ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR"

Transkript

1 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak Tabanlı Devre...37 Kesimde ölgesi...38 Aktif ölge ve Doyum ölgesi...38 Uygulama 1 :...38 Çözüm :...38 Uygulama 2:...39 Çözüm:...39 Ortak miterli Devre...40 Uygulama 3:...40 Çözüm...40 Ortak emiterli devrede çıkış karakteristiği...41 Kesim ölgesi...41 Aktif ölge ve Doyum ölgesi...42 Uygulama 4:...42 Çözüm :...42 Ortak Kollektörlü Devre...43 Uygulama 5:...43 Çözüm :...43 Transistörün maksimum değerleri...44 Uygulama 6:...44 Çözüm:...44 Kutuplama Amacı...45 i

2 ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Yapısı ve Sembolü ipolar transistör iki jonksiyonlu ve üç uçlu bir elemandır. Diyodun çalışmasındaki prensipler kullanılarak bipolar transistörün çalışması açıklanabilir. ipolar transistör yerine genellikle sadece transistör kelimesi kullanılmaktadır. NPN ve PNP olmak üzere iki çeşit transistör vardır. Transistör, emiter, taban ve kollektör uçlarından oluşur. NPN transistörde taban (baz), iki N bölgesi arasındadır. N bölgelerinden biri emiter, diğeri kollektördür. PNP transistörde ise taban, iki P bölgesi arasındadır. P bölgelerinden biri emiter, diğeri kollektördür. Transistörde taban bölgesinin genişliği ve katkılama oranı, emiter ve kollektöre göre çok küçüktür. miter ve kollektör aynı tür malzeme olmakla birlikte emiterin katkılama oranı kollektöre göre çok yüksektir. Şekil 3.1 de NPN ve PNP transistörlerin yapı ve sembolleri gösterilmiştir. Şekil 3.1. NPN ve PNP transistörlerin yapı ve sembolü. Transistörün Çalışması Transistörde iki jonksiyon mevcuttur. miter ile taban arasındaki jonksiyon ve taban ile kollektör arasındaki jonksiyon. u iki jonksiyonun kutuplanmasına göre transistör farklı bölgelerde çalışır. Tablo 3.1 de transistörün çalışma bölgeleri gösterilmiştir. Tablo.3.1 Transitörün çalışma bölgeleri. Çalışma ölgesi - jonksiyonu - jonksiyonu Aktif Doyma Kesim Ters İleri kutuplama İleri kutuplama Ters kutuplama Ters kutuplama Ters kutuplama (veya boş) İleri kutuplama Ters kutuplama (veya boş) İleri kutuplama 35

3 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Aktif ölge Transistörün dört farklı çalışma bölgesinden öncelikle aktif bölgeyi inceleyelim. NPN bir transistörün aktif bölgede çalışması için kutuplamanın nasıl yapıldığı Şekil 3.2 de gösterilmiştir. Aktif bölgede çalışan bir NPN transistörde - jonksiyonu ileri yönde, - jonksiyonu ters yönde kutuplanır. miter bölgesinde çoğunluk akım taşıyıcıları olan elektronlar kaynağın (-) ucu tarafından itilerek taban bölgesine doğru hareket eder. Taban bölgesinin dar olması ve az miktarda katkılanması sebebiyle, emiter bölgesindeki elektronların çok azı taban bölgesindeki deliklerle birleşir, çoğunluğu kollektör bölgesine geçer. unun nedeni - jonksiyonunun ters kutuplanmasıdır. miterdeki elektronlar, kollektöre bağlı (+) gerilim kaynağı tarafından çekilir. Aynı zamanda - de oluşan boşluk bölgesi emiterden gelen elektronların hareketini destekler. miterden gelen elektronların yaklaşık olarak % 99 u kollektöre gider. u akım kalın okla gösterilmiştir. Transistördeki diğer akımlar bu akımın yanında çok küçüktür. miter elektronları yayan bölgedir. Kollektör ise bu elektronların toplandığı bölgedir. miterden gelen elektronların yaklaşık olarak % 1 i tabana doğru gider. u esnada taban bölgesindeki deliklerin bir kısmı da emitere doğru hareket eder. Tabanın katkılama oranı çok düşük olduğundan bu akım da çok küçüktür. - jonksiyonunun ters yönde kutuplanması ile boşluk bölgesi oluşur ve sızıntı akımı geçer. de azınlık azınlık akım taşıyıcıları olan elektronlar ye doğru, de azınlık akım taşıyıcıları olan delikler ye doğru hareket eder. - uçlarına bir gerilim uygulanmadığında, - den geçen sızıntı akımı 0 sembolü ile gösterilir. Şekil 3.2. Aktif bölgede çalışan bir NPN transistörün kutuplanması. İleri yönde uygulanan geriliminin değeri, transistörden geçen emiter akımın miktarını belirler. Ters yönde uygulanan geriliminin kollektör akımına etkisi çok azdır. geriliminin arttırılması boşluk bölgesini genişletir ve baz bölgesini daraltır. u durumda emiterden kollektöre gelen elektronlar artar, tabana gelen elektronlar azalır. Devre çözümünde kabul edilen akım yönü elektron akışının tersidir. NPN transistörün aktif bölgede çalışması durumunda elektronların akışı ve akım yönü Şekil 3.3 te gösterilmiştir. Şekil 3.3. NPN transistörde akım yönleri. 36

