Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi

Benzer belgeler
Bölüm 7 FM Modülatörleri

Şekil 6-1 PLL blok diyagramı

Şekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Taşıyıcısı Bastırılmış Çift Yan Bant ve Tek Yan Bant Genlik Modülatör ve Demodülatörleri

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I DENEY 5 FM MODÜLASYONU

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

Bölüm 13 FSK Modülatörleri.

Bölüm 8 FM Demodülatörleri

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3.

DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler

BÖLÜM 4 AM DEMODÜLATÖRLERİ

Bölüm 14 FSK Demodülatörleri

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

BÖLÜM 3 AM MODÜLATÖRLERİ

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

DENEY 7. Frekans Modülasyonu

Bölüm 13 FSK Modülatörleri.

ANALOG HABERLEŞME (GM)

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

FIRAT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ HABERLEŞME LABORATUVARI DENEY FÖYLERİ

ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri

Bölüm 16 CVSD Sistemi

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

KABLOSUZ İLETİŞİM

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

DENEY 5: GENLİK KAYDIRMALI ANAHTARLAMA (ASK) TEMELLERİNİN İNCELENMESİ

HABERLEŞME ELEKTRONĐĞĐNE DENEY FÖYLERĐ 2011 V.Y.S.

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

DENEY 4a- Schmitt Kapı Devresi

Bölüm 6 Multiplexer ve Demultiplexer

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 1.

DENEY-8 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER

DENEY 3. Tek Yan Bant Modülasyonu

Bölüm 12 PWM Demodülatörleri

DENEY-4 Yarım ve Tam Dalga Doğrultucular

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

DENEY 11 PUT-SCR Güç Kontrolü

DENEY NO : 2 DENEY ADI : Sayısal Sinyallerin Analog Sinyallere Dönüştürülmesi

Bölüm 6 DSB-SC ve SSB Demodülatörleri

DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP

FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL)

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

DİYOTLU DEVRELER. 1. Kırpma devresi: Giriş işaretinin bazı kısımlarını kırpar ve kırpılmış sinyali çıkış işareti olarak kulanır.

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

BÖLÜM 3 FREKANS MODÜLASYONU

KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DC DC DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

DENEY 4 PUT Karakteristikleri

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY 2 UJT Karakteristikleri

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

DENEY DC RC Devresi ve Geçici Olaylar

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

ANALOG HABERLEŞME A GRUBU İSİM: NUMARA

Bölüm 5 DSB-SC ve SSB Modülatörleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I DENEY 4 GENLİK (AM) DEMODÜLASYONU

DENEY 10 UJT-SCR Faz Kontrol

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

Alternatif Akım Devreleri

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

Deney 1: Saat darbesi üretici devresi

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

OHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

Şekil Sönümün Tesiri

Transkript:

FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim kontrollü osilatörün (VCO) çalışma prensibinin anlaşılması. Gerilim kontrollü osilatör ile bir frekans modülatörünün gerçekleştirilmesi. DENEY HAKKINDA TEORİK BİLGİLER: Frekans Modülasyonu sinüzoidal bir taşıyıcı frekansını, taşıyıcı genliği sabit kaldığı halde, mesaj (bilgi) sinyalinin akortlanan anlık seviyesi ile değiştirmektir. Sinüzoidal bir dalganın genliğini Mesaj işaretine bağlı olarak değiştirmekle AMPLITUDE Modülasyonu elde edilmekteydi. Taşıyıcı işaretin açısını faz veya frekans değişimlerine bağlı olarak değiştirmekle de Frekans Modülasyonu (FM) elde edilir. Bu Şekil 5-1 de gösterilmiştir. Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi Frekans modülasyonu (FM), taşıyıcı frekansının modüle edilecek işaretin genliğine göre değişmesi prensibidir. FM işareti aşağıdaki denklem ile ifade edilebilir; Eğer x( ) Am cos(2 fm ) ise, (1) 1

