesi için uygulanması gereken en büyük gerilim seviyesi, VOH : Çıkışın lojik olarak değerlendirilebilmesi için gözlenmesi gereken en küçük gerilim seviyesi, VOL : Çıkışın lojik 0 olarak değerlendirilebilmesi için gözlenmesi gereken en büyük gerilim seviyesidir. (VIH-VIL), (VOH-VOL) gerilim aralıkları sırasıyla girişler ve çıkışlar için belirsiz olan aralıklardır.

2 0 Şekil..a da görüldüğü gibi ideal halde girişin lojik 0 ve lojik değerine belli bir gerilim aralığı karşı gelmesine rağmen, çıkışın lojik 0 ve lojik değerini sabit gerilim değerleri oluşturmaktadır. MOS teknolojisiyle üretilmiş bir EĞİL kapısında da giriş ile çıkış arasında, TTL teknolojisiyle üretilmiş EĞİL kapısına benzer bir ilişki vardır. ncak en önemli farklılık MOS teknolojisiyle üretilmiş tümleşik devrenin besleme geriliminin -V arasında değişebilmesidir. u deneyde MOS tümleşik devreler için besleme gerilimi V alınacaktır. eney Öncesi Yapılacak İşlemler: - TTL EĞİL (NOT kapısı, ) ve MOS EĞİL (NOT kapısı, 0) tümleşik devreleri için katalogda verilen parametrelerin tanımlarını ve bu parametrelere ilişkin tablolardaki sınır değerleri inceleyiniz. - eneyin sonunda yer alan soruları yanıtlamaya çalışınız. eneyde Yapılacak İşlemler: EĞİL KPISI V U Y GN X N R 0Ω V 0Hz R 0Ω Şekil. Lojik gerilim seviyelerini ölçmek için kurulacak devre. - Yukarıda açıklanan parametreleri EĞİL tümleşik devresi için gözlemek amacıyla Şekil. deki devreyi deney düzeneğiniz üzerinde kurunuz. EĞİL tümleşik devresinin V besleme ve toprak bağlantılarını yapınız. lojik tümleşik devresine negatif gerilim uygulanmasını önlemek için osilatörden alınan ve tepe değeri V olan sinüs işareti bir diyottan geçirilir. öylece işaretin yalnız pozitif yarım alternansı elde edilir. R ve R dirençleri EĞİL kapısının girişinde 0- V gerilim değişimini elde etmek için gerilim bölücü olarak kullanılırlar. Netice olarak Şekil. de kesikli çizgilerle belirtilen devre, Şekil..b de verilen grafiğin yatay eksenindeki, 0 ile +V değerleri arasında değişen gerilim değerlerinin, EĞİL kapısının girişine uygulanmasını sağlar. EĞİL elemanının giriş gerilimi aynı zamanda osiloskop ekranında görülmesi için osiloskobun X girişine uygulanır. (Osiloskop bağlantılarını N ile yapınız) EĞİL elemanının girişine uygulanan gerilim ile değişen çıkış işareti ise, osiloskobun Y girişine uygulanır. (Osiloskop bağlantılarını N ile yapınız) öylece osiloskop X-Y modunda çalıştırıldığında ekranda EĞİL kapısının girişi ile çıkışı arasında Şekil..b ye benzer bir karakteristik gözlenir.

3 - Osiloskop ekranındaki eğri üzerinden lojik gerilim seviyelerini ayrı ayrı belirleyiniz. (VIL, VIH, VOL, VOH) Osiloskobun gerilim seviyesine ilişkin "variable" düğmesi kapalı tutulmalıdır. ksi takdirde yanlış gerilimler gözlenir. - Şekil. deki devreyi 0 MOS EĞİL tümleşik devresi için kurup. adımı tekrarlayınız. (esleme gerilimi V alınacaktır.) - TTL VE (N) lojik kapısının girişlerine, kritik gerilim seviyelerine uygun değerler (Lojik 0 girişi için V VIL, lojik girişi için V VIH) uygulayarak çıkışlarını gözleyiniz ve gerilim değerleri ile lojik kapının doğruluk tablosunu elde ediniz. - VEY (OR) lojik kapısının girişlerine, kritik gerilim seviyelerine uygun değerler (Lojik 0 girişi için V VIL, lojik girişi için V VIH) uygulayarak çıkışlarını gözleyiniz ve gerilim değerleri ile lojik kapının doğruluk tablosunu elde ediniz. - ÖZEL VEY (XOR) lojik kapısının girişlerine, kritik gerilim seviyelerine uygun değerler (Lojik 0 girişi için V VIL, lojik girişi için V VIH) uygulayarak çıkışlarını gözleyiniz ve gerilim değerleri ile lojik kapının doğruluk tablosunu elde ediniz. Sorular: - eneyde kullanılan TTL ve MOS teknolojisi ile üretilen lojik tümleşik devrelerde besleme gerilimi sınırları nelerdir? (Katalog bilgisine başvurunuz.) - TTL teknolojisiyle üretilmiş EĞİL kapısının gecikme süresi değerini katalogdan bulunuz. u kapının bulunduğu bir devrenin hızının en fazla ne olabileceğini belirtiniz. u hız, pratikte çalışma frekansı olarak adlandırılır. (İpucu: Gecikme süresi kadar olan zaman aralığında girişin değişmemesi gerekir ki kapı o giriş değerine ilişkin çıkışı verebilsin. ksi takdirde uygulanan girişe ilişkin oluşması gereken çıkış daha çıkışa ulaşmadan değişen yeni girişe göre çıkış oluşmaya başlar ve esas girişin çıkış kaybolabilir.) - MOS EĞİL tümleşik devresi (0) için kapı gecikmesi değerlerini farklı besleme değerleri için saptayınız. una göre böyle bir elemanın bulunduğu devrenin çalışma frekansı besleme gerilimine bağlı olarak en fazla ne olabilir? -. ve.soruların yanıtları ışığında TTL ve MOS teknolojilerini çalışma frekansı açısından karşılaştırınız. - ynı devrede farklı teknolojiyle üretilmiş lojik kapıların kullanılması çalışma frekansını nasıl etkiler? çıklayınız. - tümleşik devresi için elde ettiğiniz değerleri ekte verilen katalog bilgilerinden yararlanıp, TTL teknolojisiyle üretilmiş farklı ürünlerle karşılaştırınız. (, 7S0 (S:Schottky, LS:Low Power Schottky),... gibi) 7-0 MOS tümleşik devresi için benzer işlemi tekrarlayınız. - TTL iki girişli VE, VEY ve Özel-VEY kapılarının gecikme sürelerini karşılaştırınız. - MOS iki girişli VE, VEY ve Özel-VEY kapılarının gecikme sürelerini karşılaştırınız. 0- ijital lojik tümleşik devrelerde Yelpaze (an-out) kavramını açıklayınız. evre tasarımında dikkate alınmaması durumunda karşılaşılabilecek sorunları yazınız.