4 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Transistörde taban akımı ile kollektör akımının toplamı emiter akımını verir. Taban akımı, emiter ve kollektör akımına göre çok küçüktür. Kollektör akımının emiter akımına oranı 1 e yakındır. u oran D akım kazancını verir ve α ile gösterilir. D + << αd > αd α D, D akım kazancı, < α D < Doyum ölgesi Tablo 3.1 de gösterildiği gibi her iki bölge de ileri yönde kutuplanırsa çalışma doyum bölgesinde olur. Doyumda - jonksiyonundaki boşluk bölgesi ortadan kalkar. Kollektörün emiterden gelen akım taşıyıcıları toplama özelliği büyük ölçüde azalır. ğer - jonksiyonundaki ileri kutuplama yeterli ise kollektör emiterden gelen akım taşıyıcılarını toplamaz ve emiter gibi tabana doğru akım taşıyıcı yayar. Kesim ölgesi Transistörün her iki jonksiyonu ters yönde kutuplanırsa çalışma kesim bölgesinde olur. miter taban bölgesine çoğunluk akım taşıyıcı göndermez. miter ve kollektörden sızıntı akımı geçer. miter akımının sıfır olması da kesim bölgesinde çalışmadır. Ters Çalışma ölgesi Transistörde kollektör ve emiter yer değiştirilerek kullanılırsa bu bölge ters çalışma bölgesidir. miter ve kollektörün katkılama oranı aynı olmadığı için bu bölgedeki çalışma, aktif bölgeden farklıdır. Kollektör ve emiterin değiştirilmesi genellikle mümkün değildir. Fakat bazı özel devrelerde transistör bu şekilde kullanılabilir. Ortak Tabanlı Devre Üç uçlu bir devre elemanında bir ortak uç, bir giriş ucu ve bir çıkış ucu vardır. Ortak uca göre transistör devreleri farklı karakteristik gösterir. Ortak uç taban ise ortak tabanlı devre oluşur. NPN ve PNP transistörlerin ortak tabanlı devresi Şekil 3.4 te gösterilmiştir. Ortak tabanlı devrede giriş akımı emiter, çıkış akımı ise kollektör akımıdır. Çıkış akımının giriş akımına oranı D akım kazancını verir ve α olarak tanımlanır. D Şekil 3.4. NPN ve PNP transistörlerde ortak tabanlı devreler. 37

5 ANALOG LKTONİK Kesimde ölgesi Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Kesim durumunda emiterden bir akım geçmez ve kollektör akımı oluşmaz. Transistörün kesimde olmasının sebebi aşağıdakilerden biri olabilir. - miter ucunun açık olması - - jonksiyonun kutuplanmaması ( 0) - İleri yöndeki - jonksiyon geriliminin yeterli olmaması - - jonksiyonuna ters yönde gerilim uygulanması Aktif ölge ve Doyum ölgesi - jonksiyonu yeterli bir ileri gerilim ile kutuplanırsa, emiter akımı geçer ve kollektör akımı oluşur. Kollektör akımı yaklaşık olarak, emiter akımına eşittir ( α D, α D 1, ). - jonksiyonu ters kutuplandığında transistör aktif bölgede çalışır ve nin arttırılması nin artmasına neden olur. - jonksiyonu ileri yönde kutuplandığında transistör doyuma girer ve nin arttırılması ile akımı değişmez. Uygulama 1 : Şekildeki devrede kullanılan silisyum NPN transistörde α D 1 kabul ederek, a) değerlerini hesaplayınız. b) 5.1 olması durumunda, değerlerini hesaplayınız. Çözüm : a) Transistörün - jonksiyonu doğru yönde kutuplanmıştır ma 3.3 kω 1 ma 20 1 ma x 15 kω 5 b) ma 3.3 kω 1.33 ma ma x 15 kω 0 ( transistör doyumda ) - jonksiyonu ters kutuplanmadığı için ( 0) transistör doyuma girmiştir. Doyumda akımının arttırılması yi arttırmaz. Kollektör akımının doyum değeri, sat sat şeklinde hesaplanır. 38

