DENEY-4 ĐŞARET ÜRETEÇLERĐ
|
|
- Koray Ocak
- 7 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 DENEY-4 ĐŞARET ÜRETEÇLERĐ ÖN HAZIRLIK. Şekil-6 daki devrede çalışma noktasında h fe =290, R =680 kω, R 2 =00 kω, R C =3300 Ω, R E =560 Ω olduğuna göre transistörün baz, emetör ve kollektör uçlarındaki DC gerilimleri ve Ug kaynağından devrenin girişine bakıldığında görülen direnci hesaplayınız. 2. Şekil-6 daki devre için Deney- in 2. ve 3. adımında yapılan ölçümlerle transistörün bazının çektiği DC akım I B yi nasıl hesaplayabiliriz? 3. Şekil-7 deki Colpitts osilatörünün salınım frekansını hesaplayınız. 4. ** Şekil-8 deki devre için Uo ile Ug işaretinin hangi frekansta zıt fazda olduğunu ve bu frekanstaki Uo/Ug oranını veren ifadeleri çıkartınız. 5. Şekil-9 daki faz kaydırmalı osilatör için R=4.7 kω, C=220 pf alarak salınım frekansını hesaplayınız. 6. *Şekil-8 deki devrenin genlik ve faz Bode diyagramlarını çizdirerek 4. soruda bulduğunuz eşitliği kontrol ediniz. 7. * Şekil-20 deki devre için Uo ile Ug işaretinin hangi frekansta aynı fazda olduğunu ve bu frekanstaki Uo/Ug oranını veren ifadeleri çıkartınız. 8. Şekil-2 deki Wien köprülü osilatörün R=47kΩ, C=0 nf için salınım frekansını hesaplayınız. 9. *Şekil-20 deki devrenin genlik ve faz Bode diyagramlarını çizdirerek 7. soruda bulduğunuz eşitliği kontrol ediniz. 0. Yukarıdaki şekilde çevrimi kapanmamış devre bloğu görülmektedir. Ug işareti uygulandığında K nın çıkışındaki Uo ile β nın çıkışındaki U F işareti arasında 0 0 lik faz farkı doğmakta ve β devresinin çıkışında işaretin genliği girişteki Uo işaretinin genliğinin yarısına düşmektedir. ( U F /Uo =0.5 ) Ug işareti kaldırılıp hemen çevrim kapandığında salınımın sürmesi için K bloğunun kazancı ve K bloğunun bu frekanstaki işaretler için faz kayması ne olmalıdır?. Bir transistörün doymaya, tıkamaya ve iletime girmesi ne demektir, nasıl anlaşılır?
2 ĐŞARET ÜRETEÇLERĐ (OSĐLATÖRLER) Birçok uygulamada parametrelerini istediğimiz gibi seçebileceğimiz veya ayarlayabileceğimiz işaret üreteçlerine (kaynaklarına, osilatörlerine) gerek duyarız. En sık kullanılanları sinüsoidal ve darbe dizisi gerilim üreteçleridir. Bu tür kaynaklar her zaman pozitif geribeslemeli devrelerdir. Geribesleme deneyinden bildiğimiz gibi, geribeslemeli bir sistemin kazancı K f = K + βk () dir. Sistemin kararlı olabilmesi için +β(s)k(s) paydasının sıfırları (ki bunlar K f nin kutuplarıdır) s düzleminin sol yarısında bulunmalıdırlar. +β(w)k(w) > olduğu sürece geribesleme negatif ve +β(w)k(w) < olduğunda pozitiftir. Geribesleme pozitif olduğunda K f > K olacağına dikkat ediniz. +β(w)k(w) = 0 dolayısıyla β(w)k(w) = - koşulu sağlandığında K f = olur. Bu, devrenin (sistemin) osilasyon (salınım) yapması koşuludur. Olguyu daha fiziksel olarak kavramak isterseniz, Şekil- de verilen sistemi göz önüne alınız. Görüldüğü gibi geribesleme yolu kapatılmamıştır. Şekilden; U O = K.U g (2) U f = -β.uo = -β.k.u g (3) yazılabilir. Şayet Şekil - β(w)k(w)= (4) Koşulu sağlanırsa U f = U g (5) olur. Dolayısıyla bu koşul sağlandığında, kuvvetlendiricinin girişine uygulanan U g işaretini kaldırıp, geribesleme yolunun çıkışını (U f işaretini) kuvvetlendiricinin girişine bağlayacak olursak girişine işaret uygulanmasa da çıkıştaki işaret U o olmaya devam edecektir. Girişine uygulanan bir işaret olmadan devre istenen çıkış işareti için gereken giriş işaretini kendisi üretmektedir ve devre bir işaret kaynağı olarak çalışmaktadır. Bu işin sürüp gidebilmesi için (5) eşitliğinin tüm zamanlarda sağlanması gerekir. (4) koşulu çevrim kazancının e eşit olması anlamına gelir. - işaretinden ötürü, eşitliğin sağlanabilmesi için β veya K nın 80 o faz döndürerek bir negatif ön işaret daha getirmesi gerekir. Bu ise β, K veya her ikisinin toplam 80 o daha faz farkına sahip olmasının gerektiği demektir. Hem β, hem de K devresi doğrusal ise, kuvvetlendiricinin U o çıkış işareti sinüsoidal olacaktır, zira doğrusal devrelerden şekli bozulmadan geçebilen tek işaret sinüsoidal işarettir. Diğer taraftan gerçek sistemlerin ancak belirli bir çalışma aralığında doğrusal sayılabileceklerini biliyorsunuz. Đşin doğrusu, işaret üreteçlerinde kullanılan tüm devreler doğrusal olsalardı, bu tür kaynakları yapmak olanaksız olurdu. Zira β.k= koşulu, olsa olsa yaklaşık olarak sağlanabilir. Fakat hiçbir zaman tam tamına gerçeklenemez. +βk nin, den ε kadar büyük olduğunu varsayalım. ε u ne kadar küçük yaparsanız yapın, işaret β.k yolu üzerinden her geçişinde biraz kuvvetlenecektir. Bu nedenle ki U o genliği sürekli olarak artacaktır. Tersine, +βk =-ε olacak olursa işaret çıkıştan girişe her gelişinde biraz zayıflayacağından salınımlar yavaş yavaş sönüp gideceklerdir. 2
