RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA)



Benzer belgeler
RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER

Şekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı

TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME

8. FET İN İNCELENMESİ

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

Alternatif Akım. Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören. Alternatif Akım

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TEMEL HABERLEŞME SİSTEMLERİ TEORİK VE UYGULAMA LABORATUVARI 3.

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER

Chapter 14. Elektrik Devreleri. Principles of Electric Circuits, Electron Flow, 9 th ed. Floyd

Alternatif Akım Devreleri

Öğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

LCR METRE KALİBRASYONU

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS SERİ DEVRELER

DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler

ELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör

EET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME

Yükselteçlerde Geri Besleme

GERİBESLEME VE OSİLATÖR DEVRELERİ

ĠLETĠM HATTINA ĠLĠġKĠN KARAKTERĠSTĠK DEĞERLERĠN ELDE EDĠLMESĠ

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Taşıyıcısı Bastırılmış Çift Yan Bant ve Tek Yan Bant Genlik Modülatör ve Demodülatörleri

Yrd. Doç. Dr. Levent Çetin. Alternatif Gerilim. Alternatif Akımın Fazör Olarak İfadesi. Temel Devre Elemanlarının AG Etkisi Altındaki Davranışları

BLM1612 DEVRE TEORİSİ

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

YÜKSEK GERİLİM ENERJİ NAKİL HATLARI

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)

FET Transistörün Bayaslanması

YÜKSELTEÇLER Ö Ğ R. G Ö R. D R. E S R A B İ L A L Ö N D E R

Şekil Sönümün Tesiri

MV 1438 KABLO HAT MODELİ KARAKTERİSTİKLERİ VE MV 1420 İLETİM HATTI ÜZERİNDEKİ GERİLİM DÜŞÜMÜ

DENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ

U.Ü. Mühendislik Mimarlık Fakültesi Elektronik Mühendisliği Bölümü ELN3102 OTOMATİK KONTROL Bahar Dönemi Yıliçi Sınavı Cevap Anahtarı

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

F AKIM DEVRELER A. DEVRE ELEMANLARI VE TEMEL DEVRELER

Nedim Tutkun, PhD, MIEEE Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Konuralp Düzce

Arttıran tip DC kıyıcı çalışması (rezistif yükte);

AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ

Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Kontrol Sistemlerinin Tasarımı

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Transformatör nedir?

DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Temel Devre Elemanlarının Alternatif Gerilim Etkisi Altındaki Davranışları

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

BÖLÜM 3 ALTERNATİF AKIMDA SERİ DEVRELER

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

3.5. Devre Parametreleri

ANALOG HABERLEŞME (GM)

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

Kontrol Sistemlerinin Tasarımı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular

ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU

DENEY-3. FET li Yükselticiler

sbölüm I REZONANS DEVRELERİ

DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI

Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü. Ders içeriği

DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri

Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

3 FAZLI SİSTEMLER fazlı sistemler 1

DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI

SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI

ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI

ALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER)

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI

BJT TRANSİSTÖRLER: Üç Kullanım modu: 1- Lineer mod (amfi) 2- Satürasyon (kısa devre) 3- Cut-off (açık devre)

Otomatik Kontrol (Doğrusal sistemlerde Kararlılık Kriterleri) - Ders sorumlusu: Doç.Dr.HilmiKuşçu

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c)

EEM 202 DENEY 5 SERİ RL DEVRESİ

TEK FAZLI VE ÜÇ FAZLI KONTROLSÜZ DOĞRULTUCULAR

Elektrik Devre Lab


T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1

DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ

DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ

Alternatif Akım. Alternatif Akım. Yrd. Doç. Dr. Aytaç Gören (MAK4075 Notları)

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Transkript:

RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA)

GÜRÜLTÜ KATSAYISI LNA nın gürültü katsayısı alıcının gürültüsüne direkt olarak eklendiğinden düşük olması elzemdir. Takip eden basamakların gürültü katsayıları Takip eden basamakların gürültü katsayıları LNA nın güç kazancı oranında düşeceğinden LNA nın yeteri miktarda güç kazancına sahip olması da gereklidir.