6 ANALOG LKTONİK Uygulama 2: Şekildeki devrede bir silisyum PNP transistör kullanılmıştır., ve değerlerini hesaplayınız. a) 4.7 kω b) 680 Ω c) 470 Ω d) 470 Ω, 150 Ω Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Çözüm: 15 a) Transistörün doyma akımı, sat sat 10 ma 1.5 kω mA 2 ma 4.7 kω < transistör doymaya girmez. Aktif bölgededir. sat 2 ma ma x 1.5 kω -12, sonuç negatif. PNP transistörü aktif bölgededir. b) c) mA 680 Ω > transistör doymaya girer. sat 10 ma sat ma x 1.5 kω ma 470 Ω > transistör doymaya girer. sat 10 ma sat 0 d) Transistörün yeni doyma akımı, 20 ma < transistör doymaya girmez. sat 20 ma 15 sat sat 100 ma 150 Ω ma x 150 Ω -12, sonuç negatif. PNP transistörü aktif bölgededir. 39

7 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Ortak miterli Devre Ortak emiterli devrede NPN transistörün aktif bölgede çalışması için uygulanan gerilimler Şekil.3.4 te gösterilmiştir. - uçlarına ve - uçlarına kutuplama gerilimleri uygulanır. - jonksiyonu ileri yönde kutuplanır yani gerilimi pozitiftir. Kollektöre, emitere göre pozitif gerilimi uygulanır. Kollektör gerilimi tabana göre aşağıdaki gibi yazılır. - jonksiyonunu ters kutuplamak için gerilimi pozitif olmalıdır. Yani gerilimi geriliminden büyük olmalıdır. gerilimi den küçük ise gerilimi negatif olur ve - jonksiyonu ileri yönde kutuplanır dolayısıyla transistör doymaya girer. Ortak emiterli devrede giriş taban, çıkış kollektördür. elirli bir giriş akımı için çıkış akımı oluşur. Transistörün çalışması ortak tabanlı devreki gibidir. Ortak tabanlı devredeki kazanç cinsinden ile arasındaki ilişki aşağıdaki gibi elde edilir. + αd + 0, 0 0, αd (1 α ). β β 1 α α + D D 1 α D D, βd. 1 αd D D α 1 α + D D : Akım kazancı + β D. (1 + β D ) Şekil 3.5. Ortak emiterli devre. Uygulama 3: ir transistör α D değerine sahiptir. Transistörün βd değerini hesaplayınız. Çözüm β α D D 1 αd

8 ANALOG LKTONİK Ortak emiterli devrede çıkış karakteristiği Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Ortak emiterli devrede bir NPN transistörün çıkış karakteristiği Şekil 3.6 da verilmiştir. A noktasında taban akımı sıfırdır ve transistörden çok küçük bir kollektör akımı geçer. u akım 0 sembolü ile gösterilir ( 0 αd. 0 ). A noktasında transistör kesimdedir. ve noktalarında transistör aktif bölgededir. Aktif bölgede kollektör akımı, taban akımının αd katıdır. Karakteristik üzerinde görüldüğü α D gibi her noktada aynı değildir. D noktasında ise transistör doyumda çalışır. Transistörde çalışma noktasının bulunması yük doğrusu çizilerek yapılabilir. (Şekil 3.5 ten) denklemi kullanılarak yük doğrusu çizilir. Karakteristik ile çakışan nokta çalışma noktasıdır. Transistör amplifikatör olarak kullanılıyorsa çalışma noktası dikkatli seçilmelidir. Kesim ölgesi Şekil 3.6. Ortak emiterli NPN transistörün çıkış karakteristiği. Kesim bölgesinde transistörden taban akımı geçmez. u durum, - jonksiyonunun açık devre olması, ters kutuplanması veya yeteri kadar kutuplanmaması ile ortaya çıkar. Transistörün kollektör-emiter uçları açık devre gibi davranır. Şekil 3.7. Ortak emiterli devrede transistörün kesimde olması. Kollektörden geçen akım sıfırdır ve kollektör-emiter uçlarında maksimum gerilim oluşur. Kesimde transistörden 0 akımı geçer. u akım ihmal edilebilir. 41

