As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 Sisteminde kimyasal karşılıklı etkinin karakteri ve camsı oluşumu

Transkript

1 As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 Sisteminde kimyasal karşılıklı etkinin karakteri ve camsı oluşumu C. A. Veliyev a, İ, İ. Aliyev b, A. A. Farzaliyev b a Adiyaman Universitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, Adıyaman b Azerbaycan Ulusal Akademisi Kimya Problemler Enstitüsü, Bakü a Adiyaman Universitesi Fen-Edebiyat Fakültesi, Adıyaman 02040, cveliyev@hotmail.com Özet-Diferansiyel termal analiz (DTA), X-ışınları Toz Kırınım (XRD) yöntemi, Mikroyapı (МYА), Mikrosertlik (MSA) ve yoğunluğun tayini ile As 2 Se 3 Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistemde kimyasal karşılıklı etki ve faz dengesi araştırılmış ve sistemin faz diyagramı oluşturulmuştur. Sistemin tüm alaşımları oda sıcaklığına kadar soğutulduğu zaman camsı halinde elde edilir. Sistemde bileşenlerin 2:1 oranında ТIAs 2 Sе 3 S yapılı bir kararlı bileşik elde edilmiştir. Sistemin bileşenleri yapısına ve kimyasal bağ karakterine göre birbirine yakın olduğundan bileşenlerin birbirinde çözünmesi kolaylaşmıştır. Buna göre As 2 Se 3 Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sisteminde As 3 Se 3 esnasında oda sıcaklığında 4 mol % Tl 3 As 2 S 3 Se 3 çözülme olduğu halde, Tl 3 As 2 S 2 Se 3 esnasında 16 mol % çözülme olmuştur. Anahtar Kelimeler: kalkojen, camsı, yarıiletken, faz, diyagram Giriş Literatürde [1, 2], arsenik kalkojenitleri ve onlar esnasında elde edilmiş bileşikler fiziksel ve kimyasal özelliklerine göre başlangıç bileşenleriden farklıdırlar. Literatür de [3-5], bir sıra karmaşık yapılı dörtlü sistemler araştırılmıştır. Arsenik kalkojenitleri ve bunlar esnasında elde edilmiş camsı alaşımlar foto elektronikte, renkli televizyonlarda, elektron sanayisinde ve hafıza merkezlerinde kullanılan yarıiletken malzemelerdir [6 8]. Bu bakımdan Tl 3 As 3 Se 6 Tl 3 As 2 Se 3 Te 3 sistemde elde edilebilecek camsı alaşımların fiziksel parametrelerine göre önemli özelliklere sahip olmaları ve uygulama alanları araştırılır. Literatür [9, 10] a göre Tl As Se Te dörtlü sistemden diyagonal kesitleri çalışılmıştır. As 2 Se 3 Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistemi ise ilk kez incelenmiştir. Deneysel çalışmalar Sistem alaşımları birden fazla çeşitli başlangıç arsenik bileşiklerini (As 2 Se 3 ve Tl 3 As 2 S 3 Se 3 ) birlikte eritmek suretiyle elde edilir. Bu metotla alaşım elde etmek için, önce alaşım Pa basınca kadar havasızlaştırılmış kuvars bir tüp içinde erime sıcaklığının üstünde bir sıcaklığa kadar ısıtılır ve daha sonra sıvı hale gelen bu alaşım karıştırılarak ve sallanarak sentezlenir. Sentez C sıcaklık aralığında 4 saat süre ile yapılmıştır, daha sonra alaşımların sıcaklığı C ye düşürülerek aynı sıcaklıkta 2 gün tutulmuştur.as 2 Se 3 Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistem alaşımlarının fiziko kimyasal analizi hem camsı, hem de kristal halinde yapılmıştır. Alaşımların diferansiyel termal (DТА) analizi tamamen bilgisayar kontrollü SHİMADZU DTG- 60H markalı DTA cihazında yapılmıştır. Standart olarak Al 2 O 3 kullanılmıştır ve cihazın ısıtma hızı 1-50 o C/dk ısıtma hızları ile 1500 o C'ye kadar çıkabilmektedir. XRD analizleri, Bruker D8 Discover marka cihaz ile (CuKa ışımalı; tüp voltaj/akım, 20 kv/30 ma; tarama aralığı (2gr), 5-80, tarama hızı, 5 /dakika) yapılmıştır. SEM görüntüleri LV6060 marka EDS model cihazı ile alınmıştır. Paletlenen numunelere ısıl işlem uygulanarak sinterlenmiş ve Cr 2 O 3 ile parlatılarak yüzey pürüzsüz hale getirilmiş, faz sınırlarını belirlemek amacı ile aşındırıcı çözeltiler (NaOH+C 2 H 5 OH =1:1 ve % 20 li HNO 3 ) yardımıyla mikroyapı analizi gerçekleştirilmiştir.

