DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
|
|
- Savas Koray
- 5 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler J113 N-kanallı JFET, 100 Ω, 100 kω direnç ve bağlantı kabloları DC güç kaynağı, Multimetre 9.3. Teorik Bilgiler ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollü ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), D (Drain) ve S (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü Şekil 1 de gösterilmiştir. FET ler aşağıdaki gibi 3 grupta toplanabilir. - JFET (Jonksiyon FET) - IGFET( Kapı izoleli FET) - MOSFET (Metal oksit yarı iletken FET) JFET BJT akım kontrollü bir elemandır yani beyz akımı ile kollektör akımı kontrol edilir. FET ise gerilim kontrollu bir elemandır. FET in kapı (G) ile kaynak (S) arasına uygulanan gerilim ile kanaldan (D ile S arasından) geçen akım kontrol edilir. G-S uçlarına uygulanan gerilim, kanaldan geçen akımın yönüne dik olan bir elektrik alanı oluşturur. JFET, N veya P kanal olabilir. N kanal JFET de, kanal N tipi ve kapı P tipi bir malzemedir. Kapıdan kanala bir P-N jonksiyonu mevcuttur. Kapıya uygulanan gerilim P- N jonksiyonunu ters yönde kutuplar ve kapıdan çok küçük bir sızıntı akımı geçer. Bu nedenle FET lerde giriş direnci çok yüksektir ( 1000 MΩ). G ile S uçlarına ters yönde bir gerilim uygulandığında, P-N jonksiyonunda boşluk bölgesi oluşur. Boşluk bölgesinde akım taşıyıcısı yoktur. Boşluk bölgesi kanal içine doğru genişleyerek kanalın akım geçiren kısmını daraltır ve kanalın direncini arttırır. Bu durum Şekil -2 de gösterilmiştir. Kanalın direnci ve kanaldan geçen akım, V GS ile V DS nin fonksiyonudur. 1
2 Şekil 1. JFET yapı ve sembolleri, a) N kanal ve b) P kanal. Şekil 4.2. N kanal JFET in çalışma prensibi. N kanal FET te G ile S uçları arasına 0 veya negatif bir gerilim, D ile S uçları arasına ise pozitif bir gerilim uygulanır. Kapıdan kanala olan P-N jonksiyonu ters yönde kutuplanır. V GD = V GS V DS olduğuna göre, V GD gerilimi V GS e göre daha negatiftir. Bu nedenle, G ile D arasındaki bölgede ters yönde kutuplanan P-N diyodunun boşluk bölgesi daha geniş olur. V GS = 0 iken V DS geriliminin arttırılması ile N kanal JFET te elde edilen karakteristik Şekil-3 te gösterilmiştir. A ile B noktaları arasındaki direnç bölgesinde V DS nin 0 dan itibaren arttırılması ile i D akımı I DSS değerine kadar artar. A ile B arasında, boşluk bölgesinin genişliği etkili olmadığından kanalın direnci sabittir. V GS = 0 iken geçen I DSS akımı FET in maksimum akımıdır. B noktasında V DS gerilimi V P değerini alır. B noktasından sonra, V DS geriliminin artırılması ile i D akımı değişmez. C noktasından sonra V DS geriliminin artırılması, P-N jonksiyonunun ters yönde devrilmesine neden olur ve i D akımı hızla artar. B ile C noktaları arasındaki bölgeye pinch-off bölgesi denir. P-N jonksiyonunun ters kutuplanması ile oluşan boşluk, pinch-off bölgesinde kanalı tıkar ve kanal direncini artırır. Buna rağmen 2
3 kanal akımı sabit kalır. Akımın sabit kalmasının nedeni, V DS geriliminin kanal direncindeki artışı dengelemesidir. V DS gerilimi, kaynaktan çıkan elektronların tıkalı bölgeyi geçerek D ucuna ulaşmasını sağlar. B noktasındaki V DS gerilimine V P pinch-off gerilimi denir. Şekil-3. V DS = 0 iken N kanal JFET in karakteristik eğrisi. V GS ve V DS gerilimleri değiştirildiğinde, N kanal JFET te i D akımının değişimi Şekil-4 te verilmiştir. FET in kesim bölgesinde V GS gerilimi V P ye eşit olur. Bu durumda boşluk bölgesi kanalı tamamen tıkar ve kanal direnci çok büyüktür. V DS geriliminin artırılması ile (ters devrilmeye kadar) kanaldan akım geçemez. V GS = 0 iken, V DS gerilimi V P değerini aldığında FET in akımı I DSS değerini alır. Bu esnada G ile D uçları arasındaki P-N jonksiyonu, V p gerilimi ile ters yönde kutuplanır ve G ile D arasındaki boşluk bölgesi kanalı tıkar. V GD = V P durumu pinch-off bölgesinin başlangıcıdır. V GS negatif bir gerilim ve V DS gerilimi V P değerinden küçük iken V GD = V P şartı sağlandığında, G-D arasındaki kanal tıkanır ve pinch-off bölgesinde çalışma gerçekleşir. Bu durumda V DS küçük olduğundan i D akımı da I DSS ten küçüktür. V DS in pinch-off değeri V DS(P) = V P + V GS şeklinde hesaplanır. Şekil-4 ve 5 te FET in karakteristik eğrileri ve çalışma bölgeleri gösterilmiştir. 3
4 Şekil-4. N kanal JFET in karakteristik eğrileri. Şekil-5. N kanal JFET in çalışma bölgeleri. 4