3 Çıkış genliği zamanla değişmeyen (buna kararsızlığın kararlı olması da diyebilirsiniz) kaynaklar yapabilmemizi devre elemanlarının doğrusal olmamalarına borçluyuz. Osilatörler her zaman +βk, den biraz küçük olacak şekilde (pozitif geribeslemeli) tasarlanırlar. Devreye gerilim uygulanmasından sonra, çıkışta bir işaret doğar ve genliği yavaş yavaş artmaya başlar. Sistem doğrusal olmadığından genlik artıkça kuvvetlendiricinin kazancı azalır. (4) koşulunun sağlandığı genliğe (veya bu genliği sağlayan çalışma noktasına) ulaşıldığında genlik sabit kalır. Yukarıdaki irdelemeleri dikkatlice okuduysanız, büyük bir olasılıkla anlatılanların bir parça yumurtacivciv hikayesine benzediğini düşünüyorsunuz. t=0 + anında devreye gerilim uygulandığında, kuvvetlendiricinin girişinde hiçbir işaret olmadığından, nasıl olur da sistem salınım yapmaya başlar haklı sorusuna takılmış olabilirsiniz. Gerçekten olgu hiç de kolay anlaşılır değildir. Devreye gerilim uygulandığı anda devrenin girişine bir basamak fonksiyonu uygulandığını düşünebilirsiniz. Bunun Fourier dönüşümünü yapacak olursanız, işaret kaynağınızın salınım frekansındaki bileşeni bulursunuz. Gelelim devrenin niçin tasarımıyla belirlenen belirli bir frekansta salınmak zorunda olduğuna. Đşaretin girişten başlayıp kuvvetlendirici ve geribesleme yolu üzerinden yeniden girişe gelen yolculuğundaki toplam faz farkı, 2π veya bunun tam katları olmalıdır ki girişteki işaret geribesleme yolundan gelen işarete eş olsun. Osilasyonlar ancak bu sayede sürekli olurlar. Hem kuvvetlendiricinin hem de geribesleme devresinin fazı, frekansa bağlı olduğundan yukarıdaki koşul tek bir frekansta sağlanır. Bu koşulun sağlandığı frekans devreni salınım frekansıdır. Fakat bu frekansta aynı anda ikinci bir koşulun daha sağlanması gerekir. Osilasyonların sönmeden devam edebilmesi için çevrim kazancının (yani βk ) genliği e eş olmalıdır. Her iki koşulu kapsayan matematiksel ifade olup, Barkhausen kriteri olarak bilinir. βk=- (6). GENELLEŞTĐRĐLMĐŞ OSĐLATÖR ANALĐZĐ Şekil 2 de verilen devre pek çok osilatör tipi için olan genelleştirilmiş bir devredir. Şekil 2 Genelleştirilmiş osilatör devresi Burada K, aktif elemanın (transistör, FET vb) kazancıdır. Analizi basitleştirmek amacıyla, aktif elemanın JFET olduğu varsayılarak devrenin eşdeğeri Şekil-3a da verilmiştir. Z, Z 2 ve Z 3 daha sonra irdelenecek olan 3 empedanstır. 3
4 Şekil 3 Çözümü kolaylaştırmak için g m U gs akım kaynağı Şekil 3-b de bir gerilim gerilim kaynağına dönüştürülmüştür. Devrenin geribeslemeli olduğu açıkça görülmektedir. Z 2 kuvvetlendiricinin çıkışına bağlı yük empedansıdır. Çıkış gerilimi Z, Z 3 gerilim bölücüsü üzerinden alınarak, bunun Z üzerindeki parçası girişe geri getirilmiştir. Geribesleme, gerilimden gerilimedir. Bu geribeslemeyi kolayca görmeniz için devre düzenlenerek Şekil 4 te bir kere daha verilmiştir. β devresi Z ve Z 3 ten oluşmaktadır. Gerilimden gerilime geribeslemeli devrelerde geribesleme yolunun h parametreleri ile tanımlarız. Şekil 4 = (7a) = (7b) = (7c) = (7d) bulunur. Geribesleme devresinin etkisinin göz önüne alınmış olduğu, gerilim kaynağının (kısa devre edilerek) ve akım kaynağının (açık devre yapılarak) söndürüldüğü geribeslemesiz devre Şekil 5 te verilmiştir. 4
5 Şekil 5 Bu devrenin gerilim kazancı = - (8) ve β= = (9) dir. Gerilimler için seçilen pozitif yönler göz önüne alındığında Şekil 4 ten giriş gerilimi ile geribesleme yolu üzerinden gelen gerilimin farkının değil de toplamının alındığı görülür. Dolayısıyla geribeslemeli devrenin kazancı (0) olup () dir. Z, Z 2 ve Z 3 empedansları saf reakif elemanlar (kondansatör veya bobin) ise Z = j.x Z 2 = j.x 2 Z 3 = j.x 3 olur ki bobinler için X pozitif, kondansatörler için negatif büyüklüklerdir. Saf reaktif empedanslar için yazılabilir. Çevrim kazancının faz farkı yaratmaması dolayısıyla geribeslemenin pozitif olması için (2) X +X 2 +X 3 = 0 (3) olmalıdır. Bu koşulun sağlanabilmesi için tüm reaktif elemanların aynı tipten olmaması zorunludur. Empedansların tümü kondansatör veya tümü bobin olamaz. Devre (3) koşulunun sağlandığı frekansta salınım yapacaktır. Bu koşul sağlandığında 5
