İndüktans Benzetimi. 16/04/2014 ELE512 ITU İleri Analog Tümdevre Tasarımı 2014 İlkbahar Dönemi Dönem Ödevi. İndüktans Benzetimi
|
|
- Gülistan Aksoy
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 İndüktans Benzetimi 16/04/2014 ELE512 ITU İleri Analog Tümdevre Tasarımı 2014 İlkbahar Dönemi Dönem Ödevi İndüktans Benzetimi Ad-Soyad : KAZIM EVECAN Öğrenci No : kazimevecan@gmail.com
2 İçerik İndüktans Benzetiminin Amaçları İndüktans Benzetiminin Temel Yapı Taşları ve Kullanım Alanları Gyratör ile İndüktans Benzetimi Genel Empedans Dönüştürücüsünden Türetilmiş Devreler CCII ile İndüktans Benzetimi VDCC ile İndüktans Benzetimi DVCC ile İndüktans Benzetimi DO-CCCII ve OTA Kullanılarak İndüktans Benzetimi FTFN Kullanılarak İndüktans Benzetimi Sonuçlar ELE512 2
3 İndüktans Benzetiminin Amaçları Özellikle yüksek frekanslarda indüktans benzetimi, spiral indüktansların yerine kullanılmaktadır. Gerçek İndüktans: Devre üzerinde büyük yer kaplaması Parazitik etki oluşturması Magnetik enerji yayması ve magnetik enerjiden etkilenmesi Fabrikasyonu ve entegre edilmesi, standart CMOS teknolojide zor olması İndüktans Benzetiminin Sınırlamaları: Pasif eleman uyumu ve fazla sayıda pasif eleman kullanımı Aşırı sayıda aktif eleman kullanımı Aktif elemanın X ucuna bağlanan kondansatörden dolayı oluşan kutup un çalışma frekansını düşürmesi Kayıplı yada negatif indüktansın gerçeklenebilmesi ELE512 3
4 İndüktans Benzetiminin Temel Yapı Taşları ve Kullanım Alanları İndüktans Benzetiminin Kullanım Alanları: Osilatörlerde Filtreler Kuvvetlendiriciler Parazitik indüktansların giderilmesinde Grafik ve parametrik ekolayzır Empedans uyumlaştırmada Analog Faz Kaydırıcılarda Kullanılmadığı Alanlar: RF sistemler İndüktansın enerji saklayan eleman olarak kullanıldığı sis. Yüksek gerilim gerektiren (flyback özellikli) sistemler İndüktans Benzetiminde Kullanılan Aktif Yapılar: CC (Current Conveyor) CCCII (Current Controlled Current Conveyor) CFOA (Current Feedback Operational Amplifier) FTFN (Four Terminal Floating Nullors) OMA (Operational Mirrored Amplifier) DVCC (Differential Voltage Current Conveyors) DDCC (Differntial Difference Current Conveyors) CDBA (Current Differencing Buffered Amplifiers) CFTA (Current Follower Transconductance Amplifier) CDTA (Current Differencing Transconducatance Amplifier) OTA (Output Transconducatance Amplifier) DXCCII (Dual-X Current Conveyor) Literatürde bulunan bazı indüktans benzetimleri [9]. ELE512 4
5 Gyratör ile İndüktans Benzetimi Beşinci lineer eleman ve R gyration direnci [3]-[5] Bir Kondansatör ve OPAMP devresiyle indüktans elde edilebilir. Gyratör Avantaj ve Dezavantajları: İndüktans ve rezistans değerleri, gerçek indüktansa göre daha yüksekdir. İndüktans benzetimi kalite faktörünü (Q) arttırmaktadır ve yüksek doğrulukla istenilen değerde indüktanslar elde edilebilir. Kalite faktörü kondansatör tarafından sınırlandırılmaktadır. Aktif ve pasif eleman değerlerindeki dengesizliğe karşı daha düşük duyarlılığa sahipdir. Benzetimi yapılmış indüktansın enerji saklama kapasitesi gerçek indüktansa göre daha azdır ve bundan dolayı güç uygulamalarında sınırlı bir kullanıma sahipdir. (flyback property) ELE512 5
6 Gyratör ile İndüktans Benzetimi Yapıda kondansatörün etkisi terslenip çarpılmaktadır ve RC devresinde bulunan direnç üzerinde bulunan gerilim, zamanla indüktansa benzer şekilde davranmaktadır. OPAMP izleyici birim kazanç ile bu gerilimi eviren uca, R L direnciyle geri beslemektedir ve bunun sonucunda seri RL devresine eşdeğer bir etki ortaya çıkmaktadır. ilk kısmında bulunduğundan R direnç değeri yüksek seçilerek RC devresinin etkisi giderilir. OPAMP ın maksimum çıkış akımını düşündüğümüzde, R L Direnci için minimum bir değer bulunmaktadır. [1],[3]-[5] Negatif kapasitans devresi [1]. ELE512 6
