OPTİK MALZEMELER ARAŞTIRMA GRUBU YÜKSEK LİSANS SEMİNERİ VANADYUM OKSİTLERİN YAPISAL, ELEKTRİKSEL ve OPTİKSEL ÖZELLİKLERİ Aslı AYKEN Danışman: Prof.Dr. Ayhan ELMALI Ocak 2012 Ankara 1/32
SUNUM PLANI Vanadyum Oksit İnce Filmlerin Temel Özellikleri, Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi, VO x İnce Filmlerin Üretiminde Kullanılan Teknikler, VO x İnce Filmler İçin Karakterizasyon Teknikleri, Sonuç. 2/32
Vanadyum Oksit İnce Filmlerin Temel Özellikleri Belirli sıcaklıklarda yarıiletken fazdan metal faza geçiş (Semiconductor to Metal Transition, SMT) veya metal fazdan yarıiletken faza geçiş (Metal-to- Insulator Transition, MIT) özelliği göstermektedirler. Faz geçiş özelliği, ilk kez 1959 yılında F. Morin tarafından keşfedilmiştir 1. Vanadyum 3d geçiş metallerindendir. Elektronik dizilimi 3d 3 4s 2 dir 2. Kararlı değerlikli vanadyum ve onun oksitleri 2-5 arasında değerler almaktadır 3. [1] Morin, F.J., Oxides which show a metal-to-insulator transition at the Neel Temperature, Phys. Rev. Lett., 3, 34 36, 1959. [2] H ebert, C., Willinger, M., Su, D.S., Pongratz, P., Schattschneider, P., Schl ogl, R., Oxygen K-edge in vanadium oxides: simulations and experiments, European Physical Journal B, 28, 407 414, 2002. [3] Gan, F.Y., Laou, P., Optical and electrical properties of sputtered vanadium oxide films, J.Vac. Sci. 3/32
Vanadyum Oksit İnce Filmlerin Temel Özellikleri Kararlı oksitler: VO, V 2 O 3, VO 2, V 2 O 5 dir. Ayrıca literatürde, V 3 O 5, V 4 O 7, V 5 O 9, V 6 O 11, V 7 O 13, V 2 O 4 ve V 6 O 13 mevcuttur 4. VO x bileşenleri iki gruba ayrılarak incelenebilir. Bunlar; V n O 2n-1 tipi (VO 2 -V 2 O 3 ) ve V n O 2n+1 tipi (VO 3 -V 2 O 5 ) bileşiklerdir 5. Tek fazda bulunabildikleri gibi karışık fazda da bulunabilmektedir 6. [4] Kachi, K.K.S., Takada, T., Electrical Conductivity of Vanadium Oxides, Journal of the Physical Society of Japan, 18, 1839 1840, 1963. [5] Dultsev, F.N., Vasilieva, L.L., Maroshina, S.M., Pokrovsky, L.D., Structural and optical properties of vanadium pentoxide sol-gel films, Thin Solid Films, 510, 255-259, 2006. [6] Chang, Y.J., Koo, C.H., Yang, J.S., Kim, Y.S., Kim, D.H., Lee, D.H., Lee, J.S., Noh, T.W., Kim, H.T.,Chae, B.G., Phase coexistence in the metal-insulator transition of a VO 2 thin film, Thin Solid Films, 486, 46-49, 2005. 4/32
Vanadyum Oksit İnce Filmlerin Temel Özellikleri (a) (b) (c) (a) VO, (b) VO 2, (c) V 2 O 5 in kristal yapıları. 5/32
SUNUM PLANI Vanadyum Oksit İnce Filmlerin Temel Özellikleri, Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi, VO x İnce Filmlerin Üretiminde Kullanılan Teknikler, VO x İnce Filmler İçin Karakterizasyon Teknikleri, Sonuç. 6/32
Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 1. Faz geçişi sırasındaki yapısal değişimleri, 2. Faz geçişi sırasındaki elektriksel özelliklerin değişimi, 3. Faz geçişi sırasındaki optik özelliklerin değişimi. 7/32
Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 1. Faz geçişi sırasındaki yapısal değişimleri Faz geçişi sırasında, VO x filmlerin bant yapısı değişim göstermektedir. VO 2 nin faz geçiş sıcaklığı 68 C dir 8. V 2 O 5 in faz geçiş sıcaklığı 257 C dir 8. Yapısal özellikler; Alttaş sıcaklığı 7, Kısmi oksijen basıncı 3, Tavlama işlemi 9, Isıtma-soğutma işlemi 8 ile değişim göstermektedir. [3] Gan, F.Y., Laou, P., Optical and electrical properties of sputtered vanadium oxide films, J.Vac. Sci. Technol.A, 22(3), 2004. [7] Meng, L., Silva, R.A., Cui, H., Teixeria, V., Santos, M., Xu, Z., Optical and structural properties of vanadium pentoxide films prepared by d.c. reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films, 515, 2006. [8] Wu, X., Lai, L., Lin, L., Li, Y., Lin, L., Qu, Y., Huang, Z., Influence of thermal cycling on structural, optical and electrical properties of vanadium oxide thin films, Applied Surface Science, 55, 2840-2844, 2008. [9] Luo, Z., Wu, Z., Xu, X., Wang, T., Jiang., Y., Electrical and optical properties of nanostructured VOX thin films prepared by direct current magnetron reactive sputtering and post-annealing in oxygen, Thin Solid Films, 8/32