6 (4) olur ki, burada (3) koşulunu bir kere daha kullanarak (5) yazılabilir. (0) ifadesinden görüldüğü gibi geribeslemenin pozitif olması için, aynı zamanda -βk v < βk v (6) koşulu da sağlanmalıdır. Bu ise X ve X 2 nin aynı tipten reaktanslar olmasını gerektirir. Diğer taraftan (3) eşitliği gereğince X 3 bunlara zıt tipten olmalıdır. X ve X 2 reaktanslarının kondansatör X 3 ün bobin seçilmesi halinde devre Colpitts osilatörü olarak isimlendirilir. Bu tipten bir osilatör Şekil 6 da verilmiştir. Bu devrede C b ve C e salınım frekansında kısa devre varsayılabilecek kadar büyük seçilmelidirler. Transistör için r o >> R c geçerli ise (5) ifadesinde r d yerine R c almak gerekir. g m ise /r e olduğundan βk v = (7) yazılabilir. (6) koşulu sağlanacak şekilde Şekil 6 Colpitts Osilatörü düzeltmeler yapmak gerekir. oranı seçilmelidir. Transistörlü kuvvetlendiricinin giriş direnci h fe.r e olup, FET in giriş direnci ile karşılaştırıldığında çok küçük olduğundan X reaktansını kısa devre yapma eğilimi gösterir. Bundan ötürü yukarıda verilen ifadelerde X, X 2 nin bobin, X 3 ün kondansatör seçilmesi halinde devre Hartley osilatörüdür. Bu devre Şekil 7 de verilmiştir. L c, salınımların besleme kaynağı üzerinden kısa devre olmasını önleyecek kadar büyük seçilmelidir. R, R 2 baz kutuplama dirençleridir. C b, C c ve C e yeterince büyük seçilmelidirler ve osilasyon frekansında kısa devre varsayılabilirler. L=L + L 2 (8) olmak üzere Hartley osilatörünün salınım frekansı aşağıdaki eşitlikle bulunabilir. f o = (9) 2π LC 3 Şekil 7 Hartley Osilatörü 6
7 2. FAZ KAYDIRMALI OSĐLATÖRLER Şekil 8a ve 8b de aktif eleman olarak JFET ve bipolar transistör kullanılan faz kaydırmalı osilatör devreleri verilmiştir. Şekil 8a da peş peşe bağlanmış 3 adet yüksek geçiren RC devresi öyle boyutlandırılmıştır ki salınım frekansında bu 3 katlı devre 80 faz kaydırır. Şekil 8 a) JFET'li b) BJT'li faz kaydırmalı osilatör devreleri Diğer taraftan FET li kuvvetlendirici katı da 80 faz kaydırdığından toplam faz kayması 360 olur ve devre yeterince kazanca sahipse bu frekansta salınım yapar. Devre gerilimden gerilime geribeslemelidir. Geribesleme faktörü U β = U o g = 5α 2 j(6α α 3 ) (20) olup α = (2) wrc dir ve α 2 =6 f = (22) 2πRC 6 Frekansında geribesleme yolunun fazı 80 olur ve devre salınım yapar. Bu frekansta β = /29 olduğundan βk = koşulunun sağlanabilmesi için kuvvetlendiricinin gerilim kazancı K v =29 olmalıdır. Bipolar transistörlü faz kaydırmalı osilatörde faz kaydırma devresinin katın küçük olan giriş direnci nedeniyle aşırı yüklenebileceği göz ardı edilmemelidir. Geribesleme Şekil 8b de gösterildiği gibi gerilimden akıma yapılmıştır ve bu giriş direncini daha da azaltır. R B2 =R B //R B2 >> h ie kolayca sağlanabilir koşulunun geçerli olması halinde devrenin eşdeğeri aşağıda verildiği gibi olacaktır. 7
8 Şekil 9 Bu geribeslemenin etkisinin göz önüne alındığı kuvvetlendiricinin eşdeğer devresidir ve şekilden görüleceği gibi R i h ie dir. R B = R R i olarak seçilecek olursa faz kaydırma devresinin tüm katları eş olacağından hesaplar kolaylaşır. i o ve i b akımları eş fazda olacağından devre salınım yapacaktır. Salınım frekansı f = (23) 2πRC 6 + 4k olarak hesaplanır ki burada k=r c /R oranıdır. Ayrıca = koşulundan (bu +βk = koşuluna özdeştir) h fe > 4k /k (24) olması gerektiği gösterilebilir. h fe nin değeri k=2.7 için minimum olur ki bu h fe > 44,5 (25) olması demektir. 3. WIEN KÖPRÜLÜ OSĐLATÖR Bu osilatörün prensip devresi Şekil 0 da verilmiştir. Kuvvetlendirici olarak bir işlemsel kuvvetlendirici kullanılırsa devre bir kaç Hz den birkaç MHz e kadar uzanan bir aralıkta çalışabilir. Daha geniş bantlı bir kuvvetlendirici ile daha yüksek frekanslarda da çalışabilir. Devredeki pasif elemanlar bir Wien köprüsü oluşturmaktadır. Z = R + (26a) sc Z 2 = R2 // (26b) sc 2 empedansları U o çıkış gerilimine bağlı bir gerilim bölücü gibi davranırlar. Frekansa duyarlı bu gerilim bölücünün genlik ve faz diyagramları Şekil de verilmiştir. Şekil 0 8
9 Şekil R =R 2 =R, C =C 2 =C seçilmiş olması halinde f o = 2 πrc (27) frekansında gerilim bölücünün fazı sıfır olur. Bu frekansta geribesleme pozitif olur. Genlik diyagramından görüldüğü gibi gerilim bölücünün bu frekanstaki bölme oranı /3 olduğundan kazanç den küçüktür ve Barkhausen kriteri sağlanmaz. Kazancın olmasını sağlamak için R 3, R 4 üzerinden negatif bir geribesleme yapılmıştır (yoksa kuvvetlendirici çok büyük olan açık çevrim kazancı ile çalışırdı) + R 4 /R 3 = 3 R 4 /R 3 =2 (28) yapıldığında βk = koşulu sağlanmış olur. Bu koşul sağlandığında köprünün dengeye gelmiş olduğuna dikkat ediniz. Bu U p =U n (29) olması demektir. 