7 Genel Empedans Dönüştürücüsünden Türetilmiş Devreler İki adet OPAMP la topraklanmış indüktans benzetimi gerçeklenmişdir ve bu yapıya ait giriş empedansı tüm dirençler R ve kondansatör C olacak şekilde aşağıda verilmişdir. Tabloda elde edilen indüktans değerleri verilmişdir. [3] ELE512 7
8 GENEL EMPEDANS DÖNÜŞTÜRÜCÜSÜNDEN TÜRETİLMİŞ DEVRELER Simülasyon sonuçları ve % hata [3] ELE512 8
9 CCII ile İndüktans Benzetimi Üç yada dört pasif eleman ve bir adet 2. kuşak akım taşıyıcı kullanılarak indüktans benzetimi yapılmışdır. Kalite faktörü, indüktans değeri sadece R1 direnciyle değiştirilebildiğinden yüksek değerlere ayarlanabilmektedir. İkinci yöntemde ise R2 direnciyle indüktans değeri ayarlanmaktadır. Bu devre bant geçiren ve bant söndüren filtrelerde ve osilatörlerde kullanılmaktadır. [3] ELE512 9
10 VDCC ile İndüktans Benzetimi P ve N giriş terminalleri ve Z, X, Wp, Wn, X haricinde yüksek empedans gösteren çıkış terminalleridir. [2] Yapıdaki ilk kat, Gm geçiş iletkenliği kazancına sahip, dengeli geçiş iletkenliği kuvvetlendiricisi ile, giriş gerilimleri farkını Vp-Vn çıkış akımına Iz dönüştürmek için; ve ikinci kat ise akım taşıyıcısı olup X terminalindeki akımı Wp ve Wn terminallerine transfer etmektedir. Dengeli CMOS geçiş iletkenliği kuvvetlendiricisi için Gm aşağıdaki gibi verilmektedir. [2] ELE512 10
11 VDCC ile İNDUKTANS BENZETİMİ P ve N giriş terminalleri ve Z, X, Wp, Wn, X haricinde yüksek empedans gösteren çıkış terminalleridir. [2] Topraklanmış pasif elemanlar entegre devre tümleştirmesinde avantaj sağlamaktadır. [2] ELE512 11
12 VDCC ile İNDUKTANS BENZETİMİ Gerçeklenmiş ilk iki devre kayıpsız ve diğer dördü kayıplıdır. Bu devrelerle oluşturulan negatif indüktanslar aktif filtre ve osilatör dizaynında, analog faz kaydırıcılarında, ve mikrodalga devrelerinde empedans uyumlaştırmada kullanılmaktadır. [2] ELE512 12
13 VDCC ile İNDUKTANS BENZETİMİ Gerçeklenmiş ilk iki devre kayıpsız ve diğer dördü kayıplıdır. Bu devrelere ait empedans değerleri aşağıda verilmişdir. ELE512 13
14 VDCC ile İNDUKTANS BENZETİMİ Eşitliklerden anlaşılacağı üzere L equ L x den etkilenmektedir. Düşük frekanslarda indüktans değeri seri direnç R s tarafından sınırlandırılmaktadır ve R s değeri başlıca R p2 ve R p3 değerlerine bağlıdır. Z terminalindeki çıkış empedansı arttırılarak R s değeri azaltılabilir. Kaskat yapı bu işlem için uygundur. Yüksek frekans tepkisi R p1 ve C p1 tarafından sınırlandırılmaktadır. Yüksek değerli R p1 ve düşük değerli C p1 devrenin yüksek frekanslı tepkisini arttırmaktadır. ELE512 14
15 VDCC ile İNDUKTANS BENZETİMİ Buna ek olarak yüksek frekanslarda R s, w 2 ve L x tarafından azalacak şekilde etkilenmektedir. Bundan dolayı yüksek frekanslarda R s değeri negatif olup kararlılık problemlerine neden olmaktadır. Bundan dolayı aşağıdaki denklem gerçeklenmelidir. Maksimum frekans için L x azaltılmalıdır. ELE512 15
16 VDCC ile İNDUKTANS BENZETİMİ Tüm verilen VDCC devresi ve transistor geometrileri için TSMC CMOS 0.18 um teknolojisinde simülasyonlar gerçeklenmişdir. Tüm kaynak değerleri, transistor geometrileri, geçiş iletkenliği, parazitik etkiler ve pasif elemanlar [2] de verilmişdir. Şekilde (a) da verilen devreye ait simülasyon sonuçları aşağıda verilmişdir. 30kHz ile 20MHz arasında ideal ve benzetimi yapılmış devrelere ait tepkiler benzerdir. Devre elektronik olarak ayarlanabilir olduğundan bias akımıyla empedansın değişimi grafikde verilmişdir. ELE512 16
17 VDCC ile İNDUKTANS BENZETİMİ Performans değerlendirmesi için 3. Dereceden yüksek geçiren Butterworth filtre gerçeklenmişdir. Pasif elemanlara ve VDCC elemanlarına ait değerler [2] de verilmişdir. ELE512 17
18 DVCC ile İndüktans Benzetimi [6] İndüktans benzetiminde kullanılan DVCC (Differential Voltage Current Conveyor) şekilde gösterilmişdir ve RL devreleri gerçeklenmişdir. Aşağıda bir CMOS DVCC gerçeklenmesine ait devre transistor oranlarıyla verilmişdir [8]. ELE512 18