Şiddet (a.u) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 1. Faz geçişi sırasındaki yapısal değişimleri Alttaş sıcaklığının V 2 O 5 ince filmlerin yapısında gösterdiği etki 7. Depolama: d.c. magnetron sıçratma Karakterizasyon: XRD Kırılma açısı (2θ) 9/32 [7] Meng, L., Silva, R.A., Cui, H., Teixeria, V., Santos, M., Xu, Z., Optical and structural properties of vanadium pentoxide films prepared by d.c. reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films, 515, 2006.
Şiddet (a.u) [3] Gan, F.Y., Laou, P., Optical and electrical properties of sputtered vanadium oxide films, J.Vac.Sci. Technol.A,22(3), 2004. Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 1. Faz geçişi sırasındaki yapısal değişimleri İnce filmlerin elde edilmesi sırasında kısmi oksijen basıncının VO 2 filmin kristal yapısında gösterdiği etki 3. Depolama: reaktif magnetron sıçratma Karakterizasyon: XRD Kırılma açısı (2θ) 10/32
Şiddet (a.u) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 1. Faz geçişi sırasındaki yapısal değişimleri Isısal döngünün V 2 O 5 ince filmlerin filmlerin yapısal özelliklerinde etkisi 8. Depolama: ısısal buhar biriktirme Karakterizasyon: XRD Kırılma açısı (2θ) 11/32 [8] Wu, X., Lai, L., Lin, L., Li, Y., Lin, L., Qu, Y., Huang, Z., Influence of thermal cycling on structural, optical and electrical properties of vanadium oxide thin films, Applied Surface Science, 55, 2840-2844, 2008.
Şiddet (a.u) [9] Luo, Z., Wu, Z., Xu, X., Wang, T., Jiang., Y., Electrical and optical properties of nanostructured VO X thin films prepared by direct current magnetron reactive sputtering and post-annealing in oxygen, Thin Solid Films, 519, 2011. Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 1. Faz geçişi sırasındaki yapısal değişimleri Oksidasyon tavlamasının nano yapılı 10dk tavlanmış VO 2 filmlerin hazırlanışında etkisi 9. Depolama: reaktif magnetron sıçratma Karakterizasyon: XRD tavlanmamış Kırılma açısı (2θ) 12/32
Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 2. Faz geçişi sırasındaki elektriksel özelliklerin değişimi Elektriksel Direncin Sıcaklık Sabiti (Temperature Coefficient of Resistance, TCR) kullanılmaktadır 10. MIT sırasında özdirenç değişimi: metallerde : 10-8 -10-2 Ω.cm yarıiletkenlerde: 10-2 -10 9 Ω.cm yalıtkanlarda : 10 9-10 20 Ω.cm dir. Yüksek yüzey direnci (Resistance of Square, ROS) ideal ROS değeri ~20 kω/, TCR değeri %2 altında olmalıdır 10. Aktivasyon enerjisi (ΔE) 9 diğer önemli parametredir. [9] Luo, Z., Wu, Z., Xu, X., Wang, T., Jiang., Y., Electrical and optical properties of nanostructured VO X thin films prepared by direct current magnetron reactive sputtering and post-annealing in oxygen, Thin Solid Films, 519, 2011. [10] Çapar O., Nanoölçekli vanadyum oksit ince filmlerin yapısal ve elektriksel karakterizasyonu, Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Üniversitesi, İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı, 2010. 13/32
Özdirenç (ohm-cm) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 2. Faz geçişi sırasındaki elektriksel özelliklerin değişimi VO 2 ince filmin özdirencinin sıcaklığa bağlı değişimine MIT neden olmaktadır 3. Depolama: reaktif magnetron sıçratma Karakterizasyon: dört nokta iğne tekniği Sıcaklık ( C) 14/32 [3] Gan, F.Y., Laou, P., Optical and electrical properties of sputtered vanadium oxide films, J.Vac. Sci. Technol.A, 22(3), 2004.