2 Mikrosertlik analizi Duramin-1 Sertlik Ölçüm Cihazı ile yapılmıştır. Paletlenen numunelere mikro gram boyutlarında baskı yapılarak mikro sertliği ölçülmüştür. Örneklerin yoğunluğu piknometrik yöntemle toluen çözeltisi kullanılarak yapılmıştır. Sonuçlar As 2 Se 3 Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistemin bütün alaşımları oda sıcaklığına kadar soğutma koşulunda camsı halinde elde edilmiştir. Alaşımların rengi kütle halinde koyu gri renkten siyah renge kadar değişir. Sistemde camsı ve katı çözelti camsı alaşımların, yeni fazların varlıklarını saptamak için araştırmalar yapılmıştır, aynı zamanda sonuçları analiz edilerek yorumlanmıştır. Bunun için alaşımlar stokiyometrik oranda hesaplanmış ve As 2 Se 3, Tl 3 As 2 S 3 Se 3 bileşenler C sıcaklık aralığında sentez edilmiştir. Sentez sıvı halde alaşımların sallanması yöntemi ile 5 saat süre ile yapılmıştır ve sıcaklık C den C ye kadar saatte 50 0 C soğutularak yapılmış, daha sonra fırın kapatılmıştır. Elde edilmiş alaşımların hepsi siyah parlak renkli camsı maddelerdir. As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistem alaşımların fiziko kimyasal incelenmesi hem camsı, hem de kristal halinde yapılmıştır (Tablo 1, 2). Tablo 1.As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistem alaşımlarının yapısı, DТА, mikrosertlik ve yoğunluk ölçümlerinin sonuçları (camsı halde). Bileşenler, mol.% Fazların mikrosertliği, MPa As 2 Se 3 Tl 3 As 2 S 3 Se 3 I II III Sıcaklık etkileri, o C Yoğunluğu, 10 3 kg/m 3 (α) ТIAs 2 Sе 3 S (β) P=0,15 N 100 0,0 180, 380 4, ,0 175, 325, 365 4, ,0 175, 290, 260 4, , 240, 345 4, , 240, 285 5, , 240 5, , 240, 280 5, , 240, 300 5, ,6 33,3 165, 305 5, , 200, 300 5, , 200, 275 6, , 200, 225 6, , 200 6, , 200, 220 6, , 210, 250 6, , 220, 255 6, , 235, 270 6, , , 255, 275 6, , , 260, 275 6, , , 280 7, As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistem alaşımlarının diferansiyel termal analizinde kristallenmiş alaşımların ısı eğrilerinde üç tür yumuşama etkisi gözlenmiştir. Yumuşama sıcaklığı As 2 Se 3 le zengin olan bölgeden nispeten yukarı olup, T g ( C) değerinde değiştiği, mol.% Tl 3 As 2 S 3 Se 3 konsantrasyon aralığında ise yumuşama sıcaklığının C den C ye kadar azaldığı tespit edilmiştir. As 2 Se 3 için yumuşama sıcaklığı T g C aralığında, Tl 3 As 2 S 3 Se 3 bileşiği için ise

