BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ"

Transkript

1 T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET 523EO0075 Ankara, 2011

2 Bu modül, mesleki ve teknik eğitim okul/kurumlarında uygulanan Çerçeve Öğretim Programlarında yer alan yeterlikleri kazandırmaya yönelik olarak öğrencilere rehberlik etmek amacıyla hazırlanmış bireysel öğrenme materyalidir. Millî Eğitim Bakanlığınca ücretsiz olarak verilmiştir. PARA İLE SATILMAZ.

3 İÇİNDEKİLER AÇIKLAMALAR... ii GİRİŞ... 1 ÖĞRENME FAALİYETİ TRANSİSTÖR Transistör Çeşitleri Transistörün Yapısı ve Çalışması Transistörün Polarmalandırılması ( Kutuplanması) Akım, Gerilim Yönü ve I B Akımı Hesaplama Transistör Sağlamlık Kontrolü Transistörlerin Analog AVOmetre ile Sağlamlık Kontrolü Transistörlerin Dijital AVOmetre ile Sağlamlık Kontrolü Transistörün Anahtarlama Elemanı Olarak Kullanılması Transistörün Yükselteç Olarak Kullanılması Katolog Bilgilerini Okuma UYGULAMA FAALİYETİ ÖLÇME VE DEĞERLENDİRME ÖĞRENME FAALİYETİ FET FET Çeşitleri JFET Yapısı ve Çalışması JFET in BJT ye Göre Üstünlükleri JFET in Karakteristikleri FET ve MOSFET Ölçme JFET Parametreleri ve Formülleri JFET Polarmalandırılması (Kutuplanması) Sabit Polarma Devresi Self Polarma Devresi Gerilim Bölücülü Polarma JFET li Yükselteç Devreleri Mosfet lerin Yapısı, Çalışması ve Karakteristikleri Azaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) Yapısı Azaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) Çalışması ve Karakteristiği Çoğaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) Yapısı Çoğaltan Tip MOSFET (D-MOSFET) Çalışması ve Karakteristiği MOSFET Parametreleri UYGULAMA FAALİYETİ ÖLÇME VE DEĞERLENDİRME MODÜL DEĞERLENDİRME CEVAP ANAHTARLARI KAYNAKÇA i

4 AÇIKLAMALAR AÇIKLAMALAR KOD ALAN DAL/MESLEK MODÜLÜN ADI MODÜLÜN TANIMI 523EO0075 Bilişim Teknolojileri Bilgisayar Teknik Servisi Transistör ve FET Transistör ve FET uygulamalarının anlatıldığı öğrenme materyalidir. SÜRE 40 / 32 ÖN KOŞUL YETERLİK MODÜLÜN AMACI Kaydediciler modülünü tamamlamış olmak Transistörler ile çalışma yapmak Genel Amaç Bu modül ile gerekli ortam sağlandığında, transistör ve fet uygulamalarını gerçekleştirebileceksiniz. Amaçlar Transistör uygulamalarını gerçekleştirebileceksiniz. FET uygulamalarını gerçekleştirebileceksiniz. EĞİTİM ÖĞRETİM ORTAMLARI VE DONANIMLARI ÖLÇME VE DEĞERLENDİRME DC güç kaynağı, Transistör, FET, elektronik malzemeler, malzeme çantası Her faaliyet sonrasında o faaliyetle ilgili değerlendirme soruları ile kendi kendinizi değerlendireceksiniz. Öğretmen modül sonunda size ölçme aracı (uygulama, soru-cevap)uygulayarak modül uygulamaları ile kazandığınız bilgi ve becerileri ölçerek değerlendirecektir. ii

5 GİRİŞ GİRİŞ Sevgili Öğrenci, Günümüzde, elektrik elektronik teknolojisi baş döndürücü bir şekilde gelişmiş ve hayatımızın her alanına hükmetmeyi başarmıştır. Bugün farkında olmadan yaşamımızın bir parçası haline gelen pek çok sistemin arka planında kusursuz çalışan elektronik devreler bulunmaktadır. Bu devreleri tanımak, devrelerde kullanılan malzemelerin yapısını, çalışmasını öğrenmek elektronikle uğraşan herkes için önemlidir. Bu devrelerin genelinde kullanılan elamanlardan en önemlilerinden ikisi de transistör ve FET tir. Hemen hemen elektronik devrelerinin hepsinde bu elamanları görmek mümkündür. Bu elamanlar olmasa bile bu elamanlardan meydan gelmiş entegre devre elamanlarını görebiliriz. Bu yüzden bu elamanların yapısının, çalışmasının ve kullanım yerlerinin öğrenilmesi elektronikle ilgilenen öğrenciler için çok önemlidir. Bu modülde konular çok fazla detaya inmeden verilmiş ancak şekillerle desteklenerek görsel bir zenginlik kazandırılmıştır. Konular işlenirken verilen devrelerin uygulamaya yönelik olmasına dikkat edilmiştir. Bu modül iki bölümden oluşmaktadır. Birinci bölümde transistörün yapısı, çalışması ve kullanım alanları incelenirken ikinci bölümde; FET in yapısı, çalışması ve kullanım alanları incelenmiştir. Bu modülün elektronik ile ilgilenen tüm öğrencilere faydalı olacağı inancındayım. 1

