DOĞRULUĞU ARTIRILMIŞ KARE-KÖK DEVRESİ İLE KURULMUŞ DÜŞÜK GERİLİME UYGUN İKİNCİ DERECEDEN ALÇAK GEÇİREN SÜZGEÇ TASARIMI
|
|
- Ekin Topal
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 DOĞRULUĞU ARRLMŞ KARE-KÖK DEVRESİ İLE KURULMUŞ DÜŞÜK GERİLİME UYGUN İKİNCİ DERECEDEN ALÇAK GEÇİREN SÜZGEÇ ASARM Serdar MENEKAY 1 Rıza Can ARCAN Hakan KUNMAN 3 Elektrnik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Elektrik-Elektrnik Fakültesi İstanbul eknik Üniversitesi, 34469, Maslak, İstanbul 1 e-psta: smenekay@hhedutr e-psta: rizacan@ehbituedutr 3 e-psta: kuntman@ehbituedutr Anahtar sözcükler:akım-mdlu kare-kök devresi, kare-kök bölgede filtreleme, MOSFE kısa-kanal etkilerinin azaltılması ABSRAC n this paper a current-mde square-rt circuit with reduced shrt-channel effect is designed and a secnd rder lw pass filter using this circuit is prpsed t s suitable fr standard CMOS fabricatin and analg systems he prpsed filter circuit which has been simulated with SPCE simulatr using 35 µm CMOS technlgy parameters, decreases HD cmpared t classical filter emplying stack-mos current-mde square-rt circuit 1 GİRİŞ Düşük besleme gerilimiyle çalışan devrelere karşı sürmekte lan ilgi, sıkıştırıp-genişletme (cmpanding) tekniğine lan ilgiyi de arttırmıştır Bu tip devrelerin en önemli avantajları geniş bir dinamik aralık sunmaları ve düşük gerilim, düşük güç uygulamaları için uygun luşlarıdır[1-5] ranslineer devrelerle ilgili yapılan araştırmalar incelendiğinde genellikle araştırmaların biplar prsesin getirdiği veya zayıf evirtimde çalışan MOSFE lerin karakteristiğinden ileri gelen üstel davranış üzerine yğunlaştığı görülmektedir Sn yıllarda günümüzün C fabrikasyn teknljisi CMOS yapılarla daha fazla ilgilenmeye başlamıştır Bu nedenle CMOS prsesinin -V arasındaki kare-kök özelliği ilgi dağı lmuş ve araştırmacılar kare-kök bölgede çalışan (SRD-Square Rt Dmain) devre yapıları luşturma çabası içine girmişlerdir [6-8] Kare-kök bölgede çalışan devreler luşturulurken akım mdlu kare-kök alma devrelerinden de yararlanılmaktadır [9] MOS ranzistrların -V arasındaki kare-kök özelliğini kullanan bu devreler, günümüzdeki küçülen byutlar nedeniyle luşan idealsizlik etkileri snucu ideal kare-kök fnksiynunu gerçekleştiremez arcan [1] tarafından önerilen Kısa kanal etkisinin azaltılmasına yönelik yöntem den hareketle karekök alma devresi için kısa kanal etkilerini azaltan yeni bir yöntem luşturulmuş ve uygulanarak dğruluğu artırılmış akım-mdlu kare-kök devre yapısı önerilmiştir[11] Bu çalışmada önceden önerilen dğruluğu artırılmış akım-mdlu kare-kök devre yapısı daha basit larak tasarlanmış ve yeni önerilen devre yapısı ikinci dereceden alçak geçiren süzgeç yapısına uygulanmıştır Analizler SPCE benzetim prgramıyla SMC 35µm LEVEL 3 tranzistr parametreleri kullanılarak gerçekleştirilmiş, önerilen devre ile kurulan süzgeç yapısının klasik devreli süzgece ranla daha düşük HD a sahip lduğu gösterilmiştir ÖNERİLEN KARE-KÖK DEVRESİ Gemetrik-rtalama hücresi (gemetric-mean cell) larak da bilinen kare-kök devresi Şekil-1 de görüldüğü gibi iki giriş ve bir çıkışı lan, tüm giriş ve çıkışları akım frmunda lan bir devredir ut = ut y Şekil-1 Akım mdlu kare-kök devre semblü (1), tranzistr geçiş iletkenliği parametresi, M1, M, M3 ve M4 tranzistrlarının byutları da 1 = =, 3 = 4 = yı sağlayacak şekilde seçildiğinde, MOSFE in karesellik kuralına uygun larak devre Şekil- de sunulduğu üzere gerçeklenebilir y 1