4 - Çıkış yelpazesi olan bir kapının çıkışı 0 kapıya bağlanmak istenmektedir. unu gerçekleştirebilmek için çıkış yelpazesi 0 olan tampon (buffer) kapıları ne şekilde bağlanmalıdır? Malzeme Listesi: adet N diyot adet TTL EĞİL tümleşik devresi adet 7LS0 TTL VE tümleşik devresi adet 7LS TTL VEY tümleşik devresi adet 7LS TTL ÖZELVEY tümleşik devresi adet 0 MOS EĞİL tümleşik devresi adet 0Ω direnç adet 0Ω direnç

5 eney : Lojik evre nalizi Genel ilgiler: u deneyde, SSI (Small Scale Integration: Küçük Ölçekte Tümleştirme, - kapı) devreler kullanılarak, lojik kapıların, oole fonksiyonlarının, oole ebri aksiyom ve teoremlerinin fiziksel gerçeklemeleri incelenecektir. yrıca oole fonksiyonlarının ve kombinezonsal lojik devrelerin normal ve indirgermiş yalın halinin analizi yapılacaktır. Lojik devrenin analizi yapmak için açık devre şeması yoksa devrenin girişlerine bütün giriş olasılıkları uygulanarak doğruluk tablosu elde edilir. undan sonra doğruluk tablosundan oole fonksiyonu elde edilerek analize cebirsel işlemler ile devam edilir. Lojik devrelerin analiz, indirgeme yöntemleri genel olarak iki ana grupta toplanabilir. irincisinde, oole fonksiyonu verildiğinde görüşe dayalı olarak, lojik devre verildiğinde ise önce lojik devrenin doğruluk tablosu elde edilerek oole fonksiyonu bulunarak gerçekleştirilir. Eğer lojik devrenin açık devre şeması varsa oole fonksiyonu elde edilerek cebirsel işlemler ile analizi yapılır. iğerinde ise - değişkenli fonksiyonlarda Karnaugh diyagramıyla daha fazla değişken sayısında ise Quine-Mcluskey gibi bir tablo yöntemiyle analiz yapılır. Son olarak oole fonksiyonları temel lojik kapılar veya tek tip eşdeğer NN ve NOR lojik kapılarıyla gerçekleştirilir. eney Öncesi Yapılacak İşlemler: - Genel ilgiler kısmını ve ders notlarından ilgili kısımları çalışınız. - Kullanılan tümleşik devrelerin katalog bilgilerini inceleyiniz. - eneyde yapılacak işlemler kısmın yer alan cebirsel işlemleri yapmaya çalışınız. - eneyin sonunda yer alan soruları yanıtlamaya çalışınız. eneyde Yapılacak İşlemler: Tümleşik devrelerin besleme ve toprak bağlantılarını yapınız. (,,,, E vs.) girişlerine, istediğiniz değerleri verebilmek için, birer lojik anahtara bağlayınız. Lojik anahtarın yanındaki +V ve V seçeneğini sağlayan anahtarı V konumuna getiriniz. izim deneylerimizde TTL tümleşik devreleri kullanıldığından bu seçim yapılmıştır. MOS tümleşik devreler kullanılsaydı +V seçeneği seçilirdi. çıkışını gözleyebilmek için LE lere (Light Emitting iode) bağlayınız. u ışık veren diyotlardan kırmızısı yandığında çıkışın lojik olduğunu, yeşili yandığında ise çıkışın lojik 0 olduğunu gösterir. LE lerin bulunduğu yerde siyah renkli iki anahtar vardır. (TTL-MOS) seçenekli anahtarı TTL konumuna, (+V-V) seçenekli anahtarı ise V konumuna getiriniz.. EĞİL kapısının girişteki ve çıkıştaki etkisini, VE işlemi VEY işlemine göre önceliğini, EĞİL işlemi ve parantez içindeki işlem önceliğini gösteren, sırasıyla Şekil., Şekil., Şekil. ve Şekil. deki devreleri deney düzeneğiniz üzerine kurunuz. Lojik devreleri çalıştırarak doğruluk tablosunu elde ediniz ve cebirsel olarak elde ettiğiniz doğruluk tablosu ile karşılaştırınız. çıkışının oole fonksiyonunu elde ediniz.