Direnç (ohm) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 2. Faz geçişi sırasındaki elektriksel özelliklerin değişimi soğutma ısıtma V 2 O 5 ince filmlerin direnç-sıcaklık ilişkisinde histeris, yapısal ve elektriksel özellikler arasındaki bağlantıyı içerir 8. Depolama: ısısal buhar biriktirme Karakterizasyon: iki nokta iğne tekniği Sıcaklık ( C) 15/32 [8] Wu, X., Lai, L., Lin, L., Li, Y., Lin, L., Qu, Y., Huang, Z., Influence of thermal cycling on structural, optical and electrical properties of vanadium oxide thin films, Applied Surface Science, 55, 2840-2844, 2008.
ROS (kω/ ) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 2. Faz geçişi sırasındaki elektriksel özelliklerin değişimi tavlanmamış 10dk tavlanmış 25dk tavlanmış Farklı tavlama süresinin ince filmlerin ROS değerine etkisi 9. Depolama: reaktif magnetron sıçratma Karakterizasyon: dört nokta iğne tekniği Sıcaklık ( C) [9] Luo, Z., Wu, Z., Xu, X., Wang, T., Jiang., Y., Electrical and optical properties of nanostructured VO X thin films prepared by direct current magnetron reactive sputtering and post-annealing in oxygen, Thin Solid Films, 519, 2011. 16/32
Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 2. Faz geçişi sırasındaki elektriksel özelliklerin değişimi Normalize özdirenç ρ i /ρ 0 Faz geçişinin keskinliği ve histeris eğrilerinin genişliğinin önemi 11. Depolama: elektron demeti sıçratma Karakterizasyon: dört nokta iğne tekniği Sıcaklık ( C) 17/32 [11] Leroy, J., Bessaudo, A., Cosset, F., Crunteanu, A., Structural, electrical and optical properties of thermochromic VO 2 thin films obtained by reactive electron beam evaporation, Thin Solid Films, doi:10.1016/j.tsf.2011.08.035, 2011.
Geçirgenlik (%) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 3. Faz geçişi sırasındaki optik özelliklerin değişimi VO 2 ince filminin yarıiletken fazda ve metalik fazda optiksel geçirgenliği 3. Depolama:reaktif magnetron sıçratma Karakterizasyon: IR lazer spektroskopisi Dalgaboyu (nm) 18/32 [3] Gan, F.Y., Laou, P., Optical and electrical properties of sputtered vanadium oxide films, J.Vac. Sci. Technol.A, 22(3), 2004.
Geçirgenlik (%) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 3. Faz geçişi sırasındaki optik özelliklerin değişimi Alttaş sıcaklığının V 2 O 5 filminin optiksel geçirgenliğine etkisi 7. Depolama: reaktif magnetron sıçratma Karakterizasyon: UV-vis spektrometre Dalgaboyu (nm) 19/32 [7] Meng, L., Silva, R.A., Cui, H., Teixeria, V., Santos, M., Xu, Z., Optical and structural properties of vanadium pentoxide films prepared by d.c. reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films, 515, 2006.