2 Şekil- Akım-mdlu kare-kök devresi Şekil- de verilen devrenin çıkışında, giriş akımları lan 1 ve akımlarının çarpımının kare-kökü elde edilir ranzistr byutları küçüldükçe kare-kök fnksiynunda idealden sapmalar meydana gelecektir[11] Bu idealsizlik etkilerini azaltmak için tasarlanan yeni devre yapısı, önceki devreye 5 adet MOS tranzistr eklenerek Şekil-3 deki gibi luşturulabilir Şekil-3 Önerilen akım-mdlu kare-kök devresi Şekil-3 de verilen devrede M18 nlu MOS tranzistru direnç görevi görmektedir Bunun üzerinden, M15, M16, M17, ve M19 tranzistrları sayesinde çıkışla rantılı bir akım akıtılarak M ve M3 tranzistrlarının geçit gerilimleri arasında bir gerilim farkının luşması sağlanır Bu da kısa kanal etkilerinden kaynaklanan hatayı azaltacaktır V c kntrl gerilimi ile de direnç görevi gören M18 tranzistrunun geçit-kaynak gerilimi değiştirilerek direnç değeri istenilen değere getirilebilecektir Şekil- ve Şekil-3 te sunulan devrelerin çıkış akımlarının ve önerilen devrenin çıkış akımı üzerinde yaptığı düzeltmenin rtaya knabilmesi için devrelerin SPCE benzetimleri SMC 35µm LEVEL 3 tranzistr parametreleri ile abl-1 de belirtilen tranzistr byutları kullanılarak gerçekleştirilmiştir abl-1: ranzistr byutları (µm) W L W L W L M1 3 7 M8 6 7 M M 3 7 M9 3 7 M M3 6 7 M1 3 7 M M4 6 7 M M M5 6 7 M1 6 7 M M6 6 7 M M7 6 7 M Şekil 4 te verildiği gibi 1 sabit 1 µa ve maksimum değeri 1 µa lan ms periydlu üçgen dalga şeklinde alınmış ve her iki devrenin çıkışına bağlanan yük tranzistrlarından akan akımlar, ideal kare-kök fnksiynu ile birlikte Şekil-5 te sunulmuştur 1uA 5uA A s 5ms 1ms 15ms ms (1) () ime Şekil-4 1 ve giriş akımları 4u klasik devre ideal egri u nerilen devre s 5ms 1ms 15ms ms SR((1)*()) S(My1) S(My) ime Şekil-5 İdeal kare-kök fnksiynu ile devrelerin çıkış akımları
3 Klasik devrenin maksimum akım hatası yaklaşık 71 µa iken önerilen devrenin çıkış akım hatası 4 µa dir V c gerilimi 55V iken C düzeltme akımı 134 µa lmuştur Bu gerilim değerin değiştirilmesi ile çıkış akım fnksiynunda da değişim yapmak mümkün lmaktadır M18 tranzistru M ve M3 tranzistrlarının geçitleri arasında bir gerilim değişimine sebep lmaktadır Böylece önerilen devrenin çıkış akım hatası azaltılmaktadır Beklendiği üzere, önerilen devrenin çıkış akım karakteristiği ideal kare-kök fnksiynuyla neredeyse örtüşmektedir 3 ÖNERİLEN DEVREYLE KURULAN İKİNCİ DERECEDEN ALÇAK GEÇİREN SÜZGEÇ DEVRESİ İkinci dereceden bir süzgecin transfer fnksiynu (1) nlu eşitlikte verildiği gibidir as + bω s + cω (1) H() s = ω s + s+ ω a=, b= ve c=1 alınırsa bu transfer fnksiynuna sahip süzgeç ikinci dereceden bir alçak geçiren süzgeç lur ve transfer fnksiynu da; ω () H() s = ω s + s+ ω lacaktır Durum uzayı yaklaşımına göre rijinal transfer fnksiynu, durum uzayı denklemi haline getirilebilir ω 1 1 ω = ω + u (3) ω 1 ve durum değişkenleri, düğüm gerilimleri, giriş de U gerilimi larak alınırsa; ( 1 =V 1, =V, u=u) V1 = ω V + ω U ω V = ω V V 1 V lacaktır Denklemler sabit bir C değeri ile çarpılırsa; (4) CV = Cω V + Cω U 1 ω CV = Cω V C V 1 (5) V elde edilecektir Dymadaki MOSFE in savak akımı bağıntısından yla çıkılarak, 1, ve U akımları aşağıdaki gibi tanımlanabilir 1 1 = ( V1 V ) V1 = + V (6) ( ) = V V V = + V (7) U U = ( VU V ) U = + V (8) Bulunan V 1, V ve U gerilim değerleri durum uzayı denkleminde yerine knursa; U CV = CωV + CωU = Cω 1 ( U V) = Cω Cω V CV = CωV V = Cω V 1 1 (9) 1 1 = Cω V + + V V elde edilir DC kutuplama akımının değeri değiştirilerek ω kutup frekansı da değiştirilebilir C ω = ω = (1) C Böylece durum uzayı denklemi aşağıdaki gibi lur CV = 1 U 1 (11) CV = V katsayısı 1 alınırsa akım kaynağı devre dışı kalır Bu durumda (11) denkleminden anlaşılacağı üzere üç tane kare-kök devresine, iki yük kapasitesine, birkaç akım aynasına, iki tane kutuplama akımı üretecek DC akım kaynağına ve 1, ile U akımlarını luşturacak üç tane n-tipi MOSFE e ihtiyaç vardır Oluşacak devre diyagramı Şekil-6 da verilmiştir[13] Şekil-6 İkinci dereceden alçak geçiren süzgeç 3
