TÜMDEVRE RADYO ALICILARINDA AKIM MODLU ALICI TEMEL BANT KATI TASARIMI

Benzer belgeler
BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

YENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIYICI (MCCIII) YAPISI, KARAKTERİZASYONU VE UYGULAMALARI

YÜKSEK BAŞARIMLI İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Yeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII)

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ

DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler

Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

Hazırlayan. Bilge AKDO AN

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

İşlemsel Yükselteçler

BİRİNCİ DERECEDEN ELEKTRONİK AYARLANABİLİR ALÇAK GEÇİREN SÜZGECİN LOGARİTMİK ORTAMDA TASARIMI

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:

LOGARİTMİK KUVVETLENDİRİCİLERLE GERÇEKLEŞTİRİLEN ANALOG KAREKÖK ALICI. Erdem ÖZÜTÜRK

Voltage Mode Second Order Filters Design with Inverting Current Conveyor

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

BAS T VE KULLANI LI B R AKIM LEMSEL KUVVETLEND R C S TASARIMI

DENEY 3: DOĞRULTUCU DEVRELER Deneyin Amacı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

İSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ AKIM MODLU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

Op-Amp Uygulama Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI

Elektrik Devre Temelleri 3

BİLGİSAYARLI KONTROL OPERASYONAL AMFLİKATÖRLER VE ÇEVİRİCİLER

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

GERİBESLEME VE OSİLATÖR DEVRELERİ

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Taşıyıcısı Bastırılmış Çift Yan Bant ve Tek Yan Bant Genlik Modülatör ve Demodülatörleri

DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

BÖLÜM 4 RADYO ALICILARI. 4.1 Süperheterodin Alıcı ANALOG HABERLEŞME

6 İşlemsel Kuvvetlendiricilerin Lineer Olmayan Uygulamaları deneyi

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY 6 ANALOG/DİGİTAL DÖNÜŞTÜRÜCÜ. Grup Numara Ad Soyad RAPORU HAZIRLAYAN:

Algılayıcılar (Sensors)

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi

DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ

Elektrik Devre Temelleri

Deney 10: Analog - Dijital Dönüştürücüler (Analog to Digital Converters - ADC) Giriş

DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı 2 AKTİF SÜZGEÇLER

DEÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ FEN VE MÜHENDİSLİK DERGİSİ Cilt: 10 Sayı: 2 sh Mayıs 2008

Bölüm 13 FSK Modülatörleri.

Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Fırat Kaçar 1, Hakan Kuntman 2. Mühendislik Fakültesi, İstanbul Üniversitesi, 34320, Avcılar, İstanbul

Elektrik Devre Temelleri

CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA GÜVENİLİRLİĞİ

DENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

Yükselteçlerde Geri Besleme

Sayısal Filtre Tasarımı

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

Anahtarlama Modlu DA-AA Evirici

NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

Şekil 6-1 PLL blok diyagramı

DENEY 13 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ (Op Amp)

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

YÜKSEKÖĞRETİM KURULU PROFESÖR : MARMARA EĞİTİM KÖYÜ MALTEPE İSTANBUL

Yarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi

İletişim Ağları Communication Networks

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

Bölüm 13 FSK Modülatörleri.

Deney 2: FARK YÜKSELTEÇ

I R DENEY Ohm Kanunun İncelenmesi

DENEY 5. Pasif Filtreler

İndüktans Benzetimi. 16/04/2014 ELE512 ITU İleri Analog Tümdevre Tasarımı 2014 İlkbahar Dönemi Dönem Ödevi. İndüktans Benzetimi

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

A.Ü. GAMA MYO. Elektrik ve Enerji Bölümü GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ 10. HAFTA

Transkript:

TÜMDEVE ADYO ALIILAINDA AKIM MODLU ALII TEMEL BANT KATI TAAIMI Fevzi Erdal KAAAĞAÇ Ali TOKE İstanbul Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik Fakültesi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü 866, Maslak, İstanbul e-posta:erdalk@ttnet.net.tr e-posta: alitoker@ehb.itu.edu.tr Anahtar sözcükler: Aktif üzgeçler, Akım Modlu Devreler, Değişken Kazançlı Kuvvetlendiriciler ABTAT In this study, order to herit the known advantages of the current-mode operation, a currentmode baseband architecture is proposed for tegrated F receivers. The baseband circuitry is composed of a filter, a variable ga amplifier (VGA), and an analog-to-digital converter (AD). However, AD is not the scope of our study. In the proposed architecture, the voltage-to-current conversion is performed durg lowpass filterg the first stage, where some variable ga is also provided. Thus, lowpass filter and variable ga amplifier is merged the same stage. The followg stage is a lowpass biquad that performs further filterg of the undesired signals. The simulation results show that the proposed architecture is suitable for low-voltage, low-power applications.. GİİŞ Çok geniş ölçekli tümleştirme (VLI) teknolojisdeki gelişmeler büyük ölçekteki sayısal devreler verilen silisyum alanına sığdırılmasına olanak vermekte ve bu durumda güç tüketimi sınırlamak amacıyla, düşük besleme gerilimlerde çalışma zorunlu olmaktadır. Öte yandan analog ve sayısal sistemler aynı tümdevre içerisde gerçeklenmesi durumunda düşük besleme gerilimlerde çalışma analog kısmın damik aralığını düşürmektedir []. Bu sorunu çözebilmek iç işaret gösterimi gerilim yere akım olarak değiştirilmelidir. Çünkü, genelde akım modlu devrelerde düğüm empedansları düşük olduğundan gerilim salınımları da azalmakta ve işaret aralığı artık besleme gerilimi ile sınırlı olmamaktadır [,3]. Ayrıca düşük empedans düğümleri nedeniyle, akım modlu devreler yükselme eğimi sınırlamalarından da neredeyse bağımsızdırlar ve bu sayede yüksek hız gerektiren uygulamalar iç de uygundurlar [4,5]. Bu çalışmada, akım modlu çalışmanın bu avantajlarını tümdevre radyo alıcılarının temel bant katında kullanılabilmek amacıyla Şekil- deki devre yapısı önerilmiştir. Bu yapının ilk katı, F karıştırıcı çıkışındaki gerilim işareti akıma dönüştürmekte ve gerilimden akıma alçak geçiren süzgeç (AG) işlevi görmektedir. Bu süzgece aynı zamanda değişken kazanç sağlama işlevi de üstlendirilmiştir. Böylece Şekil- deki ilk iki kat aslında tek bir blok olarak gerçekleştirilmektedir. Bir sonraki kat ise daha fazla filtreleme yapmak amacıyla tasarlanan akım modlu ikci dereceden alçak geçiren süzgeç devresidir. onuç olarak dördüncü dereceden süzgeç ile kısmi kanal seçimi öngörülmektedir. Şekil- Önerilen akım modlu alıcı temel bant yapısı. Bölüm- de temel bant aktif süzgeci oluşturan ikci dereceden alçak geçiren devreler celenmiştir. Bölüm-3 de süzgeç devrelerde kullanılan aktif eleman yapısı ve akım modlu değişken kazançlı kuvvetlendirici (DKK) yapısı verilmiştir. Benzetim sonuçları Bölüm-4 de sunulmaktadır. Bölüm-5 ise sonuç bölümüdür.. TEMEL BANT AKTİF ÜZGEİ Şekil- de verilen klasik allen-key bant geçiren süzgec birim kazançlı kuvvetlendirici ile gerçekleştirilmesi durumunda, geribesleme direnci ( ) akımı alçak geçiren özelliktedir ve bu akım devre yüklenmemişken aynı zamanda tampon devren çıkış akımıdır. Şekil- Klasik allen-key bant geçiren süzgeç. Bu özellikten yararlanarak ve aktif eleman olarak sembolü ve tanım bağıntısı Şekil-3 de verilen ikci