3 C değeri aralığında değişir, bu değişim camlaşma derecesine bağlıdır C değeri yumuşama sıcaklığı için yeni değerdir, bu değer sistemde yeni fazın varlığını gösterir. Alaşımlar kristallendikten sonra sıcaklık eğrilerinde yumuşama sıcaklığı gözlenmiştir. Soğuduktan sonra ısı eğrilerinde var olan sıcaklık etkileri bir daha ortaya çıkmaz. Buda sistemin tüm alaşımlarının camsı olduğunu gösterir. Tablo 2. As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistem alaşımlarının yapısı, DТА, mikrosertlik ve yoğunluk ölçümlerinin sonuçları (kristal halinde). Bileşenler, mol.% Fazların Mikrosertliği, MPa I II III Sıcaklık etkileri, As 2 Se 3 Tl 3 As 2 S 3 Se Yoğunluğu, C kg/m 3 (α) ТIAs 2 Sе 3 S (β) P=0,10 N , ,0 325, 365 5, ,0 290, 260 5, , 345 5, , 285 5, ,60 ötekt. ötekt , 280 5, , 300 5, ,6 33, , , 300 6, , 275 6, , 225 6, ,70 ötekt. ötekt , 220 6, , 250 6, , 255 6, , 270 6, , , 275 7, , , 275 7, , , Benzer incelemeler X-ışınları Toz Kırınım (XRD) yöntemi ile analiz edilerek yorumlanmıştır. Termiki işlemden önce As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistem alaşımlarının çekilmiş X-ışınları toz kırınım desenlerinde çok zayıf difraksiya maksimumları (pikler) saptanmıştır (Şekil 1 a). Böyle manzara sistemin tüm alaşımlarında gözlemlenmiştir. X-ışınları Toz Kırınım analiz sonucu ТIAs 2 Sе 3 S bileşiğin ve ara alaşımların kristallenmeden sonra difraktogramlar çekilmiş, kırınım desenindeki düzlemlerarası uzaklık (d), şiddet (I) ve yansıma açısı (2θ) hesaplanmıştır. Analiz sonuçları gösteriyor ki, ТIAs 2 Sе 3 S bileşiğin difraktogramlarında elde edilmiş difraksiya maksimumları şiddetine ve düzlemler arası uzaklığa göre başlangıç bileşenlerden farklıdır (Şekil 1 b). Bu onu gösterir ki, Аs 2 Sе 3 -ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 sistemde yeni bileşik oluşmuştur. Sistemin başlangıç bileşenleri ve 20; 33,3; 50 mol. % ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 alaşımların difraktogramlarına göre yapı tarama çizgi diyagramı Şekil 2 de verilmiştir.

4 Şekil 1.As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistem alaşımlarının camsı (а) ve kristal (b) halde X-ışınları Toz Kırınım Deseni: 1-Аs 2 Sе 3, 2 20, 3 30, 4 50, 5 80 mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3, 6 ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 ). Şekil 2.Аs 2 Sе 3 ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 sistem alaşımlarının X-ışınları Toz Kırınım Deseni tarama çizgi diyagramı X-ışınları Toz Kırınım analiz sonucunda belirlenmiştir ki, ТIAs 2 Sе 3 S bileşiği tetragonal yapıda kristallenir ve kafes parametreleri: а=10,15; c=9,12 Å; Z=6, ρ pik. =6,49 г/см 3, ρ rent.=6,52 g/sm 3 dür. ТIAs 2 Sе 3 S bileşiğin X-ışınları toz kırınım deseni verileri Tablo 3 de verilmiştir.