4 5 (1K, m) =ua (83118K,-31598) -1 =15uA (4688M,-31564) KHz 3KHz 1KHz 3KHz 1MHz 3MHz 1MHz DB(V(11)) Frequency Şekil-7 İkinci dereceden alçak geçiren süzgecin kazanç-frekans eğrileri ( değişken µa-15µa) 85mV 8mV Vin Vut 7mV 65mV s us 4us 6us 8us 1us V(11) V(37) ime Şekil-8 İkinci dereceden alçak geçiren süzgeç giriş ve çıkış işaretleri Şekil-6 da verilen süzgeç devresinde akım kaynaklarının değerleri aynı alınıp ( 1 = = 3 ), bu akım değerleri de µa ile 15µA arasında değiştirildiğinde, C 1 =C =1pF kapasite değerleri için kazanç-frekans eğrisinin değişimi Şekil-7 deki gibi, süzgecin girişine uygulanan 5KHz frekanslı V pp =1mV genlikli işaret ile çıkış işareti de Şekil-8 deki gibi lmaktadır Kare-kök devreleri yerine önerilen yapı kullanılmıştır akım değeri değiştirildiğinde süzgeç kesim frekansı 83KHz ile 463MHz arasında değişmektedir Şekil-9 da 1pF ve 1pF kapasite değerlerine karşılık süzgecin f3db değişim aralığı görülmektedir 1 7 Süzgeç yapısında bulunan 3 kare-kök devresi yerine Şekil- de verilen klasik kare-kök devresi ve Şekil-3 de verilen önerilen kare-kök devresi sırasıyla knmuştur Bu durumda girişe 1KHz ve 5KHz lik işaretler sırasıyla uygulanmış, çıkış düğümünde Furier analizi yapılarak, luşacak lan HD (tal Harmnic Distrtin) değerleri, girişe uygulanan sinüs gerilim işaretlerinin değişen genlik değerlerine karşılık Şekil-1 da sunulmuştur Görüldüğü üzere önerilen kare-kök devresi ile kurulan süzgeci çıkış işaretinde luşacak lan bzulma, klasik kare-kök devreli yapıya ranla daha az lmaktadır -35 %145-4 ] B [Hz d f3 1 6 ] D [db H C=1pF C=1pF [ua] Şekil-9 Süzgecin f3db değişim aralığı -55 önerilen filtre f=1khz klasik filtre f=1khz önerilen filtre f=5khz klasik filtre f=5khz % Vin[mV] Şekil-1 Süzgecin HD değerleri 4
5 4 SONUÇ Bu çalışmada dğruluğu artırılmış akım-mdlu yeni bir kare-kök devre yapısı önerilmiştir V c kntrl gerilim değerinin değiştirilmesi ile çıkış akım fnksiynunda da değişim yapmak mümkün lmaktadır Yeni önerilen devre yapısı ikinci dereceden alçak geçiren süzgeç yapısına uygulanmıştır 1pF kapasite değeri için akım kaynağının µa ile 15µA aralığında değiştirilmesi ile f3db frekans değişim aralığı 38MHz lmaktadır üm analizler SPCE benzetim prgramında SMC 35µm LEVEL 3 tranzistr parametreleri ile gerçekleştirilmiştir Önerilen devre ile kurulan süzgeç yapısının klasik devreli süzgece ranla daha düşük HD a sahip lduğu, gerçekleştirilen Furier analizleri ile gösterilmiştir KAYNAKLAR [1] R W Adams Filtering in the lg-dmain in 63rd AES Cnf, New Yrk, 1979, preprint 147 [] D R Frey, Epnential state-space filters: A generic current mde design strategy EEE rans Circuits Syst, vl43, pp34-4, Jan1996 [3] E M Drakakis, A J Payne and C umazu, Lg-dmain state-space: A systematic transistr-level apprach fr lgdmain filtering, EEE rans Circuits Syst, vl46, n3, pp9-35, Mar1999 [4] E M Drakakis, A J Payne and C umazu, Lg-dmain filtering and Bernulli cell EEE rans Circuits Syst, vl46, n5, pp , May 1999 [5] WGermanvi, GO Neill, Cumazu, E M Drakakis, R Kitney and S Lande, Analgue micrpwered lg-dmain tne cntrller fr auditry prstheses, Electr Lett Vl34, n11, pp151-15, May 1998 [6] A Payne and C umazu, Linear transfer functin synthesis using nn-linear C cmpnents Prceedings SCAS 96 Atlanta, USA,, pp [7] J Mulder, A van der Werd, W Serdjin and A van Rermund, A current-mde cmpanding -dmain integratr Electrnics Letters 3, pp , 1996 [8] M Eskiyerli and A Payne, SqµAre rt dmain filter design and perfrmance Analg ntegrated Circuits and Signal Pcessing, pp 31-43, [9] E Seevink and R Wiegerink, Generalized translinear circuit principle EEE Jurnal f Slid State Circuits 6, pp , 1991 [1] R C arcan and H Kuntman, A New Lw Distrtin Analg Multiplier, AEU nternatinal Jurnal f Elec and Cmmunicatins, Vl57, N6, pp , 3 [11] S Menekay, R C arcan, H Kuntman, Dğruluğu Artırılmış Akım Mdlu Kare-kök Devresi, SU 6: EEE 14Sinyal İşleme ve İletişim Uygulamaları Kurultayı, (CD- ROM), Nisan 6, Belek [1] G J Yu, J J Chen, H Y Lin, B D Liu, and C Y HµAng, A lw-vltage lw-pwer lgdmain band-pass filter, in Prc ntsymp n VLS ech,syst And Applicatins, Hsinchu, aiwan, April 3-5, 3 [13] JJChen Design and Hardware mplementatin f the Lw Vltage SqµAre Rt Dmain Filters hesis fr Master f Science, Department f Electrical Engineering Natinal Cheng Kung University ainan, aiwan, ROC, June 3 5
Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü
Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü (Novel High-Precision Current-Mode Multiplier/Divider) Ümit FARAŞOĞLU 504061225 1/28 TAKDİM PLANI ÖZET GİRİŞ AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ DEVRE ÖNERİLEN AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ
DetaylıBİRİNCİ DERECEDEN ELEKTRONİK AYARLANABİLİR ALÇAK GEÇİREN SÜZGECİN LOGARİTMİK ORTAMDA TASARIMI
BİRİNCİ DERECEDEN ELEKTRONİK AYARLANABİLİR ALÇAK GEÇİREN SÜZGECİN LOGARİTMİK ORTAMDA TASARIMI Nazif Küçükkoç 1 Umut Engin Ayten 2 Herman Sedef 3 1,2,3 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü, Yıldız
DetaylıYENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIYICI (MCCIII) YAPISI, KARAKTERİZASYONU VE UYGULAMALARI
ENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIICI () APISI, KARAKTERİZASONU E UGULAMALARI Seçkin BODUR 1 Hakan KUNTMAN 2 Oğuzhan ÇiÇEKOĞLU 3 1, 2 İstanbul Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik
DetaylıHazırlayan. Bilge AKDO AN
Hazırlayan Bilge AKDO AN 504071205 1 Özet Amaç Giri kinci Ku ak Eviren Akım Ta ıyıcı (ICCII) CMOS ile Gerçeklenen ICCII Önerilen ICCII- Tabanlı Osilatörler 1. Tek ICCII- tabanlı osilatörler 2. ki ICCII-
DetaylıHARİCİ DİRENÇ KULLANMADAN KONTROL EDİLEBİLEN AKIM TAŞIYICI İLE TÜMGEÇİREN SÜZGEÇ TASARIMI
HARİCİ DİRENÇ KULLANMADAN KONROL EDİLEBİLEN AKM AŞYC İLE ÜMGEÇİREN SÜZGEÇ ASARM Serhan YAMAÇL Sadri ÖZCAN Elektronik ve Bilgisayar Eğitimi Bölümü Mersin Üniversitesi arsus eknik Eğitim Fakültesi, arsus-mersin
DetaylıYeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII)
Yeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII) Shahram MINAEI 1 Merih YILDIZ 2 Hakan KUNTMAN 3 Sait TÜRKÖZ 4 1,2. Doğuş Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği
DetaylıBÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER
BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL
DetaylıBİLGİSAYAR DESTEKLİ TASARIM FİNAL PROJE ÖDEVİ
BİLGİSAYA DESTEKLİ TASAIM FİNAL POJE ÖDEVİ Teslim Tarihi 22 Ocak 2014 (Saat 17:00) Ödev rapru elden teslim edilecektir. İlgili MATLAB dsyaları ise sduehmcad@gmail.cm adresine gönderilecektir. Elden teslimler
DetaylıFatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I DENEY 6 FM DEMODÜLATÖRÜ
Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektrnik Mühendisliği Bölümü EEM 36 Haberleşme I DENEY 6 FM DEMODÜATÖRÜ 6. AMAÇAR. Faz kilitli çevrimin (P) prensibinin çalışılması. P M565 in karakteristiğinin anlaşılması
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
DetaylıPAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ KAREKÖK ORTAM FİLTRELERİNİN DURUM UZAYI GENEL TASARIM YÖNTEMİ VE UYGULAMALARI
PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ KAREKÖK ORTAM FİLTRELERİNİN DURUM UZAYI GENEL TASARIM YÖNTEMİ VE UYGULAMALARI DOKTORA TEZİ Şaziye SURAV YILMAZ Anabilim Dalı : Elektrik-Elektronik Mühendisliği
DetaylıFırat Kaçar 1, Hakan Kuntman 2. Mühendislik Fakültesi, İstanbul Üniversitesi, 34320, Avcılar, İstanbul
Yüksek Başarımlı CMOS Farksal Akımlı Geçiş İletkenliği Kuvvetlendiricisi Tasarımı Design of High Performance CMOS Current Differencing Transconductance Amplifier Fırat Kaçar, Hakan Kuntman 2 Elektrik-Elektronik
DetaylıMOS translineer çevrimli yüksek doğruluklu akım modlu çarpıcı/bölücü devre
itüdergisi/d mühendislik Cilt:7, Sayı:6, 59-68 Aralık 008 MOS translineer çevrimli yüksek doğruluklu akım modlu çarpıcı/bölücü devre Serdar MENEKAY *, Hakan KUNTMAN İTÜ Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektronik
DetaylıDeney 2: FET in DC ve AC Analizi
Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken
DetaylıŞekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi
FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim
DetaylıYÜKSEK BAŞARIMLI İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI
YÜKSEK BAŞARML İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARM VE UYGULAMALAR Gaye GÜNGÖR Hakan KUNTMAN Sem ÇİFTÇİOĞLU 3, 3 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi İstanbul Teknik Üniversitesi,
DetaylıBAS T VE KULLANI LI B R AKIM LEMSEL KUVVETLEND R C S TASARIMI
BAST VE KULLANILI BR AKIM LEMSEL KUVVETLENDRCS TASARIMI Atilla UYGUR Hakan KUNTMAN, Elektronik ve Haberleme Mühendislii Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi stanbul Teknik Üniversitesi, 34469, Maslak,
DetaylıCMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA GÜVENİLİRLİĞİ
CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA ÜVENİLİRLİĞİ Yasin ÖZCELEP 1 Ayten KUNTMAN Hakan KUNTMAN 3 1, İstanbul Üniversitesi,Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü,3430, Avcılar, İstanbul 3 Elektronik ve Haberleşme
DetaylıDoğrultucularda ve Eviricilerde Kullanılan Pasif Filtre Türlerinin İncelenmesi ve Karşılaştırılması
Enerji Verimliliği ve Kalitesi Sempozyumu EVK 2015 Doğrultucularda ve Eviricilerde Kullanılan Pasif Filtre Türlerinin İncelenmesi ve Karşılaştırılması Mehmet Oğuz ÖZCAN Ezgi Ünverdi AĞLAR Ali Bekir YILDIZ
DetaylıŞekil 3-1 Ses ve PWM işaretleri arasındaki ilişki
DARBE GENİŞLİK MÖDÜLATÖRLERİ (PWM) (3.DENEY) DENEY NO : 3 DENEY ADI : Darbe Genişlik Modülatörleri (PWM) DENEYİN AMACI : µa741 kullanarak bir darbe genişlik modülatörünün gerçekleştirilmesi.lm555 in karakteristiklerinin
DetaylıEEM 202 DENEY 11. Tablo 11.1 Deney 11 de kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi. Devre Elemanları Ω Direnç (2 W)
N: EEM DENEY SEİ EZONANS DEESİ. Amaçlar Değişen frekanslı seri C devresinde empedansın ölçülmesi ve çizilmesi Seri C devresinde akım değişiminin frekansın değişimine göre incelenmesi Seri C devresinin
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 3 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıBÖLÜM 4 AM DEMODÜLATÖRLERİ
BÖLÜM 4 AM DEMODÜLATÖRLERİ 4.1 AMAÇ 1. Genlik demodülasyonunun prensibini anlama.. Diyot ile bir genlik modülatörü gerçekleştirme. 3. Çarpım detektörü ile bir genlik demodülatörü gerçekleştirme. 4. TEMEL
DetaylıDENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler
RF OSİLATÖRLER VE İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER (1.DENEY) DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler DENEYİN AMACI : Radyo Frekansı (RF) osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerini
DetaylıDC/DC gerilim çeviriciler güç kaynakları başta olmak üzere çok yoğun bir şekilde kullanılan devrelerdir.
DC/DC gerilim çeviriciler güç kaynakları başta lmak üzere çk yğun bir şekilde kullanılan devrelerdir. 1. Düşüren DC/DC Gerilim Çevirici (Buck (Step Dwn) DC/DC Cnverter). Yükselten DC/DC Gerilim Çevirici
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıANALOG FİLTRELEME DENEYİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıDers İçerik Bilgisi. Dr. Hakan TERZİOĞLU Dr. Hakan TERZİOĞLU 1
Dr. Hakan TERZİOĞLU Ders İçerik Bilgisi PID Parametrelerinin Elde Edilmesi A. Salınım (Titreşim) Yöntemi B. Cevap Eğrisi Yöntemi Karşılaştırıcı ve Denetleyicilerin Opamplarla Yapılması 1. Karşılaştırıcı
DetaylıDirenç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop. Teorik Bilgi
DENEY 8: PASİF FİLTRELER Deneyin Amaçları Pasif filtre devrelerinin çalışma mantığını anlamak. Deney Malzemeleri Direnç(330Ω), bobin(1mh), sığa(100nf), fonksiyon generatör, multimetre, breadboard, osiloskop.
DetaylıADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI
DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE
BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:
DetaylıDENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri
DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri DENEYİN AMACI :Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi.