HABERLEŞME TEKNİĞİ LABORATUVARI DENEY FÖYÜ (2) θ(t) = Anlık Modülasyon Frekansı fc = Taşıyıcı Frekansı fm = Modülasyon Frekansı β = Modülasyon İndeksi = Am ( f / fm ) x FM (t), FM işaretinin frekansı şu şekilde ifade edilebilir; (3) (3) denkleminden, FM işaretinin frekansının, taşıyıcı işaretin merkez frekansı etrafında değiştiği görülmektedir. Taşıyıcı işaretin merkez frekansı etrafındaki bu frekans değişimi, modüle edilecek işaretin genliğine göre değişmektedir. Varaktör Diyot Varaktör diyot, başka bir deyişle akort diyotu (tuning diode), kapasitans değeri p-n jonksiyonu üzerindeki ters kutuplama gerilimi ile orantılı olan diyottur. Diyot üzerine uygulanan ters kutuplama gerilimi arttıkça depletion bölgesinin genişliği arttığından dolayı kapasitans değeri azalır. Tam tersi olarak, diyot üzerine uygulanan ters kutuplama gerilimi azaldıkça depletion bölgesinin genişliği daha da daralacağından dolayı kapasitans değeri artacaktır. Diyot üzerine bir AC gerilim uygulandığı taktirde, kapasite değeri genliğin değişimi ile değişir. Şekil 5-2 Varaktör diyot ve kapasite arasındaki ilişki 2

FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) Şekil 5-2 de varaktör diyot ve genel bir kapasite arasındaki ilişki gösterilmiştir. Aslında, ters kutuplanmış bir varaktör diyot ile kapasite benzer yapılardır. p ve n yarıiletkenleri bir araya getirildiğinde azınlık taşıyıcıların difüzyonundan dolayı küçük bir deplasman bölgesi oluşur. Pozitif yükler n jonksiyon tarafını, negatif yükler ise p jonksiyonu tarafını doldururlar. Bu, kapasite yapısına benzemektedir. İç jonksiyon kapasitesi değeri aşağıdaki kapasite formülü ile hesaplanabilir; (4) 11.8 0 dielektrik sabiti 8.85 10 12 A= Kapasitenin kesit alanı d= Deplasman bölgesinin kalınlığı Yukarıdaki formülde, eğer A sabit ise, varaktör kapasitansının değerinin, deplasman bölgesinin kalınlığı (veya plakalar arasındaki mesafe) ile ters orantılı olduğunu bilmekteyiz. Bu nedenle, küçük bir ters kutuplama gerilimi küçük bir deplasman bölgesi ve büyük bir kapasitans oluşturacaktır. Diğer bir deyişle, ters kutuplama gerilimindeki artış, büyük bir deplasman bölgesine ve küçük bir kapasitans değerine neden olacaktır. Şekil 5-3 Varaktör diyodun eşdeğer devresi Bir varaktör diyot, Fig. 7-2 de gösterildiği gibi birbirine seri bağlı bir direnç ve kapasite olarak düşünülebilir. CJ, p ve n jonksiyonarı arasındaki jonksiyon kapasitesidir. RS, gövde direnci ile kontak direncinin toplamıdır ve birkaç ohm mertebesindedir. RS direnci, varaktör diyotun kalitesini belirleyen önemli bir parametredir. Akort oranı(tr), V2 ters kutuplama gerilimine karşılık gelen kapasite değeri ile V1 ters kutuplama gerilimine karşılık gelen kapasite değeri arasındaki oran olarak tanımlanmıştır ve şu şekilde ifade edilir; TR= Akort oranı. CV1= V1 gerilimindeki varaktör diyot kapasitansı. CV2= V2 gerilimindeki varaktör diyot kapasitansı. (5) 3