6 2

7 ÖĞRENME FAALİYETİ 1 AMAÇ ÖĞRENME FAALİYETİ 1 Bu faaliyette verilen bilgiler doğrultusunda transistörlerin genel yapısı ve temel özelliklerini tanıyıp, ürün bilgi sayfasındaki özellikler doğrultusunda devreye uygun transistörü seçerek transistör uygulamalarını gerçekleştirebileceksiniz. ARAŞTIRMA Transistörün nerelerde kullanıldığını araştırınız. Bunun için çevrenizde bulunan elektronik üzerine çalışan iş yerlerinden ve internetten faydalanabilirsiniz Transistör Çeşitleri 1. TRANSİSTÖR İki P tipi madde arasına N tipi madde veya iki N tipi madde arsına P tipi madde konularak elde edilen elektronik devre elamanına transistör denir. Transistörler, kullanma amaçlarına göre üç çeşittir. Anahtarlama devre transistor leri Osilatör devre transistor leri Amplifikatör devre transistor leri Transistörlerde yarı iletken maddelerin bir araya getirilmesinde çeşitli metotlar kullanılır. Bu metotlara göre yapılan transistörler üç çeşittir. Nokta temaslı transistorler Yüzey temaslı transistorler Alaşım veya yayılma metodu ile yapılan transistörler Genelde elektronik devrelerde kullandığımız transistörler yüzey temaslı transistörlerdir. Bu yüzden bundan sonraki konularımızda bu transistörler üzerinde duracağız. Bu transistörler P ve N maddelerinin sıralanmasına göre iki tipte yapılır. Bunlar; PNP transistorler NPN transistorler 3

8 1.2. Transistörün Yapısı ve Çalışması Transistör imalatında kullanılan yarı iletkenler, birbirlerine yüzey birleşimli olarak üretilmektedir. Bu nedenle Bipolar Jonksiyon Transistör olarak adlandırılır. Transistörün temel yapısı şekil 1.1 de gösterilmiştir. Şekil 1.1: Transistörün temel yapısı BJT transistörler katkılandırılmış P ve N tipi malzeme kullanılarak üretilir. Transistörler NPN ve PNP olmak üzere iki temel yapıda üretilir. NPN transistörde 2 adet N tipi yarı iletken madde arasına 1 adet P tipi yarı iletken madde konur. PNP tipi transistörde ise, 2 adet P tipi yarı iletken madde arasına 1 adet N tipi yarı iletken madde konur. Dolayısıyla transistör 3 adet katmana veya terminale sahiptir. Transistörün her bir terminaline işlevlerinden ötürü; Emiter (Emiter), Beyz (Base) ve Kolektör (Collector) adları verilir. Bu terminaller; genelde E, B ve C harfleri ile sembolize edilirler. Şekil 1.2: NPN tipi transistör fiziksel yapısı, şematik sembolü ve diyot eş değer devresi Şekil 1.3: PNP tipi transistör fiziksel yapısı, şematik sembolü ve diyot eşdeğer devresi 4

9 Transistörler genellikle çalışma bölgelerine göre sınıflandırılarak incelenebilir. Transistörün çalışma bölgeleri; kesim, doyum ve aktif bölge olarak adlandırılır. Transistör; kesim ve doyum bölgelerinde bir anahtar işlevi görür. Özellikle sayısal sistemlerin tasarımında transistörün bu özelliğinden yararlanılır ve anahtar olarak kullanılır. Transistörün çok yaygın olarak kullanılan bir diğer özelliği ise yükselteç olarak kullanılmasıdır. Yükselteç olarak kullanılacak bir transistör aktif bölgede çalıştırılır. Yükselteç olarak çalıştırılacak bir transistörün PN jonksiyonları uygun şekilde polarmalandırılmalıdır. Şekil 1.4 te NPN ve PNP tipi transistörlerin yükselteç olarak çalıştırılması için gerekli polarma gerilimleri ve bu gerilimlerin polariteleri verilmiştir. NPN tipi bir transistörde; beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde, beyz-kolektör jonksiyonu ise ters yönde polarmalanır. Her iki transistorün de çalışma ilkeleri aynıdır. Sadece polarma gerilimi ve akımlarının yönleri terstir. Bu nedenle bu bölüm boyunca NPN tipi bir transistörün çalışmasını analiz edeceğiz. Şekil 1.4: NPN ve PNP transistörlerin kutuplandırılması (polarmalandırılması) Transistörün yükselteç olarak çalışması şekil 1.5 te verilen bağlantılar dikkate alınarak anlatılacaktır. NPN tipi bir transistörde beyz terminaline, emitere göre daha pozitif bir gerilim uygulandığında doğru polarma yapılmıştır. Bu polarma etkisiyle geçiş bölgesi daralmaktadır. Bu durumda P tipi maddedeki (beyz) çoğunluk akım taşıyıcıları, N tipi maddeye (emiter) geçmektedir. Emiter-beyz polarmasını iptal edip, beyz-kolektör arasına ters polarma uygulayalım. Bu durumda çoğunluk akım taşıyıcıları sıfırlanacaktır. Çünkü geçiş bölgesinin kalınlığı artacaktır. (Diyodun ters polarmadaki davranışını hatırlayınız). Azınlık akım taşıyıcıları, beyz-kolektör jonksiyonundan V CB kaynağına doğru akacaktır. Özet olarak yükselteç olarak çalıştırılacak bir transistörde; Beyz-emiter jonksiyonları doğru, beyz-kolektör jonksiyonları ise ters polarmaya tabi tutulur diyebiliriz. Bu durum şekil-1.5 te ayrıntılı olarak verilmiştir. Şekil 1.5: NPN tipi transistör jonksiyonlarının doğru ve ters polarmadaki davranışları 5