4. KRĐSTALLĐ OSĐLATÖRLER Piezoelektrik özelliklere sahip bir kristalin metalle kaplanmış birbirine paralel iki yüzeyi arasına gerilim uygulandığında kristal içindeki bağlı yüklere etkiyen kuvvetler doğar. Bu kuvvetler kristalin sıkışmasına veya genleşmesine neden olan mekanik gerilmelere yol açar. Uygulanan gerilim uygun bir frekansta ise sistem rezonansa gelir. Kristalin rezonans frekansı ; kristalin boyutlarına, yüzeylerinin kristal eksenlerine göre hangi doğrultuda seçildiğine ve kapcığına nasıl monte edildiği gibi bir dizi faktöre bağlıdır. Kristalin tipine bağlı olarak rezonans frekansı 50Hz-30MHz aralığındadır. Rezonans frekansı artıkça kristalin boyutları küçülür ve incelir. Đnce kristal levhacıkları çok kırılgan olduklarından üretimleri ve kullanılmaları pratik olmaktan çıkar. Bu nedenle kullanılabilir oldukları frekans 30MHz ile sınırlanırsa da kristali temel rezonans frekansı yerine bunun harmoniklerinde de titreşime zorlamak olanağı vardır. Bu sayede kristaller yaklaşık 200 MHz e kadar kullanılabilirler. Piezoelektrik kristal olarak genellikle yapay olarak üretilen kuvartz kullanılır. Rezonans frekansı sıcaklığa ve kristalin tipine (hangi doğrultuda kesilmiş olduğuna) bağlıdır. X ve Y tipi kristallerin sıcaklık katsayıları (rezonans frekansının sıcaklığa değişimi) +20/+50 C sıcaklık aralığında hemen hemen sıcaklıktan bağımsızdır. 9
10 Kristalin devre sembolü ve eşdeğer devresi Şekil 2-a da verilmiştir. Şekil 2 C p kristalin elektrodlarını oluşturan metal levhalar arasındaki gerçek kapasitedir, zira piezoelektrik kristal bir dielektriktir. R, L, C s ise mekanik titreşimlere karşı gelen eşdeğer devre parametreleridir. R, titreşim yapan kristalin sürtünme kayıplarına L, titreşen kristalin kütlesine, C s ise kristalin esnekliğine (yay sabitine ) karşı gelir. L, 00 mh 00 H aralığında iken R çok küçük olduğundan piezoelektrik kristaller Q kalite faktörü çok büyük olan rezonans devreleri gibi davranırlar. Q faktörü aralığındadır. Bu sayededir ki kristalli osilatörlerin frekans kararlılığı çok iyidir. C s genellikle pf dan küçük iken C p, 4-40 pf kadardır. R, L, C s elemanları, empedansı Z R ± = (30) s jx s olan bir seri rezonans devresi oluşturur ki, burada X s = X X (3) L CS dir. L ve C p ise Z p L C = (32) Z Z L.Z + Z C empedansına sahip bir paralel rezonans devresi oluşturur ki burada Z C = Cp.Cs s C + C p s dir. Şekil 2-c den görüldüğü gibi düşük frekanslarda L ve R önemsiz olup empedans C s tarafından belirlenir. f s frekansında X L =X CS olup seri rezonans oluşur ve empedans R minimum değerini alır. Frekans f s nin üzerine çıktığında kristal endüktivite gibi davranır ve f p ye ulaştığında paralel rezonans ortaya çıkıp, empedans sonsuza gider. Şekil 2-b de ise empedansın değişimi gösterilmiştir. Değişim ne kadar keskinse bu kristalle yapılmış osilatörün frekans karalılığı o kadar iyi olacaktır. 0
11 Seri rezonans frekansı f s = 2 π LC s (33a) ve paralel rezonans frekansı f p = 2 π LC (33b) dir ki burada C, C s ve C p nin seri eşdeğeridir. C p >> C s olduğundan f p -f s farkı %.(f s ) mertebesindendir. Kristal paralel, seri rezonans veya bunların arasındaki bir frekansta çalıştırılabilir. Şekil 3 te verilen devre Pierce osilatörüdür. Şekil 3 X, kristali göstermektedir. Devreyi biraz düzenleyerek Şekil 3-b de verildiği gibi çizer ve bunu Şekil 2 deki devre ile karşılaştıracak olursanız devrenin özünde bir Colpitts osilatörü olduğunu görürsünüz. Z ve Z 2 kapasitif olduğundan kristal endüktif bölgesinde çalışmalıdır. Bu, osilasyon frekansının f s ve f p arasında f p ye yakın bir yerde olacağı anlamına gelir. Devre genellikle R 2, C 2 65 lik faz kayması verecek şekilde tasarlanır. Kristal endüktif olup C ile 5 lik faz farkı yarattığında geribesleme yolunun toplam faz farkı 80 ye ulaşır. Kuvvetlendirici de 80 faz farkına sahip olduğundan toplam faz farkı 360 olur ve bu frekansta devre osilasyon yapar. 5. ASTABĐL MULTĐVĐBRATOR Bu tip osilatörlerde aktif elemanlar, şimdiye kadar ele alınan devrelerin tersine, doğrusal olmayan bir bölgede çalışırlar. Aktif elemanlar doyma ile kesim noktaları arasında konum değiştirip dururlar. Bu tip osilatörlerin tipik örneği Şekil 4 de verilen astabil multibratördür. Her iki transistorün bazı da kaynak potansiyeline bağlanmış olduğundan her iki transistör de iletime girmek isteyecektir. Bir an için T transistörünün erken davranıp iletime ve T 2 transistörünün tıkandığını varsayalım. Şayet I B U = cc U R B BE Şekil 4