5 JFET in Transfer Karakteristiği N kanal FET te V GS gerilimi, 0 ile V P arasında değiştirilerek I D akımı kontrol edilir. P kanal FET te ise I D akımının kontrolu için V GS gerilimi 0 ile V P arasında değiştirilir. Kesimdeki V GS değerine V GS(off) da denir. V GS(off) ile V P mutlak değer olarak birbirine eşittir. Katalogların çoğunda sadece V GS(off) değeri verilir. Bu değer 10 na gibi çok küçük bir akımda tanımlanır. V GS gerilimi ile I D akımı arasındaki ilişki aşağıdaki eşitlikte verilmiştir. Bu eşitliğe göre, V GS gerilimi ile I D akımı arasındaki ilişki, yani transfer karakteristiği parabolik bir değişim gösterir. N kanal FET in transfer karakteristiği Şekil 6 da gösterilmiştir. Örnek 1: Şekil-6. N kanal JFET in transfer karakteristiği. 5
6 İleri Yön Geçiş İletkenliği FET de ileri yön geçiş iletkenliği g m, V DS gerilimi sabit iken, I D akımındaki değişimin V GS gerilimindeki değişime oranı olarak tanımlanır. FET in transfer karakteristiği lineer olmadığı için g m çalışma noktasına bağlı olarak değişir. Şekil-7 de farklı çalışma noktalarında g m in bulunması gösterilmiştir. Şekil-7. N kanal JFET te farklı çalışma noktalarındaki g m. V GS = 0 iken g m değeri g m0 olarak tanımlanır. Herhangi bir noktadaki g m değeri, g m0 a göre aşağıdaki eşitlikle hesaplanır. Örnek 2: I DSS = 8mA ve V P = 4V olan bir JFET için g m değerlerini aşağıdaki çalışma noktaları için hesaplayınız. a) V GS = 0.5V. b) V GS = 1.5V. c) V GS = 2.5V. Çözüm: İstenen noktalardaki eğimler bulunarak g m değerleri tesbit edilebilir. Bunun için bu noktaların her iki tarafından, eğimi en iyi yansıtan, uygun bir aralık belirlenip hesap yapılır. 6
7 JFET in kutuplanması JFET de kutuplamanın amacı uygun bir V GS gerilimi ile istenilen I D akımını sağlamaktır. edilir. V G gerilimi sızıntı akımı çok küçük olduğundan 0 kabul Şekil-8 JFET in kutuplanması. Örnek 3: 9.4. Ön Hazırlık Soruları 1. Deney föyündeki örnek soruları inceleyiniz. 2. Deneyin benzetimini Proteus programında gerçekleştiriniz (J113 yerine U309 kullanabilirsiniz). 7
8 9.5. Deneyin Yapılışı Çıkış Karakteristiği R D = 100 Ω R G =100 kω 1. Şekildeki devreyi kurup V GS = 0V için V GG kaynağını 0V a ayarlayınız. 2. V DD yi değişirerek V DS yi tablodaki değerlere ayarlayınız. Her V DS için I D akımını ölçünüz ve tabloya kaydediniz (I D, R D üzerindeki gerilimden hesaplanabilir). 3. Yukarıdaki işlemleri V GS -0.5V, -1V, -1.5V için tekrarlayınız. 4. Çıkış karakteristik eğrisini elde ettiğiniz verilerden çiziniz. V DS (V) V GS = 0V V GS = 0. 5V V GS = 1V V GS = 1. 5V I DS I DS I DS I DS Transfer Karakteristiği 1. Aynı devrede V DD yi değiştirerek V DS = 10V a ayarlayınız. 2. V GG yi değişirerek V GS yi -0.5V dan -3.5V adım adım değiştirip I D akımını ölçünüz ve tabloya kaydediniz (I D, R D üzerindeki gerilimden hesaplanabilir). 3. Transfer karakteristik eğrisini elde ettiğiniz verilerden çiziniz. V DS = 10V V GS (V) I D (ma)
9 Hesaplamalar I DSS akımı: V GS = 0 iken FET kanalından geçen akımın maksimum değeridir. Pinch-off gerilimi V P (V GS(off) ): I D akımının sıfır olduğu andaki V GS gerilimidir. g m iletkenliği: Kanal akımındaki küçük bir değişimin ( I D ), buna karşılık gelen V GS deki değişime ( V GS ) oranıdır. g m = I D / V GS (sabit V DS de) Çıkış direnci: JFET pinch-off bölgesindeyken, V DS deki küçük bir değişimin ( V DS ), buna karşılık gelen I D deki değişime ( I D ) oranıdır. r D veya r o = V DS / I D (sabit V GS de) 9.6. Deney Sonuç Soruları 1. Deneyde elde edilen verilerden çıkış karakteristik eğrisini ve transfer karakteristiği eğrisini çiziniz. 2. V P ve I DSS değerlerini çizdiğiniz eğrilerden belirleyiniz. 3. Çizdiğiniz eğrilerden V GS = 1V ve V GS = 2V çalışma noktalarındaki g m değerlerini bulunuz. 4. V GS = 1V ve V GS = 2V çalışma noktalarındaki g m değerlerini, deneyde elde ettiğiniz V P ve I DSS değerlerini kullanarak teorik olarak hesaplayınız. 5. JFET ile BJT nin avantaj ve dezavantaj karşılaştırmasını yapınız. 6. Şekildeki devrenin I D, V DS, V D, V S, V G değerlerini bulunuz. Kaynakça ve Notlar Electronic Devices And Circuit Theory, Prentice Hall 9
ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
DetaylıBölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri 7.1 DENEYİN AMACI (1) JFET in temel karakteristiklerini anlamak. (2) MOSFET in temel karakteristiklerini anlamak. 7.2 GENEL BİLGİLER 7.2.1 Yeni Terimler: (1) JFET