HABERLEŞME TEKNİĞİ LABORATUVARI DENEY FÖYÜ Deneylerimizde 1SV55 varaktör diyotu kullanılmaktadır ve temel karakteristikleri de şu şekildedir: C3V= 42 pf (3V daki varaktör diyot kapasitansı) TR= 2.65 (3V 30V da) MC1648 VCO Kullanılarak Frekans Modülatörü Deneyler, Şekil 5-4 de gösterilen, MC1648 VCO içeren frekans modülatörü ile gerçekleştirilecektir. Temel olarak, bu devre bir osilatör ve osilasyon frekansını belirleyen girişte akort devresinden oluşur. Bu devredeki, C2 ve C3 kapasiteleri, gürültüyü süzmek için bypass kapasiteleridir. Yüksek bir frekansta (2.4MHz) çalışıldığı zaman, bu iki kapasitenin kapasitif reaktansı çok küçüktür ve pratik uygulamalar için ihmal edilebilir. Bu nedenle, Şekil 5-5 de gösterilen akort devresinin AC eşdeğeri bir LC rezonans yapısıdır. C, 1SV55(Cd) ile MC1648 in giriş kapasitesinin (Cin) paraleli olarak düşünülebilir. Cin nin değeri yaklaşık olarak 6 pf dır. Eğer kaçak kapasiteleri ihmal edersek osilasyon frekansı aşağıdaki formül ile hesaplanabilir; (6) Şekil 5-4 MC1648 FM modülatör devresi Yukarıda bahsedildiği gibi, D1 varaktör diyotunun Cd kapasitansı, ters kutuplama geriliminin değeri ile değişir. (6) denklemine göre, Cd kapasitansının değişimi osilasyon frekansının değişimine neden olacaktır. Şekil 5-4 deki devrede, küçük bir DC gerilim, büyük bir Cd kapasitansı ve küçük bir frekans çıkışı üretecektir. Diğer taraftan, DC gerilimindeki artış, Cd kapasitans değerini düşürecek ve yüksek bir frekans çıkışına neden olacaktır. Bu nedenle, DC gerilim sabit tutulur ve girişe bir ses işareti uygulanırsa, VCO çıkış işareti frekans modüleli bir işaret olacaktır. 4

FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) Şekil 5-5 Akort tank devresinin AC eşdeğer yapısı LM566 VCO Kullanılarak Frekans Modülatörü Şekil 5-6, LM566 VCO (voltaj kontrollü osilatör) entegresi kullanılarak gerçekleştirilmiş bir frekans modülatörüdür. Eğer SW1 açık ise, bu devre tipik bir VCO dur ve bu VCO nun çıkış frekansı, C3, VR1 ve giriş ses geriliminin değerleri ile belirlenir. Eğer C3 ve VR1 değerleri sabit ise, çıkış frekansı 8. ve 5. pinler arasındaki gerilim farkı (V8-V5) ile doğrudan orantılıdır. Diğer bir deyişle, ses giriş gerilimindeki (V5) bir artış, (V8-V5) değerinde ve çıkış frekansında bir azalmaya sebep olur. Tam tersi olarak, ses giriş gerilimindeki (V5) azalış çıkış frekansında artışa sebep olacaktır. Yukarıda irdelendiği gibi, C3 ve VR1 değerleri de aynı zamanda çıkış frekansını belirlemektedir. C3 ve VR1 in çarpımı ile ters orantılıdır. Yani, VR1xC3 değeri büyüdükçe, çıkış frekansı azalmaktadır. Şekil 5-6 LM566 Frekans modülatör devresi Eğer SW1 kapatılırsa, R1 ve R2 den oluşan gerilim bölücü, ses girişine (5. pine) DC bir gerilim seviyesi sağlar. VR1 ayarlanarak, VCO nun merkez frekansı fo kolaylıkla ayarlanabilir. Bir ses işareti, ses girişine uygulandığı zaman çıkışta, uygulanan ses işaretinin genliği ile VCO merkez frekansı fo etrafında değişen bir frekans üretecektir. Böylelikle, frekans modüleli bir işaret elde edilir. 5