GÜRÜLTÜ KATSAYISI LNA nın gürültü katsayısının 2-3 db arasında olması beklenir. 50 Ω luk bir kaynak direncine göre 2 db lik bir gürültü katsayısının LNA nın girişindeki gürültü voltajı cinsinden karşılığı:

METAL DİRENÇ ÖRNEĞİ Bir öğrenci yonga üzerinde bir LNA tasarlıyor ve LNA nın girişinden anten bağlantı noktasına 200 μm uzunluğunda bir hat çekiyor. Giriş kapasitansının değerini düşük tutabilmek için bu hattın genişliğini 0.5 μm yapıyor. LNA nın kendisinin 2 db gürültü katsayısı olduğunu ve metal hattın yüzey direncinin 40 mω/ olduğunu varsayalım. Toplam gürültü katsayısını hesaplayınız. LNA nın girişinde akım gürültü kaynağı olmadığını varsayınız.

METAL DİRENÇ ÖRNEĞİ Devreyi aşağıdaki gibi çizerken metal hattın direnci olan R L yi LNA nın parçası gibi görerek çiziyoruz. Bu durumda girişte görünen toplam gürültü voltajı V n,in2 +4kTR L oluyor. NF LNA LNA nın metal hat olmadan kendi gürültü faktörünü ifade ediyor. NF LNA = 2 db 1.58 ve R L = (200/0.5) 40 mω/ = 16 Ω ise

KAZANÇ LNA nın kazancının sonraki basamaklarda kullanılan mikser gibi blokların gürültü faktörlerini yeterince baskılayacak kadar yüksek olması gerekir. Gürültü faktörü ve üçüncü harmonik kesişim noktası değerleri birbirinden farklı kazanç değerlerine bölünürler fkat yinede kazancın yüksek olması mikserin doğrusallığı üzerinde baskı oluşturur.

KAZANÇ

GİRİŞ YANSIMA KAYBI Girişteki empedans uyumplamasının performansını gösteren parametre giriş yansıma kaybıdır. Bu parametre yansıyan gücün gönderilen güce bölünmesiyle ortaya çıkar. RS kaynak direnci için:

KARARLILIK Bir devrenin kararlılığını değerlendirmek için kullanılan parametre Stern kararlılık faktörüdür : Burada = S 11S22 S12S21 Eğer K>1 ise ve <1 ise devre her şartta kararlıdır.

KARARLILIK Kaskad bir bağlantıda ters izolasyon yüksek olduğundan S 12 0 ve çıkış empedansı göreceli olarak yüksek olursa S 22 1 diyebiliriz. Bu durumda Bunun sonucu olarak Bu şart devrenin kazancını sınırlayıcı bir şarttır. <1 demek demektir. Bunun anlamı giriş direncinin pozitif olmalı demektir.

BANT GENİŞLİĞİ LNA nın çalışma bandı genişliğince göreceli olarak düz bir transfer fonksiyonuna sahip olması gerekir. Bant içinde 1 db den az bir değişim olması tercih edilir. Bu sebeple LNA nın 3 db bandının çalışma bandından çok daha geniş olması gerekir ki kenarlardaki eğim 1 db yi geçmesin.

BANT ANAHTARLAMA Çok geniş bantlarda çalışması beklenen bazı LNA lar bunu bantlar arası frekans geçişini anahtarlama ile yapan bir devre kullanarak gerçekleştirebilir.

GİRİŞ UYUMLAMA Genelde LNA nın girişine bağlanan antenlerin veya filtrelerin standart çıkış dirençleri 50 Ω dur. Sistem gürültüsünü azaltabilmek ve maksimum güç transferinin sağlanabilmesi için LNA nın giriş empedansının 50 Ω direnç ve sıfır reaktansa uyumlanması gerekir.