1000 nm de Geçirgenlik (%) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 3. Faz geçişi sırasındaki optik özelliklerin değişimi Isısal döngü ile optiksel geçirgenlik arasındaki ilişki 11. Depolama: elektron sıçratma tekniği Karakterizasyon: UV-vis-NIR spektrometresi Sıcaklık ( C) [11] Leroy, J., Bessaudo, A., Cosset, F., Crunteanu, A., Structural, electrical and optical properties of thermochromic VO 2 thin films obtained by reactive electron beam evaporation, Thin Solid Films, doi:10.1016/j.tsf.2011.08.035, 2011. 20/32
Geçirgenlik (%) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 3. Faz geçişi sırasındaki optik özelliklerin değişimi tavlanmamış 10dk tavlanmış 25dk tavlanmış Soğurma bandının optiksel geçirgenliğinin tavlamaya bağlı değişimi 9. Depolama: reaktif magnetron sıçratma Karakterizasyon: UV-vis spektrometre Dalgaboyu (nm) [9] Luo, Z., Wu, Z., Xu, X., Wang, T., Jiang., Y., Electrical and optical properties of nanostructured VO X thin films prepared by direct current magnetron reactive sputtering and post-annealing in oxygen, Thin Solid Films, 519, 2011. 21/32
Geçirgenlik (%) Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 3. Faz geçişi sırasındaki optik özelliklerin değişimi Termokromik VO 2 ince filmlerin optiksel geçirgenliği 11. Depolama: elektron demeti sıçratma Karakterizasyon: UV-vis-NIR spektrometresi Dalgaboyu (nm) [11] Leroy, J., Bessaudo, A., Cosset, F., Crunteanu, A., Structural, electrical and optical properties of thermochromic VO 2 thin films obtained by reactive electron beam evaporation, Thin Solid Films, doi:10.1016/j.tsf.2011.08.035, 2011. 22/32
Geçirgenlik Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi 3. Faz geçişi sırasındaki optik özelliklerin değişimi Alttaş Isısal döngü öncesi Isısal döngü sonrası V 2 O 5 ince filmine ısısal döngü işlemi uygulanmasıyla optiksel geçirgenliğindeki değişimler 8. Depolama: ısısal buhar biriktirme Karakterizasyon: spektrometre Dalgaboyu (nm) [8] Wu, X., Lai, L., Lin, L., Li, Y., Lin, L., Qu, Y., Huang, Z., Influence of thermal cycling on structural, optical and electrical properties of vanadium oxide thin films, Applied Surface Science, 55, 2840-2844, 2008. 23/32
SUNUM PLANI Vanadyum Oksit İnce Filmlerin Temel Özellikleri, Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi, VO x İnce Filmlerin Üretiminde Kullanılan Teknikler, VO x İnce Filmler İçin Karakterizasyon Teknikleri, Sonuç. 24/32
VO x İnce Filmlerin Üretiminde Kullanılan Teknikler Reaktif sıçratma (reactive sputtering) 3,7,9,12, Darbeli lazer biriktirme (pulsed laser deposition) 6, İyon Demeti ile Sıçratma (ion beam deposition) 11, Isısal buhar biriktirme (thermal evoporation) 14, Kimyasal buhar biriktirme (chemical vapor deposition) 15, Sol-gel 13 işlemi gibi. [3] Gan, F.Y., Laou, P., Optical and electrical properties of sputtered vanadium oxide films, J.Vac. Sci. Technol.A, 22(3), 2004. [6]Koo, C.H., Yang, J.S., Kim, Y.S., Kim, D.H., Lee, D.H., Lee, J.S., Noh, T.W., Kim, H.T.,Chae, B.G., Phase coexistence in the metal-insulator transition of a VO 2 thin film, Thin Solid Films, 486, 46-49, 2005. [7] Meng, L., Silva, R.A., Cui, H., Teixeria, V., Santos, M., Xu, Z., Optical and structural properties of vanadium pentoxide films prepared by d.c. reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films, 515, 2006. [9] Luo, Z., Wu, Z., Xu, X., Wang, T., Jiang., Y., Electrical and optical properties of nanostructured VO X thin films prepared by direct current magnetron reactive sputtering and post-annealing in oxygen, Thin Solid Films, 519, 