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıBölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları
Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini
DetaylıBİRİNCİ DERECE A SINIFI LOGARİTMİK ORTAM SÜZGECİNİN BLOK MODELLEME İLE TASARIMI VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ
PAMUKKALE ÜNİ VERSİ TESİ MÜHENDİ SLİ K FAKÜLTESİ PAMUKKALE UNIVERSITY ENGINEERING COLLEGE MÜHENDİ SLİ K B İ L İ MLERİ DERGİ S İ JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES YIL CİLT SAYI SAYFA : 2007 : 13 : 2 : 163-172
DetaylıBİRİNCİ DERECE A SINIFI LOGARİTMİK ORTAM SÜZGECİNİN BLOK MODELLEME İLE TASARIMI VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ
PAMUKKALE ÜNİ VERSİ TESİ MÜHENDİ SLİ K FAKÜLTESİ PAMUKKALE UNIVERSITY ENGINEERING COLLEGE MÜHENDİ SLİ K B İ L İ MLERİ DERGİ S İ JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES YIL CİLT SAYI SAYFA : 2007 : 13 : 2 : 163-172
DetaylıIşığın Modülasyonu. 2008 HSarı 1
şığın Mdülasynu 008 HSarı 1 Ders İçeriği Temel Mdülasyn Kavramları LED şık Mdülatörler Elektr-Optik Mdülatörler Akust-Optik Mdülatörler Raman-Nath Tipi Mdülatörler Bragg Tipi Mdülatörler Magnet-Optik Mdülatörler
DetaylıDENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ
Deneyin Amacı DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Seri ve paralel RLC devrelerinde rezonans durumunun gözlenmesi, rezonans eğrisinin elde edilmesi ve devrenin karakteristik parametrelerinin ölçülmesi
DetaylıDüzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)
KTÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı DOĞRULTUCULAR Günümüzde bilgisayarlar başta olmak üzere bir çok elektronik cihazı doğru akımla çalıştığı bilinen
DetaylıAnahtarlama Modlu DA-AA Evirici
Anahtarlama Modlu DA-AA Evirici Giriş Anahtarlama modlu eviricilerde temel kavramlar Bir fazlı eviriciler Üç fazlı eviriciler Ölü zamanın PWM eviricinin çıkış gerilimine etkisi Diğer evirici anahtarlama
DetaylıFAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL)
FAZ KİLİTLEMELİ ÇEVRİM (PLL) 1-Temel Bilgiler Faz kilitlemeli çevrim (FKÇ) (Phase Lock Loop, PLL) dijital ve analog haberleşme ve kontrol uygulamalarında sıkça kullanılan bir elektronik devredir. FKÇ,
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
DetaylıFOTOELEKTRİK OLAY. n.h.c FOTOELEKTRİK OLAY. Işık Şiddeti. Işık Yayan Kaynağın Gücü. Foton Enerjisi
FOTOELEKTRİK OLAY FOTOELEKTRİK OLAY Işığın yapısı için öne sürülen mdellerden birisi de tanecik mdelidir. Işığın tanecikli yapıda lduğunu ispatlayan bazı laylar vardır. Ftelektrik layı da bu laylardan
DetaylıELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.
ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle
DetaylıTek-faz Yarım Dalga Doğrultucu
427 GÜÇ ELEKTRONİĞİ Tek-faz Yarım Dalga Doğrultucu Simülasyon. Amaç: Bu simülasyonun amacı R ve RL yüklerine sahip tek-faz yarım dalga diyot doğrultucunun çalışma ve karakteristiğinin incelenmesidir..2
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Amaç: Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı
DetaylıBölüm 14 FSK Demodülatörleri
Bölüm 14 FSK Demodülatörleri 14.1 AMAÇ 1. Faz kilitlemeli çevrim(pll) kullanarak frekans kaydırmalı anahtarlama detektörünün gerçekleştirilmesi.. OP AMP kullanarak bir gerilim karşılaştırıcının nasıl tasarlanacağının
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI
ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALAR HAKAN KUNTMAN 03-04 EĞİTİM-ÖĞRETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik alanında çeşitli ölçü ve kontrol düzenlerinin
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıALTERNATİF AKIMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER)
1 ALTERNATİF AKMDA EMPEDANS (PARALEL DEVRELER) Paralel Devreler Direnç, bobin ve kondansatör birbirleri ile paralel bağlanarak üç farkı şekilde bulunabilirler. Direnç Bobin (R-L) Paralel Devresi Direnç
Detaylı6. DENEY Alternatif Akım Kaynağı ve Osiloskop Cihazlarının Kullanımı
6. DENEY Alternatif Akım Kaynağı ve Osiloskop Cihazlarının Kullanımı Deneyin Amacı: Osiloskop kullanarak alternatif gerilimlerin incelenmesi Deney Malzemeleri: Osiloskop Alternatif Akım Kaynağı Uyarı:
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri)
KARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Power Electronic Circuits (Güç Elektroniği Devreleri) 1. DENEYİN AMACI ÜÇ FAZ EVİRİCİ 3 Faz eviricilerin çalışma
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ
1. Amaç: KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı
DetaylıOp-Amp Uygulama Devreleri
Op-Amp Uygulama Devreleri Tipik Op-amp devre yapıları şunları içerir: Birim Kazanç Arabelleği (Gerilim İzleyici) Evirici Yükselteç Evirmeyen Yükselteç Toplayan Yükselteç İntegral Alıcı Türev Alıcı Karşılaştırıcı
DetaylıŞekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi
DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıŞekil 6-1 PLL blok diyagramı
FREKANS DEMODÜLATÖRLERİ (6.DENEY) DENEY NO : 6 DENEY ADI : Frekans Demodülatörleri DENEYİN AMACI : Faz kilitlemeli çevrimin prensibinin incelenmesi. LM565 PLL yapısının karakteristiğinin anlaşılması. PLL
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II Öğrenci No: Adı Soyadı: Grubu: DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER Deneyin Yapıldığı Tarih:.../.../2017
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıDENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop
Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 4: Alternatif Akım ve Osiloskop Osiloskop kullanarak alternatif gerilimlerin incelenmesi Deney Malzemeleri: 5 Adet 1kΩ, 5 adet 10kΩ, 5 Adet 2k2Ω, 1 Adet potansiyometre(1kω), 4
DetaylıElektriksel-Fiziksel Özellikler... 2 Kullanım... 3 Uygulama Örnekleri... 7
FONKSİYON ÜRETECİ KULLANIM KILAVUZU (FUNCTION GENERATOR) İçindekiler Elektriksel-Fiziksel Özellikler... 2 Kullanım... 3 Uygulama Örnekleri... 7 Şekil Listesi Şekil 1 Fonksiyon üreteci... 2 Şekil 2 Fonksiyon
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıÖlçü Aletlerinin Tanıtılması
Teknoloji Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği 2017-2018 Bahar Yarıyılı EEM108 Elektrik Devreleri I Laboratuvarı 1 Ölçü Aletlerinin Tanıtılması Öğrenci Adı : Numarası : Tarihi : kurallarını okuyunuz.
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II
T.C. LDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATVARI II DENEY 5: KOMPARATÖRLER DENEY GRB :... DENEYİ YAPANLAR :......... RAPOR HAZIRLAYAN
DetaylıŞekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı
DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için
DetaylıDENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP
DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,
DetaylıDOPPLER KAN AKIÞ ÖLÇERLERÝ ÝÇÝN MAKSÝMUM FREKANS ÝZLEYÝCÝ TASARIMI VE GERÇEKLEÞTÝRÝLMESÝ
Erc. Üniv. Fen Bil. Derg. 15,1-2 (1999) 12-18 DOPPLER KAN AKIÞ ÖLÇERLERÝ ÝÇÝN MAKSÝMUM FREKANS ÝZLEYÝCÝ TASARIMI VE GERÇEKLEÞTÝRÝLMESÝ Yýlmaz SAVAÞ Gazi Üniversitesi, Teknik Eðitim Fakültesi, Elektronik
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıSAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ
DENEY 1 SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ KAYNAKLAR Analysis and Design of Digital Integrated Circuits, Hodges and Jackson, sayfa 6-7 Experiments in Microprocessors and Digital Systems, Douglas
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıLED - FOTODİRENÇ ÇİFTİ İLE TASARLANMIŞ OPTOELEKTRONİK OSİLATÖR (OPTOELECTRONİC OSCILLATOR DESIGNED WITH LED - PHOTORESISTOR PAIRS)
Cilt: 1 Sayı: 2 sh. 59-69 Mayıs 1999 LED - FOTODİRENÇ ÇİFTİ İLE TASARLANMIŞ OPTOELEKTRONİK OSİLATÖR (OPTOELECTRONİC OSCILLATOR DESIGNED WITH LED - PHOTORESISTOR PAIRS) Eldar MUSAYEV, İsmail TEKİN Uludağ
DetaylıDeney 4: 555 Entegresi Uygulamaları
Deneyin Amacı: Deney 4: 555 Entegresi Uygulamaları 555 entegresi kullanım alanlarının öğrenilmesi. Uygulama yapılarak pratik kazanılması. A.ÖNBİLGİ LM 555 entegresi; osilasyon, zaman gecikmesi ve darbe
DetaylıEEM 202 DENEY 8 RC DEVRELERİ-I SABİT BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ
Ad&oyad: DEELEİ- ABİT Bİ FEKANTA DEELEİ 8. Amaçlar abit Frekanslı seri devrelerinde empedans, akım ve güç bağıntıları abit Frekanslı paralel devrelerinde admitans, akım ve güç bağıntıları. 8.4 Devre Elemanları
DetaylıŞekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri
2. Alternatif Akım =AC (Alternating Current) Değeri ve yönü zamana göre belirli bir düzen içerisinde değişen akıma AC denir. En çok bilinen AC dalga biçimi Sinüs dalgasıdır. Bununla birlikte farklı uygulamalarda
Detaylı12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI
Wheatstone Köprüsü ile Direnç Ölçümü 12. DC KÖPRÜLERİ ve UYGULAMALARI Orta değerli dirençlerin (0.1Ω
DetaylıDENEY 2: ALTERNATİF AKIM DEVRELERİNDE KONDANSATÖR VE BOBİN DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
DENEY 2: ALTERNATİF AKIM DEVRELERİNDE KONDANSATÖR VE BOBİN DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Deneyin Amacı *Alternatif akım devrelerinde sıklıkla kullanılan (alternatif işaret, frekans, faz farkı, fazör diyagramı,
DetaylıYENİ BİR AKTİF ELEMAN: DİFERANSİYEL GERİLİM ALAN ELEKTRONİK OLARAK AYARLANABİLİR AKIM TAŞIYICI (EDVCC)
YENİ BİR KİF ELEN: DİFERNSİYEL ERİLİ LN ELEKRONİK OLRK YRLNBİLİR K ŞYC (EDCC) Serhan YÇL Sadri ÖCN 2 Hakan KUNN Elektronik ve Bilgisayar Eğitimi Bölümü ersin Üniversitesi arsus eknik Eğitim Fakültesi,
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıDeney 2: FARK YÜKSELTEÇ
Deney : FARK YÜKSELTEÇ Fark Yükselteç (Differential Amplifier: Dif-Amp) Fark Yükselteçler, çıkışı iki giriş işaretinin cebirsel farkıyla orantılı olan amplifikatörlerdir. O halde bu tip bir amplifikatörün
DetaylıSinüsoidal Gerilim ve Akım ALIŞTIRMALAR
Sinüsoidal Gerilim ve Akım 65 2.7. ALŞTRMALAR Soru 2.1 : 4 kutuplu bir generatörde rotor (hareketli kısım) 3000 devir/dk ile döndüğüne göre, üretilen gerilimin frekansını bulunuz. (Cevap : f=100hz) Soru
DetaylıDENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri
DENEY 7 Pasif Elektronik Filtreler: Direnç-Kondansatör (RC) ve Direnç-Bobin (RL) Devreleri 1. Amaç Bu deneyin amacı; alternatif akım devrelerinde, direnç-kondansatör birleşimi ile oluşturulan RC filtre
DetaylıSARMAŞIK YAPILI TEK-FAZ DOĞRULTUCUNUN FARKLI AKIM KONTROL YÖNTEMLERİYLE PERFORMANS ANALİZİ
Gazi Üniv. Müh. Mim. Fak. Der. Jurnal f the Faculty f Engineering and Architecture f Gazi University Cilt 29, N 3, 443-450, 2014 Vl 29, N 3, 443-450, 2014 SARMAŞIK YAPILI TEK-FAZ DOĞRULTUCUNUN FARKLI AKIM
DetaylıEleco 2014 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, Kasım 2014, Bursa
Eleco 4 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, 7 9 Kasım 4, Bursa Harmonik Bozunum Kompanzasyonu için Melez ve Çift Ayarlı Pasif Güç Filtresi Tasarımı ve Performans Analizi
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Ohm-Kirchoff Kanunları ve AC Bobin-Direnç-Kondansatör
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 2 Deney Adı: Ohm-Kirchoff Kanunları ve Bobin-Direnç-Kondansatör Malzeme Listesi:
DetaylıDOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER 1. Deneyin Amacı Yarım
DetaylıELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5
ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 İletim Hatları İLETİM HATLARI İletim hatlarının tarihsel gelişimi iki iletkenli basit hatlarla (ilk telefon hatlarında olduğu gibi) başlamıştır. Mikrodalga enerjisinin
DetaylıPSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR
PSpice Simülasyonu Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR Ekim 2005 1. Giriş Bilgisayarla devre simülasyonu, elektronik devrelerin ve sistemlerin tasarımında en önemli adımlardan biridir. Devre ve tümdevre
DetaylıYıldız Teknik Üniversitesi Elektronik ve Hab. Müh. Mikrodalga Lab. Deney No:6
Deney No:6 Yıldız Teknik Üniversitesi Elektronik ve Hab. Müh. Mikrodalga Lab. VCO, Dedektör ve 3-Kapılı Sirkülatörün Tanınması Alçak Geçiren Filtreye Ait Araya Girme Kaybı Karakteristiğinin Belirlenmesi
DetaylıDENEY 3: DTMF İŞARETLERİN ÜRETİLMESİ VE ALGILANMASI
DENEY 3: DTMF İŞARETLERİN ÜRETİLMESİ VE ALGILANMASI AMAÇ: DTMF işaretlerin yapısının, üretim ve algılanmasının incelenmesi. MALZEMELER TP5088 ya da KS58015 M8870-01 ya da M8870-02 (diğer eşdeğer entegreler
DetaylıTÜRKĠYE CUMHURĠYETĠ ERCĠYES ÜNĠVERSĠTESĠ BĠYOMEDĠKAL MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ TIBBĠ CĠHAZLARIN KALĠBRASYONU LABORATUVARI
TÜRKĠYE CUMHURĠYETĠ ERCĠYES ÜNĠVERSĠTESĠ BĠYOMEDĠKAL MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ TIBBĠ CĠHAZLARIN KALĠBRASYONU LABORATUVARI DENEY NO:6 ELEKTROKOTER CĠHAZI KALĠBRASYONU Elektrkter; ameliyatlarda dkuyu yakarak kesme
Detaylı