5 Tablo 3.ТIАs 2 Sе 3 S ait X-ışınları Toz Kırınım Deseni verileri (CuK α = Å, Ni filtreli). I(şiddet) d deney d heсаb hкl 18 5,0834 5, ,5606 4, , ,0005 3, ,3605 3, ,0585 3, ,8606 2, ,7503 2, ,6697 2, ,5206 2, ,3702 2, ,2804 2, ,1199 2, ,0399 2, ,8240 1, ,6720 1, Daha sonra alaşımların mikroskop ile mikroyapı analizi (MYA) incelenmiştir. Mikroyapı analizi sonucu alaşımların camsı olduğu gözlenmiştir. Termik işlemden önce alaşımların mikroskop altında mikroyapısı koyu bir faz şeklinde görünür. Yeni faz ve katı çözelti camlarını saptamak için As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistemin 0-33 mol.% Tl 3 As 2 S 3 Se 3 konsantrasyon aralığında olan alaşımların C de, mol.% Tl 3 As 2 S 3 Se 3 aralığında ise C sıcaklıkta 800 saat süre ile tutularak kristallendirilmiştir. Kristallendikten sonra alaşımların mikroyapı analizi yapılmıştır. Analizin sonuçları, başlangıç bileşenler esnasında sınırlı miktarda çözülme olduğunu ve 33,3 mol.% Tl 3 As 2 S 3 Se 3 yapılı alaşımın bir fazlı olduğu gözlenmiştir. Elde edilen bulgular sonucu alaşımların mikrosertliği, yoğunlukları camsı kristal geçişinde değişir (Tablo 1, 2). Araştırma zamanı sistemde mikrosertliğin üç farklı değeri elde edilmiştir, alaşımların yoğunlukları monoton olarak değişilmez kalmıştır. Sistemde 0-20 mol% Tl 3 As 2 S 3 Se 3 konsantrasyon aralığında mikrosertliğin değeri camsı hal için H μ =( ) MPa а, yoğunluğu ρ=(4,62-5,20) g/sm 3 e eşittir ki, bu da Аs 2 Sе 3 esnasında elde edilmiş katı çözelti ye, mikrosertliği H μ =( ) МPa а ve yoğunluğu ρ=(5,20-6,20) g/sm 3 değerinde yeni fazın TlAs 2 Se 3 S mikrosertliğine ve yoğunluğuna uygundur. Sistemin Tl 3 As 2 S 3 Se 3 taraftan nisbeten geniş bir fazlı kısmında Tl 3 As 2 S 3 Se 3 dan başlayarak mikrosertlik gittikçe artar ve sonra değişmez kalır. Bundan dolayı mikrosertliğin değeri H μ =( ) МPa, yoğunluğun değeri ise ρ=(6,50-7,05) g/sm 3 dır. Örnekler kristallendikten sonra Аs 2 Sе 3 esnasında elde edilmiş α-katı çözeltinin mikrosertliği H μ =( ) МPa a ve yoğunluğu ρ=(5,10-5,60) g/sm 3 e, Tl 3 As 2 S 3 Se 3 bileşiğin mikrosertliği H μ =( ) МPa a ve yoğunluğu ise ρ=(6,80-7,18) g/sm 3 e uygun gelmiştir. Böylelikle fizikokimyasal analiz metodları yardımı ile As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistemi Аs 2 S 3 - Аs 2 Se 3 -ТISе kvaziüçlü sisteminin ikiliye özdes (quasi-binary) faz diyagram olduğu saptanıp, sistemde katı çözelti alanı ve C de kongurent eriyen başlangıç bileşenlerin 2:1 oranında ТIAs 2 Sе 3 S yapılı bir bileşik olduğu tespit edilmiştir (Şekil 3).. Sistemde Аs 2 Sе 3 esnasında oda sıcaklığında 4 mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 camsı olduğu halde, ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 esnasında ise 16 mol. % Аs 2 Sе 3 çözünür. Аs 2 Sе 3 -ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 sisteminin likidusu α-katı çözeltisinden, ТIАs 2 Sе 3 S bileşikden ve β-katı çözeltisinin birincil kristallenme eğrilerinden oluşmuştur. Аs 2 Sе 3 ve Tl 3 As 2 S 3 Se 3 bileşiklerin birincil kristalleşmesi ötektik noktasında sonlanır. Ötektik noktasının bileşimi 20 mol.%