12 yeterince büyük seçilmişse T transistörü doymaya girer ve U CE =U CE(SAT) olur ki burada U CE(SAT) birkaç 0. V olan doyma gerilimidir. Devrenin çalışması ana hatlarıyla: T iletime girdiği an T 2 tıkanır, zira T iletime girdiğinde U C gerilimi U CC -U CE(SAT) kadar düşer. C 2 den akacak olan akım R B2 nedeniyle sınırlanmış olduğundan gerilimi birden bire değişemez ve bundan ötürü C 2 nin T 2 nin bazına bağlı olan ucunun gerilimi de aynı miktarda düşer. T 2 nin daha önce iletimde olduğunu varsayacak olursanız U BE2 =U BE(SAT) =0.8V olduğundan U CC -U CE(SAT) kadar gerilim düşümünden sonra T 2 nin bazı negatif olur ve T 2 tıkanır. Fakat T 2 nin bazı R B2 üzerinden U CC gerilimine bağlı olduğundan C 2 kondansatörü τ 2 =R B2.C 2 zaman sabiti üzerinden U BE(SAT) U CC + U CE(SAT) = -U CC geriliminden +U CC gerilimine doğru U= -2.U CC e -t/τ2 + U CC (34) fonksiyonunu izleyerek dolmaya başlar. Bu dolma, T 2 nin bazının U B2 =U BE =0.7V a ulaşıncaya kadar devam eder ki geçen süre 34 denkleminden Şekil 5 Astabil multivibratörün dalga şekilleri (Detayları gösterebilmek amacıyla ölçeksiz çizilmiştir.) 2. U CC 2. UCC T = τ = 2 2. ln RB2. C2.ln (35a) UCC U BE UCC U BE ve U CC >> U BE koşulu sağlandığında T 2 =R B2.C 2.ln(2)= 0.69R B2 C 2 (35b) olarak hesaplanır. Bu sürenin sonunda U B2 =U BE olduğunda T 2 iletime girecektir. Bu sefer T 2 nin kolektör gerilimi U CC kadar düşeceğinden bu gerilim düşümü C üzerinden T bazına aktarılır ve T tıkanır. Şimdi C kondansatörü R B üzerinden T =R B C zaman sabiti ile dolarken T 2 nin baz gerilimi yükselecektir. U B2 =U BE oluncaya kadar geçen süre, benzer şekilde hesaplanırsa 2
13 2. U CC 2. UCC T = τ =. ln RB. C.ln (36a) UCC U BE UCC U BE ve U CC >> U BE koşulu sağlandığında T =R B.C.ln(2)= 0.69R B C (36b) bulunur. T soldaki T 2 sağdaki transistörün tıkalı olduğu süre olup, dalganın bir periyodu olur ki T = T + T 2 = (0.69)(R B C + R B2 C 2 ) (37) R B =R B2 =R B C =C 2 =C (38a) (38b) seçimi yapıldığında T=(.38)R B C ya da f = / (R B C) (39) şeklinde basitleşir. Yukarıda anlatılan bu olguyu Şekil 5 de verilen dalga şekillerinde izleyebilirsiniz. Şekilden görüldüğü gibi kolektör gerilimi birden bire yükselmediği gibi birden bire de düşmez. Kolektör gerilimlerinin düşen ve yükselen kenarlarındaki yuvarlanmaların nedeni yukarıdaki irdelemelerde göz önüne alınmamış olan baz akımlarıdır. Devrede kullanılan transistörlerin akım kazançları büyük olduğu oranda baz akımlarının bu olumsuz etkisi azalır. Ayrıca iletime girdiklerinde transistörlerin aşırı doymaya girmelerini önlemek de devrenin dinamiğini iyileştirecektir, zira baz bölgesinde biriken taşıyıcılar azaldığında transistörlerin tıkanması çabuklaşır. Doymada I B > I C /h FE ve I B =U CC /R B ; I C = U CC /R C olduğundan, aşırı doymayı önlemek için, R B h FE.R C den çok küçük seçilmemelidir. Burada deney süresinin sınırlılığı nedeniyle baz akımlarının etkisinin göz önüne alınması irdelenmemiştir. 3
14 DENEY : COLPITTS OSĐLATÖRÜ ) Şekil-6 daki devreyi kurunuz. R =680 kω, R 2 =00 kω, R C =3300 Ω, R E =560 Ω, C 3 =C 4 =00 µf, C =0 nf, C 2 =22 nf, L =330 µh 2) U g işaretini uygulamadan önce transistörün baz, kollektör ve emetör gerilimlerini multimetre ile ölçünüz. V B =... V E =... V C =... 3) Transistörü devreden sökerek R 2 direnci Şekil 6 üzerindeki gerilimi ölçünüz. V B = ve 3. adımda yaptığınız ölçümler yardımıyla transistöre ait aşağıdaki değerleri hesaplayınız. I B =... I C =... I E =... r e =... h FE =... h FE.re=... 4) h fe = h FE alarak, Ug kaynağının gördüğü, devrenin giriş direncini hesaplayınız. R i = R // R 2 // [ h fe.r e + (+h fe ).R E ] =... 5) Transistörü ve hesapladığınız R i direncine en yakın standart direnci bularak, devreye takınız. 6) U g sinüsoidal işaretini 200 mv (tepeden tepeye) ayarlayarak 96-6 khz aralığında U o çıkışının genliğinin maksimum olduğu frekansı ve bu frekansta, kollektördeki (U C ) ve devrenin U o çıkışındaki genliği kaydederek aşağıdaki değerleri hesaplayınız. f o (maks)=... khz U o (f o ) =... U C (f o ) =... 7) Giriş ve çıkışı aynı anda görüntüleyerek giriş-çıkış arasındaki faz farkının 0 o olduğu frekansı yukarıdaki aralıkta arayarak bu frekanstaki kazancı ölçünüz. f o (faz=0 o ) =... khz K(f o ) =... 8) Daha önce kurmuş olduğunuz devreyi aşağıdakine dönüştürünüz. 9) Önce C 3 açık devre iken CADET gerilimini uygulayıp U o (kollektör) gerilimini osiloskopta izleyiniz. Şayet devre salınım yapmıyorsa C 3 kondansatörünü kısa süre için bağlayıp devreden ayırınız. Salınan U o geriliminin tepe-tepe değerini ve periyodunu ölçünüz. Uo =... V T =... s Şekil 7 4
15 DENEY 2: FAZ KAYDIRMALI OSĐLATÖR 0) Yandaki devreyi kurunuz. R=4.7kΩ, C=220 pf ) Ug işaretinin genliğini tepeden tepeye 8V a ayarlayarak giriş ve çıkış arasındaki faz farkının 80 o olduğu frekansı ve bu frekanstaki çıkış genliğini ölçerek Uo/Ug oranını bulunuz. f o =...khz U o (f o ) =... Uo/Ug=... Şekil 8 2) Yandaki devreyi kurunuz. RB=680kΩ, RB2=330kΩ, Rc=kΩ, Re=47Ω, R=4.7kΩ, C=220pF, Ce=330µF, Rp=0 kω, 3) Kollektör ucundaki işareti görüntüleyerek salınım olmayacak şekilde potansiyometreyi ayarlayınız. Multimetre ile aşağıdaki ölçümleri yapınız. V B =... V E =... V C =... 4) Transistörü devreden sökerek RB2 üzerindeki gerilimi multimetre ile ölçünüz. V B =... 5) 4. ve 5. adımlarda yaptığınız ölçümler yardımıyla aşağıdaki değerleri hesaplayınız. I B =... I C =... h FE =... I E =... Şekil 9 r e =... h FE.re =... 6) Transistörü tekrar yerine takarak kollektör çıkışında salınım oluncaya kadar potansiyometreyi yavaşça döndürünüz. 7) Salınımın periyodunu ve tepeden tepeye genliğini ölçünüz. T=... s Genlik=... 5