19 DVCC ile İNDÜKTANS BENZETİMİ Bu eleman kullanılarak topraklanmış seri ve paralel RL devreleri iki adet direnç ve bir adet kondansatör kullanılarak gerçeklenmişdir. ELE512 19
20 DVCC ile İNDÜKTANS BENZETİMİ Benzetimi yapılmış RL yapılarıyla ikinci dereceden gerilim modlu yüksek geçiren filtre gerçeklenmişdir. MIETEC 0.5 um CMOS process Vdd=2.5V Vss=-2.5V değerleriyle [7] deki transistor oranları, bias akımları ve besleme gerilimlerine ait değerler kullanılarak simülasyonlar yapılmışdır. Simülasyon sonuçları ile ideal değerlerdeki farkların sebebi parazitik giriş ve çıkış empedanslarından kaynaklanmaktadır. ELE512 20
21 DVCC ile İNDÜKTANS BENZETİMİ Benzetimi yapılmış RL yapılarıyla ikinci dereceden akım modlu alçak geçiren filtre gerçeklenmişdir. MIETEC 0.5 um CMOS process Vdd=2.5V Vss=-2.5V değerleriyle [7] deki transistor oranları, bias akımları ve besleme gerilimlerine ait değerler kullanılarak simülasyonlar yapılmışdır. Simülasyon sonuçları ile ideal değerlerdeki farkların sebebi parazitik giriş ve çıkış empedanslarından kaynaklanmaktadır. ELE512 21
22 DO-CCCII ve OTA Kullanılarak İndüktans Benzetimi [9] İndüktans benzetiminde kullanılan DO-CCCII (Dual Output Current Controlled Current Conveyor) ve OTA şekilde gösterilmişdir ve indüktans benzetimi yapılmışdır. İdeal durumdaki, DO-CCCII için akım ve gerilim kazançları ve OTA için geçiş iletkenliği kazancı verilmişdir. ELE512 22
23 DO-CCCII ve OTA KULLANILARAK İNDUKTANS BENZETIMI Yüzen indüktans yapısı için kısa devre admitans matrisi ortaya koyulmuşdur. Eşdeğer indüktans ve bu indüktansın duyarlılığı aşağıdaki gibidir. Eşitlikden duyarlılığın daima 1 olduğu görülür ve bundan dolayı eşdeğer indüktans pasif ve aktif elemanlardaki değişime daha düşük duyarlılık göstermektedir. Leq= Dördüncü dereceden dirençle sonlandırılmış bant geçiren butterwoth filtre uygulanmışdır. ELE512 23
24 DO-CCCII ve OTA KULLANILARAK İNDUKTANS BENZETIMI Dördüncü dereceden dirençle sonlandırılmış bant geçiren butterwoth filtre uygulanmışdır. ELE512 24
25 FTFN Kullanılarak İndüktans Benzetimi [11] İndüktans benzetiminde kullanılan PFTFN (Pozitive Four Terminal Floating Nullor) şekilde gösterilmişdir ve indüktans benzetimi yapılmışdır. Topraklanmış indüktans benzetimi, indüktansın ideal olmayan modeli verilmişdir. Eşdeğer indüktansın aktif ve pasif elemanlara olan duyarlılığı çok düşükdür. [11] ELE512 25
26 FTFN KULLANILARAK İNDUKTANS BENZETİMİ CMOS PFTFN şekilde gösterilmişdir ve verilen değerler için indüktans benzetimi yapılmışdır. [11] ELE512 26
27 FTFN KULLANILARAK İNDUKTANS BENZETİMİ [12] de verilen CMOS PFTFN LC osilatör gerçeklenmesinde kullanılmaktadır. ELE512 27
28 FTFN KULLANILARAK İNDUKTANS BENZETİMİ 50 khz lik kesim frekansına sahip dördüncü dereceden yüksek geçiren filtre indüktans benzetimiyle gerçeklenmişdir. ELE512 28
29 Sonuçlar İndüktans benzetimi: kalite faktörünü arttırması, entegre devre gerçeklenmesinde daha az alan kaplaması ve gerçeklenmesinin kolay olması, elektromanyetik enerji yaymaması, kayıpsız olarak tasarlanabilmesi açısından gerçek indüktanslara göre tercih edilmektedir. İndüktans benzetimi: RF sistemler (bobin değerleri çok düşük olduğundan). İndüktansın enerji saklayan eleman olarak kullanıldığı sistemlerde. Yüksek gerilim gerektiren (flyback özellikli) sistemlerde kullanılmamaktadır. Daha az eleman ve alan kaplayan ve kayıpsız yapılar tercih edilmektedir. ELE512 29