6 ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3, ötektik sıcaklığı ise C dir. Sistemde 0-20 mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 konsantrasyon aralığında likidusla solidus hattı arasındaki alaşımlar yukarıda gösterilen bileşenlerin oluşturduğu bir cinsli sıvıdan ve katı çözeltinin kristallerinden ibarettir (S+α). Aynı bölgede solidus hattından aşağıda ise ikifazlı alaşımlar (α+тi 3 Аs 2 Se 3 S) kristalleşmiştir. Şekil 4 de sistemin farklı alaşımlarının mikroyapıları verilmiştir mol. % ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 konsantrasyon aralığında likidus ve solidus hatları arasında bir cinsli sıvıdan ve ТI 3 Аs 2 Sе 3 S bileşiminin kristallerinden meydana gelen iki fazlı karışım mevcuttur. Bu bölgede likidus hattından aşağıda ТI 3 Аs 2 Se 3 S bileşiği kristalleşmiştir. Şekil 3. As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistemin faz diyagramı. Sistemin mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 kısmında, ТIАs 2 Sе 3 S ile ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 bileşiği arasında ikili ötektiklik oluşturmuştur. Ötektik bileşimi 65 mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 e, erime noktası ise C ye eşittir mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 konsantrasyon aralığında sıvı fazdan β-katı çözeltisinin birincil kristalleşme (katılaşma) fazları ayrılmış sonra solidusla likidus hattı arasında ise (S+β) bölge meydana gelmiştir. Solidus hattından aşağıda (β+тiаs 2 Sе 3 S) karışımından oluşan iki fazlı alaşımların kristallendiği gözlenmiştir. Camsı oluşumunda Аs 2 Sе 3 -ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 sistemin faz diyagramı ile camsı yapı arasında karşılıklı bir bağlantının olduğu tespit edilmiştir. Camsı yapıda АsSе 3/2 yapı birimleri bulunur, camsı kristalleşmede birincil kristalleşen faz Аs 2 Sе 3 kristalleri (0-20 mol. % ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 ) olur mol. % ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 konsantrasyon aralığında camsı yapı yeni fazın ТIАs 2 Sе 3 S yapı birimlerinden oluşmuş ve yapısına bağlı olarak maksimum kristallenme saptanmıştır. Sistemin bu kısmı tetragonal yapı zincirinden oluşmuş ve ТIАs 2 Sе 3 S un birincil kristallenmesi (katılaşma) gözlemlenmiştir.

7 Camların kristalleşme yeteneği yapıdan, sıcaklıktan ve kristallenme süresine bağlılığından öğrenilmiştir. Sistemde bileşiğe uygun olan camların kristalleşmesi kolay, ötektik yapılı camların kristalleşmesinin ise zor olduğu gözlenmiştir. Bunun sebebi hakkında edebiyatta kesin bilgi yoktur. Ötektik yapının zor kristalleşmesinin esas sebebi, ötektik noktasında ve ona yakın camsı bileşiklerin erime, kristalleşme ve yumuşama sıcaklıkları çok yakın olur. Sıcaklığın çok az değişmesi tam kristalleşme prosesini bozar ve kristalleşme uzun süre sonra erir. Bu da camsı bileşiklerin özelliklerinin ısıl işleme ve süresine bağlı olarak değiştiğini gösterir. Camsı bileşiklerin yapısına ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 bileşeni ilave ettikte yapısına bağlı olarak kristalleşmenin kolay oluşması gözlenmiştir. ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 bileşiği camsı olmasına bakmayarak, onun camsı bileşiğin (Аs 2 Sе 3 ) yapısına ilave edilmesi sonucunda bir cinsli küçük kristallerin oluşmasına neden olur (Şekil 4 d) ki, bu da ayrı ayrı kristal merkezler rolünü oynar ve camın kristalleşmesini kolaylaştırır. а b c d Şekil 4.