10 Transistörün nasıl çalıştığını anlamak amacıyla yukarıda iki kademede anlatılan olayları birleştirelim. Şekil 1.6 da NPN tipi bir transistöre polarma gerilimleri birlikte uygulanmıştır. Transistörde oluşan çoğunluk ve azınlık akım taşıyıcıları ise şekil üzerinde gösterilmiştir. Transistörün hangi jonksiyonlarına doğru, hangilerine ters polarma uygulandığını şekil üzerindeki geçiş bölgelerinin kalınlığına bakarak anlayabilirsiniz. Şekil 1.6: NPN tipi transistörde çoğunluk ve azınlık akım taşıyıcılarının akışı Doğru yönde polarmalanan beyz-emiter jonksiyonu, çok sayıda çoğunluk taşıyıcısının P tipi malzemeye (beyze) ulaşmasını sağlar. Beyz bölgesinde toplanan taşıyıcılar nereye gidecektir. I B akımına katkıda mı bulunacaklardır yoksa N tipi malzemeye mi geçeceklerdir. Beyz bölgesinin (P tipi malzeme) iletkenliği düşüktür ve çok incedir. Bu nedenle; az sayıda taşıyıcı yüksek dirence sahip bu yolu izleyerek beyz ucuna ulaşacaktır. Dolayısıyla beyz akımı, emiter ve kolektör akımlarına kıyasla çok küçüktür. Şekil 1.6 da gösterildiği gibi çoğunluk taşıyıcılarının çok büyük bir bölümü, ters polarmalı kolektör-beyz jonksiyonu üzerinden difüzyon yoluyla emiter ucuna bağlı N tipi malzemeye geçecektir. Çoğunluk taşıyıcılarının ters polarmalı jonksiyon üzerinden kolaylıkla geçmelerinin nedeni, N-tipi maddede (emiterde) bulunan oyuklardır. Bu durumda akım miktarı artacaktır. Sonuç kısaca özetlenecek olursa; emiterden enjekte edilen elektronların küçük bir miktarı ile beyz akımı oluşmaktadır. Elektronların geri kalan büyük bir kısmı ile kolektör akımı oluşmaktadır. Buradan hareketle; emiterden enjekte edilen elektronların miktarı, beyz ve kolektöre doğru akan elektronların toplamı kadar olduğu söylenebilir. Transistör akımları arasındaki ilişki aşağıdaki gibi tanımlanabilir. I E = I C +I B Kısaca, kolektör akımının miktarı beyz akımının miktarı ile doğru orantılıdır ve kolektöre uygulanan gerilimden bağımsızdır. Çünkü kolektör ancak beyzin toplayabildiği taşıyıcıları alabilmektedir. Emiterden gelen taşıyıcıların yaklaşık %99 u kolektöre geçerken geriye kalan çok küçük bir kısmı beyze akar. Bir transistörün çalışması için gerekli şartları kısaca özetleyelim. Transistörün çalışabilmesi için; beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde, beyzkolektör jonksiyonu ise ters yönde polarmalandırılmalıdır. Bu çalışma biçimine transistörün aktif bölgede çalışması denir. 6

11 Beyz akımı olmadan, emiter-kolektör jonksiyonlarından akım akmaz. Transistör kesimdedir. Farklı bir ifadeyle; beyz akımı küçük olmasına rağmen transistörün çalışması için çok önemlidir. PN jonksiyonlarının karakteristikleri transistörün çalışmasını belirler. Örneğin; transistör, V BE olarak tanımlanan beyz-emiter jonksiyonuna doğru yönde bir başlangıç gerilimi uygulanmasına gereksinim duyar. Bu gerilimin değeri silisyum transistörlerde 0.7V, germanyum transistörlerde ise 0.3V civarındadır. Transistörde Çalışma Bölgeleri Transistörlerde başlıca 3 çalışma bölgesi vardır. Bu bölgeler; aktif bölge, kesim (cutoff) bölgesi ve doyum (saturation) bölgesi olarak adlandırılır. Transistörün çalışma bölgeleri şekil 1.7 de transistörün çıkış karakteristiği üzerinde gösterilmiştir. Bu bölgeleri kısaca inceleyelim. Şekil 1.7: Transistörlerde çalışma bölgeleri Aktif Bölge: Transistörün aktif bölgesi; beyz akımının sıfırdan büyük (IB>0) ve kolektör-emiter geriliminin 0V dan büyük (VCE>0V) olduğu bölgedir. Transistörün aktif bölgede çalışabilmesi için beyz-emiter jonksiyonu doğru, kolektör-beyz jonksiyonu ise ters yönde polarmalanır. Bu bölgede transistörün çıkış akımı öncelikle beyz akımına, küçük bir miktarda VCE gerilimine bağımlıdır. Transistörün aktif bölgede nasıl çalıştığı, transistörün çalışması bölümünde ayrıntılı olarak incelenmişti. Doğrusal yükselteç tasarımı ve uygulamalarında transistör genellikle bu bölgede çalıştırılır. Kesim Bölgesi: Transistörün kesim bölgesinde nasıl çalıştığı şekil 1.8.a yardımıyla açıklanacaktır. Şekilde görüldüğü gibi transistörün beyz akımı I B =0 olduğunda, beyzemiter gerilimi de VBE=0V olacağı için devrede kolektör akımı (I C ) oluşmayacaktır. Bu durumda transistör kesimdedir. Kolektör-emiter jonksiyonları çok yüksek bir direnç değeri gösterir ve akım akmasına izin vermez. Transistörün kolektör-emiter gerilimi V CE, besleme gerilimi V CC değerine eşit olur. Kolektörden sadece I C0 ile belirtilen çok küçük bir akım akar. Bu akıma sızıntı akımı denir. Sızıntı akımı pek çok uygulamada ihmal edilebilir. 7

12 a) Transistörün kesim bölgesinde çalışması b) Transistörün doyum bölgesinde çalışması Şekil 1.8: Transistörün kesim ve doyum bölgesinde çalışması Doyum Bölgesi: Transistörün doyum (saturation) bölgesinde çalışma şekil 1.8.b yardımıyla açıklanacaktır. Transistöre uygulanan beyz akımı artırıldığında kolektör akımı da artacaktır. Bu işlemin sonucunda transistörün V CE gerilimi azalacaktır. Çünkü I C akımının artması ile R C yük direnci üzerindeki gerilim düşümü artacaktır. Kolektör-emiter gerilimi doyum değerine ulaştığında (V CE (DOY)) beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalanacaktır. Sonuçta I B değeri daha fazla yükselse bile I C akımı daha fazla artmayacaktır. Doyum bölgesinde çalışan bir transistörün kolektör-emiter gerilimi V CE yaklaşık 0V civarındadır. Bu değer genellikle V CE (DOY)=0V olarak ifade edilir Transistörün Polarmalandırılması ( Kutuplanması) Transistörün çalışmasını sağlayacak şekilde, emiter, beyz ve kolektörünün belirli değerdeki ve işaretteki (±), DC gerilim ile beslenmesine transistörün polarmalandırılması (kutuplandırılması) denir. Transistörlerin çalışması için gerekli ilk şart, DC polarma gerilimlerinin uygun şekilde bağlanmasıdır. Şekil 1.9 da NPN ve PNP tipi transistörler için gerekli polarma bağlantıları verilmiştir. Transistörün beyz-emiter jonksiyonuna V BB kaynağı ile doğru polarma uygulanmıştır. Beyz-kolektör jonksiyonuna ise V CC kaynağı ile ters polarma uygulanmıştır. Şekil 1.9: NPN ve PNP transistörlerin polarmalandırılması 8

