YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU



Benzer belgeler
DENEY-4. Transistörlü Yükselteçlerin Frekans Analizi

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

DENEY-1. Ortak Emiterli Küçük Sinyal Yükseltici

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

HABERLEŞME ELEKTRONĐĞĐNE DENEY FÖYLERĐ 2011 V.Y.S.

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

Şekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

DENEY-3. FET li Yükselticiler

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II

ZENER DİYOTLAR. Hedefler

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER

DENEY 10: SERİ RLC DEVRESİNİN ANALİZİ VE REZONANS

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

ELM202 ELEKTRONİK-II DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ LABORATUARI

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

Deney 32 de osiloskop AC ve DC gerilimleri ölçmek için kullanıldı. Osiloskop ayni zamanda dolaylı olarak frekansı ölçmek içinde kullanılabilir.

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

Grafik kağıtları. Daha önce değinildiği gibi, grafik, bağımlı ve bağımsız değişkenler arasındaki ilişkiyi gösteren bir araçtır.

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ

DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

DENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri

GEBZE TEKNİK ÜNİVERSİTESİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri

Elektrik Devre Lab

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

EEM 202 DENEY 5 SERİ RL DEVRESİ

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

DENEY 2: AC Devrelerde R, L,C elemanlarının dirençlerinin frekans ile ilişkileri ve RC Devrelerin İncelenmesi

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

Bölüm 7 FM Modülatörleri

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Amaç: Tristörü iletime sokmak için gerekli tetikleme sinyalini üretmenin temel yöntemi olan dirençli tetikleme incelenecektir.

Şekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

DENEY 2 Op Amp: AC Uygulamaları

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

NECMETTİN ERBAKAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK-1 LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

8. FET İN İNCELENMESİ

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

DENEY 5. Rezonans Devreleri

ELM 324 ELEKTROMEKANİK ENERJİ DÖNÜŞÜMÜ DERSİ LABORATUVARI

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Proje Teslimi: güz yarıyılı ikinci ders haftasında teslim edilecektir.

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ

Transkript:

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : YAPILIŞ TARİHİ: GRUP ÜYELERİ : 1. 2. 3. DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ: Yrd. Doç. Dr. M. Nuri ALMALI DERSİN SORUMLU ASİSTANLARI: Araş. Gör. Yeter ŞEKERTEKİN Araş. Gör. Hasan ÜZMUŞ

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK LAB DENEY FÖYÜ DENEY 2 # BJT Yükselteçlerin Frekans Analizi 1. AMAÇ: BJT transistörlerle yapılan yükselteçlerin alçak ve yüksek frekans analizlerini yapmak. 2.ÖNÇALIŞMA: Bode eğrilerinin okunması ve çizilmesini araştırınız. Elde ettiğiniz Bode eğrileri ne amaçla kullanılıyor olabilir ve bu eğriler bize neyi anlatıyor? Lütfen açıklayınız. 3. TEORİ 3.1.Transistörlü Yükselteçlerde Alçak Frekans Analizi Şekil-2.1 de görülen yükselteç devresinde alçak frekansta etkili olan üç kondansatör vardır. Bunlar sırası ile C İ, C O ve C B kondansatörleridir. Şimdi bunların etkilerini önce tek tek, daha sonrada devrenin toplam kazancına olan etkilerini inceleyelim. Şekil 2.1. Transistörlü yükseltici devresi C İ kondansatörü kendisine bağlı eşdeğer dirençle bir RC devresi oluşturmaktadır ve bu devrenin kesim frekansı;

formülünden hesaplanabilir. Şekil-2.1 deki devre için R İ değeri; R İ =R 1 //R 2 //ß re olarak alınabilir. C O kondansatörünün neden olduğu kesim frekansı ise; ile hesaplanabilir. Burada RO değeri; C B kondansatörünün etkisi ise; R O =R C //r O olarak alınabilir. ile özetlenebilir. R e, C B, kondansatörlerine bağlı toplam eşdeğer direnç olup, değeri; olarak alınabilir. Her bir kesim frekansından itibaren kazanç -20 db/decade eğimle azalmaktadır. Burada değeri en yüksek çıkan kesim frekansı baskın(dominant) olarak alınır ve yükseltecin alçak frekans kesim noktasını belirler. Bu noktadan sonra orta frekans bandı gelir ve bu bantta kazanç yaklaşık olarak sabit kalır(yüksek frekans kesim noktasına kadar).