nesil akım taşıyıcı (II) kullanmak suretiyle Şekil-4 deki gerilimden akıma ikci dereceden alçak geçiren süzgeç yapısı oluşturulmuştur. Şekil-3 de verilen II nın tanım bağıntısında β y-x arasındaki gerilim kazancını, ise x-z arasındaki akım kazancını ifade etmektedir. Akım kazancının işarete göre II pozitif veya negatif olarak adlandırılmaktadır [6]. Şekil-3 II sembolü ve tanım bağıntısı. kullanılırsa, gerilimden akıma dönüştürme işlemi oldukça leer bir şekilde gerçekleştirilebilir. Ayrıca bu devren pasif eleman duyarlıkları allen- Key bant geçiren devren pasif eleman duyarlıkları ile aynıdır. Yalnızca, devren D geçiş iletkenliğe ait duyarlıklar kende özgüdür ve (5) ile (6) denklemleri ile verildiği gibidir. H 3 H H ve H (5) H ve + H (6) + Temel bant süzgeç yapısının son katını oluşturan akım modlu ikci dereceden alçak geçiren devre Şekil-5 de görülmektedir [7]. Bu devren akım transfer fonksiyonu ise, ve β iç, (7) denklemi ile verilmektedir. Devren doğal frekansı ω ve kalite faktörü Q ya ait bağıntılar (8) ve (9) ile verildiği gibidir. Şekil-4 Gerilimden akıma alçak geçiren süzgeç. Şekil-4 deki devrede y-x birim kazançlı hücre gerilim tampon devresi olarak çalışmakta, üzerdeki akım ise birim kazançlı akım hücresi ile x ucundan z ucuna taşınmaktadır. Böylece yüksek çıkış empedanslı, bir başka ifadeyle akım modunda kaskat bağlamaya uygun bir transadmitans süzgeç elde edilmektedir. Bu devren transfer fonksiyonu β iç () bağıntısı ile verilmektedir. Bu bağıntıdan da görüleceği üzere II nın akım kazancı, transfer fonksiyonunun sadece pay polomunda yer almaktadır. Dolayısıyla, değiştirilerek AG n karakteristiği bozulmadan değişken kazanç elde edilebilir. Iout 3 V( s) s + s + + + + 3 3 () Bu devren doğal frekansı ω, kalite faktörü Q ve D geçiş iletkenliği H ile ilgili bağıntılar sırasıyla (), (3) ve (4) denklemleri ile verildiği gibidir. ω + 3 () 3 Q + 3 + (3) + Ho + (4) (4) bağıntısından anlaşılacağı üzere, eğer ve dirençleri iç leer poli-silisyum dirençler Şekil-5 Artarda bağlanabilir akım modlu alçak geçiren süzgeç. I I out (7) s + s + + ω (8) Q (9) + Şekil-5 den bu devren de birbiri ardına bağlanmaya elverişli olduğu görülmektedir. Bu devreye ait pasif eleman duyarlıkları () ve () denklemleri ile verilmiştir [7]. Q Q () Q Q () + Devrede kapasite değerleri eşit seçilirse kalite faktörünün kapasitelere duyarlığının sıfır olacağı () bağıntısından görülebilir. Bu durumda devren pasif eleman duyarlıkları oldukça iyi olmaktadır.

Tablo- DET sistemi iç Şekil-4 ve Şekil-5 deki süzgeçler eleman değerleri. Şekil-3 Şekil-4 6.kΩ 3.kΩ.46kΩ 6.38kΩ 3 3.95kΩ 5.85pF 34.55pF 7.75pF 34.55pF Şekil-4 ve Şekil-5 deki süzgeç devreleri DET sistemi iç kesim frekansları 7kHz olacak şekilde tasarlanmış ve eleman değerleri Tablo- de verilmiştir. 3. DKK DKK, analog ve sayısal sistemler bir arada olduğu tümdevrelerde toplam sistem damik aralığını artırmak iç kullanılan otomatik kazanç kontrolü (OKK) çevrim çekirdeği oluşturmaktadır [8-]. Telsiz haberleşme sistemlerde alıcının hareketli olmasından dolayı alınan işaret gücü vericiden uzaklığa göre değişmektedir. adyo alıcılarında OKK n görevi temel bant devrelerde yaklaşık olarak sabit bir işaret seviyesi elde etmek iç alıcı yolundaki kazancı ayarlamaktır [8,9]. Şekil-6 Bölüm- deki süzgeç yapılarında kullanılan A sınıfı II Şekil-7 Akım taşıyıcının değişken kazanç sağlayan çıkış katı Bölüm- de verilen süzgeç yapılarında kullanılan II devresi Şekil-6 da verilmiştir []. Akım modlu devrelerde akım toplamanın kolaylığından ve () ile verilen eşitlikten yararlanarak Şekil-6 daki akım taşıyıcının çıkış katı Şekil-7 deki gibi modifiye edilebilir. Burada çıkış kaskot devreler yansıtma