6 U U 7LS Şekil. EĞİL kapısının girişteki etkisi U 7LS U Şekil. EĞİL kapısının çıkıştaki etkisi U U 7LS U 7LS0 U 7LS U Şekil. VE işlemi VEY işlemine göre önceliği 0 U 7LS U 7LS0 0 UE E U 7LS 0 U 7LS0 Şekil. EĞİL işlemi ve parantez içindeki işlem önceliği. şağıda verilen oole fonksiyonlarının devrelerini gerçekleyiniz ve lojik devreleri çalıştırarak doğruluk tablolarını elde ediniz. u doğruluk tablosunu fonksiyondan cebirsel olarak elde ettiğiniz doğruluk tablosu ile karşılaştırarak yapılan işlemlerin doğru olduğunu belirleyiniz. a) (,, ) = + + (.) b) (,, ) = ( + ) ( + ) (.). Şekil. ve Şekil. daki devreleri deney düzeneğiniz üzerine kurunuz. Lojik devreleri çalıştırarak doğruluk tablosunu elde ediniz ve cebirsel olarak elde ettiğiniz doğruluk tablosu ile karşılaştırınız. çıkışının oole fonksiyonunu elde ediniz.

7 U U U U 7LS00 U 7LS U 7LS U 7LS Şekil. oğruluk tablosundan elde edilmiş bir lojik devre U U 7LS U 7LS0 Şekil. Şekil - deki lojik devrenin indirgenmiş şekli. Temel Lojik kapıların, VE-VEY, VEY-VE eşdeğer kapılarına dönüştürülmesini göstermek üzere Şekil.7 ve Şekil. de verilen lojik devreleri inceleyerek emorgan teoremini sağladığını gösteriniz. U U U 7LS U 7LS00 Şekil.7 VEEĞİL kapısının emorgan eşdeğeri U U U 7LS0 U 7LS0 U 7LS0 Şekil. VEYEĞİL kapısının emorgan eşdeğeri U 7LS00

8 . Temel lojik kapıların yalnız VEEĞİL kapılarıyla gerçeklemesini Şekil. da verilen lojik devreleri inceleyerek gösteriniz. 0 U 7LS00 U 7LS00 U 7LS00 0 U 7LS00 U 7LS00 U 7LS00 Şekil. Temel kapıların yalnız VEEĞİL kapısı ile gerçeklemesi. Temel lojik kapıların yalnız VEYEĞİL kapılarıyla gerçeklemesini Şekil.0 da verilen lojik devreleri inceleyerek gösteriniz. U 7LS0 U 7LS0 U7 7LS0 0 U 7LS0 U7 7LS0 0 U7 7LS0 Şekil.0 Temel kapıların yalnız VEYEĞİL kapısı ile gerçeklemesi

9 7 7. Çarpımların Toplamı devresinin tek tip kapılarla, yalnız VEEĞİL kapılarıyla gerçeklemesini Şekil. de verilen lojik devreleri inceleyerek gösteriniz. U 7LS0 U 7LS0 U 7LS U 7LS00 0 U 7LS00 U 7LS00 Şekil. Çarpımların Toplamı devresi ve VEEĞİL kapısı ile gerçeklemesi. Toplamların Çarpımı devresinin tek tip kapılarla, yalnız VEYEĞİL kapılarıyla gerçeklemesini Şekil. de verilen lojik devreleri inceleyerek gösteriniz. 0 U 7LS U 7LS 0 U 7LS0 U 7LS0 U 7LS0 0 U 7LS0 Şekil. Toplamların Çarpımı devresi ve VEYEĞİL kapısı ile gerçeklemesi Sorular: - Şekil., Şekil., Şekil. ve Şekil. de verilen devrelerin çıkışının oole fonksiyonu elde edilirken kullanılan yöntemleri belirtiniz. - eneyde yapılacak işlemlerin. kısmında (.) ve (.) de verilen oole fonksiyonlarından, gerçeklediğiniz lojik devreye nasıl geçildiğini kullandığınız oole ebri aksiyom ve teoremlerini belirterek gösteriniz. - eneyde yapılacak işlemlerin. kısmında Şekil. de verilen devrenin çıkışının oole fonksiyonu elde edilirken kullanılan yöntemleri belirtiniz.