9 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Aktif ölge ve Doyum ölgesi - jonksiyonu yeteri kadar kutuplanmışsa taban akımı geçer. Aktif bölgede kollektör akımı βd. olarak hesaplanır. Taban akımı arttırıldığında kollektör akımı orantılı olarak artar. Doyma bölgesinde taban akımının arttırılması ile kollektör akımı artmaz. Doymada kollektör akımı maksimum değerine ve - gerilimi minimum değerine ulaşır. Doyma bölgesinde 0 kabul edilerek sat ve sat aşağıdaki şekilde hesaplanır. sat sat, sat sat Uygulama 4: Şekildeki devrede kullanılan NPN transistörde β 150 olduğuna göre, D k a) 100 Ω için,, ve değerlerini hesaplayınız. b) Taban direncini 50 kω alarak yukarıdaki işlemleri tekrarlayınız. c) 1mA olması durumunda ve yi hesaplayınız. Çözüm : a) 53 µa 100 kω 12 sat 12 ma 1kΩ 12 ma sat 80 µa 150 < sat olduğundan transistör aktif bölgededir. β 150 x 53 µa 7.95 ma D ma x 1 kω ma b) µa 50 kω sat 12 ma, sat 80 µa sat olduğundan transistör doyuma girer. sat 12 ma ma c) Taban akımı 1 ma ise transistör doyumdadır. Doyumda kollektör akımı sabit olup, taban akımı ile orantılı olarak artmaz. Taban akımının fazlalığı emiter akımını arttırır ma + 1 ma 13 ma 42

10 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Ortak Kollektörlü Devre Ortak kollektörlü devrede transistörün kutuplanması ortak emiterli devredeki gibidir. Şekil 3.8 de NPN transistörün ortak kollektör bağlantısı ve eşitlikler verilmiştir. Devrenin girişi taban, çıkışı ise emiterdir ( βd + 1) + ( βd + 1) + ( βd + 1) Taban akımı + ( βd + 1) direnci tarafından belirlenir. Şekil 3.8. Ortak kollektörlü devre. Doyumda ; sat, sat (1 + β sat D ) Uygulama 5: Şekil 3.5 teki ortak kollektörlü devrede β D 99 olarak bilinmektedir. 50 kω, 1kΩ, 12, 16 ve a) ve değerlerini hesaplayınız. b) gerilimi arttırıldığında kaç doymaya neden olur? Çözüm : a) 75.3 µ A 50 kω + (99 + 1).1kΩ (1 + βd ) 7.53 ma b) sat sat ma 1kΩ 16 ma µ A 1+ β D µ A 50 kω + (99 + 1).1kΩ

11 ANALOG LKTONİK Transistörün maksimum değerleri Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Transistörün maksimum değerleri, kollektör-taban gerilimi, kollektör-emiter gerilimi, emitertaban gerilimi, kollektör akımı, jonksiyon sıcaklığı ve harcanan güç için verilir. Transistörün gücü ile nin çarpımıdır. P. A- noktaları arasındaki bölge bölgedir. -D noktaları arasındaki bölge ise max bölgesidir. P max bölgesi - noktaları arasındaki bölgesidir. Şekil 3.9 da transistörün max maksimum güç eğrisi kollektör karakteristiği üzerinde çizilmiştir. ile noktası arasındaki herhangi bir noktada akım ve gerilimin çarpımı, transistörde harcanabilecek maksimum gücü verir. 12 x 50 ma 600 mw ( noktasında) 20 x 30 ma 600 mw ( noktasında) Transistörde harcanabilecek maksimum güç sıcaklıkla azalır. 25! de 1 W harcanabilen bir transistörde, sıcaklık katsayısı 5mW/! ise, bu transistörde 70! de harcanabilecek maksimum güç 1W - 5mW/! x ( 70! 25! ) W bulunur. Uygulama 6: Maksimum gücü 0.25 W olan bir transistörde maksimum akımı bulunuz Çözüm: P 0.25 W max ma 6 Şekil 3.9. ir transistörün maksimum güç eğrisi. gerilimi düşük iken kollektör akımı arttırılabilir. Akım max aşmamalıdır. 6 durumunda transistörden geçebilecek 44 sınırını, güç P max sınırını