GİRİŞ UYUMLAMA Şekildeki ortak source yükselticinin parazitik kapasitanslarda dahil edildiğinde giriş admitansı aşağıdaki gibidir.

GİRİŞ UYUMLAMA Önceki denklemden de görüleceği üzere giriş empedansı g m ve R D değerlerine bağlıdır. Bu değerler aynı zamanda yükselticinin kazancını ve gürültüsünü belirler. Bu durumda yükselticinin giriş empedansını kazanç ve gürültü faktöründen bağımsız olarak değiştirmek mümkün olmaz. Öyleyse empedans uyumlama için farklı metotlar düşünmemiz gerekir.

DİRENÇ İLE UYUMLAMA Giriş direncini ayarlamak için yükselticinin girişine ekstra direnç bağlamayı deneyebiliriz. Bu devre üç aşamada tasarlanır. (1) M 1 ver D kazanç ve gürültü faktörlerini ayarlamak için kullanılır. (2) R P giriş direncini Re{Z in } = 50Ω yapacak şekilde ayarlanır. (3)R S ile giriş arasına bir endüktör bağlanarak Im{Z in } sıfır yapılır.

DİRENÇ İLE UYUMLAMA Girişte direnç kullanılınca çıkıştaki toplam gürültü aşağıdaki gibi olur. Bu durumda gürültü katsayısı:

DİRENÇ İLE UYUMLAMA Sonuçta ortaya çıkan gürültü katsayısı 3 db den oldukça yüksektir. Bunun sebebi girişe koyulan R S R P kadarlık direncin getirdiği giriş gürültüsüdür. Öyleyse girişe direnç koymadan empedans uyumlaması yapabilmenin yolunu bulmamız gerekir.

LNA TOPOLOJİLERİ Şimdiye kadar gürültü katsayısı, giriş empedansı uyumlama ve kazanç değerinin LNA tasarımında önemli olduğunu gördük. Bundan sonra aşağıda görülen LNA yapılarının analizini yapıp bu parametreleri nasıl etkilediklerini göreceğiz. Ortak Source Ortak Gate Genişbant Endüktif yükleme Rezistif geribesleme Kaskad ve endüktif yükleme Endüktif dejenerasyon Endüktif yükleme Rezistif geribesleme İleribesleme Kaskad ve enüktif yükleme Gürültü sönümleyen LNA Reaktans sönümleyen LNA

ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE Aşağıdaki denklemde de görüleceği gibi kaynak voltajı ile voltaj kazancı arasında bir bağlantı vardır. Teknoloji ilerledikçe kaynak voltajının düşmesi direnç yüklemeli ortak source devrelerini sıkıntıya sokmaktadır.

ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE Direnç yüklemesinin bahsedilen problemlerini aşmak için ve daha yüksek frekanslarda çalışmayı sağlayabilmek için ortak source yapısında endüktif yük kullanılabilir. L 1 çıkış terminalindeki kapasitans ile rezonansa girerek direnç ile yüklemeye göre daha yüksek frekansta çalışmayı sağlar.

ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE DA GİRİŞ EMPEDANSI UYUMLAMASI Soldaki devreyi sağdaki gibi tekrar çizebiliriz. C GS ve C DS kapasitansları görmezden gelinir. Endüktörün kaybı R S direnci ile gösterilir. Giriş empedansı V x /I x olarak bulunur.

ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE DA GİRİŞ EMPEDANSI UYUMLAMASI RLC empedansı: V X, C F, ve RLC arasında kirchoff voltaj kuralı uygularsak

ENDÜKTİF YÜKLEMELİ ORTAK SOURCE DA GİRİŞ EMPEDANSI UYUMLAMASI Z T yi yerine koyduğumuzda: s=jw olursa Bu durumda Z in empedansının reel kısmı: Burada D pozitiftir. Öyleyse değerler öyle seçilebilir ki Re{Z in } = 50Ω olur.