10 - eneyde yapılacak işlemlerin. kısmında Şekil.7 ve Şekil. de gerçeklenen lojik devrelere nasıl geçildiğini kullanılan oole ebri aksiyom ve teoremlerini belirterek gösteriniz. - eneyde yapılacak işlemlerin. kısmında Şekil. da gerçeklenen lojik devrelere nasıl geçildiğini kullanılan oole ebri aksiyom ve teoremlerini belirterek gösteriniz. - eneyde yapılacak işlemlerin. kısmında Şekil.0 da gerçeklenen lojik devrelere nasıl geçildiğini kullanılan oole ebri aksiyom ve teoremlerini belirterek gösteriniz. 7- eneyde yapılacak işlemlerin 7. kısmında Şekil. de verilen çarpımların toplamı devresinden yalnız VEEĞİL kapılarıyla gerçeklenen lojik devreye nasıl geçildiğini kullanılan oole ebri aksiyom ve teoremlerini belirterek gösteriniz. - eneyde yapılacak işlemlerin. kısmında Şekil. de verilen toplamların çarpımı devresinden yalnız VEYEĞİL kapılarıyla gerçeklenen lojik devreye nasıl geçildiğini kullanılan oole ebri aksiyom ve teoremlerini belirterek gösteriniz. - Şekil. ve Şekil. de verilen lojik devrelerin analizini yaparak çıkışının oole fonksiyonunu elde ediniz. Karnaugh diyagramı ile indirgeyerek temel lojik kapılar kullanarak gerçekleyiniz. eneydeki devre ile bulduğunuz bu devreyi eleman sayısı, tüm devre sayısı, giriş yelpazeleri ve gecikmeler açısından karşılaştırınız. 0- Şekil. ve Şekil. de verilen lojik devrelerin analizini yaparak çıkışının oole fonksiyonunu elde ediniz. Quine-Mcluskey tablo yöntemiyle indirgeyerek temel lojik kapılar kullanarak gerçekleyiniz. eneydeki devre ile bulduğunuz bu devreyi eleman sayısı, tüm devre sayısı, giriş yelpazeleri ve gecikmeler açısından karşılaştırınız. - Yukarıda. ve 0. soruların yanıtlarında bulduğunuz indirgenmiş sonuç oole fonksiyonlarını yalnız VEEĞİL ve VEYEĞİL kapıları kullanarak gerçekleyiniz. eneydeki devre ile bulduğunuz bu devreyi eleman sayısı, tüm devre sayısı, giriş yelpazeleri ve gecikmeler açısından karşılaştırınız. - Şekil. de verilen çarpımların toplamı devresi ve yalnız VEEĞİL kapılarıyla gerçeklenen lojik devrenin en yalın devre olduğunu gösteriniz. - Şekil. de verilen toplamların çarpımı devresi ve yalnız VEYEĞİL kapılarıyla gerçeklenen lojik devrenin en yalın devre olduğunu gösteriniz. - Yukarıda. ve. soruların yanıtlarında bulduğunuz indirgenmiş devreleri eleman sayısı, tüm devre sayısı, giriş yelpazeleri ve gecikmeler açısından karşılaştırınız. Malzeme Listesi: adet 7LS00 VEEĞİL tümleşik devresi adet 7LS0 VEYEĞİL tümleşik devresi adet EĞİL tümleşik devresi adet 7LS0 VE tümleşik devresi adet 7LS VE tümleşik devresi adet 7LS VEY tümleşik devresi

Deney 2: Lojik Devre Analizi

Deney 2: Lojik Devre Analizi eney : Lojik evre nalizi Genel ilgiler: u deneyde, SSI (Small Scale Integration: Küçük Ölçekte Tümleştirme, - kapı) devreler kullanılarak, lojik kapıların, oole fonksiyonlarının, oole ebri aksiyom ve teoremlerinin

Detaylı

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI 1. Temel lojik kapı sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. GENEL BİLGİLER TTL kapıların karakteristikleri,

Detaylı

Deney 6: Ardışıl Devre Analizi

Deney 6: Ardışıl Devre Analizi Deney 6: Ardışıl Devre Analizi Genel Bilgiler: Lojik devre derslerinde de görüldüğü gibi bir ardışıl devrenin analizi matematiksel model, durum tablosu veya durum diyagramı yardımıyla üç farklı biçimde

Detaylı

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek.

1. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek. DENEY Temel Lojik Kapıların Karakteristikleri DENEYİN AMACI. Temel lojik kapıların sembollerini ve karakteristiklerini anlamak.. Temel lojik kapıların karakteristiklerini ölçmek. GENEL İLGİLER Temel lojik

Detaylı

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits)

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits) SE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates nd Logic Circuits) Sakarya Üniversitesi Lojik Kapılar - maçlar Lojik kapıları ve lojik devreleri tanıtmak Temel işlemler olarak VE,

Detaylı

5. LOJİK KAPILAR (LOGIC GATES)

5. LOJİK KAPILAR (LOGIC GATES) 5. LOJİK KPILR (LOGIC GTES) Dijital (Sayısal) devrelerin tasarımında kullanılan temel devre elemanlarına Lojik kapılar adı verilmektedir. Her lojik kapının bir çıkışı, bir veya birden fazla girişi vardır.

Detaylı

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar

Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar DENEY 1-1 Lojik Kapı Devreleri DENEYİN AMACI 1. Çeşitli lojik kapıların çalışma prensiplerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların girişi ve çıkış gerilimlerini

Detaylı

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 2

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 2 ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 2 DENEYİN ADI: LOJİK FONKSİYONLARIN SADECE TEK TİP KAPILARLA (SADECE NAND (VEDEĞİL), SADECE NOR (VEYADEĞİL)) GERÇEKLENMESİ VE ARİTMETİK İŞLEM DEVRELERİ

Detaylı

VE DEVRELER LOJİK KAPILAR

VE DEVRELER LOJİK KAPILAR ÖLÜM 3 VE DEVELEI LOJIK KPIL VE DEVELE LOJİK KPIL Sayısal devrelerin tasarımında kullanılan temel devre elemanlarına Lojik kapılar adı verilir. ir lojik kapı bir çıkış, bir veya birden fazla giriş hattına

Detaylı

Bölüm 6 Multiplexer ve Demultiplexer

Bölüm 6 Multiplexer ve Demultiplexer Bölüm 6 Multiplexer ve Demultiplexer DENEY 6- Multiplexer Devreleri DENEYİN AMACI. Multiplexer ın çalışma prensiplerini anlamak. 2. Lojik kapıları ve TTL tümdevre kullanarak multiplexer gerçekleştirmek.