13 1.4. Akım, Gerilim Yönü ve I B Akımı Hesaplama Bir transistör devresinde akım ve gerilimler arasında belirli ilişkiler vardır. Transistörün her bir terminalinde ve terminalleri arasında oluşan gerilim ve akımlar birbirinden bağımsız değildir. NPN transistörün her bir jonksiyonundan geçen akımlar ve jonksiyonlar arasında oluşan gerilimler ve yönleri şekil 1.10 üzerinde gösterilmiş ve adlandırılmıştır. I B : Beyz akımı (dc) I E : Emiter akımı (dc) I C : Kolektör akımı (dc) V BE : Beyz-emiter gerilimi (dc) V CB : Kolektör-beyz gerilimi (dc) V CE : Kolektör-emiter gerilimi (dc) Şekil 1.10: Transistörde akım ve gerilimler Transistörün beyz-emiter jonksiyonu VBB gerilim kaynağı ile doğru yönde polarmalanmıştır. Beyz-kolektör jonksiyonu ise VCC gerilim kaynağı ile ters yönde polarmalanmıştır. Beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalandığında tıpkı ileri yönde polarmalanmış bir diyot gibi davranır ve üzerinde yaklaşık olarak 0.7V (silisyum) gerilim düşümü oluşur. V BE = 0.7 Volt Devrede I.Göz için Kirsoff Gerilimler Kanununa göre denklem yazılırsa; V BB I B R B V BE olur. Buradan I B akımı çekilirse; V BB V BE I B R B I B V BB V R B BE 9

14 Örnek 1.1: Çözüm: Yukarıda verilen devrede I B akımını bulunuz. I B V BB V R B BE I B I B I B = 430 µa 10 Örnek 1.2: Yukarıda görülen devrede V BB = 9V, I B =1mA ise R B direncinin değerini bulunuz. (V BE =0,7 V alınız.) Çözüm: VBB VBE RB I B 9 0,7 R B 1 8,3 R B R B =8,3KΩ 1 10

15 1.5. Transistör Sağlamlık Kontrolü Transistörlerin Analog AVOmetre ile Sağlamlık Kontrolü Resim 1.1: Analog AVOmetre Analog ölçü aleti direnç (X1) kademesine alınır. Problardan biri herhangi bir ayakta sabit tutulurken, diğer prob ayrı ayrı boştaki diğer iki ayağa değdirilir. Sağlam bir transistörde prob bir uçta sabit iken diğer prob her iki ayağa değdirildiğinde ölçü aleti değer göstermelidir. Değer okunmuyorsa sabit ucu tespit etmek amacıyla, ölçüm ayakları değiştirilerek işlemler tekrarlanır. Değer gösterdiği andaki sabit uç beyz, yüksek değer okunduğundaki ayak emiter ve düşük değer görülen ayak ise kolektördür. Değer okunduğunda beyzdeki uç artı ise transistör PNP, eksi ise NPN tipidir. Bunun sebebi analog AVOmetrelerde pil uçları ile çıkış uçları farklı polaritede olmalarıdır. Ayrıca sağlam bir transistörde ölçü aleti probları kolektör emiter arasına değdirildiğinde her iki yönde de değer göstermemesi gerekir. 11

16 Transistörlerin Dijital AVOmetre ile Sağlamlık Kontrolü Resim 1.2: Dijital AVOmetre Dijital ölçü aleti diyot test kademesine alınır. Problardan biri herhangi bir ayakta sabit tutulurken, diğer prob ayrı ayrı boştaki diğer iki ayağa değdirilir. Sağlam bir transistörde prob bir uçta sabit iken diğer prob her iki ayağa değdirildiğinde ölçü aleti değer göstermelidir. Değer okunmuyorsa sabit ucu tespit etmek amacıyla, ölçüm ayakları değiştirilerek işlemler tekrarlanır. Değer gösterdiği andaki sabit uç beyz, yüksek değer okunduğundaki ayak emiter ve düşük değer görülen ayak ise kolektördür. Değer okunduğunda beyzdeki uç artı ise transistör NPN, eksi ise PNP tipidir. Bunun sebebi dijital AVOmetrelerde pil uçları ile çıkış uçları aynı polaritededir. Aynen analog ölçü aletinde olduğu gibi sağlam bir transistörde ölçü aleti probları kolektör emiter arasına değdirildiğinde her iki yönde de değer göstermemesi gerekir. 12

17 Şekilde görülen transistörün sağlamlık kontrolünü ve uçlarının tespitini dijital multimetre ile yapalım. Resim 1.3: Transistör sağlamlık kontrolü Resim 1.3.a. Kırmızı Prob Transistörün 1 nu.lı ucuna siyah prob 2 nu.lı ucuna temas ettirildi. Resim 1.3.b. Kırmızı Prob Transistörün 1 nu.lı ucuna siyah prob 3 nu.lı ucuna temas ettirildi. Resim 1.3.c. Kırmızı Prob Transistörün 2 nu.lı ucuna siyah prob 3 nu.lı ucuna temas ettirildi. Resim 1.3.d. Kırmızı Prob Transistörün 2 nu.lı ucuna siyah prob 1 nu.lı ucuna temas ettirildi. Resim 1.3.e. Kırmızı Prob Transistörün 3 nu.lı ucuna siyah prob 1 nu.lı ucuna temas ettirildi. Resim 1.3.f. Kırmızı Prob Transistörün 3 nu.lı ucuna siyah prob 2 nu.lı ucuna temas ettirildi. 13