C F nin L F ile SIFIRLANMASI Re{Z in } değeri belirli bir frekansta 50 Ω a eşit olur. Geribesleme kapasitansı ise diğer frekanslarda negatif giriş direnci oluşturarak kararlılık problemi oluşturabilir. Yukardaki denklemde pay aşağıda verilen frekansta sıfır olur. Eğer böyle bir frekans varsa bu frekanstan sonra Re{Z in } işaret değiştirir.

C F nin L F ile SIFIRLANMASI C F nin etkisi istenilen frekans aralığı için paraleline bağlanan ve rezonansa giren endüktör ile sıfırlanabilir. Fakat C F küçük olduğundan L F nin büyük olması gerekir. Bu durm da pratikte giriş ve çıkışta parazitik kapasitanslar oluşmasına ve performansın düşmesine sebep olabilir. Bu sebeple modern RF devrelerinde bu yapı nadiren kullanılır.

DİRENÇ GERİBESLEMELİ ORTAK SOURCE DEVRESİ Kanal boyu modülasyonunu görmezden gelirsek (ro= ): Kanal boyu modülasyonunu görmezden gelirsek (ro= ): Girişte empedans uyumu için:

DİRENÇ GERİBESLEMELİ ORTAK SOURCE DEVRESİ Devrenin gürültü faktörünü hesaplamak için R F, M 1 ve M 2 nin çıkıştaki gürültü voltajlarını bulmalıyız. R F in gürültüsü çıkışta şu olur: M 1 ve M 2 nin gürültü akımları çıkış direnci ile çarpılarak çıkış voltajlarına çevrilir.

DİRENÇ GERİBESLEMELİ ORTAK SOURCE DEVRESİ Üç kaynağın gürültü voltajlarının toplamından elde edilen çıkış gürültüsünden de aşağıdaki gibi NF değeri bulunur.

ORTAK KAPI Ortak kapı devresinin düşük giriş direnci LNA kullanımında avantajlıdır. L ile C in rezonans frekansında L 1 ile C 1 in rezonans frekansında x noktasından çıkışa voltaj kazancı:

ORTAK KAPI Devrenin gürültü faktörü:

r 0 ile ORTAK KAPI GİRİŞ EMPEDANSI r 0 üzerinden gerçekleşen pozitif geribesleme giriş empedansını arttırır. Bu durumda empedans uyumu için:

r 0 ile ORTAK KAPI GİRİŞ EMPEDANSI Devrenin voltaj kazancı: Empedans uyumu durumunda: r0 ile R1 in birbirine yakın olabildiği bir durumda voltaj kazancı g m r O /4 gibi çok düşük bir değere iner.

r 0 ile ORTAK KAPI GİRİŞ EMPEDANSI Ortka kapı devresinde kanal boyu modülasyonu görmezden gelinirse giriş empedansı çok düşük olarak hesaplanır. Eğer görmezden gelinmezse de çok yüksek olarak hesaplanır. Bu durumu çözmek için transistörün kanal uzunluğunun arttırılması gerekir. Ya da sonraki slaytta gösterilen kaskad bağlantı şekli kullanılabilir.

KASKAD ORTAK KAPI DEVRESİ g m r O >>1, kabul edersek R1 iki defa voltaj kazancına bölündüğünden Rin deki etkisi iyice azalmış olur. Ayrıca 3. terim 1. terime göre çok daha düşük olur. Bu durumda gönül rahatlığıyla R in 1/g m1 varsayımını kullanabiliriz

KASKAD ORTAK KAPI DEVRESİ M 2 için kanal boyu modülasyonunu ve body etkisini görmezden gelirsek aşağıdaki devreyi gürültü analizi için kullanabiliriz. M 2 nin gürültü katkısı (2r O1 C X ) -1 frekansına kadar görülmez.

KASKAD ORTAK KAPI DEVRESİ M1 ve M2 transistörleri (V GS1 - V TH1 ) ve V GS2 kadar DC voltaj harcarlar. Ayrıca I D1 DC akımı R S üzerinden geçip bir miktar DC voltaj harcar. Bu direnç DC voltajının önüne geçmek için L B endüktansı şekildeki gibi DC akım yolu olarak kullanılabilir. Bu endüktans aynı zamanda giriş kapasitansını da sıfırlamaya yarar.