HABERLEŞME TEKNİĞİ LABORATUVARI DENEY FÖYÜ Deney 5-1 MC1648 in Karakteristik Ölçümleri Deneyin Yapılışı: 1. MC1648 FM modülatör devresini KL-93004 modülü üzerine yerleştirin. Bobini L1 (100µH) e ayarlamak için bağlantı konnektörünü J2 ye bağlayın. 2. DC besleme girişine(i/p2) 3VDC bağlayın. Osiloskop kullanarak çıkış dalga şeklini gözlemleyin. Çıkışta bir sinüs dalgası gözükene kadar VR1 i ayarlayın ve frekansı Tablo 5-1 e kaydedin. 3. İkinci adımı, Tablo 5-1 de listelenen diğer DC gerilimleri için tekrarlayın. 4. Tablo 5-1 deki sonuçları kullanarak Şekil 5-7 de gerilim-frekans eğrisini çizin. Deney 5-2 MC1648 Frekans Modülatörü 1. 5V da ters kutuplanmış 1SV55 varaktörü ve L1 =100µH için J1 ve J2 ye bağlantı konnektörünü bağlayın. Bu koşullar altında, çıkış frekansı, fo merkez frekansı olacaktır. 2. Ses girişine(i/p1), 2Vp-p, 3kHz lik bir sinüs dalgası bağlayın. Osiloskop kullanarak çıkış dalga şeklini gözlemleyin. Çıkışta bir sinüs dalgası gözükene kadar VR1 i ayarlayın. 3. Spektrum analizör kullanarak çıkış spektrumunu gözlemleyin ve Tablo 5-2 ye kaydedin 4. 5kHz ve 8kHz ses frekansları için 3. adımı tekrarlayın Not: Taşıyıcı işaret ile modüle edilmiş işaret arasındaki frekans farkı çok büyük olduğunda, osiloskop kullanarak zaman domeninde aşikar bir değişim gözlemlemek zor olabilir. Böyle durumlarda frekans analizörü kullanılması tavsiye edilir. Deney 5-3 LM566 nın Karakteristik Ölçümleri 1. LM566 modülatör devresini KL-93004 modülü üzerine yerleştirin. Kapasiteyi C3 (0.056µF) e ayarlamak için bağlantı konnektörünü J2 ye bağlayın. 2. DC gerilim girişine (5. pine) 3.6VDC gerilim bağlayın. 2kHz çıkış frekansı elde etmek için VR1 i ayarlayın. Bu frekans, fo merkez frekansıdır. 3. Beşinci pindeki DC gerilimleri sırası ile 2.7V, 3V, 3.3V, 3.9V, 4.2V ve 4.5V olarak değiştirin. DC gerilim girişlerine göre çıkıştaki frekansları gözlemleyin. Sonuçları Tablo 5-3 e kaydedin 4. Tablo 5-3 deki sonuçları kullanarak, Şekil 5-8 de gerilim-frekans eğrisini çizin. 5. J2 deki bağlantı konektörünü söküp J3 e bağlayın. Bu, C3(0.056µF) kapasitesini C4 (0.0056µF) kapasitesi olarak değişmesini sağlar. 6. DC gerilim girişine (5. pine) 3.6VDC gerilim bağlayın. 20kHz çıkış frekansı elde etmek için VR1 i ayarlayın. Bu frekans, fo merkez frekansıdır. 7. Beşinci pindeki DC gerilimleri sırası ile 2.7V, 3V, 3.3V, 3.9V, 4.2V ve 4.5V olarak değiştirin. DC gerilim girişlerine göre çıkıştaki frekansları gözlemleyin. Sonuçları Tablo 5-4 e kaydedin. 8. Tablo 5-4 deki sonuçları kullanarak, Şekil 5-9 da gerilim-frekans eğrisini çizin. 6

FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) Deney 5-4 LM566 Frekans Modülatörü 1. LM566 FM modülatör devresini KL-93004 modülü üzerine yerleştirin. Kapasiteyi C4 (0.0056µF) e ayarlamak için bağlantı konnektörünü J1 ve J3 e bağlayın. 20kHz çıkış frekansı elde etmek için VR1 i ayarlayın. 2. 500mVp-p, 1kHz lik sinüs dalgasını ses girişine(i/p1) bağlayın. Osiloskop kullanarak çıkış dalga şeklini(o/p) gözlemleyin ve sonucu Tablo 5-5 e kaydedin. 3. Ses frekanslarını 3kHz ve 5kHz olarak sırası ile değiştirin. Ses giriş işaretlerine karşılık gelen çıkış dalga şekillerini gözlemleyin ve sonuçları Tablo 5-5 e kaydedin. 4. Ses girişini, 1Vp-p, 1kHz sinüs işareti olarak değiştirin. Çıkış dalga şeklini gözlemleyin ve sonucu Tablo 5-6 ya kaydedin. 5. Ses frekanslarını 3kHz ve 5kHz olarak sırası ile değiştirin. Girişteki ses işaretlerine karşılık gelen çıkış dalga şekillerini gözlemleyin. Sonuçları Tablo 5-6 ya kaydedin. Tablo 5.1 Şekil 5-7 7

HABERLEŞME TEKNİĞİ LABORATUVARI DENEY FÖYÜ Tablo 5.2 Tablo 5.3 Şekil 5-8 8

FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) Tablo 5.4 Şekil 5-9 Tablo 5.5 9

HABERLEŞME TEKNİĞİ LABORATUVARI DENEY FÖYÜ Tablo 5.6 10