Şekil-2.2 Tipik bir yükseltecin alçak frekans Bode eğrisi Şekil-2.2 de tipik bir transistörlü yükseltecin alçak frekans Bode eğrisini ve bu eğri üzerinde kazancın frekansla nasıl değiştiği görülmektedir. Her bir kesim frekansı logaritmik olarak ölçeklendirilmiş frekans ekseninde işaretlendikten sonra, bu frekanslardan bir decade(bir onluk) aşağı frekansa gidilir ve bu frekansa karşılık gelen -20 db kazanç noktası işaretlenir. Daha sonra her bir kesim frekansı ile bu noktalar birleştirilerek -20 db/decade eğime sahip asimptotlar elde edilir. Daha öncede değinildiği gibi, değeri en yüksek frekans baskındır ve bu frekanstan aşağıya doğru inilerek -3 db noktası işaretlenir. Eğer baskın frekanstan çizdiğimiz asimptot, diğer herhangi bir asimptot ile herhangi bir frekansta çakışıyorsa, çakışma noktasından frekansın azalma yönüne doğru -40 db/decade eğime sahip yeni bir asimptot çizilir. Bu asimptotda bir başkası ile çakışıyorsa bu noktadan itibaren eğim -60 db/decade olarak alınır. Daha sonra serbest elle baskın frekans değerinden başlayarak(-3 db noktasından geçecek şekilde), çakışmalardan sonra çizdiğimiz asimptotlar izlenerek, yükseltecin alçak frekans karakteristiği Bode eğrisi olarak çizilmiş olur. 3.2.Transistörlü Yükselteçlerde Yüksek Frekans Analizi Yukarıda kısaca değindiğimiz gibi, transistörlerin kendi iç yapılarından dolayı yüksek frekanslarda elektrotlar arası kapasitif etki gösterir. Bunun yanısıra kullanılan kablo ve bakır yollarda yüksek frekanslarda bir kapasitif etkiye sahiptir. Yine önemli bir transistör parametresi olan β değeride frekansla birlikte değişmektedir. Bütün bu etkilerin sonucunda yükseltecin kazancı yüksek frekanslarda azalma olarak kendini gösterir. Şekil-2.3 te transistörün elektrotlar arası kapasitif etkileri görülmektedir.

Şekil-2.3 Transistörlerde elektrotlar arası kapasiteler Birçok transistör üreticisi firma, kataloglarda bu kapasite değerlerini verirken Şekil-2.3 teki semboller yerine aşağıdaki gösterimleri tercih etmektedir. Bu değerlerden en az etkili olan Cce değeri genellikle kataloglarda verilmez, dolayısı ile etkisi hesaplamalarda ihmal edilebilir.yüksek frekansta bu kondansatörlerin etkisini özetlemenin en iyi yolu Şekil-2.4 te görülen yükseltecin yüksek frekanstaki eşdeğer devresine bakmaktır. Bu devre Şekil-2.1 de görülen ortak emiterli yükseltecin yüksek frekans eşdeğer devresidir. Burada C İ kondansatörünün değeri; Şekil-2.4 : Yükseltecin yüksek frekans eşdeğer devresi olarak alınabilir. C wi giriş devresinde kullanılan kabloların kapasitif etkisidir. C Mi ise giriş devresinde görülen Miller kapasitesidir ve değeri Şekil-2.1 deki devre için; alınmalıdır. C o kondansatörü ise; değerindedir. C wo çıkış devresinde görülen kablolama kapasitesidir.. C Mo ise çıkış devresinde görülen Miller kapasitesidir. Değeri ; olarak alınabilir.giriş devresinin yüksek frekans kesim değerini bulabilmek için, C İ kondansatörüne bağlı dirençlerin toplamına R Th1 dersek;

olarak bulunur. Buradan kesim frekansı; olarak bulunur. Çıkış devresinin kesim frekansı ise; olmak üzere, olarak bulunur. Yüksek frekansta β değerinin değişmesi sonucu üçüncü bir kesim frekansı oluşur. Bu frekansı bulabilmek için Şekil-2.5 te görülen hibrit-π veya diğer adı ile Giacoletto modeline bakalım. Şekil-2.5 : Transistörlü yükselteçlerin yüksek frekans hibrit-π modeli Transistör β değerinin yüksek frekansla değişimi; olarak özetlenebilir. Burada f β (β nın yüksek frekanstaki değişiminden dolayı oluşan kesim frekans değeri) yukarıdaki eşdeğer devre kullanılarak aşağıdaki gibi bulunabilir. Yüksek frekansta etkili olan elemanlardan dolayı oluşan bu kesim frekansları artık Bode eğrisi çiziminde kullanılabilir. Bunun için öncelikle frekans ekseninde kesim frekansları