Detaylı

SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ

SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ DENEY 1 SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ KAYNAKLAR Analysis and Design of Digital Integrated Circuits, Hodges and Jackson, sayfa 6-7 Experiments in Microprocessors and Digital Systems, Douglas

Detaylı

ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?...

ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?... ENTEGRELER (Integrated Circuits, IC) Entegre nedir, nerelerde kullanılır?... İçerik Düzeni Entegre Tanımı Entegre Seviyeleri Lojik Aileler Datasheet Okuma ENTEGRE TANIMI Entegreler(IC) chip adı da verilen,

Detaylı

TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ

TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 5 GİRİŞ Bu deneyde TTL ve CMOS bağlaçların statik ve dinamik karakteristikleri incelenerek, aralarındaki farklılık ve benzerlikler belirlenecektir. Burada incelenecek

Detaylı

DENEY FÖYÜ8: Lojik Kapıların Elektriksel Gerçeklenmesi

DENEY FÖYÜ8: Lojik Kapıların Elektriksel Gerçeklenmesi DENEY FÖYÜ8: Lojik Kapıların Elektriksel Gerçeklenmesi Deneyin Amacı: Temel kapı devrelerinin incelenmesi, deneysel olarak kapıların gerçeklenmesi ve doğruluk tablolarının elde edilmesidir. Deney Malzemeleri:

Detaylı

DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ OSMANİYE KORKUT ATA ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 2012 1 LABORATUVAR KURALLARI 1. Laboratuvarlar programda belirtilen giriş ve çıkış saatlerine

Detaylı

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. Schmitt kapılarının yapı ve karakteristiklerinin anlaşılması. GENEL BİLGİLER Schmitt kapısı aşağıdaki karakteristiklere sahip olan tek lojik kapıdır: 1.

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LABORATUVARI I T.C. ULUDĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMRLIK FKÜLTESĠ ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELERĠ LBORTUVRI I DENEY 6: ve KPI KRKTERĠSTĠKLERĠ Boşta çalışma karakteristiği Yüklü çalışma karakteristiği

Detaylı

DENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri

DENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri DENEY NO 3 Alçak Frekans Osilatörleri Osilatörler ürettikleri dalga şekillerine göre sınıflandırılırlar. Bunlardan sinüs biçiminde işaret üretenlerine Sinüs Osilatörleri adı verilir. Pek çok yapıda ve

Detaylı

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ 1. Amaç: Bu deney, diyotların gerilim-akım eğrisinin elde edilmesi, diyotların temel kullanım

Detaylı

1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek.

1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek. DENEY 7-2 Sayıcılar DENEYİN AMACI 1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek. GENEL BİLGİLER Sayıcılar, flip-floplar

Detaylı

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.

Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Uygulama -1: Dirençlerin Seri Bağlanması Uygulama -2: Dirençlerin Paralel Bağlanması Uygulama -3: Dirençlerin Karma Bağlanması Uygulama

Detaylı

Bölüm 7 Ardışıl Lojik Devreler

Bölüm 7 Ardışıl Lojik Devreler Bölüm 7 Ardışıl Lojik Devreler DENEY 7- Flip-Floplar DENEYİN AMACI. Kombinasyonel ve ardışıl lojik devreler arasındaki farkları ve çeşitli bellek birimi uygulamalarını anlamak. 2. Çeşitli flip-flop türlerinin

Detaylı

Şekil Listesi Şekil 1.1 Şekil 1.2 Şekil 1.3 Şekil 2.1 Şekil 2.2 Şekil 4.1 Şekil 4.2 Şekil 4.3 Şekil 5-1 Şekil 5-2 Şekil 5-3 Şekil 6.1 Şekil 6.

Şekil Listesi Şekil 1.1 Şekil 1.2 Şekil 1.3 Şekil 2.1 Şekil 2.2 Şekil 4.1 Şekil 4.2 Şekil 4.3 Şekil 5-1 Şekil 5-2 Şekil 5-3 Şekil 6.1 Şekil 6. İçindekiler Deneylerle Ġlgili Genel Bilgiler ve Uyarılar... 1 Deneyler Ġçin Malzeme Listesi... 1 Deneylerde Dikkat Edilmesi Gereken Konular... 3 Analog ve Dijital Elektronik Eğitim Sisteminin Tanıtımı...

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ

Detaylı

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER) EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEYİ Amaç: Bu deney, diyotların gerilim-akım eğrisinin elde edilmesi, diyotların temel kullanım

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 3 TTL Entegre Karakteristiği

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU. Deney No: 3 TTL Entegre Karakteristiği TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY RAPORU Deney No: 3 TTL Entegre Karakteristiği Yrd.Doç. Dr. Ünal KURT Arş. Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Öğrenci: Adı Soyadı

Detaylı

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ SAYISAL DEVRE UYGULAMALARI Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ İÇİNDEKİLER ŞEKİLLER TABLOSU... vi MALZEME LİSTESİ... viii ENTEGRELER... ix 1. Direnç ve Diyotlarla Yapılan

Detaylı

EEM309 SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUARI. AND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır.