ENDÜKTİF DEJENERASYONLU ORTAK SOURCE DEVRESİ Üçüncü terim frekanstan bağımsız ve reel bir değerdir. Bu değeri 50 Ω yaparak giriş empedans uyumu sağlayabiliriz.

ENDÜKTİF DEJENERASYONLU ORTAK SOURCE DEVRESİ ( ) Üçüncü terimdeki gm CGS1 ωt = 2πf T olduğundan bu terimi L 1 ω T olarak yazabiliriz. f T cmos transistörün kısa devre akım kazancının 1 e düştüğü frekanstır. Kesim frekansı olarak da bilinir.

ENDÜKTİF DEJENERASYONLU ORTAK SOURCE DEVRESİ L 1 endüktansı yonga ile paket arasına çekilen bağlantı teli üzerinden gerçekleştirilir. Bu telin her halukarda çekilmesi gerektiğinden ekstra bir parça eklemeye gerek kalmaz.

GÜRÜLTÜ FAKTÖRÜ HESABI Giriş reaktansını sıfırlamak içini girişe L G gibi bir endüktans bağladığımızda devremiz aşağıdaki gibi olur. Bu analizde C GD ve r 0 görmezden gelinmiştir.

GÜRÜLTÜ FAKTÖRÜ HESABI Girişte KVL yaparsak V V = I Rezonansta (s=jw 0 ): [ C s( R L s) L sc s] GS1 S + G + 1 GS [ s C ( L L ) R C s] 2 + + L1s + V1 1+ in out 1 = I L1s + V1 GS1 1 G 1+ in out S GS1 V s 2 C GS 1 ( L L ) + 1 = 0 1 + G in = IoutL1 jω0 + V1R SCGS1 jω0

GÜRÜLTÜ FAKTÖRÜ HESABI V ( I I ) out n1 V1 = gm in = IoutL1 jω0 + V1R SCGS1 jω0 V in = I out L jω + R C jω ( I I ) S GS1 0 1 0 out n1 g m Gürültü akımını sıfır alırsak devrenin transkondüktansı şu olur: Giriş empedansı uyumu gml için: RS = 1 = CGS1 Bu durumda L ω 1 T

GÜRÜLTÜ FAKTÖRÜ HESABI V in = I out L jω + R C jω ( I I ) S GS1 0 1 0 out n1 gm Giriş voltajını sıfırlarsak: Giriş empedansı uyumu için: R S g = C m L GS1 1 = L ω 1 T Bu sonuçlar sadece rezonansta ve tam empedans uyumunda geçerlidir.

ENDÜKTİF DEJENERASYONLU KASKOD ORTAK SOURCE DEVRESİ

GERİBESLEMELİ ORTAK GATE DEVRESİ Rezonansta Gürültü faktörünü hesaplamak için önce soldaki devre kullanılarak voltaj kazancı hesaplanır

GERİBESLEMELİ ORTAK GATE DEVRESİ Çıkış gürültüsünün hesaplanması için sağdaki devreyi kullanırız. Gürültü faktörünü düşürmek için g m değerini düşürebiliriz

İLERİ BESLEMELİ ORTAK KAPI DEVRESİ A kazançlı devrenin gürültüsüde eklenirse:

GÜRÜLTÜ SÖNÜMLEYEN LNA lar Gürültü sönümleyen LNA ların amacı giriş transistörünün gürültü faktörüne olan etkisini sıfırlamaktır Öncelikle devrede sinyallerin aynı polaritede ama gürültülerin ters polaritede olduğu iki nokta belirlenir. Daha sonra bu iki noktanın gürültü ve sinyal voltajları eklenir. Böylece gürültüler birbirlerini götürürken sinyaller pozitif eklenerek artarlar.