16 DENEY 3: WIEN KÖPRÜLÜ OSĐLATÖR 8) Yandaki devreyi kurunuz. R=47kΩ, C=0nF 9) Ug işaretinin genliğini tepeden tepeye 6V a ayarlayarak giriş ve çıkış arasındaki faz farkının 0 o olduğu frekansı ve bu frekanstaki çıkış genliğini ölçerek Uo/Ug oranını bulunuz. fo=...hz Uo(fo) =... Uo/Ug=... Şekil 20 20) Yandaki devreyi kurunuz. R=47kΩ, C=0nF, R=3.3kΩ, Rpot=0kΩ 2) Uo çıkışında salınım oluncaya kadar potansiyometreyi değiştiriniz. Salınımın periyodunu ölçünüz. T=... s f=... Hz 22) Çıkış düzgün bir sinüs müdür? Değilse potansiyometre ile oynayarak düzgün bir sinüs elde ettikten sonra potansiyometreyi devreden alarak ayarını değiştirmeden değerini ölçünüz. Şekil 2 Rpot=...Ω. DENEY 4: ASTABĐL MULTĐVĐBRATÖR 23) Yandaki devreyi kurunuz. Rc=Rc2=kΩ, RB=RB2=47kΩ, C=C2=220pF, T,T2=BC08B. 24) Devredeki herhangi bir transistörün kollektöründeki işareti görüntüleyiniz. Kare dalga görmüyorsanız transistörlerden birinin bazını kısa süre için toprağa bağlayınız. Kare dalganın periyodunu ölçünüz. T=... f=... 25) T kollektörü ile T2 bazındaki işaretleri aynı anda osiloskopta görüntüleyiniz. Şekil 22 6
17 RAPOR. Deney-, Şekil-6 daki Ri direnci niçin kullanılmıştır? Hesap yaparken h fe =h FE varsayımı ne anlama gelmektedir, bu geçerli bir varsayım mıdır? 2. Deney-, Şekil-7 deki devre için salınım frekansının teorik değerini hesaplayarak ölçü sonucu ile karşılaştırınız. Deneyin 6. ve 7. adımında ölçülen frekans değerleri ile 9. adımda ölçülen frekans değeri arasındaki fark var mıdır, varsa nedeni ne olabilir? 3. Deney-2, Şekil 9 daki devrenin AC eşdeğerini çiziniz. 4. Deney-2 de ölçülen salınım frekansını hesaplanan frekansla ile karşılaştırınız. 5. Deney-3 de ölçülen salınım frekansını hesaplanan frekansla ile karşılaştırınız. Đşlemsel kuvvetlendirici (Đ.K) nin kazancı hangi değere geldiğinde salınım başlamıştır? 6. 3,8 MHz de salınım yapan Wien köprülü osilatör tasarlayınız. Buradaki Đ.K. nın hangi parametresi sizin için önemli olurdu? 7. Wien köprülü osilatör, köprüde R ve C yerine R ve L kullanılarak da tasarlanabilir mi? Nedenini açıklayınız. 8. Frekansı ayarlanabilir bir osilatör yapmak isteseydiniz Colpitts, Wien ya da faz kaydıran osilatör yapılarından hangisini tercih ederdiniz, neden? 9. Deney-4 deki kare dalganın frekansının ne olması gerektiğini hesaplayınız. 0. Đ.K. kullanarak 590 Hz de salınım yapan faz kaydırmalı osilatör tasarlayınız. 7
BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıBÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER
BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıBÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ
BÖLÜM IX DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ 9.1 DALGA MEYDANA GETİRME USÜLLERİNE GİRİŞ Dalga üreteçleri birkaç hertzden, birkaç gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. Çıkışlarında sinüsoidal, kare,
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
DetaylıAvf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. 2 OSİLATÖRLER 1. Ön Bilgiler 1.1 Osilatör Osilatörler DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik enerjisine
DetaylıŞekil 1.1: Temel osilatör blok diyagramı
1. OSİLATÖRLER 1.1. Osilatör Nedir? Elektronik iletişim sistemlerinde ve otomasyon sistemlerinde kare dalga, sinüs dalga, üçgen dalga veya testere dişi dalga biçimlerinin kullanıldığı çok sayıda uygulama
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıDeney 1: Transistörlü Yükselteç
Deneyin Amacı: Deney 1: Transistörlü Yükselteç Transistör eşdeğer modelleri ve bağlantı şekillerinin öğrenilmesi. Transistörün AC analizi yapılarak yükselteç olarak kullanılması. A.ÖNBİLGİ Transistörün
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II
ALTERNATİF AKIM KÖPRÜLERİ 1. Hazırlık Soruları Deneye gelmeden önce aşağıdaki soruları cevaplayınız ve deney öncesinde rapor halinde sununuz. Omik, kapasitif ve endüktif yük ne demektir? Açıklayınız. Omik
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıDeney 5: Osilatörler
Deneyin Amacı: Deney 5: Osilatörler Osilatörlerin çalışma mantığının anlaşılması. Wien köprü osilatörü uygulamasının yapılması. A.ÖNBİLGİ Osilatörler, DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR
DetaylıBölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.
Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri
DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıDENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı
DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100-200 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEYİN AMACI: Bu deneyi başarıyla tamamlayan her öğrenci 1. Filtre tasarımında uyulması gereken kuralları bilecek
DetaylıDENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü
DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC voltmetre, ac gerilimleri ölçmek için kullanılan
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
DetaylıBÖLÜM 3 OSİLASYON KRİTERLERİ
BÖLÜM 3 OSİİLATÖRLER Radyo sistemlerinde sinüs işaret osilatörleri, taşıyıcı işareti üretmek ve karıştırıcı katlarında bir frekansı diğerine dönüştürmek amacıyla kullanılır. Sinüs işaret osilatörlerinin
DetaylıELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ
EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini
DetaylıÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör
DENEY 7 : OSİLATÖR UYGULAMASI AMAÇ: Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörün temel çalışma prensipleri MALZEMELER: Güç Kaynağı: 12VDC, 5VDC Transistör: BC108C veya Muadili
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıDENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri
DENEY NO 3 Alçak Frekans Osilatörleri Osilatörler ürettikleri dalga şekillerine göre sınıflandırılırlar. Bunlardan sinüs biçiminde işaret üretenlerine Sinüs Osilatörleri adı verilir. Pek çok yapıda ve
DetaylıDENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler
RF OSİLATÖRLER VE İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER (1.DENEY) DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler DENEYİN AMACI : Radyo Frekansı (RF) osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerini
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıDeney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.
Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)
DetaylıAMLİFİKATÖRLER VE OSİLATÖRLER
BÖLÜM 5 Multivibratörler KONULAR: 1. Dengesiz (astable) multivibratörün çalışması ve özelliklerini incelemek. 2. Çif dengeli (bistable) multivibratörün çalışmasını ve özelliklerini incelemek. GEREKLİ DONANIM:
DetaylıREZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc
KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI
DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
DetaylıEEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)
EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı
DetaylıEET-202 DEVRE ANALİZİ-II DENEY FÖYÜ OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME
OSİLOSKOP İLE PERİYOT, FREKANS VE GERİLİM ÖLÇME Deney No:1 Amaç: Osiloskop kullanarak AC gerilimin genlik periyot ve frekans değerlerinin ölçmesi Gerekli Ekipmanlar: AC Güç Kaynağı, Osiloskop, 2 tane 1k
DetaylıADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 2 OHM-KIRCHOFF KANUNLARI VE BOBİN-DİRENÇ-KONDANSATÖR Malzeme Listesi: 1 adet 47Ω, 1 adet 100Ω, 1 adet 1,5KΩ ve 1 adet 6.8KΩ Dirençler 1 adet 100mH Bobin 1 adet 220nF Kondansatör Deneyde Kullanılacak
DetaylıBölüm 13 OPAMP lı Karşılaştırıcı ve Osilatör Devreleri
Bölüm 13 OPAMP lı Karşılaştırıcı ve Osilatör Devreleri DENEY 13-1 Karşılaştırıcılar DENEYİN AMACI 1. Karşılaştırıcı devrelerin çalışma prensiplerini anlamak. 2. Sıfır karşılaştırıcıların giriş ve çıkış
DetaylıEnerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü
YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ Enerji Sistemleri Mühendisliği Bölümü ESM 413 Enerji Sistemleri Laboratuvarı-II RL, RC ve RLC DEVRELERİNİN AC ANALİZİ Puanlandırma Sistemi: Hazırlık Soruları:
DetaylıDENEY 3: RC Devrelerin İncelenmesi ve Lissajous Örüntüleri
1. Seri RC Devresinde Akım ve Gerilim Ölçme 1.1. Deneyin Amacı: a.) Seri RC devresinin özelliklerinin incelenmesi b.) AC devre ölçümlerinin ve hesaplamalarının yapılması 1.2. Teorik Bilgi: Kondansatörler
DetaylıKIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ
KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıDENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri
DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri DENEYİN AMACI :Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi.
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıBÖLÜM 3 ALTERNATİF AKIMDA SERİ DEVRELER
BÖÜM 3 ATENATİF AKMDA SEİ DEVEE 3.1 - (DİENÇ - BOBİN SEİ BAĞANMAS 3. - (DİENÇ - KONDANSATÖÜN SEİ BAĞANMAS 3.3 -- (DİENÇ-BOBİN - KONDANSATÖ SEİ BAĞANMAS 3.4 -- SEİ DEVESİNDE GÜÇ 77 ATENATİF AKM DEVE ANAİİ
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER-II LABORATUVARI
İSTANBUL ÜNİVESİTESİ ELEKTİK ELEKTONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTONİK DEVELE-II LABOATUVAI DENEY-1 İşlemsel Kuvvetlendirici 1 DENEY-1 İŞLEMSEL KUVVETLENDİİCİ ÖN HAZILIK 1. TL081 ve OP07C işlemsel kuvvetlendiricilerin
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
DetaylıALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ ALTERNATİF AKIMIN TEMEL ESASLARI Dr. Öğr. Üyesi Ahmet ÇİFCİ Elektrik enerjisi, alternatif akım ve doğru akım olarak
DetaylıDENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ
DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ 1 AMAÇ Bu deneyin temel amacı; bant geçiren ve alçak geçiren seri RLC filtrelerin cevabını incelemektir. Ayrıca frekans cevabı deneyi neticesinde elde edilen verileri
DetaylıDENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ
Deneyin Amacı DENEY 4: SERİ VE PARALEL REZONANS DEVRELERİ Seri ve paralel RLC devrelerinde rezonans durumunun gözlenmesi, rezonans eğrisinin elde edilmesi ve devrenin karakteristik parametrelerinin ölçülmesi
DetaylıAlternatif Akım Devreleri
Alternatif akım sürekli yönü ve şiddeti değişen bir akımdır. Alternatif akımda bazı devre elemanları (bobin, kapasitör, yarı iletken devre elemanları) doğruakım devrelerinde olduğundan farklı davranırlar.
DetaylıBölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları
Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini
DetaylıDENEYDEN HAKKINDA TEORİK BİLGİ:
DENEY NO : 1 DENEYİN ADI : SERİ RL-RC DEVRELERİ DENEYİN AMACI : Alternatif akım devrelerinde; seri bağlı direnç, bobin ve kondansatör davranışının incelenmesi DENEYDEN HAKKINDA TEORİK BİLGİ: Alternatif
DetaylıNECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ
NECMETTĠN ERBAKAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK MĠMARLIK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK-II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ DENEY : AKIM AYNALARI Genel Bilgiler Akım aynaları yükten bağımsız
DetaylıEEM 202 DENEY 10. Tablo 10.1 Deney 10 da kullanılan devre elemanları ve malzeme listesi
EEM 0 DENEY 0 SABİT FEKANSTA DEVEEİ 0. Amaçlar Sabit frekansta devrelerinin incelenmesi. Seri devresi Paralel devresi 0. Devre Elemanları Ve Kullanılan Malzemeler Bu deneyde kullanılan devre elemanları
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı
Detaylı14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ
14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ Sinüsoidal Akımda Direncin Ölçülmesi Sinüsoidal akımda, direnç üzerindeki gerilim ve akım dalga şekilleri ve fazörleri aşağıdaki
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ
1. Amaç: KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı
DetaylıSAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ
DENEY 1 SAYISAL İŞARET VE GEÇİŞ SÜRELERİNİN ÖLÇÜLMESİ KAYNAKLAR Analysis and Design of Digital Integrated Circuits, Hodges and Jackson, sayfa 6-7 Experiments in Microprocessors and Digital Systems, Douglas
DetaylıELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI
ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıŞekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi
FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim
DetaylıDENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET
DENEY 6 BİPOLAR KUVVETLENDİRİCİ KÜÇÜK İŞARET AMAÇLAR: Ortak emetörlü kuvvetlendiricinin küçük işaret analizini gerçekleştirmek Doğrusallık ve kazanç arasındaki ilişkiyi göstermek ÖN BİLGİ: Şekil 1 de görülen
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler
Masa No: No. Ad Soyad: No. Ad Soyad: ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9 --İşlemsel Yükselteçler 2013, Mayıs 15 İşlemsel Yükselteçler (OPerantional AMPlifiers : OP-AMPs) 1. Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı,
DetaylıĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER
K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral
DetaylıDENEY 8. OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler
DENEY 8 OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler 1. Amaç Bu deneyin amacı; Op-Amp kullanarak toplayıcı, fark alıcı, türev alıcı ve integral alıcı devrelerin incelenmesidir.
DetaylıŞekil-1. Doğru ve Alternatif Akım dalga şekilleri
2. Alternatif Akım =AC (Alternating Current) Değeri ve yönü zamana göre belirli bir düzen içerisinde değişen akıma AC denir. En çok bilinen AC dalga biçimi Sinüs dalgasıdır. Bununla birlikte farklı uygulamalarda
DetaylıÖlçü Aletlerinin Tanıtılması
Teknoloji Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği 2017-2018 Bahar Yarıyılı EEM108 Elektrik Devreleri I Laboratuvarı 1 Ölçü Aletlerinin Tanıtılması Öğrenci Adı : Numarası : Tarihi : kurallarını okuyunuz.
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ DİYOT UYGULAMALARI DENEYİ Amaç: Bu deneyde, diyotların sıkça kullanıldıkları diyotlu gerilim kaydırıcı, gerilim katlayıcı
DetaylıDENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:
1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k
DetaylıKIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ
A) Kırpıcı Devreler KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ Bir işaretteki belli bir gerilim ya da frekans seviyesinin üstündeki veya altındaki parçasını geçirmeyen devrelere kırpıcı devreler denir. Kırpıcı
DetaylıKISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM)
İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM) 1. BÖLÜM GERİBESLEMELİ AMPLİFİKATÖRLER... 3 1.1. Giriş...3 1.2. Geribeselemeli Devrenin Transfer Fonksiyonu...4 1.3. Gerilim - Seri Geribeslemesi...5
DetaylıDENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ
9.1. DENEYİN AMAÇLARI DENEY 9- DOĞRU AKIM DA RC DEVRE ANALİZİ RC devresinde kondansatörün şarj ve deşarj eğrilerini elde etmek Zaman sabiti kavramını öğrenmek Seri RC devresinin geçici cevaplarını incelemek
Detaylı5. Elektriksel Büyüklüklerin Ölçülebilen Değerleri
Elektrik devrelerinde ölçülebilen büyüklükler olan; 5. Elektriksel Büyüklüklerin Ölçülebilen Değerleri Akım Gerilim Devrede bulunan kaynakların tiplerine göre değişik şekillerde olabilir. Zamana bağlı
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıDENEY 3 UJT Osilatör ve Zamanlayıcı Devreleri
DENEY 3 UJT Osilatör ve Zamanlayıcı Devreleri DENEYİN AMACI 1. UJT gevşemeli osilatör devresinin çalışmasını öğrenmek. 2. UJT zamanlayıcı devresinin çalışmasını öğrenmek. GİRİŞ UJT (Relaxation) Gevşemeli
Detaylı