EEM309 SAYISAL ELEKTRONİK LABORATUARI. AND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır. Deney No : 1 Deneyin dı : ojik Kapılar GİRİŞ: EEM309 SIS EEKTRONİK ORTURI ND (VE) Kapısı VE kapısı, mantıksal çarpma işlemi yapmaktadır. amba Şekil 1: VE kapısının sembolü, elektriksel ve transistör eşdeğeri

Detaylı

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4 DENEYİN ADI: JK, RS, T VE D TİPİ FLİP-FLOPLARIN İNCELENMESİ

ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4 DENEYİN ADI: JK, RS, T VE D TİPİ FLİP-FLOPLARIN İNCELENMESİ ELK2016 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 4 DENEYİN ADI: JK, RS, T VE D TİPİ FLİP-FLOPLARIN İNCELENMESİ Açıklamalar: Bu deneyde JK, RS, T ve D tipi flip-flop (FF) lar incelenecektir. Deney içerisinde

Detaylı

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

açık olduğu bir anahtar gibi davranır. Kesim durumu genellikle baz ile emetör arasına VBE uygulanması ile sağlanır, ancak 0.

açık olduğu bir anahtar gibi davranır. Kesim durumu genellikle baz ile emetör arasına VBE uygulanması ile sağlanır, ancak 0. Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı LOJİK KAPILAR. Genel Tanıtım Sayısal bilgileri işleyecek şekilde tasarlanmış tümleşik devrelere

Detaylı

Bölüm 2 Kombinasyonel Lojik Devreleri

Bölüm 2 Kombinasyonel Lojik Devreleri Bölüm 2 Kombinasyonel Lojik Devreleri DENEY 2-1 VEYA DEĞİL Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. VEYA DEĞİL kapıları ile diğer lojik kapıların nasıl gerçekleştirildiğini anlamak. 2. VEYA DEĞİL kapıları ile DEĞİL

Detaylı

DOĞRULUK TABLOLARI (TRUTH TABLE)

DOĞRULUK TABLOLARI (TRUTH TABLE) LOJİK KAPILAR DOĞRULUK TABLOLARI (TRUTH TABLE) Doğruluk tabloları sayısal devrelerin tasarımında ve analizinde kullanılan en basit ve faydalı yöntemdir. Doğruluk tablosu giriş değişkenlerini alabileceği

Detaylı

YAPILACAK DENEYLERİN LİSTESİ

YAPILACAK DENEYLERİN LİSTESİ YPILCK DENEYLERİN LİSTESİ 1. Ohm ve Kirşof Yasalarının Doğrulaması 2. Düğüm Noktası Gerilimleri ve Çevre kımları Yöntemlerinin Doğrulanması 3. Tevenin ve Norton Teoremlerinin Doğrulaması 4. Süperpozisyon

Detaylı

SAYICILAR. Tetikleme işaretlerinin Sayma yönüne göre Sayma kodlanmasına göre uygulanışına göre. Şekil 52. Sayıcıların Sınıflandırılması

SAYICILAR. Tetikleme işaretlerinin Sayma yönüne göre Sayma kodlanmasına göre uygulanışına göre. Şekil 52. Sayıcıların Sınıflandırılması 25. Sayıcı Devreleri Giriş darbelerine bağlı olarak belirli bir durum dizisini tekrarlayan lojik devreler, sayıcı olarak adlandırılır. Çok değişik alanlarda kullanılan sayıcı devreleri, FF lerin uygun

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Lojik Devre Laboratuarı DENEY-2 TEMEL KAPI DEVRELERİ KULLANILARAK LOJİK FONKSİYONLARIN GERÇEKLEŞTİRİLMESİ

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Lojik Devre Laboratuarı DENEY-2 TEMEL KAPI DEVRELERİ KULLANILARAK LOJİK FONKSİYONLARIN GERÇEKLEŞTİRİLMESİ 2.1 Ön Çalışma Deney çalışmasında yapılacak uygulamaların benzetimlerini yaparak, sonuçlarını ön çalışma raporu olarak hazırlayınız. 2.2 Deneyin Amacı Tümleşik devre olarak üretilmiş kapı devreleri kullanarak;

Detaylı

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri DENEY 4-1 Flip-Floplar DENEYİN AMACI 1. Kombinasyonel ve ardışıl lojik devreler arasındaki farkları ve çeşitli bellek birimi uygulamalarını anlamak. 2. Çeşitli flip-flop

Detaylı

Katlı Giriş Geçitleri

Katlı Giriş Geçitleri Katlı Giriş Geçitleri Eviriciler ve tamponlar tek-girişli geçit devresi için olasılıkları çıkartır. Tamponlamak yada evirmekten başka tek mantık sinyali ile daha fazla ne yapılabilir? Daha fazla mantık

Detaylı

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör DENEY 7 : OSİLATÖR UYGULAMASI AMAÇ: Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörün temel çalışma prensipleri MALZEMELER: Güç Kaynağı: 12VDC, 5VDC Transistör: BC108C veya Muadili

Detaylı

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,

Detaylı

Mantık fonksiyonlarından devre çizimi 6 Çizilmiş bir devrenin mantık fonksiyonunun bulunması

Mantık fonksiyonlarından devre çizimi 6 Çizilmiş bir devrenin mantık fonksiyonunun bulunması DERSİN ADI BÖLÜM PROGRAM DÖNEMİ DERSİN DİLİ DERS KATEGORİSİ ÖN ŞARTLAR SÜRE VE DAĞILIMI KREDİ DERSİN AMACI ÖĞRENME ÇIKTILARI VE YETERLİKLER DERSİN İÇERİĞİ VE DAĞILIMI (MODÜLLER VE HAFTALARA GÖRE DAĞILIMI)

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 DENEY 2-3 Süperpozisyon, Thevenin ve Norton Teoremleri DENEYİN AMACI 1. Süperpozisyon teoremini doğrulamak. 2. Thevenin teoremini doğrulamak. 3. Norton teoremini