2011. [11] Leroy, J., Bessaudo, A., Cosset, F., Crunteanu, A., Structural, electrical and optical properties of thermochromic VO 2 thin films obtained by reactive electron beam evaporation, Thin Solid Films, doi:10.1016/j.tsf.2011.08.035, 2011. [12] Bolanos, G., Quinayas,C., Coy, H., Cordoba,M.F., Coronel, J., Lopera,W., Electrical and optical properties of VO 2 thin films, [13] Türhan, İ., Tepehan, G., Tantalum oksit katkılı vanadyum oksit ince filmlerin özellikleri, İTÜ dergisi 2009. [14] Golan, G., Axelevitch, A., Sigalov, B., Gorenstein, B., Investigation of phase transition mechanism ın vanadium oxide thin films, Journal of Optoelectronics and Advenced Materials, Vol 6, No.1, 2004. [15]Deutschmann, L., Messelhauser, J., Suhr, H., Herrmann, W., Harter, P., Plasma enhanced chemical vapor deposıtıon of vanadium carbide Vc1-X and VOx from vanadocene Cp2v, Adv. Mat., 6, 392 395, 1994. 25/32
SUNUM PLANI Vanadyum Oksit İnce Filmlerin Temel Özellikleri, Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi, VO x İnce Filmlerin Üretiminde Kullanılan Teknikler, VO x İnce Filmleri İçin Karakterizasyon Teknikleri, Sonuç. 26/32
Vanadyum Oksit İnce Filmler İçin Karakterizasyon Teknikleri 1. VO x Kristal Yapısının Karakterizasyonu XRD, Nötron Kırınımı, Elektron Kırınımı 2. VO x Elektriksel Özelliklerinin Karakterizasyonu Dört nokta iğne tekniği 3. VO x Optiksel Özelliklerinin Karakterizasyonu Kırmızıaltı Lazer Spektroskopisi (Infrared Laser Spectroscopy), UV-vis- NIR Spektroskopi 27/32
SUNU PLANI Vanadyum Oksit İnce Filmlerin Temel Özellikleri, Vanadyum Oksitlerde Faz Geçişi, VOx İnce Filmlerin Üretiminde Kullanılan Teknikler, Vanadyum Oksit İnce Filmler İçin Karakterizasyon Teknikleri, Sonuç. 28/32
SONUÇ Her biri özgün MIT sıcaklığına ve histeris döngü kalınlığına sahiptir. MIT sıcaklığı, histeris kalınlığı, özdirençteki değişim ve faz geçişinin keskinliği filmlerin kalitesini belirler. Amorf olan filmler; alttaş sıcaklığı arttırıldığında, ısıl döngü işleminden geçirildiğinde, kısmi oksijen basıncı düşük tutulduğunda ya da tavlama işleminden geçirildiğinde kristal yapıya geçmektedir. TCR, ROS ve ΔE elektriksel özelliklerin değişimini belirler. Faz geçişi ile optiksel özelliklerin değişimine bakıldığında optik geçirgenliğin kırmızıaltı bölgede yaygın olduğu görülmektedir. 29/32
SONUÇ Vanadyum oksit filmler; Elektrokromik cihazlarda 16, Termokromik cihazlarda 13, Soğutmasız bolometrik dedektörlerde 17, Lazer korunumunda 18, Güneş pillerinin pencerelerinde 7, Yüksek kapasiteli lityum pillerinin elektrotlarında 10, Elektrik ve optik anahtarlama cihazlarında 9, Işık modülatörlerinde 9 kullanılmaktadır. [7] Meng, L., Silva, R.A., Cui, H., Teixeria, V., Santos, M., Xu, Z., Optical and structural properties of vanadium pentoxide films prepared by d.c. reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films, 515, 2006. [9] Luo, Z., Wu, Z., Xu, X., Wang, T., Jiang., Y., Electrical and optical properties of nanostructured VOX thin films prepared by direct current magnetron reactive sputtering and post-annealing in oxygen, Thin Solid Films, 519, 2011. [10] Çapar O., Nanoölçekli vanadyum oksit ince filmlerin yapısal ve elektriksel karakterizasyonu, Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Üniversitesi, İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı, 2010. [13] Türhan, İ., Tepehan, G., Tantalum oksit katkılı vanadyum oksit ince filmlerin özellikleri, İTÜ dergisi 2009. [16] Benmoussa, M., Outzourhit, A., Bennouna, A., Ameziane, E.L., Electrochromism in sputtered V 2 O 5 thin films: structural and optical studies, 405, 11-16, 2002. [17] Wang, H., Yi, X., Chen, S., Low temperature fabrication of vanadium oxide films for uncooled bolometric dedectors, Infrared physics and technology, 47, 273-277, 2006. [18] Mwakikunga, B.W., Haddad, E.S., Maaza, M., Opt. Matter, 29, 481, 2007. 30/32