30 References: REFERENCES [1] Biolek D, Senani R, Biolkova V, Kolka Z. Active elements for analog sig-nal processing: classification, review, and new proposals. Radioengineering2008;17(4): [2] Positive/negative lossy/lossless grounded inductance simulators employing single VDCC and only two passive elements Fırat Kaçar, Abdullah Yeşil, Shahram Minaei, Hakan Kuntman [3] Grounded Simulated Inductor - A Review D.S. Jayalalitha and D. Susan School of EEE, SASTRA University, Thanjavur, India, Middle-East Journal of Scientific Research 15 (2): , 2013 ISSN IDOSI Publications, 2013 DOI: /idosi.mejsr [4] An Introduction to Gyrator Theory, by BRYAN MORRISON [5] Alıntı Tarihi: [6] Realization of Series and Parallel R-L and C-D Impedances Using Single Differential Voltage Current Conveyor MEHMET INCEKARAOĞLU AND UĞUR ÇAM Department of Electrical and Electronics Engineering, Dokuz Eylül University, Engineering Faculty, Tınaztepe, Buca, 35160, İzmir, Turkey Received June 16, 2004; Revised August 23, 2004; Accepted September 8, [7] M.O. Çiçekoğlu, Active simulation of grounded inductors with CCII+ and grounded passive elements, Int. J. of Electronics, vol. 85, no. 4, pp , [8] Novel CMOS differential voltage current conveyor and its applications H.O.Elwan A.M. Soli man Indexing terms: Differential voltage current conveyor, CMOS realisations [9] Incekaraoglu M, Cam U. Realization of series and parallel R-L and C-D impedances using single differential voltage current conveyor. Analog IntegrCirc Sig Process 2005;43: [10] SHAHRAM MINAEI, OGUZHAN CICEKOGLU, HAKAN KUNTMAN & SAIT ~TÜRKÖZ (2003) Electronically tunable, active only floating inductance simulation, International Journal of Electronics, 89:12, , DOI: / [11] Prasad D, Bhaskar DR, Singh AK. New grounded and floating simulatedinductance circuits using current differencing transconductance amplifiers.radioengineering 2010;19(1): ELE512 30
31 Teşekkürler ELE512 31
Yeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII)
Yeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII) Shahram MINAEI 1 Merih YILDIZ 2 Hakan KUNTMAN 3 Sait TÜRKÖZ 4 1,2. Doğuş Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği
DetaylıHazırlayan. Bilge AKDO AN
Hazırlayan Bilge AKDO AN 504071205 1 Özet Amaç Giri kinci Ku ak Eviren Akım Ta ıyıcı (ICCII) CMOS ile Gerçeklenen ICCII Önerilen ICCII- Tabanlı Osilatörler 1. Tek ICCII- tabanlı osilatörler 2. ki ICCII-
DetaylıYENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIYICI (MCCIII) YAPISI, KARAKTERİZASYONU VE UYGULAMALARI
ENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIICI () APISI, KARAKTERİZASONU E UGULAMALARI Seçkin BODUR 1 Hakan KUNTMAN 2 Oğuzhan ÇiÇEKOĞLU 3 1, 2 İstanbul Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik
DetaylıYÜKSEKÖĞRETİM KURULU PROFESÖR : MARMARA EĞİTİM KÖYÜ MALTEPE İSTANBUL
AHMET FUAT ANDAY ÖZGEÇMİŞ YÜKSEKÖĞRETİM KURULU PROFESÖR 05.02.2015 Adres : MARMARA EĞİTİM KÖYÜ 34857 MALTEPE İSTANBUL Telefon : 2166261050-2382 E-posta Doğum Tarihi : 27.08.1941 : fuatanday@maltepe.edu.tr
Detaylı7. Yayınlar 7.1. Uluslararası Hakemli Dergilerde Yayınlanan Makaleler
ÖZGEÇMİŞ 1. Adı Soyadı : Ahmet Fuat ANDAY 2. Doğum Tarihi ve Yeri : 27 Ağustos 1941, İstanbul 3. Ünvanı : Profesör 4. Öğretim Durumu : Derece Alan Üniversite Yıl Yüksek Mühendis Zayıf Akım İstanbul Teknik
DetaylıUAE LERİN GELİŞİMİ VE BİR BGF DEVRESİNİN VOLTAJ VE AKIM MODUNDA FTFN İLE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ KAYSERİ
Erciyes Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi, 19 (1-2) 38-49, 2003 UAE LERİN GELİŞİMİ VE BİR BGF DEVRESİNİN VOLTAJ VE AKIM MODUNDA FTFN İLE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ 1 Esma UZUNHİSARCIKLI, 2 Mustafa ALÇI
DetaylıÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ
Adı Soyadı: Mehmet SAĞBAŞ ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ E-posta: sagbasm@gmail.com, mehmet.sagbas@yeniyuzyil.edu.tr Doğum Tarihi ve Yeri: 01.04.1977 Rize Unvanı: Prof. Dr. Öğrenim Durumu: Doktora Derece
DetaylıĠġLEMSEL YÜKSELTEÇLER (ELEKTRONİK II)
ĠġLEMSEL YÜKSELTEÇLER (ELEKTRONİK II) - + İsmail Serkan ÜNCÜ ŞUBAT-2013 DERS KAYNAKLARI http://www.softwareforeducation.com/wikileki/index.php/inverting_amplifier Elektronik Devre Tasarımında. ~ OP AMP