Detaylı

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ 9.1. DENEYİN AMAÇLARI DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

BÖLÜM 9 (COUNTERS) SAYICILAR SAYISAL ELEKTRONİK. Bu bölümde aşağıdaki konular anlatılacaktır

BÖLÜM 9 (COUNTERS) SAYICILAR SAYISAL ELEKTRONİK. Bu bölümde aşağıdaki konular anlatılacaktır SYISL ELETRONİ ÖLÜM 9 (OUNTERS) SYIILR u bölümde aşağıdaki konular anlatılacaktır Sayıcılarda Mod kavramı senkron sayıcılar senkron yukarı sayıcı (Up counter) senkron aşağı sayıcı (Down counter) senkron

Detaylı

FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL)

FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL) FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL) 1-Temel Bilgiler Faz kilitlemeli çevrim (FKÇ) (Phase Lock Loop, PLL) dijital ve analog haberleşme ve kontrol uygulamalarında sıkça kullanılan bir elektronik devredir. FKÇ,

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

DENEY NO : 6 KIRPICI DİYOT DEVRELERİ

DENEY NO : 6 KIRPICI DİYOT DEVRELERİ DENEY NO : 6 KIRPICI DİYOT DEVRELERİ DENEYİN AMACI : Diyotların doğrultucu olarak kullanımını öğrenmek. KULLANILACAK MALZEMELER 2 adet 1N4007 diyot, 2 adet 1kΩ, Güç kaynağı, Fonksiyon jeneratörü, Osiloskop.

Detaylı

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler

Detaylı

kdeney NO:1 OSİLASKOP VE MULTİMETRE İLE ÖLÇME 1) Osiloskop ile Periyot, Frekans ve Gerlim Ölçme

kdeney NO:1 OSİLASKOP VE MULTİMETRE İLE ÖLÇME 1) Osiloskop ile Periyot, Frekans ve Gerlim Ölçme kdeney NO:1 OSİLASKOP VE MULTİMETRE İLE ÖLÇME 1) Osiloskop ile Periyot, Frekans ve Gerlim Ölçme Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik, periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar:

Detaylı

T.C. İstanbul Medeniyet Üniversitesi Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

T.C. İstanbul Medeniyet Üniversitesi Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü T.C. İstanbul Medeniyet Üniversitesi Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü MANTIK DEVRELERİ TASARIMI LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ 2018 Deney 1: MANTIK KAPILARI VE

Detaylı

(VEYA-DEĞİL kapısı) (Exlusive OR kapısı) (Exlusive NOR kapısı)

(VEYA-DEĞİL kapısı) (Exlusive OR kapısı) (Exlusive NOR kapısı) 1.1 Ön Çalışma Deney çalışmasında yapılacak uygulamaların benzetimlerini yaparak, sonuçlarını ön çalışma raporu olarak hazırlayınız. 1.2 Deneyin Amacı Temel kapı işlemlerinin ve gerçekleştirilmesi. bu

Detaylı

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,

Detaylı

DENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler

DENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici Devreler ENEY 3 Kırpıcı ve Kenetleyici evreler 1. Amaç Bu deneyin amacı, diyot elemanının elektronik devrelerde diğer bir uygulaması olan ve dalgaların şekillendirilmesinde kullanılan kırpıcı ve kenetleyici devrelerinin

Detaylı

Bölüm 3 Toplama ve Çıkarma Devreleri

Bölüm 3 Toplama ve Çıkarma Devreleri Bölüm 3 Toplama ve Çıkarma Devreleri DENEY 3- Yarım ve Tam Toplayıcı Devreler DENEYİN AMACI. Aritmetik birimdeki yarım ve tam toplayıcıların karakteristiklerini anlamak. 2. Temel kapılar ve IC kullanarak

Detaylı

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik

Detaylı

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi 23 Deney Adı : İşlemsel Kuvvetlendiricinin Temel Devreleri Deney No : 6 Deneyin Amacı : İşlemsel kuvvetlendiricilerle en ok kullanılan devreleri gerekleştirmek, fonksiyonlarını belirlemek Deneyle İlgili

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 3 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Amaç: Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı

Detaylı

T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLİŞİM SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ

T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLİŞİM SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLİŞİM SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ Yrd. Doç. Dr. Mustafa H.B. UÇAR 1 2. HAFTA Yrd. Doç. Dr. Mustafa Hikmet Bilgehan UÇAR Entegre Yapıları Lojik Kapılar Lojik

Detaylı

DENEY 3-1 Kodlayıcı Devreler

DENEY 3-1 Kodlayıcı Devreler DENEY 3-1 Kodlayıcı Devreler DENEYİN AMACI 1. Kodlayıcı devrelerin çalışma prensibini anlamak. GENEL BİLGİLER Kodlayıcı, bir ya da daha fazla girişi alıp, belirli bir çıkış kodu üreten kombinasyonel bir

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ

Detaylı

İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LOJİK DEVRELERİ LABORATUVARI DENEY RAPORU. : TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ

İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LOJİK DEVRELERİ LABORATUVARI DENEY RAPORU. : TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LOJİK DEVRELERİ LABORATUVARI DENEY RAPORU DENEYİN ADI : TTL ve CMOS BAĞLAÇ KARAKTERİSTİKLERİ RAPORU HAZIRLAYAN : BEYCAN KAHRAMAN Toplam on (

Detaylı

BM217 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVAR DENEYLERİ

BM217 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVAR DENEYLERİ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BM217 SAYISAL TASARIM DERSİ LABORATUVAR DENEYLERİ Yrd. Doç. Dr. Emre DANDIL İÇİNDEKİLER ŞEKİLLER TABLOSU... vi MALZEME LİSTESİ... viii ENTEGRELER...