REFERANSLAR [1] Morin, F.J., Oxides which show a metal-to-insulator transition at the Neel Temperature, Phys. Rev. Lett., 3, 34 36, 1959. [2] H ebert, C., Willinger, M., Su, D.S., Pongratz, P., Schattschneider, P., Schl ogl, R., Oxygen K-edge in vanadium oxides: simulations and experiments, European Physical Journal B, 28, 407 414, 2002. [3] Gan, F.Y., Laou, P., Optical and electrical properties of sputtered vanadium oxide films, J.Vac. Sci. Technol.A, 22(3), 2004. [4] Kachi, K.K.S., Takada, T., Electrical Conductivity of Vanadium Oxides, Journal of the Physical Society of Japan, 18, 1839 1840, 1963. [5] Dultsev, F.N., Vasilieva, L.L., Maroshina, S.M., Pokrovsky, L.D., Structural and optical properties of vanadium pentoxide sol-gel films, Thin Solid Films, 510, 255-259, 2006. [6] Chang, Y.J., Koo, C.H., Yang, J.S., Kim, Y.S., Kim, D.H., Lee, D.H., Lee, J.S., Noh, T.W., Kim, H.T.,Chae, B.G., Phase coexistence in the metalinsulator transition of a VO 2 thin film, Thin Solid Films, 486, 46-49, 2005. [7] Meng, L., Silva, R.A., Cui, H., Teixeria, V., Santos, M., Xu, Z., Optical and structural properties of vanadium pentoxide films prepared by d.c. reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films, 515, 2006. [8] Wu, X., Lai, L., Lin, L., Li, Y., Lin, L., Qu, Y., Huang, Z., Influence of thermal cycling on structural, optical and electrical properties of vanadium oxide thin films, Applied Surface Science, 55, 2840-2844, 2008. [9] Luo, Z., Wu, Z., Xu, X., Wang, T., Jiang., Y., Electrical and optical properties of nanostructured VO X thin films prepared by direct current magnetron reactive sputtering and post-annealing in oxygen, Thin Solid Films, 519, 2011. [10] Çapar O., Nanoölçekli vanadyum oksit ince filmlerin yapısal ve elektriksel karakterizasyonu, Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Üniversitesi, İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı, 2010. [11] Leroy, J., Bessaudo, A., Cosset, F., Crunteanu, A., Structural, electrical and optical properties of thermochromic VO 2 thin films obtained by reactive electron beam evaporation, Thin Solid Films, doi:10.1016/j.tsf.2011.08.035, 2011. [12] Bolanos, G., Quinayas,C., Coy, H., Cordoba,M.F., Coronel, J., Lopera,W., Electrical and optical properties of VO 2 thin films, 2007. [13] Türhan, İ., Tepehan, G., Tantalum oksit katkılı vanadyum oksit ince filmlerin özellikleri, İTÜ dergisi 2009. [14] Golan, G., Axelevitch, A., Sigalov, B., Gorenstein, B., Investigation of phase transition mechanism ın vanadium oxide thin films, Journal of Optoelectronics and Advenced Materials, Vol 6, No.1, 2004. [15] Deutschmann, L., Messelhauser, J., Suhr, H., Herrmann, W., Harter, P., Plasma enhanced chemical vapor deposıtıon of vanadium carbide Vc1-X and VOx from vanadocene Cp2v, Adv. Mat., 6, 392 395, 1994. [16] Benmoussa, M., Outzourhit, A., Bennouna, A., Ameziane, E.L., Electrochromism in sputtered V 2 O 5 thin films: structural and optical studies, 405, 11-16, 2002. [17] Wang, H., Yi, X., Chen, S., Low temperature fabrication of vanadium oxide films for uncooled bolometric dedectors, Infrared physics and technology, 47, 273-277, 2006. [18] Mwakikunga, B.W., Haddad, E.S., Maaza, M., Opt. Matter, 29, 481, 2007. 31/32
Teşekkürler. 32/32