DetaylıFırat Kaçar 1, Hakan Kuntman 2. Mühendislik Fakültesi, İstanbul Üniversitesi, 34320, Avcılar, İstanbul
Yüksek Başarımlı CMOS Farksal Akımlı Geçiş İletkenliği Kuvvetlendiricisi Tasarımı Design of High Performance CMOS Current Differencing Transconductance Amplifier Fırat Kaçar, Hakan Kuntman 2 Elektrik-Elektronik
DetaylıT.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ
T.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ AKIM TAŞIYICI TABANLI AKTİF DEVRE ELEMANLARININ İNCELENMESİ Mehmet DEMİRTAŞ YÜKSEK LİSANS TEZİ Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı Haziran-2014
DetaylıHARİCİ DİRENÇ KULLANMADAN KONTROL EDİLEBİLEN AKIM TAŞIYICI İLE TÜMGEÇİREN SÜZGEÇ TASARIMI
HARİCİ DİRENÇ KULLANMADAN KONROL EDİLEBİLEN AKM AŞYC İLE ÜMGEÇİREN SÜZGEÇ ASARM Serhan YAMAÇL Sadri ÖZCAN Elektronik ve Bilgisayar Eğitimi Bölümü Mersin Üniversitesi arsus eknik Eğitim Fakültesi, arsus-mersin
DetaylıDENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler
RF OSİLATÖRLER VE İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER (1.DENEY) DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler DENEYİN AMACI : Radyo Frekansı (RF) osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerini
DetaylıBAS T VE KULLANI LI B R AKIM LEMSEL KUVVETLEND R C S TASARIMI
BAST VE KULLANILI BR AKIM LEMSEL KUVVETLENDRCS TASARIMI Atilla UYGUR Hakan KUNTMAN, Elektronik ve Haberleme Mühendislii Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi stanbul Teknik Üniversitesi, 34469, Maslak,
DetaylıT. C. PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI
T. C. PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ANABİLİM DALI MOS TRANSİSTÖR TABANLI ELEKTRONİK OLARAK AYARLANABİLİR ANALOG DEVRELER DOKTORA TEZİ FIRAT YÜCEL DENİZLİ,
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II Öğrenci No: Adı Soyadı: Grubu: DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER Deneyin Yapıldığı Tarih:.../.../2017
DetaylıAREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ
AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER DR. GÖRKEM SERBES İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ İşlemsel kuvvetlendirici (Op-Amp); farksal girişi ve tek uçlu çıkışı olan DC kuplajlı, yüksek kazançlı
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıVoltage Mode Second Order Filters Design with Inverting Current Conveyor
ELECO ' Elektrik - Elektronik ve Bilgisayar Mühendisliği Sempozyumu, 9 Kasım - Aralık, Bursa erilim Modlu Eviren Akım Taşıyıcılı İkinci Derece Süzgeç Tasarımları Voltage Mode Second Order Filters Design
DetaylıYÜKSEK BAŞARIMLI İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI
YÜKSEK BAŞARML İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARM VE UYGULAMALAR Gaye GÜNGÖR Hakan KUNTMAN Sem ÇİFTÇİOĞLU 3, 3 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi İstanbul Teknik Üniversitesi,
DetaylıAkım Modlu Çarpıcı/Bölücü
Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü (Novel High-Precision Current-Mode Multiplier/Divider) Ümit FARAŞOĞLU 504061225 1/28 TAKDİM PLANI ÖZET GİRİŞ AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ DEVRE ÖNERİLEN AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#8 I-V ve V-I Dönüştürücüler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 8 I-V ve
DetaylıŞekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi
DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#10 Analog Aktif Filtre Tasarımı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 10 Analog
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
DetaylıDENEY 13 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ (Op Amp)
İŞLMSL KUVVTLNDİİCİ (Op Amp) A. DNYİN AMACI : Opampın kuvvetlendirici özelliğinin daha iyi bir şekilde anlaşılması amacıyla uygulamalı devre çalışmaları yapmak. B. KULLANILACAK AAÇ V MALZML : 1. Multimetre
DetaylıELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.
ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün
DetaylıBölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları
Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini
Detaylıİşlemsel Yükselteçler
İşlemsel Yükselteçler Bölüm 5. 5.1. Giriş İşlemsel yükselteçler aktif devre elemanlarıdır. Devrede gerilin kontrollü gerilim kaynağı gibi çalışırlar. İşlemsel yükselteçler sinyalleri toplama, çıkarma,
DetaylıOp-Amp Uygulama Devreleri
Op-Amp Uygulama Devreleri Tipik Op-amp devre yapıları şunları içerir: Birim Kazanç Arabelleği (Gerilim İzleyici) Evirici Yükselteç Evirmeyen Yükselteç Toplayan Yükselteç İntegral Alıcı Türev Alıcı Karşılaştırıcı
DetaylıENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI
ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALAR HAKAN KUNTMAN 03-04 EĞİTİM-ÖĞRETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik alanında çeşitli ölçü ve kontrol düzenlerinin
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıKISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM)
İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM) 1. BÖLÜM GERİBESLEMELİ AMPLİFİKATÖRLER... 3 1.1. Giriş...3 1.2. Geribeselemeli Devrenin Transfer Fonksiyonu...4 1.3. Gerilim - Seri Geribeslemesi...5
DetaylıDoğrultucularda ve Eviricilerde Kullanılan Pasif Filtre Türlerinin İncelenmesi ve Karşılaştırılması
Enerji Verimliliği ve Kalitesi Sempozyumu EVK 2015 Doğrultucularda ve Eviricilerde Kullanılan Pasif Filtre Türlerinin İncelenmesi ve Karşılaştırılması Mehmet Oğuz ÖZCAN Ezgi Ünverdi AĞLAR Ali Bekir YILDIZ
DetaylıYükselteçlerde Geri Besleme
Yükselteçlerde Geri Besleme Açık çevrim bir yükseltici yandaki gibi gösterebiliriz. vi A Bu devreyi aşağıdaki gibi kazancı β olan bir geri besleme devresi ile kapalı döngü haline getirebiliriz. A= vo A
DetaylıBÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER
BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL
DetaylıEEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I
EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku
DetaylıANALOG FİLTRELEME DENEYİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının
DetaylıDENEY 2 Op Amp: AC Uygulamaları
A. DNYİN AMACI : Opampın kuvvetlendirici özelliğinin ac devrelerde ve ac işaretlerle daha iyi bir şekilde anlaşılması amacıyla uygulamalı devre çalışmaları yapmak. B. KULLANILACAK AAÇ V MALZML : 1. Sinyal
DetaylıDeney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.
Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıBÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER
BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5
ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 İletim Hatları İLETİM HATLARI İletim hatlarının tarihsel gelişimi iki iletkenli basit hatlarla (ilk telefon hatlarında olduğu gibi) başlamıştır. Mikrodalga enerjisinin
DetaylıMaltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302)
Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302) GENEL DERS BİLGİLERİ Öğretim Elemanı : Yrd. Doç. Dr. Serkan Topaloğlu Ofis : MUH 314 Ofis Saatleri : Pazartesi: 14.00-16.00;
DetaylıAlgılayıcılar (Sensors)
Algılayıcılar (Sensors) Sayısal işlem ve ölçmeler sadece elektriksel büyüklüklerle yapılmaktadır. Genelde teknik ve fiziksel büyüklükler (sıcaklık, ağırlık kuvveti ve basınç gibi) elektrik dalından olmayan
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıBİLGİSAYARLI KONTROL OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER
BÖLÜM 4 OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER 4.1 OPERASYONEL AMPLİFİKATÖRLER (OPAMP LAR) Operasyonel amplifikatörler (Operational Amplifiers) veya işlemsel kuvvetlendiriciler, karmaşık sistemlerin
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıDENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI
DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI DENEYİN AMACI: Bu deneyde işlemsel kuvvetlendiricinin doğrusal uygulamaları incelenecek ve işlemsel kuvvetlendirici kullanılarak çeşitli matematiksel
DetaylıBİRİNCİ DERECEDEN ELEKTRONİK AYARLANABİLİR ALÇAK GEÇİREN SÜZGECİN LOGARİTMİK ORTAMDA TASARIMI
BİRİNCİ DERECEDEN ELEKTRONİK AYARLANABİLİR ALÇAK GEÇİREN SÜZGECİN LOGARİTMİK ORTAMDA TASARIMI Nazif Küçükkoç 1 Umut Engin Ayten 2 Herman Sedef 3 1,2,3 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü, Yıldız
DetaylıDENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:
1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k
DetaylıYÜKSEK GEÇİŞ İLETKENLİ YENİ BİR CMOS FTFN GERÇEKLEMESİ