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıBölüm 8 FET Karakteristikleri
Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri
DetaylıDeney 2: FET in DC ve AC Analizi
Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıDENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ Alan Etkili Transistör (FET) Alan etkili transistörler 1 bir elektrik alanı üzerinde kontrolün sağlandığı bir takım yarıiletken aygıtlardır. Bunlar iki çeşittir:
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıBölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak
DetaylıDENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları
Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir
DetaylıKırpıcı devrelerin çalışma prensiplerinin deney yoluyla incelenmesi.
DENEY 2: KIRPICI DEVRELER 2.1. Deneyin Amacı Kırpıcı devrelerin çalışma prensiplerinin deney yoluyla incelenmesi. 2.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) 1N400X diyot 2) 1KΩ direnç ve bağlantı kabloları
DetaylıBu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.
DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıDENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı
DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER 3.1. Deneyin Amacı Yarım ve tam dalga doğrultucunun çalışma prensibinin öğrenilmesi ve doğrultucu çıkışındaki dalgalanmayı azaltmak için kullanılan kondansatörün etkisinin
DetaylıMOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11
MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
DetaylıT.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU
T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV
DetaylıDENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI
DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik
DetaylıT.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT
T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ Deneyin Amacı: DENEY-1:DİYOT Elektronik devre elemanı olan diyotun teorik ve pratik olarak tanıtılması, diyot
DetaylıELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ
DetaylıŞekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri
DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıT.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları
T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232
DetaylıMOSFET Karakteristiği
Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıMOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı
MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
DetaylıFET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9
FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ Hafta 9 Prof. Dr. Mehmet Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği 1 Alan-Etkili Tranzistörler (FET ler) Hatırlanacağı üzere
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıFET Transistörün Bayaslanması
MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
Detaylı7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI
7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1 Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden
DetaylıBMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup
DetaylıTRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI
DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6. --Thevenin Eşdeğer Devresi--
ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 6 --Thevenin Eşdeğer Devresi-- DENEYİN AMACI Deneyin amacı iki terminal arasındaki gerilim ve akım ölçümlerini yaparak, Thevenin eşdeğer devresini elde etmektir. GEREKLİ
DetaylıELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri
DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
DetaylıT.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıOHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI
DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, Ohm kanunu işlenecektir. Seri ve paralel devrelere ohm kanunu uygulanıp, teorik sonuçlarla deney sonuçlarını karşılaştıracağız ve doğrulamasını yapacağız.
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
Detaylı1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıT.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıELEKTRONİK LAB. I DİYOT KARAKTERİSTİĞİ
KURALLAR: Deneye isminizin bulunduğu grupla beraber, ilgili saat ve günde geliniz. Deney grubu değişiklikleri için (başka bir dersle çakışması vb. durumlarda) deneyden sorumlu öğretim elemanı ile görüşebilirsiniz.