12 ANALOG LKTONİK Kutuplama Devreleri Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ir transistörün yükseltici (amplifikatör) olarak çalışabilmesi için dc olarak kutuplanması (ön gerilimlenmesi) gerekir. Yükseltici devrenin girişine bir A işaret uygulandığında, çıkışta elde edilen işaret, D bileşen ile A işaretin toplamıdır. ir A işaret uygulanmazsa devrede sadece D bileşen mevcuttur. Şekil 3.10 da bu durum gösterilmiştir. Uygulamada transistör iki ayrı kaynak yerine tek bir kaynak ile kutuplanır. Şekil 3.11 de gösterilen ortak emiterli devrenin girişine bir A gerilim uygulanmıştır ve taban akımı 200µ A ile 400µ A arasında değişmektedir. Taban akımının 500 µ A den büyük olması durumunda kollektör akımı ve gerilimi doymaya gider. Taban akımının negatif olması durumunda ise transistör kesime gider. Çalışma noktasına ve sınırlara dikkat edilmelidir. Şekil ir yükselticide D ve A bileşenlerin toplamı. Şekil Çalışma noktasının bulunması. 45

13 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Taban Kutuplama Devresi - ve - jonksiyonlarının iki ayrı kaynak yerine tek bir kaynak ile kutuplanması daha pratik bir çözümdür. u devreye taban kutuplama devresi denir. Şekil 3.12 de taban kutuplama devresi gösterilmiştir. Şekildeki ortak emiterli devrede devrenin giriş ve çıkışına kondansatör konularak D bileşenler filtre edilmiştir. 0.7 Aktif bölgede; β. Şekil Ortak emiterli devrede taban kutuplama devresi. Devrede çalışma noktası kararlı değildir. gerilimi sıcaklığın artması ile azalır. geriliminin artması taban akımını azaltır. 0 sızıntı akımı sıcaklıkla artar. 0 akımı, direnci üzerinde taban akımını arttırıcı yönde bir gerilim oluşturur. βd de sıcaklıkla değişir. u değişimler devrede çalışma noktasının değişmesine yol açar. ve 0 ın değişmesi gerilimine göre oldukça küçüktür. Çalışma noktasındaki kararsızlık daha çok β D deki değişimden kaynaklanır. miter Dirençli Kutuplama Devresi miter direncinin eklenmesi kararlılığı arttırır. Çalışma noktasındaki değişim çok küçüktür. 0 ( β + 1). + ( β + 1) β. ( + ) Şekil miter dirençli kutuplama devresi 46

14 ANALOG LKTONİK Gerilim ölücü ile Kutuplama n çok kullanılan kutuplama devresidir. Çalışma noktası β D den bağımsızdır. Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Şekil Gerilim ölücü Devre ile Kutuplama D + << (1 + β ) ise (1 + β D ) ( + ) miter akımının β D den bağımsız olması nedeniyle devredeki çalışma noktası kararlıdır. Uygulama 7: Şekil 3.14 teki devrede 1 39 kω, kω, 10 kω, 1.5 kω, 22 ve β 140 olarak verilmiştir. Transistörün gerilimini, i akımını ve transistörde harcanan gücü hesaplayınız. Çözüm: kω ma ( ) mA.10 k Ω P mA mw 47

15 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Geribeslemeli D Öngerilimleme Şekil 3.15 te geribeslemeli bir öngerilimleme devresi gösterilmiştir. Geribesleme de emiter direnci gibi öngerilimleme kararlılığını arttırır. 0 ' ' + ( β + 1) ( β + 1) ( β + 1) 0 + ( β + 1)( + ) 0 ' ' ( + ) Şekil Geribeslemeli D öngerilimleme Uygulama 8: Şekil 3.15 teki devrede olarak verilmiştir. Transistörün hesaplayınız. 250 kω, 1.2 kω, 3 kω, 10 ve β 50 gerilimini, i akımını ve transistörde harcanan gücü Çözüm: µ A + β + 1)( + ) 250 kω + 51.(3 kω kω) ( ( β + 1) µ A 1.02 ma ( + ) ma.(3 kω kω ) bulunur. P ma mw Öngerilimleme Devrelerinde Kararlılık - Ters yönde kollektör akımı (kaçak akımı 0 ) sıcaklıktaki her 10! artışla ikiye katlanır. - az emiter gerilimi, her! başına 2.5 m azalır - Transistörün akım kazancı, sıcaklıkla artar. Kararlılık faktörü S, sıcaklık nedeniyle bir parametrede meydana gelen değişiklik nedeniyle kollektör akımında görülen değişmenin ölçüsüdür. Öngerilimleme devrelerinin tasarımında öncelikle transistörün β sındaki değişmelere karşı kararlılık hedeflenir. 48