oranlarının çıkış tarafına paralel transistorlar bağlanarak artırılması esasına dayalı bir kazanç kontrol mantığı öngörülmektedir. Bu sayede çok basit bir şekilde transadmitans filtrede görev yapan akım taşıyıcının çıkış katında aynı zamanda DKK işlevi gerçekleştirilmektedir. out n I I ( + + + + + ) I 3 n () MN-MN6 transistorları anahtar olarak çalışan NMO transistorlardır. V-V3 kontrol işaretleri, ilgili kollardan gelen akımların çıkış akımına eklenmesi veya eklenmemesi kontrol etmektedirler. Akım yansıtma oranı n olan transistorlar kullanmak yere n adet eş boyutlu transistor paralel bağlanarak akım kazancındaki hassasiyet arttırılmıştır. Bu sayede, log6db lik kazanç aralıkları ile en fazla 8dB lik değişken kazanç elde edilmektedir. Daha yüksek akım kazancı gereksimlerde daha fazla sayıda eş transistorun paralel bağlanması devren çıkış direnci düşürecektir. Dolayısıyla, kazancı arttırmak iç çıkış katına paralel transistorlar ilave etmek bir dereceye kadar geçerlidir. Bunun yere Şekil-7 deki çıkış katı Şekil-8 de verilen devren çıkışına bağlanırsa 6dB aralıklarla toplam 8dB kazanç sağlayabilen bir akım kuvvetlendiricisi elde edilir. Bu kuvvetlendiriciden gerektiği kadarı kaskat bağlanarak istenilen büyüklükte kazanç elde edilebilir. aralığının yeterce geniş olmaması durumunda kırpılmadan dolayı devren damiği azalacaktır. Tablo- Şekil-6 da kullanılan transistor boyutları. ihaz W(u)/L(u) ihaz W(u)/L(u) ihaz W(u)/L(u) M.75/ M8.5/. M5 3.3/. M 5/ M9 6.5/. M6 4.6/. M3 5/ M 6.5/. Mc 4.7/.3 M4.75/ M 3/. Mc 4.7/.3 M5.5/. M 3/. M4c 3.4/.3 M6.5/. M3 3.3/. M5c 3.4/.3 M7.5/. M4 3.3/. Şekil-9 da akım taşıyıcının y ucuna bağlanan gerilim kaynağının D değeri süpürülerek elde edilen D gerilim geçiş karakteristiği verilmiştir. Görüldüğü gibi oldukça büyük bir aralıkta x ucundaki gerilim y ucundaki gerilimi izlemektedir. Şekil-9 Şekil-6 daki akım taşıyıcının D gerilim izleme eğrisi (x-ucu X 8.57k ile yüklü iken). Şekil-8 Akım kuvvetlendiricis giriş katı. 4. BENZETİM ONUÇLAI Benzetim PPIE ile AM.35µ teknolojisi BIM3v3 model parametreleri ile yapılmıştır. Besleme gerilimi ±.65V olarak alınmıştır. Şekil-6 daki II+ devrese ait transistorların boyutları Tablo- de verildiği gibidir. Tümdevre radyo alıcılarında yüksek kalite faktörlü ayrık elemanlar bulunmadığından yeterce bastırılmamış güçlü bozucu işaretler zayıf istenen işaret ile birlikte temel banda dirilmektedir. Bu yüzden temel bant devreler doğrusallığı büyük önem taşımaktadır. Bölüm- de verilen süzgeç yapılarında kullanılan akım taşıyıcının giriş gerilim Şekil- Şekil-6 daki akım taşıyıcının gerilim kazancının frekans cevabı. Şekil- Şekil-6 daki akım taşıyıcının akım kazancının frekans cevabı.