YÜKSEK GEÇİŞ İLETKENLİ YENİ BİR CMOS FTFN GERÇEKLEMESİ Mustafa SAYGINER 1 Hakan KUNTMAN 2 1,2 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi İstanbul Teknik Üniversitesi, 34469,
DetaylıCMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA GÜVENİLİRLİĞİ
CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA ÜVENİLİRLİĞİ Yasin ÖZCELEP 1 Ayten KUNTMAN Hakan KUNTMAN 3 1, İstanbul Üniversitesi,Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü,3430, Avcılar, İstanbul 3 Elektronik ve Haberleşme
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları
DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı; İşlemsel yükselteçlerle (OP-AMP) yapılabilecek doğrusal uygulamaları laboratuvar ortamında gerçekleştirmek ve
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıYarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi
Prof. Dr. H. Hakan Kuntman 21. 12. 2005 Yarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi (Yılsonu Projesi) a- Tabloda belirtilen i lemsel kuvvetlendirici için SPICE simülasyon programında kullanılmak
DetaylıNECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ
NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ DENEY : AKIM AYNALARI Genel Bilgiler Akım aynaları yükten bağımsız
DetaylıMAKROMODELLER. diyot, tranzistor gibi lineer olmayan
MAKROMODELLER Makromodeller, herhangi bir elemanın veya devrenin lineer ve lineer olmama özelliklerini aslına olabildiğince ğ uygun modellemek üzere, lineer elemanlar, bağımlı ve bağımsız kaynaklar ve
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıTÜMDEVRE RADYO ALICILARINDA AKIM MODLU ALICI TEMEL BANT KATI TASARIMI
TÜMDEVE ADYO ALIILAINDA AKIM MODLU ALII TEMEL BANT KATI TAAIMI Fevzi Erdal KAAAĞAÇ Ali TOKE İstanbul Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik Fakültesi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü 866,
DetaylıALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER
1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER Empedans, gerilim uygulandığında bir elektrik devresinin akımın geçişine karşı gösterdiği zorluğun ölçüsüdür. Empedans Z harfi ile gösterilir ve birimi ohm(ω)
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıÖZGEÇMİŞ. Fulya Tezel, "New MOSFET Threshold Voltage Extraction Methods and Extractors," İTÜ Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektronik Mühendisliği, 2006.
ÖZGEÇMİŞ 1. Adı Soyadı: Ali Zeki 2. Doğum Tarihi: 6 Eylül 1968 3. Unvanı: Prof. Dr. 4. Öğrenim Durumu: Derece Alan Üniversite Yıl Lisans Elektronik ve Hab. Müh. İstanbul Teknik Üniversitesi 1990 Y.Lisans
Detaylıİşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)
BLM224 ELEKTERONİK DEVRELER Hafta 12 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs) Opamp Sembolü ve Terminalleri Standart bir opamp; iki adet giriş terminali, bir adet çıkış terminaline
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıPAMUKKALE ÜNĠVERSĠTESĠ FEN BĠLĠMLERĠ ENSTĠTÜSÜ. ELEKTRONĠK AYARLANABĠLĠR ANALOG ĠġLEM BLOK TASARIMLARI. DOKTORA TEZĠ Remzi ARSLANALP
PAMUKKALE ÜNĠVERSĠTESĠ FEN BĠLĠMLERĠ ENSTĠTÜSÜ ELEKTRONĠK AYARLANABĠLĠR ANALOG ĠġLEM BLOK TASARIMLARI DOKTORA TEZĠ Remzi ARSLANALP Anabilim Dalı : Elektrik-Elektronik Mühendisliği Programı : Elektrik-Elektronik
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI
DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L
DetaylıDeney 2: FARK YÜKSELTEÇ
Deney : FARK YÜKSELTEÇ Fark Yükselteç (Differential Amplifier: Dif-Amp) Fark Yükselteçler, çıkışı iki giriş işaretinin cebirsel farkıyla orantılı olan amplifikatörlerdir. O halde bu tip bir amplifikatörün
DetaylıBÖLÜM 3 OSİLASYON KRİTERLERİ
BÖLÜM 3 OSİİLATÖRLER Radyo sistemlerinde sinüs işaret osilatörleri, taşıyıcı işareti üretmek ve karıştırıcı katlarında bir frekansı diğerine dönüştürmek amacıyla kullanılır. Sinüs işaret osilatörlerinin
DetaylıÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ
Adı Soyadı: Serhan YAMAÇLI Doğum Tarihi: 11 Kasım 1981 Öğrenim Durumu: ÖZGEÇMİŞ VE ESERLER LİSTESİ Derece Bölüm/Program Üniversite Yıl Lisans Elektronik ve İstanbul Teknik Üniversitesi 1999-2003 Haberleşme
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 2 Deney Adı: Ohm-Kirchoff Kanunları ve Bobin-Direnç-Kondansatör Malzeme Listesi:
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıYENİ BİR AKTİF ELEMAN: DİFERANSİYEL GERİLİM ALAN ELEKTRONİK OLARAK AYARLANABİLİR AKIM TAŞIYICI (EDVCC)
YENİ BİR KİF ELEN: DİFERNSİYEL ERİLİ LN ELEKRONİK OLRK YRLNBİLİR K ŞYC (EDCC) Serhan YÇL Sadri ÖCN 2 Hakan KUNN Elektronik ve Bilgisayar Eğitimi Bölümü ersin Üniversitesi arsus eknik Eğitim Fakültesi,