DetaylıT.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I
T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad
DetaylıDENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ
DENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ Deneyin Amacı: Gerilim ve akım bölmenin anlaşılması, Ohm ve Kirchoff kanunlarının geçerliliğinin deneysel olarak gözlenmesi.
DetaylıELEKTRONİK LAB. 1. DENEY QUİZ ÇALIŞMA SORULARI
ELEKTRONİK LAB. 1. ENEY QUİZ ÇALIŞMA SORULARI Laboratuvar başlangıcında 15 dk sürecek tek soruluk Quiz yapılacaktır. Bu dökümandaki Quiz Çalışma Sorularından ve eney föyü teorik kısımdaki sorulardan sorulacaktır.
DetaylıDENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI
ENEY-2 JT E MOSFET İN ÖZELLİKLERİNİN ÇKARTLMAS ENEYİN AMA: ipolar jonksiyonlu transistör (JT) ve MOS transistörün (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik ve pratik olarak
DetaylıT.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I
T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 6: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıDENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri
DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. Triyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 2. Diyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 3. Diyak-Triyak faz kontrol devrelerini incelemek.
DetaylıR 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1
DENEY #4 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ ve MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi Kullanılan Alet ve Malzemeler: 1) DC Güç Kaynağı 2) Avometre
DetaylıElektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,
YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum
DetaylıEEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıEEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3
GERĐLĐM BÖLÜCÜ EEM 0 DEVRE TEORĐSĐ I 3. Amaçlar: Yük Olmadan Gerilim Bölücü Đşlemi: Yüksüz gerilim bölücü devrede gerilim oranlarının ölçülmesi. Gerilim bölücü formülü. Yük Altında Gerilim Bölücü: Yük
DetaylıDENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ
DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ 8.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde fark yükselteçleri analiz edilecek ve girşçıkış sinyalleri incelenecektir. 8.2 TEORİK BİLGİ Fark yükselteçleri birçok entegre devrelerde kullanılan
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDeney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:
Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları Amaç: Diyot elemanını ve çeşitlerini tanımak Diyotun çalışma mantığını kavramak Diyot sağlamlık kontrolü İleri kutuplama, geri kutuplama ve gerilim düşümü. Araç
DetaylıDENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ
DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi. Maksimum güç transferi teoreminin geçerliliğinin deneysel
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
Detaylıdq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ
OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak
DetaylıBJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin
DetaylıBölüm 1 Temel Lojik Kapılar
Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar DENEY 1-1 Lojik Kapı Devreleri DENEYİN AMACI 1. Çeşitli lojik kapıların çalışma prensiplerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların girişi ve çıkış gerilimlerini
DetaylıKIRCHHOFF YASALARI VE WHEATSTONE(KELVİN) KÖPRÜSÜ
KIRCHHOFF YASALARI VE WHEATSTONE(KELVİN) KÖPRÜSÜ Deneyin Amacı Bu deneyin amacı, seri, paralel ve seri-paralel bağlı dirençleri tanımak, Kirchhoff Yasalarının uygulamasını yapmak, eşdeğer direnç hesaplamasını
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıDENEY 1- LABORATUAR ELEMANLARININ TANITIMI VE DC AKIM, DC GERİLİM, DİRENÇ ÖLÇÜMLERİ VE OHM KANUNU
DENEY 1- LABORATUAR ELEMANLARININ TANITIMI VE DC AKIM, DC GERİLİM, DİRENÇ ÖLÇÜMLERİ VE OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMAÇLARI Ölçü aletleri, Breadboardlar ve DC akım gerilim kaynaklarını kullanmak Sayısal multimetre
DetaylıDENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü
DENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Elektromanyetik rölelerin çalışmasını ve yapısını öğrenmek 2. SCR kesime görüme yöntemlerini öğrenmek 3. Bir dc motorun dönme yönünü kontrol
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Transformatörün İncelenmesi
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 4 Deney Adı: Transformatörün İncelenmesi Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıDOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER 1. Deneyin Amacı Yarım
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) :
BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler
Detaylı1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti
Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması
DetaylıDeğişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.
DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıDevre Teorisi Ders Notu Dr. Nurettin ACIR ve Dr. Engin Cemal MENGÜÇ
BÖLÜM I İNDÜKTANS VE KAPASİTANS Bu bölümde, tek bir bağımsız kaynak kullanılarak indüktör ve kapasitörlerin tek başına davranışları incelenecektir. İndüktörler, manyetik alanla ilişkin olaylar üzerine
DetaylıT.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7
T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye
Detaylı