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri 1. Seri RC Devresinde Akım ve Gerilim Ölçme 1.1. Deneyin Amacı: a.) Seri RC devresinin özelliklerinin incelenmesi b.) AC devre ölçümlerinin ve hesaplamalarının yapılması 1.2. Teorik Bilgi: Kondansatörler

Detaylı

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev

Detaylı

TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR

TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR 1. DENEYİN

Detaylı

Teorik Bilgi DENEY 7: ASENKRON VE SENKRON SAYICILAR

Teorik Bilgi DENEY 7: ASENKRON VE SENKRON SAYICILAR DENEY 7: ASENKRON VE SENKRON SAYICILAR Deneyin Amaçları Asenkron ve senkron sayıcı devre yapılarının öğrenilmesi ve deneysel olarak yapılması Deney Malzemeleri 74LS08 Ve Kapı Entegresi (1 Adet) 74LS76

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alternatif akım (AC) ve doğru akım nedir örnek vererek kısaca tanımını yapınız. 2. Alternatif akımda aynı frekansa sahip iki sinyal arasındaki faz farkı grafik üzerinde (osiloskopta)

Detaylı

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir. DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı

Detaylı

İKİLİ SAYILAR VE ARİTMETİK İŞLEMLER

İKİLİ SAYILAR VE ARİTMETİK İŞLEMLER İKİLİ SAYILAR VE ARİTMETİK İŞLEMLER DENEY 3 GİRİŞ Bu deneyde kurulacak devreler ile işaretsiz ve işaretli ikili sayılar üzerinde aritmetik işlemler yapılacak; işaret, elde, borç, taşma kavramları incelenecektir.

Detaylı

ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID) KONTROL ELEMANLARININ İNCELENMESİ *

ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID) KONTROL ELEMANLARININ İNCELENMESİ * Deneyden sonra bir hafta içerisinde raporunuzu teslim ediniz. Geç teslim edilen raporlar değerlendirmeye alınmaz. ELE 301L KONTROL SİSTEMLERİ I LABORATUVARI DENEY 3: ORANSAL, TÜREVSEL VE İNTEGRAL (PID)

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ 1. Amaç: KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı

Detaylı

Şekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki

Şekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki DARBE GENİŞLİK MÖDÜLATÖRLERİ (PWM) (3.DENEY) DENEY NO : 3 DENEY ADI : Darbe Genişlik Modülatörleri (PWM) DENEYİN AMACI : µa741 kullanarak bir darbe genişlik modülatörünün gerçekleştirilmesi.lm555 in karakteristiklerinin

Detaylı

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini

Detaylı

25. Aşağıdaki çıkarma işlemlerini doğrudan çıkarma yöntemi ile yapınız.

25. Aşağıdaki çıkarma işlemlerini doğrudan çıkarma yöntemi ile yapınız. BÖLÜM. Büyüklüklerin genel özellikleri nelerdir? 2. Analog büyüklük, analog işaret, analog sistem ve analog gösterge terimlerini açıklayınız. 3. Analog sisteme etrafınızdaki veya günlük hayatta kullandığınız

Detaylı

BÖLÜM 2 SAYI SİSTEMLERİ

BÖLÜM 2 SAYI SİSTEMLERİ İÇİNDEKİLER BÖLÜM 1 GİRİŞ 1.1. Lojik devre içeriği... (1) 1.1.1. Kodlama, Kod tabloları... (2) 1.1.2. Kombinezonsal Devre / Ardışıl Devre... (4) 1.1.3. Kanonik Model / Algiritmik Model... (4) 1.1.4. Tasarım

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot Karakteristikleri Diyot, zener diyot DENEY

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Deneyin Amacı: Alçak frekans güç yükselteçleri ve çıkış katlarının incelenip, çalışma mantıklarının kavranması Kullanılacak Materyaller: BD135 (npn Transistör)

Detaylı

EEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi

EEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi EEM 0 DENEY 0 SABİT FEKANSTA DEVEEİ 0. Amaçlar Sabit frekansta devrelerinin incelenmesi. Seri devresi Paralel devresi 0. Devre Elemanları Ve Kullanılan Malzemeler Bu deneyde kullanılan devre elemanları

Detaylı

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde temel lojik kapılar incelenecek; çift kararlı ve tek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecektir. ÖN HAZIRLIK Temel lojik

Detaylı

DENEY 1a- Kod Çözücü Devreler

DENEY 1a- Kod Çözücü Devreler DENEY 1a- Kod Çözücü Devreler DENEYİN AMACI 1. Kod çözücü devrelerin çalışma prensibini anlamak. GENEL BİLGİLER Kod çözücü, belirli bir ikili sayı yada kelimenin varlığını belirlemek için kullanılan lojik

Detaylı

DENEY 5 RS FLİP-FLOP DENEYLERİ

DENEY 5 RS FLİP-FLOP DENEYLERİ Adı Soyadı: No: Grup: DENEY 5 RS FLİP-FLOP DENEYLERİ ÖN BİLGİ : Sayısal bilgiyi ( "0" veya "1" ) depolamada ve işlemede kullanılan temel devrelerden biri de F-F lardır. Genel olarak dört tipi vardır: 1-

Detaylı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot

Detaylı

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.

Detaylı