18 Sonuç: Bu transistörün 1 nu.lı ucuna kırmızı probu sabit şekilde tutup 2 ve 3 nu.lı uçlara siyah probu sırasıyla değdirdiğimizde değer göstermektedir. Bu yüzden 1 nu.lı uç Transistörün beyz ucudur. Beyz ucunda sabit tutulan uç kırmızı prob olduğundan bu transistör NPN tipi transistördür. 1-2 nu.lı uçlar arasında görülen değer, 1-3 nu.lı uçlar arasından görülen değerden daha küçüktür. Bu yüzden 2 nu.lı uç Kolektör, 3 nu.lı uç emiterdir. Resim 1-3 te görüldüğü gibi kolektör emiter (2-3 nu.lı uçlar) arası her iki yönde de açık devre göstermektedir Transistörün Anahtarlama Elemanı Olarak Kullanılması Transistörün bir anahtar olarak nasıl kullanıldığı şekil 1.11 de verilmiştir. Şekil 1.11 a da görüldüğü gibi transistörün beyz-emiter jonksiyonu ters yönde polarmalanmıştır. Dolayısıyla transistör kesimdedir. Kolektör-emiter arası ideal olarak açık devredir. Transistör bu durumda açık bir anahtar olarak davranır. a) Transistör kesimde -Anahtar AÇIK b) Transistör doyumda -Anahtar KAPALI Şekil 1.11: Transistörün anahtar olarak çalışması Şekil b de ise transistörün beyz-emiter jonksiyonu doğru yönde polarmalanmıştır. Bu devrede beyz akımı yeterli derecede büyük seçilirse transistör doyum bölgesinde çalışacaktır. Kolektör akımı maksimum olacak ve transistörün kolektör-emiter arası ideal olarak kısa devre olacaktır. Transistör bu durumda kapalı bir anahtar gibi davranır. Transistörlü anahtar uygulaması: Pek çok endüstriyel uygulamada veya sayısal tasarımda devrelerin çıkışından alınan işaretlerin kuvvetlendirilmesi istenir. Örneğin şekil1.12.a da devre çıkışından alınan bir kare dalga işaretin bir LED i yakıp söndürmesi için gerekli devre düzeneği verilmiştir. Giriş işareti; 0V olduğunda transistör kesimdedir, LED yanmayacaktır. Giriş işareti +V (Silisyum için 0.7 V dan büyük, germanyum için 0.3V dan büyük olmalıdır) değerine ulaştığında ise transistör iletime geçecek ve LED yanacaktır. 14

19 a) Transistörün anahtar olarak çalışması b) Transistörle röle kontrol Şekil1.12: Transistörün anahtar olarak kullanılması Şekil 1.12 b de ise devre çıkışından alınan işaretin kuvvetlendirilerek bir röleyi, dolayısıyla röle kontaklarına bağlı bir yükü kontrol etmesi gösterilmiştir Transistörün Yükselteç Olarak Kullanılması Transistörün en temel uygulama alanlarından biri de yükselteç (amplificator) devresi tasarımıdır. Temel bir yükselteç devresinin işlevi, girişine uygulanan işareti yükselterek (kuvvetlendirerek) çıkışına aktarmasıdır. Transistörlü temel bir yükselteç devresi şekil 1.13 te verilmiştir. Devrede kullanılan DC kaynaklar transistörün aktif bölgede çalışmasını sağlamak içindir. Devre girişine uygulanan AC işaret (V IN ) ise yükseltme işlemine tabi tutulacaktır. Transistörlü yükselteç devresinde; devrenin yükselteç olarak çalışabilmesi için DC besleme (polarma) gerilimlerine gereksinim vardır. Dolayısıyla transistörlü yükselteç devreleri genel olarak iki aşamada incelenilir. Bu aşamalar; Transistörlü yükselteç devrelerinin DC analizi Transistörlü yükselteç devrelerinin AC analizi Şekil 1.13: Transistörlü yükselteç devresi 15

20 DC Analiz İyi bir yükselteç tasarımı için transistörün özelliklerine uygun DC polarma akım ve gerilimleri seçilmelidir. Dolayısıyla yükselteç tasarımında yapılması gereken ilk adım transistörlü yükselteç devresinin DC analizidir. Analiz işleminde transistörün çalışma bölgesi belirlenir. Bu bölge için uygun akım ve gerilimler hesaplanır. Sonuçta; transistörlü yükselteç devresi AC çalışmaya hazır hale getirilir. AC Analiz Transistörlü yükselteç tasarımında ikinci basamak, tasarlanan veya tasarlanacak yükselteç devresinin AC analizidir. Yükselteç devresinin AC analizi yapılırken eş değer devrelerden yararlanılır. Şekil 1.14.a da transistörlü temel bir yükselteç devresi verilmiştir. Aynı devrenin AC eş değer devresi ise şekil b de görülmektedir. a) Transistörlü yükselteç devresi b) Transistörlü yükselteç devresinin AC eş değeri Şekil 1.14: Transistörlü temel yükselteç devresi ve AC eş değeri Transistörlü bir yükselteç devresinin AC eş değer devresi çizilirken, DC kaynaklar kısa devre yapılır. Yükselteç devresi doğal olarak girişinden uygulanan AC işareti yükselterek çıkışına aktaracaktır. Dolayısıyla bir kazanç söz konusudur. Yükseltecin temel amacı da bu kazancı sağlamaktır. Bir yükselteç devresi; girişinden uygulanan işaretin genliğini, akımını veya gücünü yükseltebilir. Dolayısıyla bir akım, gerilim veya güç kazancı söz konusudur. Yükselteçlerde kazanç ifadesi A ile sembolize edilir. Gerilim kazancı için A V, Akım kazancı için A I ve güç kazancı için A P sembolleri kullanılır. Örneğin şekil 1.14 te görülen yükselteç devresinin gerilim kazancı A V ; VO AV V 16 g