Şekil-6 daki akım taşıyıcının gerilim ve akım kazançlarının frekans cevapları sırasıyla Şekil- ve Şekil- de verilmiştir. Şekil-6 da verilen akım taşıyıcı kullanılarak önerilen temel bant devres değişken kazanç ile birlikte tam benzetim sonucu ise Şekil- ile verilmektedir. Şekil- Temel bant devres çeşitli kazançlardaki frekans eğrileri (çıkış L 8.57k ile yüklü iken). Devren çıkış akımı 6dB lik kazanç adımlarını görebilmek amacıyla ilk kattaki gerilimden akıma dönüşümü sağlayan toplam direnç miktarı üzerden tekrar gerilime dönüştürülerek verilmiştir. Böylece, kazanç 6dB, db ve 8dB olarak Şekil- de görülmektedir. Önerilen devren, en fazla kazanç sağladığı 8dB kazanç durumunda, benzetim sonucu güç tüketimi 5mW tır. 5. ONUÇ Bu çalışmada, kırmık üstü modern radyo alıcılarının temel bant katı, düşük güç ve düşük besleme gerilim kriterleri dikkate alınarak akım modlu olarak tasarlanmıştır. Bu tasarımla sağlanan temel avantajlar, akım modlu devreler gerilim modlu devrelere göre temel avantajlarının yanı sıra gerilimden akıma çevirme işlem ilk aktif filtre katında gerçekleştirilmesi ile DKK n de bu kata ait akım taşıyıcının çıkış katında birleşik olarak geçekleştirilmeleri olarak özetlenebilir. Bu şekilde hem güç tüketimi hem de kırmık alanından tasarruf sağlanması mümkün olacaktır. üzgeç dereces artırılması ise ikci derece transadmitans filtre olarak çalışan ilk kata yeterli sayıda akım modunda çalışan ikci derece süzgeçler kaskat bağlanarak yapılabilmektedir. onuç olarak, tasarlanan devre hebyshev karakteristiğe sahip dördüncü dereceden alçak geçiren süzgeçtir. Ye düşük güç tüketimi ve daha az kırmık alanı gereksimi kriterleri dikkate alınarak bütün aktif filtreler tek kuvvetlendiricili yapılar olarak tasarlanmıştır. Tasarlanan devreler tamamı standart MO proseslere uygun olarak gerçekleştirilmiş ve devreler her türlü benzetimleri bilgisayar ortamında yapılarak teorik öngörüler doğrulanması sağlanmıştır. Güç tüketim daha da azaltılmasının gerekli olduğu uygulamalarda standart n-kuyu MO teknolojisi ile gerçekleştirilebilecek AB sınıfı çalışan II yapıları kullanılabilir. KAYNAKLA [] oberts, G.W., edra, A.., All urrent-mode Frequency elective ircuits, ELETONI LETTE, Vol. 5, No., pp. 759-76, 989. [] Kaulberg, T., A MO urrent-mode Operational Amplifier, IEEE J. OLID TATE IUIT, Vol. 8, No. 7, pp. 849-85, 993. [3] Pennisi,., Low-Voltage MO urrent Operational Amplifier with lass AB Input tage, Proc.:8th IEEE Int. onf. Electronics, ircuits, yst. (IE ), Vol. III, pp. 55-58, Malta, -5sept.,. [4] Toumazou,., Lidgey, F.G., Haigh, D.G., Analogue I Design: The urrent-mode Approach, Peter Peregrus, London, 99. [5] Palmisano, G., Palumbo, G., Pennisi,., MO urrent Amplifiers, Kluwer Academic, Boston, 999. [6] edra, A.., mith, K.., A econd Generation urrent-onveyor and Its Applications, IEEE TAN. IUIT THEOY, T-7, pp. 3-34, 97. [7] Liu,.I., Tsao, H.W., Wu, J., ascadable urrent-mode gle II Biquads, ELETONI LETTE, Vol. 6, No. 4, pp. 5-6, 99. [8] Elwan, H., Ismail, M., Digitally Programmable Decibel-Lear MO VGA For Low Power Mixed-ignal Applications, IEEE TAN. İUIT AND YTEM-II: ANALOG AND DİGITAL IGNAL POEING, Vol. 47, No. 5, pp. 388-398,. [9] Elwan, H., oliman, A.M., Ismail, M., A MO Norton Amplifier-Based Digitally ontrolled VGA For Low Power Wireless Applications, IEEE TAN. IUIT AND YTEM-II: ANALOG AND DIGITAL IGNAL POEING, Vol. 48, No. 3, pp. 45-54,. [] ijns, J.J.F., MO Low-Distortion High- Frequency Variable-Ga Amplifier, IEEE J. OLID TATE IUIT, Vol. 3, No. 7, pp. 9-34, 996. [] Motamed, A., Hwang,., Ismail, M., A Low- Voltage Low-Power Wide-ange MO Variable Ga Amplifier, IEEE TAN. IUIT AND YTEM-II: ANALOG AND DIGITAL IGNAL POEING, Vol. 45, No. 7, 8-8, 998. [] El-Adawy, A.A., oliman, A.M., Elwan, H.O., Low Voltage Fully Differential MO Voltage Mode Digitally ontrolled Variable Ga Amplifier, MIOELETONI JOUNAL, Vol. 3, No., pp. 39-46,.