DetaylıBÖLÜM 4 RADYO ALICILARI. 4.1 Süperheterodin Alıcı ANALOG HABERLEŞME
BÖLÜM 4 RADYO ALIILARI 4. Süperheterodin Alıcı Radyo alıcıları ortamdaki elektromanyetik sinyali alır kuvvetlendirir ve hoparlöre iletir. Radyo alıcılarında iki özellik bulunur, bunlar ) Duyarlılık ) Seçicilik
DetaylıŞekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi
23 Deney Adı : İşlemsel Kuvvetlendiricinin Temel Devreleri Deney No : 6 Deneyin Amacı : İşlemsel kuvvetlendiricilerle en ok kullanılan devreleri gerekleştirmek, fonksiyonlarını belirlemek Deneyle İlgili
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II
ALTERNATİF AKIM KÖPRÜLERİ 1. Hazırlık Soruları Deneye gelmeden önce aşağıdaki soruları cevaplayınız ve deney öncesinde rapor halinde sununuz. Omik, kapasitif ve endüktif yük ne demektir? Açıklayınız. Omik
DetaylıALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER)
1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER) Paralel Devreler Direnç, bobin ve kondansatör birbirleri ile paralel bağlanarak üç farkı şekilde bulunabilirler. Direnç Bobin (R-L) Paralel Devresi Direnç
DetaylıALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER
1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS Empedans, gerilim uygulandığında bir elektrik devresinin akımın geçişine karşı gösterdiği zorluğun ölçüsüdür. Empedans Z harfi ile gösterilir
DetaylıALÇAK IF ALICI İÇİN (CCII) AKIM TAŞIYICILARLA GERÇEKLEŞTİRİLEN ÇOK FAZLI SÜZGEÇ KATI
HAVACILIK VE UZAY TEKNOLOJİLERİ DERGİSİ OCAK 26 CİLT 2 SAYI 3 (21-26) ALÇAK IF ALICI İÇİN (CCII) AKIM TAŞIYICILARLA GERÇEKLEŞTİRİLEN ÇOK FAZLI SÜZGEÇ KATI Mahmut ÜN İstanbul Üniversitesi Mühendislik Fakültesi
DetaylıLCR METRE KALİBRASYONU
599 LCR METRE KALİBRASYONU Yakup GÜLMEZ Gülay GÜLMEZ Mehmet ÇINAR ÖZET LCR metreler, genel olarak indüktans (L), kapasitans (C), direnç (R) gibi parametreleri çeşitli frekanslardaki alternatif akımda ölçen
DetaylıPSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR
PSpice Simülasyonu Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR Ekim 2005 1. Giriş Bilgisayarla devre simülasyonu, elektronik devrelerin ve sistemlerin tasarımında en önemli adımlardan biridir. Devre ve tümdevre
DetaylıBÖLÜM 11 SAYISAL-ANALOG (DAC) ANALOG-SAYISAL(ADC) DÖNÜŞTÜRÜCÜLER SAYISAL TASARIM. Bu bölümde aşağıdaki konular anlatılacaktır.
SYISL TSIM BÖLÜM SYISLNLOG (DC NLOGSYISL(DC DÖNÜŞTÜÜCÜLE Bu bölümde aşağıdaki konular anlatılacaktır. Sayısal ve nalog sinyaller İşlemsel yükselteçler (Operatinal mplifieropmp Sayısalnalog Çeviriciler
DetaylıÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör
DENEY 7 : OSİLATÖR UYGULAMASI AMAÇ: Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörün temel çalışma prensipleri MALZEMELER: Güç Kaynağı: 12VDC, 5VDC Transistör: BC108C veya Muadili
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıAnten Tasarımı. HFSS Anten Benzetimi
Bu dokümanda, antene ait temel bilgiler verilmiş ve HFSS programında anten tasarımının nasıl yapıldığı gösterilmiştir. Anten Tasarımı HFSS Anten Benzetimi KAZIM EVECAN Dumlupınar Üniversitesi Elektrik-Elektronik
DetaylıBölüm 1 Güç Elektroniği Sistemleri
Bölüm 1 Güç Elektroniği Sistemleri Elektrik gücünü yüksek verimli bir biçimde kontrol etmek ve formunu değiştirmek (dönüştürmek) için oluşturlan devrelere denir. Şekil 1 de güç girişi 1 veya 3 fazlı AA
DetaylıPasif devre elemanları (bobin, kondansatör, direnç) kullanarak, paralel kol olarak tasarlanan pasif
Pasif devre elemanları (bobin, kondansatör, direnç) kullanarak, paralel kol olarak tasarlanan pasif filtre düzeneği, tasarlandığı harmoniğin frekans değerinde seri rezonans oluşturarak harmonik akımını
DetaylıKIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ
KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde
DetaylıİSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ AKIM MODLU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI
İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ AKIM MODLU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI YÜKSEK LİSANS TEZİ Müh. Mustafa ALTUN Anabilim Dalı : ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ
DetaylıDers Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS. Devre Teorisi 2 EEE
DERS BİLGİLERİ Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS Devre Teorisi 2 EEE224 4 6 5 6 Ön Koşul Dersleri Dersin Dili Dersin Seviyesi Dersin Türü İngilizce Lisans Zorunlu / Yüz Yüze Dersin Koordinatörü
Detaylı