21 Beta (ß) ve Alfa (α) kazançları β akım kazancı, ortak emiter bağlantıda akım kazancı olarak da adlandırılır. Bir transistör için β akım kazancı, kolektör akımının beyz akımına oranıyla belirlenir. I C β = I B β akım kazancı bir transistör için tipik olarak arasında olabilir. Bununla birlikte β değeri 1000 civarında olan özel tip transistorler de vardır. β akım kazancı kimi kaynaklarda veya üretici kataloglarında h FE olarak da tanımlanır. β = h FE Kolektör akımını yukarıdaki eşitlikten; IC= β.i B olarak tanımlayabiliriz. Transistörde emiter akımı; I E =I C +I B idi. Bu ifadeyi yeniden düzenlersek; I E = β.i B +I B I E = I B (1+ β) değeri elde edilir. Ortak beyzli bağlantıda akım kazancı olarak bilinen α değeri; kolektör akımının emiter akımına oranı olarak tanımlanır. I C α = I B Emiter akımının kolektör akımından biraz daha büyük olduğu belirtilmişti. Dolayısıyla transistörlerde α akım kazancı 1 den küçüktür. α akım kazancının tipik değeri arasındadır. Emiter akımı; I E =I C +I B değerine eşitti. Bu eşitlikte eşitliğin her iki tarafı I C ye bölünürse; α DC =I C /I E ve β DC =I C /I B olduğundan, yukarıdaki formüle yerleştirilirse; değeri elde edilir. Buradan her iki akım kazancı arasındaki ilişki; olarak belirlenir. Bir transistörde α akım kazancı değeri yaklaşık olarak sabit kabul edilir. Ancak α akım kazancı değerinde çok küçük bir değişimin, β akım kazancı değerinde çok büyük miktarlarda değişime neden olacağı yukarıdaki formülden görülmektedir. 17

22 Örnek : Bir transistörün β akım kazancı değeri 200 dür. Beyz akımının 75µA olması durumunda, kolektör akımı, emiter akımı ve α akım kazancı değerlerini bulunuz. Çözüm: I C = 200. (75µA) I C = 150mA I E =I C +I B =(1+ β)i B I E = (1+200)75µA I E = 150,75mA 1.8. Katolog Bilgilerini Okuma Uluslararası bir çok firma, transistör üretimi yapar ve kullanıcının tüketimine sunar. Transistör üretimi farklı ihtiyaçlar için binlerce tip ve modelde yapılır. Üretilen her bir transistör farklı özellikler içerebilir. Farklı amaçlar için farklı tiplerde üretilen her bir transistör; üreticiler tarafından birtakım uluslararası standartlara uygun olarak kodlanırlar. Transistörler; bu kodlarla anılır. Üretilen her bir transistörün çeşitli karakteristikleri üretici firma tarafından kullanıcıya sunulur Uluslararası Standart Kodlama Transistörlerin kodlanmasında birtakım harf ve rakamlar kullanılmaktadır. Örneğin AC187, BF245, 2N3055, 2SC2345, MPSA13 vb. gibi birçok transistör sayabiliriz. Kodlamada kullanılan bu harf ve rakamlar rastgele değil, uluslararası standartlara göredir ve anlamlıdır. Günümüzde kabul edilen ve kullanılan başlıca 4 tip standart kodlama vardır. Birçok üretici firma bu kodlamalara uyarak transistör üretimi yapar ve tüketime sunarlar. Yaygın olarak kullanılan standart kodlamalar aşağıda verilmiştir. Avrupa Pro-electron Standardı (Pro-electron) Amerikan jedec standardı (EIA-jedec) Japon (JIS) Firma Standartları Avrupa Standardı (Pro-Electron Standardı) Avrupa ülkelerinde bulunan transistör üreticilerinin genellikle kullandıkları bir kodlama türüdür. Bu kodlama türünde üreticiler transistörleri; AC187, AD147, BC237, BU240, BDX245 ve benzeri şekilde kodlarlar. Kodlamada genel kural, önce iki veya üç harf sonra rakamlar gelir. Kullanılan her bir harf anlamlıdır ve anlamları aşağıda ayrıntılı olarak açıklanmıştır. İlk Harf: Avrupa (Pro Electron) standardına göre kodlanmada kullanılan ilk harf, transistörün yapım malzemesini belirtmektedir. Germanyumdan yapılan transistörlerde kodlama A harfi ile başlar. Örneğin AC121, AD161, AF254 vb. kodlanan transistörler germanyumdan yapılmıştır. Silisyumdan yapılan transistörlerde ise kodlama B harfi ile başlar. Örneğin; BC121, BD161, BF254 vb. kodlanan transistörler silisyumdan yapılmıştır. 18

23 İkinci Harf: Transistörlerin kodlanmasında kullanılan ikinci harf Avrupa Standardına göre, transistörün kullanım alanlarını belirtir. Örnek kodlamalar aşağıda verilmiştir. AC: Avrupa (Pro Electron) Standardına göre, düşük güçlü alçak frekans transistörüdür. Germanyumdan yapılmıştır. AC121, AC187, AC188, AC547 gibi... BC: Avrupa (Pro Electron) Standardına göre, düşük güçlü alçak frekans transistörüdür ve Silisyumdan yapılmıştır. BC107, BC547 gibi... Üçüncü Harf: Avrupa (pro electron) standardında bazı transistörlerin kodlanmasında üçüncü bir harf kullanılır. Üçüncü harf, ilk iki harfte belirtilen özellikler aynı kalmak koşuluyla o transistörün endüstriyel amaçla özel yapıldığını belirtir. Örnek olarak; BCW245, BCX56, BFX47, BFR43, BDY108, BCZ109, BUT11A, BUZ22 vb. gibi Amerikan (Jedec) Standardı Amerikan yapımı transistörler 2N ifadesi ile başlayan kodlar ile isimlendirilmişlerdir. Bu kodlarda: Birinci rakam : Elemanın cinsini gösterir. Birinci harf : Transistörün yapım malzemesini belirtir. Son rakamlar : Tipini ve kullanma yerini gösterir. Örneğin 2N3055 teki 2 rakamı transistör olduğunu, N harfi transistörün silisyumdan yapıldığını ve 3055 imalat seri numaralarını belirtir Japon Standardı Japon yapımı transistörler 2S ifadesi ile başlayan kodlar ile isimlendirilmişlerdir. Bu kodlarda Birinci rakam : Elemanın cinsini gösterir. Birinci harf : Transistörün yapım malzemesini belirtir. İkinci harf : Tipini ve kullanma yerini gösterir. Örneğin 2SC1384 de 2 rakamı elamanın transistör olduğunu, S harfi transistörün silisyumdan yapıldığını C harfi NPN tipi yüksek frekans transistörü olduğunu ve 1384 imalat seri numaralarını belirtir. 19