16 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Örnek bir D Kutuplama Devresinin Tasarımı Transistörlü bir devrede çalışma noktasının önceden belirlenmesi gerekli olduğunda, devre elemanlarının seçilerek bir tasarım yapılması gerekir. Tasarım işleminde devre türüne göre bazı özel kabuller yapılır. urada örnek olarak Şekil 3.14 te verilen gerilim bölücülü kutuplama devresinin tasarımı incelenecektir. u devrede emiter ile toprak arasına bir direnç yerleşmek, dc kutuplama kararlılığı sağlar. Transistörün kaçak akımları nedeniyle kollektör akımında ve transistörün β değerinde meydana gelen değişimlerin, çalışma noktasında büyük bir değişikliğe yol açmaması sağlanır. miter direnci büyük tutulmaz, çünkü üzerinde düşen gerilim kollektör-emiter arasındaki gerilimin değişim aralığını sınırlar. miter direncinin üzerindeki gerilim geriliminin 1/10 u seçilerek tasarım yapılır. Önce emiter direnci seçilerek, daha sonra hesaplanır. Gerilim bölücü dirençlerin hesabı baz akımı ihmal edilerek yapılır. 1 ve 2 dirençlerini belirlemek için bu dirençlerden geçen akımın, taban akımının 10 katı olacağını kabul edilirse aşağıdaki eşitlikler elde edilir β 10 Uygulama 9: Gerilim bölücü ile yapılan kutuplama devresinde transistörün β akım kazancı 150 ve kaynak gerilimi 16 olarak bilinmektedir. Devrede çalışma noktasının 1mA ve / 2 olması için devrede kullanılacak direnç değerlerini hesaplayınız. Çözüm: Tasarımda emiter gerilimi, kaynak geriliminin yaklaşık onda biri seçilir kω bulunur ( 1mA ). 1mA 8 olması istendiğine göre, kω bulunur. 1mA x1.6 kω 2 β 24 kω kω kω kω bulunur. 49

17 ANALOG LKTONİK Darlington ağlantı Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Akım kazancı yüksek olan transistörler yükseltici devrelerde tercih edilir. Akım kazancı 1000 civarında olan transistörler mevcuttur. Daha yüksek bir kazanç elde etmek için Şekil 3.16 da gösterildiği gibi iki transistörden oluşan darlington bağlantı kullanılır. Darlington bağlantıda akım kazancı iki transistörün akım kazançlarının çarpımına eşittir. u kazanç 7000 ile arasındadır. Darlington çiftinin giriş empedansı yüksektir. Darlington bağlantıdaki iki transistör, genellikle tek bir transistör kılıfında üretilir. Darlington çiftine örnek olarak NPN olan 2N5308A gösterilebilir. 1 β β22 β2β11 β. 1 β β 1 β 2 Şekil NPN Darlington transistör çifti Transistörün Anahtar Olarak Kullanılması Transistör anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Transistör sayısal devrelerde, kontrol, sayıcı, zamanlama, veri işleme, ölçme devrelerinde, radar, televizyon vb. devrelerinde anahtar olarak kullanılır. Transistör anahtar olarak kullanıldığında iletim ve kesim olmak üzere iki konumda çalışır. İletim konumunda direnci Ω arasındadır ve kısa devre kabul edilebilir. Kesim konumunda transistör açık devre gibi davranır ve direnci MΩ arasındadır. Transistörün anahtarlama hızı da önemli bir değişkendir. Transistörün iletime ve kesime girme sürelerinin toplamı 1 µs civarında ise, transistörün çalışabileceği maksimum frekans f 1 / T 1 MHz olur. Şekil 3.16 da transistörün anahtar olarak kullanıldığı bir devre ve yük geriliminin değişimi verilmiştir. Şekil Transistörün anahtar olarak kullanılması. 50

18 ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN İnverter Devresi Transistörün anahtar olarak kullanıldığı devrelerden biri de inverter devresidir. İnverter devresi sayısal devrelerin temelidir. İnverter devresinde girişe kare dalga gerilim uygulanır. Kollektör ile toprak arasından alınan çıkış gerilimi giriş geriliminin tersidir. Giriş gerilimi 0 iken transistör kesimdedir ve çıkış gerilimi 5 tur. Giriş gerilimi 5 iken transistör iletime girer ve çıkış gerilimi 0 olur. Devre transistör iletimde iken doymada çalışacak şekilde tasarlanır. Şekil 3.17 de transistörlü inverter devresi ile giriş ve çıkış gerilimleri gösterilmiştir. Şekil Transistörlü inverter devresi. Uygulama 10: Şekilde verilen devrede transistör anahtar olarak çalışmakta ve bir lambayı kontrol etmektedir. Giriş gerilimi 6 iken lamba yanmaktadır. Lamba 24 ta 20 ma geçirmektedir. a) Giriş gerilimi 6 iken transitörün doymada çalışması için akım kazancı ne olmalıdır? b) Lambaya verilen güç ile transistörün giriş gücünü hesaplayınız. Çözüm : a) Transistör iletimde iken lamba gerilimi 24 ve kollektör akımı 20 ma dir µ A 100 kω 20 ma β µ A Transistörün doymada çalışabilmesi için akım kazancı en az 377 olmalıdır. b) Lamba gücü 24 x 20 ma 480 mw Transistörün giriş gücü 6 x 53 µ A mw Çok küçük bir giriş gücü ile yükün gücü kontrol edilmektedir. 51