Аs 2 Sе 3 -ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 sistem alaşımların mikroyapısı: а-3, b-50, c 90, d-65 mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 (ötektik), е-тi 3 Аs 2 Se 3 S (bileşik). Аs 2 Sе 3 ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 sistemin yapısında ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 bileşiğin miktarı arttıkça buna uygun olarak camın yapısında TI un miktarıda da artır ve bu zaman içinde metallik bağın payının artmasına neden olur. Metallik bağın payının artması camsı oluşumuna negatif etki eder. Lakin camsı yapısına kristal maddeler ilave edildiğinde camsı alanı azalır ve ayrı ayrı alanlarda metastabil ayrışma (liquation) oluşur. Ona göre de kristallenmenin oluşması, yüzeyle metastabil faz arasında ayrışma meydana gelir. Sistemde oluşan ТIAs 2 Sе 3 S bileşenin varlığını ispatlamak için tekrar olarak fiziko kimyasal analiz yöntemleri (DTA, XRD, MYA) kullanılmıştır. ТIAs 2 Sе 3 S bileşik camsı halde olduğu için onun analizi hem camsı, hem de kristal halinde yapılmıştır. Böylelikle fizikokimyasal analiz metodları yardımı ile As 2 Se 3 -Tl 3 As 2 S 3 Se 3 sistemi Аs 2 S 3 - Аs 2 Se 3 -ТISе kvaziüçlü sisteminin ikiliye özdes (quasi-binary) faz diyagram olduğu saptanıp, sistemde katı çözelti alanı ve C de kongurent eriyen başlangıç bileşenlerin 2:1 oranında ТIAs 2 Sе 3 S yapılı bir bileşik olduğu tespit edilmiştir. e

8 Sistemde Аs 2 Sе 3 esnasında oda sıcaklığında 4 mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 camsı olduğu halde, ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3 esnasında ise 16 mol. % Аs 2 Sе 3 çözünür. ТIAs 2 Sе 3 S bileşiğin camsı halinde mikrosertliği H μ =840 MPa, yoğunluğu ρ=6,25 g/sm 3 dür, kristal halinde ise mikrosertliği H μ =720 MPa, yoğunluğu ρ=6,40 g/sm 3 dir. Sistemde iki ötektik noktası oluşur, bileşimi 20 ve 65 mol.% ТI 3 Аs 2 S 3 Sе 3, ötektik sıcaklığı ise uygun olarak 240 ve C dir. Sistemin bütün alaşımları oda sıcaklığında soğutulduğu zaman camsı halinde elde edilir. Kaynaklar 1. Doynikov, L.I. Vilyanie nekotorıch elementov na fiziko chimiçeskih svoystva stekloobraznıh selenidov mışyaka. Diss.: kand. chim. nauk. L.: 180, Borisov, Z.U. Camsı yarıiletkenlerin elektriksel iletkenliğine kimyasal bağ türünün etkisi. Fiziko kimya dergisi, Çilt 41, Worniak, R.L. Infrared transmitting optical element. U.S. Pat May 8, Farzaliyev, A. A, Aliyev, İ.İ. Aliyev, İ. N. TlAs 2 Se 4 -TlAs 2 Se 3 S sistemin incelenmesi. Akademik M.F. Nağıyev in 100 nci Ölüm Yılı Dönümü münasebetiyle ilmi konfransın tezleri. Baku. 41, Aliyev, I.I., Magammedragimova, R.S., Babanly, K. N., Farzaliyev, A. A. Glassformation in As 2 S 3 -InX (X=S,Se,Te) systems. International conf. Under editing of NASU akademician Valery V. Skorokhod Oktober, Kiev Ukraine, 49, Aliyev I.I., Farzaliyev A. A., Magammedragimova, R.S., Aliyev, I.G. As 2 S 3 TlAs 2 S 2 Se 2 (InAs 2 S 2 Se 2 ) metastabil heterojen sistemi. Tüm Rusya Konferansı Özetleri «Kimya ve katı cisimler ve fonksiyonel malzemeler» Yekaterinburg, 9, Kolomieç, B.T., Lyubin, V. M. Arsenik üç selenit in amorf katman halinde fotoetknin bazı özellikleri. SSCB Blimler Akademisi raporları. Cilt 129, No 5, 789, Perry, G. A., Riseman, J. New dimensions in issthrough films og glass. Electronics, Vol. 39, No 20, 108, Aliyev, I.I., Gurşumov, A. P., Aliyev, F.G., Yusubov, Y. A. As 2 Se 3 TlTe sistemi. Yeni anorganik malzeme toplu eserler. Baku, Aliyev, I.I., Gurşumov, A. P. As 2 Te 3 TlSe sisteminde faz oluşumu. Yeni anorganik malzeme toplu eserler. Baku, 1992 Teşekkür: Bu çalışma, Adıyaman Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından ADÜBAP FEFBAP nolu projesi olarak desteklenmektedir. Verdiği destekten dolayı ADÜBAP a teşekkür ederiz.