24 UYGULAMA UYGULAMA FAALİYETİ FAALİYETİ Transistörün Anahtar Olarak Kullanılması Devresinin İncelenmesi Amaç: Bu uygulama faaliyetini başarı ile tamamladığınızda, Transistörün anahtar olarak kullanılması devresini kurup çalıştırabileceksiniz. Elektronik simülasyon programları ile devrenin çalışmasını inceleyiniz. Kullanılacak Araç Gereçler: 1. Breadboard 2. Güç Kaynağı 3. AVO metre 4. Devre şemasında belirtilen elamanlar Transistörün Anahtar Olarak Kurulup Çalıştırılması S1 R3 470R R1 10K D1 LED-BLUE Q1 BC237 B1 9V R2 10K Şekil 1.15: Transistörün Anahtar Olarak Kullanılması İşlem Basamakları Şekil 1.13 teki devreyi montaj seti üzerine kurunuz. R1 = 10 K, R2 = 10 K ve R3=470Ω olarak seçiniz. Güç kaynağının canlı ucunu R3'ün ve S1 anahtarının ucuna bağlayınız. Devreyi kurmadan önce transistörün ve LED diyodun sağlamlık kontrolünü yapınız. Devreye enerji vermeden önce devreni tekrar kontrol ediniz. 20 Öneriler Güç kaynağının bağlantılarını doğru yaptığınızdan emin olunuz. Gerilim değerini 9V olarak ayarladığından emin olunuz. Sağlamlık kontrolü hakkında bu modülün en başında verilen bilgileri hatırlayınız. S1 anahtarına bastığınız zaman LED diyot yanmıyorsa ya devreyi yanlış kurmuşsunuz ya da devrede açık devre vardır. Devreyi tekrar kontrol ediniz.

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET ANKARA 2007 Milli Eğitim Bakanlığı tarafından geliştirilen modüller;

Detaylı

TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)

TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) Transistörler, katı-hal devre elemanlarıdır. Genelde transistör yapımında silisyum ve germanyum kullanılmaktadır. Bu dokümanımızda bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısı

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi

BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ

DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...

ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise... ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...olarak polarmalandırılması gerekir. Yukarıdaki boşluğa aşağıdakilerden

Detaylı

Elektronik Ders Notları

Elektronik Ders Notları Elektronik Ders Notları 1 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları Konular: Transistörün Yapısı Transistörün Çalışması Transistör Karakteristikleri ve parametreleri

Detaylı

Elektronik Ders Notları 5

Elektronik Ders Notları 5 Elektronik Ders Notları 5 Derleyen: Dr. Tayfun Demirtürk E-mail: tdemirturk@pau.edu.tr 1 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları Konular: Transistörün Yapısı

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11 MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri

Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri 7.1 DENEYİN AMACI (1) JFET in temel karakteristiklerini anlamak. (2) MOSFET in temel karakteristiklerini anlamak. 7.2 GENEL BİLGİLER 7.2.1 Yeni Terimler: (1) JFET

Detaylı

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori:

Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları. Amaç: Araç ve Malzeme: Teori: Deney 3: Diyotlar ve Diyot Uygulamaları Amaç: Diyot elemanını ve çeşitlerini tanımak Diyotun çalışma mantığını kavramak Diyot sağlamlık kontrolü İleri kutuplama, geri kutuplama ve gerilim düşümü. Araç

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ

BJT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği ölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik Dersi Laboratuvarı JT KARAKTERİSTİKLERİ VE DC ANALİZİ 1. Deneyin Amacı Transistörlerin

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

DENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri

Detaylı

DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1:JFET TRANSİSTÖR VE KARAKTERİSTİKLERİ Alan Etkili Transistör (FET) Alan etkili transistörler 1 bir elektrik alanı üzerinde kontrolün sağlandığı bir takım yarıiletken aygıtlardır. Bunlar iki çeşittir:

Detaylı

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.

Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:

Detaylı

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT

T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ DENEY-1:DİYOT T.C HİTİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK DEVRELER 1 LAB. DENEY FÖYÜ Deneyin Amacı: DENEY-1:DİYOT Elektronik devre elemanı olan diyotun teorik ve pratik olarak tanıtılması, diyot

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı

DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken

İletken, Yalıtkan ve Yarı İletken Diyot, transistör, tümleşik (entegre) devreler ve isimlerini buraya sığdıramadağımız daha birçok elektronik elemanlar, yarı iletken malzemelerden yapılmışlardır. Bu kısımdaki en önemli konulardan biri,

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı

BC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki

Detaylı

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri

Şekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N

Detaylı

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri

Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri Bölüm 5 Transistör Karakteristikleri Deneyleri 5.1 DENEYİN AMACI (1) Transistörlerin yapılarını ve sembollerini anlamak. (2) Transistörlerin karakteristiklerini anlamak. (3) Ölçü aletlerini kullanarak

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY 1: YARIİLETKEN DİYOT Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV Arş.Gör. Alişan AYVAZ Arş.Gör. Birsen BOYLU AYVAZ ÖĞRENCİ

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU

T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 ELEKTRONİK-I LABORATUVARI DENEY RAPORU T.C. AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ EEM207/ GEEM207 DENEY RAPORU DENEY 1. YARI İLETKEN DİYOT KARAKTERİSTİĞİ Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Ar.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSEV

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

MOSFET Karakteristiği

MOSFET Karakteristiği Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır.