19 ANALOG LKTONİK Transistör Katalog ilgileri Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN Transistör kataloglarında belirli bir transistöre ait çalışma karakteristikleri, parametre değerleri, karakteristik eğrileri, mekaniksel bilgiler ve maksimum çalışma değerleri verilir. ir devrede kullanılacak olan transistörün öncelikle maksimum değerlerine dikkat edilmelidir. Aşağıdaki Tablo 3.2 de bir transistörün 25 deki maksimum değerleri verilmiştir. Tabloda gerilim sembollerinin başındaki harfi ters yöndeki devrilme gerilimini temsil eder. Tablo 3.2. ir transistörün 25 deki maksimum değerleri 0 miter-taban gerilimi 6 Kollektör taban gerilimi 25 0 Kollektör emiter gerilimi 20 0 Kollektör akımı 300 ma max P Toplam kayıp 150 mw D max T Jonksiyon sıcaklığı 150 J max Uygulama 11: Şekilde verilen devreleri Tablo 3.2 de verilen transistörün maksimum değerlerini kullanarak inceleyiniz. Çözüm: a) - jonksiyonu 10 ile ters kutuplanmıştır. u değer 6 olan 0 değerinden büyüktür. Transistör tahrip olur. b) Kollektör akımı 50 ma olup max değerden küçüktür. Kollektör-emiter ise gerilimi 5 tur. Transistörde harcanan güç P. 50 ma mw tır. Güç PD max değerinden büyük olduğundan transistör tahrip olur. c) Kollektör-taban arasındaki besleme gerilimi 30 tur. 0 gerilimi 25 olduğundan transistör bozulur. d) miter-kollektör arasındaki gerilim 25 tur. u gerilim 20 olan 0 geriliminden büyük olduğundan transistör bozulur. 52

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 5. ölüm: JT D Öngerilimleme Doç. Dr. rsan KAAL 1 Öngerilimleme Transistörün düzgün bir şekilde çalışması için öngerilimlenmesi gerekir. DA çalışma noktasını oluşturmak için birçok yöntem vardır. Öngerilimleme

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ AMAÇLAR: ir transistor ün kolektör e baz eğrilerinin görülmesi. Transistor ün beta ( β) değerinin belirlenmesi. Sıcaklığa bağlı değişimlerin belirlenmesi.

Detaylı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun

Detaylı

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum

Detaylı

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır. Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

Şekil 1.1. Hidrojen atomu

Şekil 1.1. Hidrojen atomu ANALOG ELEKTRONİK ANALOG ELEKTRONİK... i A. KISA ATOM BİLGİSİ...1 Giriş...1 Yörünge ve Kabuk...1 Enerji Bantları...2 İletken, Yarı İletken ve Yalıtkanlar...4 Kovalent Bağ...5 Saf Yarı İletken Malzemenin

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI

ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI ENEY-2 JT E MOSFET İN ÖZELLİKLERİNİN ÇKARTLMAS ENEYİN AMA: ipolar jonksiyonlu transistör (JT) ve MOS transistörün (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik ve pratik olarak

Detaylı

BÖLÜM 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ. Konular: Amaçlar:

BÖLÜM 5 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ. Konular: Amaçlar: ÖLÜM 5 5 TRANSİSTÖRLRİN D ANALİZİ Konular: Amaçlar: 5.1 Transistörde D çalışma noktası 5.2 Transistörde temel polarama 5.3 eyz polarma 5.4 Gerilim bölücülü polarma devresi 5.5 Geribeslemeli polarma devresi

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

Doğru Akım Devreleri

Doğru Akım Devreleri Doğru Akım Devreleri ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için elektromotor kuvvet (emk) adı verilen bir enerji kaynağına ihtiyaç duyulmaktadır. Şekilde devreye elektromotor

Detaylı

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

DENEY 2 UJT Karakteristikleri

DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. UJT nin iç yapısını ve karakteristiklerini öğrenmek. 2. UJT nin çalışma ilkelerini ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek 3. UJT karakteristiklerinin