işaretlenir ve her kesim frekansından bir decade(bir onluk) yukarı frekansa gidilerek, bu noktalarda -20 db değerleri işaretlenir(bakınız Şekil-6). Daha sonrada bu noktalar birleştirilerek yüksek frekans asimptotları elde edilir. Burada artık baskın(dominant) kesim frekansı değeri en küçük olanıdır. Bu yüzden bu frekans değeri ile -3 db değerinin kesiştiği nokta işaretlenir. Yüksek frekans eğrimiz bu noktadan geçmelidir. Alçak frekans cevabını çizerken izlediğimiz yol aynen burada da takip edilerek, transistörlü yükselteçlerin yüksek frekans Bode eğrisi çizilmiş olur. Daha sonra alçak, orta ve yüksek frekans eğrileri Şekil- 4.7 de görüldüğü gibi tek bir grafik olarak çizilerek, yükseltecin toplam frekans eğrisi elde edilmiş olur. Şekil-2.6 : Tipik bir yükseltecin yüksek frekans Bode eğrisi Şekil-2.7 : Tipik bir yükseltecin tüm frekans aralığı Bode eğrisi

4.KULLANILACAK ELEMANLAR: 1 Adet BC140 R S =1K Ω, R 1 =40KΩ, R 2 =ayarlı direnç(10kω), R C =5,5K Ω, R E =2.2K Ω, R L =2.2K Ω C İ =10µF, C O =4.7µF, C B =4.7µF V CC =20V 5. DENEYİN YAPILIŞI: 1. Şekil-2.1 de görülen yükselteç devresini deney seti üzerine kurarak, girişine sinyal jeneratörünü bağlayınız. 2. Sinyal jeneratörünün çıkışını sinüs konumuna getirerek, frekansını 1KHz ve genliğini minimum durumda tutunuz. Osilaskobun 1. Kanalını sinyal jeneratörü çıkışına, 2. Kanalını da yük direncine bağlayınız. Şimdi sinyal jeneratörünün genliğini yavaş yavaş arttırarak 4 V(p-p) değerine getiriniz. Bu durumda çıkıştan(yük üzerinden) distorsiyonsuz (bozulmamış) bir sinüs dalgası elde etmelisiniz. Eğer çıkışta bozulma oluyorsa, giriş genliğini azaltarak aşağıya not ediniz. VS =. mv(p-p) 3. Bundan sonra sinyal jeneratörünün frekansını sırası ile aşağıdaki tabloda görülen değerlere ayarlayarak, her frekans için çıkış genliğini(tepeden-tepeye) ölçünüz ve tablodaki uygun yerine yazınız. Not: Frekans değiştikçe sinyal jeneratörü çıkış genliğide değişebilir, bu yüzden her adımda sinyal jeneratörünün genliğinin yukarıda ölçtüğünüz değerde sabit kalmasını sağlayınız. Gerekirse genliği ayarlayarak, yukarıdaki değere getiriniz.

4. Yukarıda bulduğunuz çıkış genlik değerlerini her frekans için sabit giriş genliğine bölerek devrenin o frekanslardaki voltaj kazançlarını hesaplayınız ve aşağıdaki tabloya yazınız. Daha sonra bu kazançları karşılaştırarak orta frekans bandında yaklaşık sabit kalan AV(mid)değerini bulunuz(tablodan çıkartınız) ve aşağıya yazınız. 5. Şimdi yukarıdaki tabloda bulduğunuz her kazancı AV(mid) değerine bölünüz ve aşağıdaki tabloya yazınız(av / AV(mid)) 6. Yukarıdaki tabloda bulduğunuz her AV/AVmid değerinin logaritmasını alarak 20 ile çarpınız ve sonuçları aşağıdaki tabloya yazınız(20log(av/avmid))db 7. 6. basamakta bulduğunuz değerleri kullanarak yarı logaritmik kağıt üzerine yatay eksende logaritmik olarak frekans ve dikey eksende db cinsinden normalize edilmiş kazanç,