* DC polarma, transistörün uçları arasında uygun DC çalışma gerilimlerinin veya öngerilimlerin sağlanmasıdır. Elektronik Devreler 1. Transistörlü Devreler 1.1 Transistör DC Polarma Devreleri 1.1.1 Gerilim Bölücülü Polarma Devresi 1.2 Transistörlü Yükselteç Devreleri 1.2.1 Gerilim Bölücülü Yükselteç Devresi Konunun

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

ZENER DİYOTLAR. Hedefler

ZENER DİYOTLAR. Hedefler ZENER DİYOTLAR Hedefler Bu üniteyi çalıştıktan sonra; Zener diyotları tanıyacak ve çalışma prensiplerini kavrayacaksınız. Örnek devreler üzerinde Zener diyotlu regülasyon devrelerini öğreneceksiniz. 2

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI

ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ

Detaylı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

Deney 1: Transistörlü Yükselteç

Deney 1: Transistörlü Yükselteç Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar.

Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Valans Elektronları Atomun en dış kabuğundaki elektronlara valans elektron adı verilir. Valans elektronları kimyasal reaksiyona ve malzemenin yapısına katkı sağlar. Bir atomun en dış kabuğundaki elektronlar,

Detaylı

BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ

BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler

Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en

Detaylı

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:

Detaylı

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI

EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney

Detaylı

BÖLÜM 4 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR. Konular: Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları

BÖLÜM 4 BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR. Konular: Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları ÖLÜM 4 4 İPOLAR JONKSİYON TRANSİSTÖR Üretilen ilk yarıiletken transistör ve bulan bilim adamları Konular: 4.1 Transistörün Yapısı 4.2 Transistörün Çalışması 4.3 Transistör Karakteristikleri ve parametreleri

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ

DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ AMAÇLAR: ir transistor ün kolektör e baz eğrilerinin görülmesi. Transistor ün beta ( β) değerinin belirlenmesi. Sıcaklığa bağlı değişimlerin belirlenmesi.

Detaylı

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM201 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:

Detaylı

1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti

1. Yarı İletken Diyotlar Konunun Özeti Elektronik Devreler 1. Yarı İletken Diyotlar 1.1 Giriş 1.2. Yarı İletkenlerde Akım Taşıyıcılar 1.3. N tipi ve P tipi Yarı İletkenlerin Oluşumu 1.4. P-N Diyodunun Oluşumu 1.5. P-N Diyodunun Kutuplanması

Detaylı

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri

KOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır,

Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, YARIİLETKEN MALZEMELER Yarıiletkenler; iletkenlikleri iyi bir iletkenle yalıtkan arasında bulunan özel elementlerdir. Elektronik cihazların yapımında en çok kullanılan üç yarıiletken şunlardır, Ge Germanyum

Detaylı

Doğru Akım Devreleri

Doğru Akım Devreleri Doğru Akım Devreleri ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için elektromotor kuvvet (emk) adı verilen bir enerji kaynağına ihtiyaç duyulmaktadır. Şekilde devreye elektromotor

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve

Detaylı

FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9

FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9 FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ Hafta 9 Prof. Dr. Mehmet Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği 1 Alan-Etkili Tranzistörler (FET ler) Hatırlanacağı üzere

Detaylı

DENEY NO: 2 KIRCHHOFF UN AKIMLAR YASASI. Malzeme ve Cihaz Listesi:

DENEY NO: 2 KIRCHHOFF UN AKIMLAR YASASI. Malzeme ve Cihaz Listesi: DENEY NO: 2 KIRCHHOFF UN AKIMLAR YASASI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 12 k direnç 1 adet 2. 15 k direnç 1 adet 3. 18 k direnç 1 adet 4. 2.2 k direnç 1 adet 5. 8.2 k direnç 1 adet 6. Breadboard 7. Dijital

Detaylı

İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)

İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs) BLM224 ELEKTERONİK DEVRELER Hafta 12 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs) Opamp Sembolü ve Terminalleri Standart bir opamp; iki adet giriş terminali, bir adet çıkış terminaline

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

(VEYA-DEĞİL kapısı) (Exlusive OR kapısı) (Exlusive NOR kapısı)

(VEYA-DEĞİL kapısı) (Exlusive OR kapısı) (Exlusive NOR kapısı) 1.1 Ön Çalışma Deney çalışmasında yapılacak uygulamaların benzetimlerini yaparak, sonuçlarını ön çalışma raporu olarak hazırlayınız. 1.2 Deneyin Amacı Temel kapı işlemlerinin ve gerçekleştirilmesi. bu

Detaylı

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir.

Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. TRANZİSTÖRLERİN ÇALIŞMASI VE KARAKTERİSTİKLERİ Bu bölümde iki kutuplu (bipolar) tranzistörlerin çalışma esasları incelenecektir. Temel kavramlar PNP ve NPN olmak üzere iki çeşit BJT tranzistör vardır.

Detaylı

DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI

DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI DENEY NO: DĐRENÇ DEVRELERĐNDE KIRCHOFF UN GERĐLĐMLER ve AKIMLAR YASASI Bu deneyde direnç elamanını tanıtılması,board üzerinde devre kurmayı öğrenilmesi, avometre yardımıyla direnç, dc gerilim ve dc akım

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek

4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI KONDANSATÖR Kondansatör iki iletken plaka arasına bir yalıtkan malzeme konarak elde edilen ve elektrik enerjisini elektrostatik enerji olarak depolamaya

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-3 Doğru Akım Devreleri Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU ELEKTROMOTOR KUVVETİ Kapalı bir devrede sabit bir akımın oluşturulabilmesi için

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I

T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 6: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad

Detaylı