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP

GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP GÜÇ ELEKTRONİĞİ TEMEL KONTROLLÜ GÜÇ ELEMANLARI YRD.DOÇ. MUHAMMED GARİP TRİSTÖR (SCR) Yapı ve Sembol İletim Karakteristiği KARAKTERİSTİK DEĞERLER I GT : Tetikleme Akımı. U GT : Tetikleme Gerilimi I GTM

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY

Detaylı

Elektrik Devre Temelleri 3

Elektrik Devre Temelleri 3 Elektrik Devre Temelleri 3 TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini

Detaylı

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI KONDANSATÖR Kondansatör iki iletken plaka arasına bir yalıtkan malzeme konarak elde edilen ve elektrik enerjisini elektrostatik enerji olarak depolamaya

Detaylı

DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı 1. Deneyin Amacı DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot çeşitlerinin

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

BÖLÜM 3 ALTERNATİF AKIMDA SERİ DEVRELER

BÖLÜM 3 ALTERNATİF AKIMDA SERİ DEVRELER BÖÜM 3 ATENATİF AKMDA SEİ DEVEE 3.1 - (DİENÇ - BOBİN SEİ BAĞANMAS 3. - (DİENÇ - KONDANSATÖÜN SEİ BAĞANMAS 3.3 -- (DİENÇ-BOBİN - KONDANSATÖ SEİ BAĞANMAS 3.4 -- SEİ DEVESİNDE GÜÇ 77 ATENATİF AKM DEVE ANAİİ

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

Elektronik Ders Notları 6

Elektronik Ders Notları 6 Elektronik Ders Notları 6 Derleyen: Dr. Tayfun Demirtürk E-mail: tdemirturk@pau.edu.tr 1 TRANSİSTÖRLERİN DC ANALİZİ Konular: Transistörde DC çalışma noktası Transistörde temel polarama Beyz polarma Gerilim

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot Karakteristikleri Diyot, zener diyot DENEY

Detaylı

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Proje Adı Proje No.

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Proje Adı Proje No. YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ Proje Adı Proje No Işığı Takip Eden Kafa - 2 Proje Raporu Adı, Soyadı, Öğrenci Numarası

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ

BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,

Detaylı

BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)

BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre) BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre) Lineer modda, transistör DC devreleri için aşağıdaki şekilde gösterilir: Lineer modda Base Emitter

Detaylı

GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ

GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ DENEY 1 GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ YENİLEBİLİR ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUAR YRD. DOÇ. DR. BEDRİ KEKEZOĞLU DENEY 1 GÜNEŞ ENERJİSİ SİSTEMLERİ 1. GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ Dünyamızın en büyük enerji kaynağı olan

Detaylı

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri

Detaylı

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 04: BJT TRANSİSTÖR VE AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:

Detaylı

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken) KTÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı DOĞRULTUCULAR Günümüzde bilgisayarlar başta olmak üzere bir çok elektronik cihazı doğru akımla çalıştığı bilinen

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri

Detaylı

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir. DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad

Detaylı

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici DENEY-1 Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici Deneyin Amacı: Transistör kullanarak ortak emiterli küçük sinyal yükseltici yapılması ve özelliklerinin incelenmesi Teorinin Özeti: Bipolar transistör iki

Detaylı

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. Triyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 2. Diyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 3. Diyak-Triyak faz kontrol devrelerini incelemek.

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11 MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır?

1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır? 1. Direnç değeri okunurken mavi renginin sayısal değeri nedir? a) 4 b) 5 c) 1 d) 6 2. Direnç değeri okunurken altın renginin tolerans değeri kaçtır? a) Yüzde 10 b) Yüzde 5 c) Yüzde 1 d) Yüzde 20 3. Direnç

Detaylı

BÖLÜM 4 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR. Konular: Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları

BÖLÜM 4 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR. Konular: Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları ÖLÜM 4 4 İPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları Konular: 4.1 Transistörün Yapısı 4.2 Transistörün Çalışması 4.3 Transistör Karakteristikleri ve parametreleri

Detaylı

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral

Detaylı

DENEY 4 PUT Karakteristikleri

DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. PUT karakteristiklerini ve yapısını öğrenmek. 2. PUT un çalışmasını ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek. 3. PUT karakteristiklerini ölçmek. 4.

Detaylı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı

DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

Elektrik Devre Temelleri

Elektrik Devre Temelleri Elektrik Devre Temelleri 3. TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) 1 PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2

Detaylı

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı