ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ 6. ULUSAL KONGRESİ

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ 6. ULUSAL KONGRESİ"

Transkript

1 ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ 6. ULUSAL KONGRESİ Eylül 1995 BURSA. TMMOB ELEKTRİK MÜHENDİSLERİ ODASI ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ TÜBİTAK

2 ISBN : X Baskı : KARE AJANS & MATBAACILIK ütrosyolu, 2. Matbaacılar Sanayi Sitesi C Blok No : 4 NC 25 Topkapı - istanbul Tel : (0212)

3 O N S O Z TMMOB Elektrik Mühendisleri Odası, Uludağ Üniversitesi Mühendislik-Mimariık Fakültesi Elektronik Mühendisliği Bölümü ve TÜBiTAK'ın işbirliği ile Eylül 1995 tarihleri arasında düzenlenen Elektrik Mühendisliği 6.Ulusal Kongresine hoşgeldiniz. Hazırlık çalışmaları yaklaşık bir yıl önce başlayan Kongreye, Üniversitelerimiz, araştırma ve endüstri kurumlarında çalışan meslektaşlarımız büyük ilgi göstermiş ve toplam 450 civarında bildiri başvurusu olmuştur. Aydınlatma Tekniği, Ar-Ge ve Teknoloji Üretimi, Bilgisayar ve Kontrol, Devreler ve Sistemler, Elektronik, Elektromagnetik Alanlar ve Mikrodalga Tekniği, Elektrik Makinalan, Elektrik Enerji Üretimi ve Dağıtımı, Eğitim, Güç Elektroniği, Haberleşme Tekniği ve Sistemleri, Ölçme Tekniği, Tıp Elektroniği ve Yüksek Gerilim Tekniği konularına göre ayrılan bildiriler, yürütme kurulunca belirlenen değerlendirme kuralları çerçevesinde uzmanlarca değerlendirilerek, yaklaşık 300 kadarının oturumlarda sunulması uygun bulunmuştur. Üç Ayrı ciltte toplanan bildirilerin, Aydınlatma Tekniği, Enerji Üretim, İletim ve Dağıtımı.Yüksek Gerilim Tekniği, Güç Elektroniği, Elektrik Makinaları birinci ciltte, Elektronik, Elektromağnatik Alanlar ve Mikrodalga Tekniği, Haberleşme Tekniği ve Sistemleri, Ölçme Tekniği, Tıp Elektroniği ikinci ciltte, Bilgisayar ve Kontrol, Eğitim ve diğerleri üçüncü ciltte yer almıştır. EMO ve Üniversitelerin temsilcilerinin yanısıra kamu ve özel sektör temsilcilerinin de yer aldığı Kongre Danışma Kurulu'nca belirlenen görüşler çerçevesinde, Elektrik-Elektronik Mühendisliğini ilgilendiren çeşitli konularda paneller ve çağrılı bildiriler de düzenlenmiş bulunmaktadır. Türkiye'de Elektrik-Elektronik Sanayinin Konumu, AB İle Bütünleşmesi ve Perspektifler, Elektrik- Elektronik Mühendisliğinde Eğitim, Altyapı Hizmetleri Özelleştirme ve Düzenleyici Erk, Türkiye'nin Elektrik Enerji Sisteminde Yapısal Değişiklikler ve Politikalar konulu paneller ve Bilgi Çağının Anahtar Teknolojisi; Mikroelektronik, Mikrodalga Enerjisinin Endüstriyel Uygulamaları, Bilgi Toplumu ve Internet, Elektrik-Elektronik sanayinin Gelişiminde Ar-Ge'nin Önemi, Nükleer Güç Santrallerinin İşletmesindeki Teknik Sorunlar ve Çevre Konulu çağrılı bildirilerle konuların tartışılacağı, bilimsel yaklaşımlarla çözüm ve önerilen geliştirileceği, ilgili kurum ve kuruluşlara önemli katkılar sağlayacağı inancındayız. Kongrede çağrılı bildiri ve panellere katılarak değerli katkılarda bulunacak değerli bilim adamları ile özel ve kamu kuruluş yetkililerine sonsuz teşekkürlerimi sunuyorum. Bugüne kadar iki yılda bir düzenli olarak yapılan, bilimsel niteliği ve katılımı giderek artan Elektrik Mühendisliği Ulusal Kongresi, Ülkemizde yapılan bilimsel ve teknolojik çalışmaların nitel ve nicel özelliklerini yansıtması bakımından önem arzetmektedir. - Kongrenin, izleyiciler ve delegeler için başarılı olmasını, ülkemizin bilimsel ve teknolojik çalışmalarına yön ve ivme vermesini diliyor, hazırlık çalışmalarımıza özenle katkı sağlayan değerli TMMOB Elektrik Mühendisleri Odası Yönetim Kuruluna, Elektrik Mühendisleri Odası Bursa Şubesi Yönetim Kuruluna ve Çalışanlarına, Bilim Kurulu, Danışma Kurulu, Yürütme Kurulu ve Sosyal İlişkiler Komisyonu üyeleri ile emeği geçen tüm arkadaşlarımıza destek ve katkıları için teşekkür ediyorum. Prof. Dr.Ali OKTAY Yürütme Kurulu Başkanı

4 ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ 6.ULUSAL KONGRESİ YÜRÜTME KURULU Prof. Dr.Ali OKTAY Prof.Dr.Ahmet DERVİŞOĞLU Prof.Dr.R.Nejat TUNCAY Teoman ALPTÜRK Faruk KOÇ Haluk ZONTUL Ömer ADIŞEN EmirBİRGÜN Sevim ÖZAK Yakup ÜNLER Osman AKIN H.İbrahim BAKAR (U.Ü. - Başkan) (İTÜ) (EMO Başkanı) (EMO Bursa Şube Başkanı) (EMO Yön.Kur. Üyesi) (U.Ü.) (EMO-Bursa Şube Yön.Kur.Yazman Üyesi) (EMO-Bursa Şube Yön.Kur. Üyesi) (EMO-Bursa Şubesi) (EMO-Bursa Şubesi) (EMO-Bursa Şubesi) TMMOB ELEKTRİK MÜHENDİSLERİ ODASI BURSA ŞUBESİ YÖNETİM KURULU Başkan Başkan Yrd. Yazman Sayman Üye Üye Üye Faruk KOÇ İsmail Yalçın AKTAŞ EmirBİRGÜN Bahri KAVİLCİOĞLU Sevim ÖZAK Tuncay HIZLIOĞLU Cem ÖZKAN TMMOB ELEKTRİK MÜHENDİSLERİ ÇDASI BURSA ŞUBE GÖREVLİLERİ Kemal ERTUĞRAN Kemal KARAKAŞ Raziye BEĞEN Meliha DEMİR Hüseyin GÖK : Kongre-Fuar Sorumlu Mühendisi : Proje Denetim ve Test Mühendisi : Sekreterya Sorumlusu : Muhasebe Görevlisi : Şube Görevlisi SOSYAL ETKİNLİKLER KOMİSYONU İnci BECEREN Sabiha CESUR Bekir DAĞLAROĞLU Gülsemin GÜNEŞ Muvaffak KARAHAN Önder SERHATLI I -

5 BİLİMSEL DEĞERLENDİRME KURULU AKÇAKAYA Ergül, Prof.Dr.(İTÜ) AKPINAR Sefa, Prof.Dr. (KTÜ) ANDAY Fuat, Prof.Dr.(İTÜ) ATAMAN Atilla, Prof.Dr. (YTÜ) AYGÖLÜ Ümit, Prof.Dr.(İTÜ) AŞKAR Murat, Prof.Dr.(ODTÜ) BAYRAKÇI H.Ergün, Prof.Dr.(UÜ) BURŞUK A.Fahri, Prof.Dr. (İÜ) BİR Atilla, Prof.Dr.(İTÜ) CANATAN Fatih, Prof.Dr.(ODTÜ) CERİDÖmer, Prof.Dr.(BÜ) ÇETİN İlhami, Prof.Dr.(İTÜ) ÇİFTÇİOĞLU Özer, Prof.Dr. (İTÜ) DALFEŞ Abdi, Prof.(İTÜ) DEMİRÖREN Ayşen, Yrd.Doç.Dr.(İTÜ) DERVİŞOGLU Ahmet, Prof.Dr.(İTÜ) ERTAN H.Bülent, Prof.Dr.(ODTÜ) ERTAŞ Arif, Prof. Dr.(ODTÜ) ERİMEZ Enise, Prof.Dr. (İTÜ) FADIL Salih, Yrd.Doç.Dr.(OÜ) GÖKMEN Muhittin, Prof.Dr.(İTÜ) GÖNÜLEREN Ali Nur, Prof.Dr.(İTÜ) GÜLGÜN Remzi, Prof.Dr.(YTÜ) GÜNAN Hasan, Prof.Dr.(ODTÜ) GÜNEŞ Filiz, Prof.Dr.(YTÜ) GÜRLEYEN Fuat, Doç.Dr.(İTÜ) GÜVEN Nezih, Doç.Dr.(ODTÜ) GÜZELBEYOGLU Nurdan, Prof.Dr.(İTÜ) HARMANCI A.Emre, Prof.Dr. (İTÜ) İDEMEN Mithat, Prof. Dr.(İTÜ) DER Y.Ziya, Prof.Dr. (ODTÜ) İNAN Kemal, Prof.Dr.(ODTÜ) KALENDERLİ Özcan, Yrd.Doç.Dr.(İTÜ) - KASAPOĞLU Asım, Prof.Dr.(YTÜ) - KAYPMAZ Adnan, Doç. Dr. (İTÜ) - KORÜREK Mehmet, Doç.Dr.(İTÜ) - KUNTMAN H.Hakan, Prof.Dr.(İTÜ) - LEBLEBİCİOĞLU Kemal, Prof.Dr.(ODTÜ) - MERGEN Faik, Prof.Dr.(İTÜ) - MORGÜL Avni, Prof.Dr.(BÜ) -OKTAYAli, Prof.Dr.(UÜ) - ONAYGİL Sermin, Doç. Dr.(İTÜ) - ÖNBİLGİN Güven, Prof.Dr.(19 MAYIS Ü) - ÖZAY Nevzat, Prof. Dr. (ODTÜ) - ÖZDEMİR Aydoğan, Doç.Dr.(İTÜ) - ÖZKAN Yılmaz, Prof. Dr. (İTÜ) - ÖZMEHMET Kemal, Prof.Dr.(9 EYLÜL Ü) - PANAYIRCI Erdal, Prof.Dr. (İTÜ) - RUMELİ Ahmet, Prof.Dr.(ODTÜ) - SANKUR Bülent, Prof.Dr.(BÜ) - SARIKAYALAR Şefik, Prof.(YTÜ) - SEVAİOĞLU Osman, Prof.Dr.(ODTÜ) - SEVERCAN Mete, Prof.Dr. (ODTÜ) - SOYSAL A.Oğuz, Prof.Dr.(İÜ) - ŞEKER Selim, Prof. Dr. (BÜ) - TACER Emin, Prof. Dr.(İTÜ) - TANIK Yalçın, Prof.Dr.(ODTÜ) - TARKAN Nesrin, Prof.Dr.(İJÜ) - TOPUZ Ercan, Prof.Dr.(İTÜ) - TUNCAY R.Nejat, Prof.Dr. (İTÜ) - TÜRELİ Ayhan, Prof.Dr.(ODTÜ) - ÜÇOLUK Metin, Prof.Dr.(İTÜ) -YAZGAN Erdem, Prof.Dr.(HÜ) - YÜCEL Metin, Prof. (YTÜ) - YÜKSEL Önder, Prof. Dr. (ODTÜ) - YÜKSELER Nusret, Prof.Dr.(İTÜ) - II -

6 DANIŞMA KURULU - AKÇAKAYA Ergül (Prof.Dr.-İTÜ) - AKKAŞLI Nevzat - ALADAĞLI Tunç (Nergis A.Ş.) - ALGÜADİŞ Selim (EKA) - ARABUL Hüseyin (EMSAD) - ARGUN Tanju (TESİD) - ATALI İbrahim (EMO Adana Şube) - ATEŞ Mustafa (TEDAŞ) - AVCI M.Naci (Organize Sanayi Bölgesi) - BAYKAL Faruk (Nilüfer Belediye Başkanı) - BERKOĞLU İsmail (PTT Bölge Başmüdürü) - BOZKURT Yusuf (MEES) - BİRAND Tuncay (ODTÜ) - CAN ER Süleyman (Çanakkale Seramik) - CEYHAN Mümin - CEYLAN Arif - ÇALIM Yavuz (TEAŞ Müessese Müdürü) - DRAMA Mehmet (TEDAŞ) - DURGUT Metin (EMO Merkez) - GÖREN Sunay (Siemens) - HARMANCI Emre (Prof.Dr.-İTÜ) - ISPALAR Ayhan (EMKO) - KAYA Ersin (Kaynak Dergisi) - KAŞIKÇI İsmail (Almanya) - KIRBIYIK Mehmet (Prof.Dr.-U.Ü.Müh.Mim.Fak.Dekanı) - KUZUCU Mehmet (TOFAŞ Elk.Eln.Tesis Servis Şefi) - MUTAF M.Macit (EMO İzmir Şube) - OKAT ismail (TEDAŞ Bursa Müessese Müdürü) - OKUMUŞ Necati(TEDAŞ) - OKYAY Nursel (TEDAŞ) - ÖZMEHMET Kemal (Prof.Dr.-9 Eylül) - ÖNBİLGİN Güven (Prof.Dr.-19 Mayıs Ü.) - PUCULAOĞLU Mustafa (EMO Merkez) - RAŞİTOĞLU Mithat (TEDAŞ) - SÖNMEZ Ali Osman (Ticaret ve Sanayi Odası Başkanı) - TERZİOĞLU TosunfTÜBİTAK) - YAZICI Ali Nihat (EMO Merkez) - YEŞİL Hüseyin (EMO İstanbul Şube) - YÜCEL Behçet - YÜKSELER H.Nusret (Prof.Dr.-İTÜ) - YURTMAN Naşit (Oyak Renault Fab.Teknik Servis Bakım Müdürü) - YİĞİT Ali (EMO Ankara Şube) - ZÜMBÜL İsmail - III -

7 6/2.-2- ) TÜMDEVRE ÜRETİM ORTAMINDA KULLANILAN İNCE FİLMLERİN PLAZMA DESTEKLİ AŞINDIRILMASI Sema İmrahorilyas, Ali S. Ertuğrul, Esra Eralp TÜBİTAK MAM YİTAL Gebze KOCAELİ ÖZET: Bu çalışmada tümdevre üretim süreçlerinde kullanılan poiisilisyum, alüminyum, ısıl veya depolama yöntemi ile büyütülmüş katkılı silisyumdioksit filmlerin reaktif iyon aşındırma tekniği ile seçici aşındırılması denemeleri gerçekleştirilmiş ve YİTAL'de geliştirilen CMOS sürecine uyarlanmıştır.aşındırma işlemindeki değişkenler (güç, basınç, gaz akışı) aşınma hızı, seçicilik ve yöbağımlılık açısından optimize edilmişlerdir. (yönbağımlı) kuru yöntemler kulllanılmaktadır (Şekil 1). Ayrıca, aşındırılacak filmin aşınma hızının, gerek maskeleme malzemesine gerekse alttaki tabakanın aşınma hızına oranının bir ölçüsü olan seçicilik, doğru desen aktarımı için önemli bir kriterdir İM. Bu çalışmada aşındırma işlemleri reaktif iyon aşındırma ile yapılmıştır. 1) GİRİŞ 1.1) Aşındırma Aşındırma, silisyum taban (pul) yüzeyinin veya bu taban üzerindeki ince film tabakalarının inceltilmesi veya tamamen alınması işlemidir. Aşındırma sürecinde amaçlanan, maskede tanımlanan desenlerin yüksek doğrulukta pula aktarılmasıdır. Aşındırma işlemi, tamamıyla kimyasal olan ıslak yöntemlerle veya tamamen fiziksel tozutma mekanizmasının yada fiziksel ve kimyasal mekanizmaların birlikte işlediği kuru yöntemlerle gerçekleştirilir. Islak aşındırma işlemlerinde aşınmanın her yönde olması (yönbağımsız) ve küçük boyutlarda kimyasal difüzyonunun güçlüğü nedenleriyle günümüz teknolojilerinde aşınmanın dik bileşeninin çok daha baskın olduğu Film Film Şekil 1.) Aşındırma a) Yönbağımlı b) Yönbağımsız 1.2) Reaktif İyon Aşındırma Reaktif iyon aşındırma, plazma temelli olup fiziksel tozutma mekanizması ile parçacıkların kimyasal süreçlerinin bir bileşimi olarak karakterize edilen kuru aşındırma işlemidir. Bu tür sistemlerde aşındırılacak filme uygun olarak seçilen gaz veya gazlar asimetrik elektrotlar arasına gönderilir ve küçük elektrot üzerine RF işareti uygulanarak plazma

8 oluşturulur. Sistem asimetrik olduğu için küçük elektrot, uygulanan işaret periyodunun çok büyük bir bölümünde plazmaya göre negatif olarak yüklenir. Böylelikle, plazma içersinde, elektron çarpması sonucu pozitif olarak iyonlaşan gaz atom yada molekülleri küçük elektroda doğru sürülürler. Aşındırılacak pul küçük elektrot üzerine yerleştirilir ve aşındırılması istenmeyen bölgeleri maske (organik ışığa duyarlı malzeme) ile korunur. Pula doğru yönelen ve kimyasal olarak aktif hale gelmiş parçacıklar açık yüzeylerle tepkimeye girerek uçucu ürünler oluştururlar. Bu şekilde maske ile korunmayan bölgelerin aşındırılması gerçekleştirilir. Ayrıca kullanılan maskeleme malzemesinin organik olması ve uygun gazların seçilmesi ile aşındırılan desenlerin yan yüzeylerinde polimer oluşması sağlanır. Bu da aşınmanın yanlızca tabanda gerçekleşmesine ve yan yüzeylerin korunmasına neden olur. Böylelikle aşınma büyük ölçüde dik yönlü gerçekleşir ) İnce Filmlerin Reaktif İyon Tekniği İle Aşındırılması Şekillendirme sırasında kritik boyut kontrolü gerektiren polisilisyum, alüminyum,ısıl büyütülmüş veya depolanmış katkılı ve katkısız oksit filmlerin aşındmlması aşağıda ayrı ayrı incelenecektir. 2.1) Silisyumdioksidin Aşındırılması Isıl ve depolanmış oksit aşındırma işlemlerinde oksijen (O 2 ) ve triflorometan (CHF 3 ) gazı kullanılmıştır İZİ. Denemeler sırasında gücün artmasıyla birlikte aşınma hızının arttığı gözlenmiştir (Şekil 2). Gücün artmasıyla birlikte plazma içersindeki iyonlaşma oranı ve buna bağlı olarakta kendinden kutuplama gerilimi artacaktır. Bunun sonucu olarak hem aşındırmanın fiziksel yönü olan tozutma mekanizması hızı hem de reaktif parçacıkların çoğalmasıyla kimyasal reaksiyon hızı artacaktır. Bu artış belli bir noktaya kadar devam etmektedir. Bu noktadan sonra, artan reaktif iyonlara Karşın yüzeyde reaksiyona girenlerin doymaya ulaşması ve tozutma sonucu oluşan, uçucu olmayan ürünlerin yüzeye geri depolanması ile birlikte aşınma hızı sabit kalır. Basıncın artmasıyla aşınma hızının azaldığı gözlenmiştir (Şekil 2).Basıncın artması plazma içersindeki parçacıkların ortalama 1400 i , 200 n t Aşınma Hızı (A/dak) A / / ^, - *> u ^ nç mT 500mT Güç(W) mT mT * 750mT mT Şekil 2) Güç ve Basıncın Değişimine Karşı Aşınma Hızı serbest yollarını kısalttığı için iyonlaşma ile sonuçlanan çarpışmalar azalır. Bu da reaktif iyonların ve tozutma mekanizması hızının azalmasına neden olur. Sabit güçte, CHF 3 gaz akışının artmasıyla birlikte aşınma hızı azaimıştır(şekil 3). Bu durum yüzeyde karbon ve flor atomlarının bir polimer tabakası oluşturmasıyla

9 açıklanmaktadır. Gaz akış hızı arttıkça polimer depolanma hızı da artar ve aşınma hızı azalır. Işığa duyarlı malzemenin (fotorezist) aşınma hızının, oksit aşınmasında olduğu gibi, gücün artmasıyla arttığı ve basıncın artmasıyla azaldığı gözlenmiştir. Bu malzeme organik olduğu için oksijen akışının artması,aşınma hızını çok büyük ölçüde artırmıştır. Aşınma Hızı (A/dak) CHF 3 Akış Oranı (sccm) Şekil 3.) CHF 3 Akış oranına Karşı Aşınma Hızı Bu denemeler sonucu ısıl ve katkılı oksit aşındırma işlemleri 300VV güçte, 80 mtorr basınçta, 70 sccm CHF 3 ve 5 sccm O 2 gaz akışlarında yapılmaktadır. Bu işlemin oksitfotorezist seçiciliği 2:1'dir. 2.2) Polisilisyumun Aşındırılması MOS tümdevre üretiminde tranzistorlarm elektriksel özelliklerini belirleyen en önemli parametre geçit uzunluğudur. Bu nedenle geçit malzemesi olarak kullanılan ve çok ince ( A) geçit oksidi üzerinde büyütülen polisilisyumun aşındırılmasında boyut kontrolü ve okside olan seçicilik büyük önem taşımaktadır. 3u tümdevre sürecinin gerçekleştirilmesinde polisilisyum SF 6 ve O 2 gazları kullanılarak aşındırılmıştır. SF 6 okside karşı iyi bir seçicilik göstermesine rağmen yükleme etkisi (aşındırılacak yüzeyin toplam yüzeye oranı) problemleri ile karşılaşılmıştır. Aşınma hızı silisyum pulun kenarlarında daha hızlı ortasında daha yavaş gerçekleşmekte, polisilisyum kenarlarda tamamen uzaklaştırıldığında oluşan hatların yan yüzeyleri işlemin tam yön bağımlı olmaması nedeniyle daha fazla reaktif parçacığa maruz kalarak hatlarda incelmeye yol açmaktadır. Bu durum elde edilen MOS yapıların geçit uzunluklarının farklı olmasına neden olmaktadır. 1.5u tümdevre sürecinde bu aşındırma yeterli olmadığından yönbağımlılığı daha etkin olan klor ve flor kimyasının birlikte işlediği süreçler polisilisyumun aşındırılması için optimize edilmeye çalışılmıştır. Bu amaçla Cl 2 ve C 2 F 6 gazları seçilmiştir. Elekton çarpışması sonucu klor gazı klor atomlarına, C 2 F 6 ise CF 3 radikallerine ayrışmaktadır. Bu reaktif parçacıklar polisilisyum yüzeyinde iki türlü reaksiyon meydana getirirler; Si + xci^ SiCl x (1) CF 3 + Cl -> CF 3 CI (2) İyon bombardımana maruz kalan yüzeylerde ikinci reaksiyon ürünü tekrar CF 3 ve Cl reaktiflerine dönüşürken aşınmayı sağlayan birinci reaksiyon baskın olmakta, iyon bombardımanının olmadığı yan yüzeylerde ise CF 3 CI aşınmayı engelleyici bir rol oynamaktadır. Böylelikle aşındırma yönbağımlı gerçekleşir. Bu gazlarla yapılan ilk denemelerde tüm yüzeyde üniform aşınma hızını sağlayacak gaz karışım oranı tespit edilmiştir. Şekil 4'de verilen grafikte gaz karışım oranları ile aşınma hızı ilişkisi gösterilmektedir. %90 Cl 2 oranı ile tüm pul yüzeyinde üniform bir aşınma sağlanmış olup okside

10 göre büyük bir seçicilik (15:1) elde edilmiştir. SEM görüntülerinde yapılan incelemede hatların kısmen yönbağımlı aşındırıldığı gözlenmiştir. Bu nedenle basınç ve güç parametrelerinin değiştirilmesi ile gerekli yönbağımlı aşındırma çalışmaları sürdürülmektedir. n; ' -İT' '-' V. AanrraHa tümdevrelerin oksit ve alüminyum aşındırma işlemleri bu denemeler sonucu diğer süreç adımları ile uyumlu hale getirtilerek oturtulmuştur. Polisıliyum aşındırma denemeleri ise devam etmektedir. 3) Kaynakça İM Wolf S.. Tauber R.N. Silicon Processing For The VLSI Era. Vol 1 Bölüm 16, Lattice Press Chapman B.. Glow Discharge Processes. Jhon VVİley andsons / Lehman H.W.. Profile Control by Reactıve Sputter Etching, J. Vac. Scı. Technol. 15(2). Mar-Apr Sema İmrahorilyas 02 Yüzdesi Süreç Parametreleri TGD am Gaz Akış Hızı 45 sccm Guc 120 W Bas ne "00 mtorr Se'.ıi - P oıısııısyum Aşınma hızının Cl? Oranı le Deâısımı '981 yılında Boğaziçi Üniversitesi Muhenaısiık FaKuitesı Kimya Bölümünden Lisans derecesi :le mezun oidu. 1985'aen beri YİTAL'de fotorezıst ve aşındırma konularında araştırıcı olarak çalışmaktadır. Ali Ertuğrui 2.3) Alüminyumun Aşmdırılması Alüminyum aşındırma işlemi bortriklorür (BCU), klor (Cl 2 ) ve triflorometan (CHF 3 ) gazları kullanılarak gerçekleştirilmektedir. BCI; alüminyum üzerindeki doğal oksidi alırken Cl 2 hızlı bir aşındırma sağlar ve CHF 3 ise polimer oluşmasına yardımcı olarak yan duvarları korur. Aşındırma yapılan reaktör odasının düzenli olarak temizlenmesi aşıdırmayı etkileyen önemli faktörlerden biridir. 3) Sonuç TÜBİTAK YİTAL'de üretilen ODTÜ Fizik Bölümünden 1991 yılında mezun oldu Yılında İTU Fizik Bölümünden Yüksek lisans derecesi aldı. Halen itü'de doktara çalışmalarını ve 1993 yılında girdiği YİTAL'de aşındırma ile geçit oksıtı konularında araştırıcı görevini sürdürmektedir. Esra Eralp İTU Elektrik Elektronik Fakültesinden 1989 yılında mezun oldu yılları arasında YİTAL'de fotolitografi ve aşındırma konularında çalıştı

11 5 BİT 15 MHz PARALEL ANALOG-SAYISAL ÇEVİRİCİ Yaman Özelçi, Arzu Minareci TÜBİTAK MAM YİTAL Gebze KOCAELİ ÖZET 15 MHz örnekleme frekansı, 5 bit çözünürlüğü olan bir paralel analogsayısal çevirici (ADC) tümdevresi, TÜBİTAK-MAM-YİTAL bünyesinde 3ym, çift poli-si, tek metal CMOS süreci ile üretilmiştir. Devrenin tasarımı CADENCE ve HSPICE benzetim programları aracılığıyla yapılmıştır. Devre =1/2 LSB doğruluğa sahip olup yaklaşık 75mW güç harcamaktadır. Kırmık alanı 3mm x 3mm'dir. 1) A/D ÇEVİRİCİNİN GENEL YAPISI Sayısal görüntü işareti işleme uygulamalarında, örnekleme frekansı 20 MHz'den büyük, çözünürlüğü 8 bit olan A/D çeviricilere gerek duyulmaktadır. Bu özelliklere sahip bir çevirici gerçeklenmesinin ilk adımı olarak; 5 bit, 15MHz paralel A/D çevirici tümdevresi tasarlanmış ve TÜBİTAK Marmara Araştırma Merkezi Yarıiletken Teknolojisi Araştırma Laboratuvarı'nda (YİTAL) 3jjm çift poli-si, tek metal, n-kuyu CMOS süreci ile üretilmiştir. Kırmık alanı 3mm x 3mm 'dir ve 16 bacaklı bir kılıfa yerleştirilmiştir. Şekil 1'de A/D çeviricinin genel yapısı gösterilmiştir. Devrede 2 5 =32 karşılaştırıcı, bu karşılaştırıcılarm referans gerilimlerinin elde edilmesini sağlayan 32 dirençten oluşmuş direnç dizisi. 32'ye 5 kodlayıcı görevini üstlenen ROM, 5 adet D-tipi tutucu ve devrenin senkronizasyonunu sağlayan saat işareti üreteci bulunmaktadır. Direnç dizisi, tabaka direnci 15Q / ~ olan n-tipi katkılı poli-silisyumdan yapılmıştır. Devreye uygulanan V REF1 - V REF2 gerilim farkı bu direnç dizisi yardımı ile 32 eşit parçaya bölünerek, V REF2 'den V REF1 'e kadar doğrusal olarak artan 32 referans gerilim değeri elde edilmektedir. Bu gerilimler 32 adet karşılaştırıcının referans gerilimlerini oluşturmaktadır. Karşılaştırıcılarm diğer uçlarına saat işareti ile örneklenen analog giriş işareti V G uygulanmaktadır. Bu durumda, referans gerilimi giriş işaretinden küçük olan karşılaştırıcılarm çıkışları lojik 1 seviyesine, büyük olanlarınki ise lojik 0 seviyesine çekilmektedir. Birbirini izleyen iki karşılaştırıcı çıkışının sürdüğü lojik kapılar (dışlayıcı-veya kapıları) aracılığıyla, giriş işaretinin, hangi iki karşılaştırıcının referans gerilimleri DİRENÇ DİZİSİ 32 KARŞILAŞTIRICI 32'YE 5 KODLAYIC! SAA" 'SARETı ÜRETECİ O* 03 C TUTUCULAR VE CİK1S SÜRÜCÜLERİ Şekil 1) ADC tümdevresinın genel yapısı

12 arasında bir değerde olduğu belirlenir. Karşılaştırıcıların çıkışlarında böylece oluşan bilgi, daha sonra ROM yardımı ile 5 bitlik ikili koda dönüştürülmekte ve D-tipi tutuculara yüklenerek çıkış sürücülerine verilmektedir. Özetle, paralel A/D çeviriciye uygulanan giriş gerilimi, aynı anda, 32 karşılaştırıcı tarafından 32 referans gerilimi ile karşılaştırılmakta, ve giriş gerilimine en yakın referans gerilimi belirlenerek çıkışa uygun ikili kod verilmektedir. Saat işareti üreteci, tümdevreye uygulanan saat işaretinden, karşılaştırıcılarda kullanılacak, birbirinin evriği iki işaret üretmektedir. Bu işaretlerin gördükleri farklı yük kapasiteleri nedeniyle oluşan gecikme süreleri arasındaki farklılık karşılaştırıcının doğruluğunu etkilemekte olduğundan saat üretecinin tasarımı ayrıca önem taşımaktadır. ADC,'taşma' çıkışı ve 'izin' girişi uçlarına da sahiptir. Taşma' çıkışı, V G giriş geriliminin V REF1 geriliminden büyük olduğu durumda lojik 1 seviyesine yükselmektedir. 'İzin' girişi ise 5 bitlik Q0-Q4 çıkışlarının yüksek empedans gösterip göstermemesine karar vermektedir. Bu uçlar yardımı ile iki 5 bitlik A/D çeviricinin referans dirençleri seri bağlanarak 6 bitlik çözünürlük elde edilebilir. Performansı çalışma anında arttırmaya yönelik bir başka uygulama ise, iki A/D çevirici tümdevresini saat işaretinin farklı periyotlarında paralel olarak çalıştırarak örnekleme frekansını iki katına çıkartmaktır. bağlı iki kıyıcı türü karşılaştıncı ile bunları izleyen bir flip-flop katından oluşmuştur. 2.1) Kıyıcı Türü Karşılaştırıcı Kıyıcı türü karşılaştırdılar basitlikleri ve hızları dolayısıyla CMOS paralel A/D çeviricilerde yaygın olarak kullanılmışlardır İM, I2IJ2I. Şekil 2' de görüldüğü gibi, devre, bir evirici, üç anahtar (S :, S 2, S 3 ) ve bir seviye öteleme kapasitesinden (C c ) oluşmaktadır. C 1 ve C 2, sırasıyla N-, ve N 2 düğümlerindeki parazitik kapasiteleri göstermektedir. Karşılaştırılmak istenen V REF ve V G gerilimleri, S! ve S 3 anahtarları yardımıyla devreye uygulanmaktadır. Karşılaştırıcının iki çalışma aralığı vardır: 1) Sıfırlama aralığında, SI ve S 2 anahtarları iletimde, S 3 anahtarı kesimdedir. Bu durumda eviricinin çıkışı girişine S 2 anahtarı üzerinden kısa devre olduğundan, evirici, çıkışının girişine eşit olduğu bir gerilim değerinde kutuplanır. Bu gerilim değeri evirici eşiği olarak adlandırılır. Eviriciyi oluşturan tranzistörlerin boyutları uygun olarak seçilerek, eşik geriliminin besleme geriliminin yarısı (V DD /2) olması sağlanır. V REF referans gerilimi S-, anahtarı üzerinden N., düğümüne uygulandığından, sıfırlama aralığının VDD O 2) KARŞILAŞTIRICI KATI Bir A/D çeviricinin hızı ve çözünürlüğü karşılaştıncıları tarafından belirlenir. Üretilen tümdevrede kullanılan karşılaştırıcı yapısı, ard arda 0 c, " C, Şekil 2) Kıyıcı türü karşılaştırıcı yapısı

13 sonunda N, düğümü V REF, eviricinin giriş ve çıkış düğümleri ise V DD /2 değerinde kutuplanır. Böylece C c seviye öteleme kapasitesinin üzerinde (V REF -V DD /2 ) gerilim değeri oluşur. 2) Örnekleme aralığında, S-, ve S 2 anahtarları kesimde, S 3 anahtarı iletimdedir. V G giriş gerilimi S 3 anahtarı üzerinden N 1 düğümüne uygulanır. Seviye öteleme kapasitesi C c, V G geriliminden, sıfırlama aralığı sırasında üzerinde oluşan (V REF -V DD /2) gerilimini çıkarır ve aradaki farkı N 2 düğümüne aktarır. Bu fark eviricinin açık çevrim kazancı tarafından kuvvetlendirilerek çıkışa verilir. Böylece evirici çıkışında, V G >V REF için lojik 0, V G <V REF için ise lojik 1 seviyesi oluşur. A/D çeviricinin 15MHz saat frekansı ve 2.5V referans gerilimi (V REF1 - V REF2 = 2.5V) uygulanarak çalıştırıldığı durumda karşılaştırıcıdan beklenen özellikler aşağıda özetlenmiştir: 1) Karşılaştırıcı örnekleme aralığında çalışırken, 1/2 LSB=40mV luk gerilim farklarını 30ns içersinde lojik seviyelere kuvvetlendirebilmelidir. Tek bir kıyıcı türü karşılaştırıcı katı istenen kuvvetlendirmeyi sağlamadığı için iki karşılaştırıcı katı ard arda bağlanarak kazancı arttırma yoluna gidilmiştir. 2) Karşılaştırıcı, sıfırlama aralığında çalışırken, düğüm noktalarını amaçlanan denge gerilim değerlerine 30ns içerisinde getirebilmelidir. 3) CMOS anahtarları oluşturan NMOS ve PMOS tranzistörlerin hızla kesime gitmeleri sırasında, kanallarındaki yüklerin savak ve kaynak noktalarındaki parazitik kapasitelere akarak bu düğümlerde gerilim değişimlerine yol açmaları nedeniyle oluşan yük enjeksiyonu hataları, karşılaştırıcının doğru çalışmasını engellemeyecek seviyede olmalıdır. NMOS ve PMOS tranzistörlerden gelen zıt işaretli yük enjeksiyonu hatalarının birbirini yok ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ edebilmesi amacıyla hem tranzistörlerin boyutları eşit seçilmiş hem de bunların geçitlerine gelen saat işaretlerinin yükselme ve düşme sürelerinin aynı yapılmasına çalışılmıştır. Karşılaştırıcıdaki C c seviye öteleme kapasitesi çift poli-siiisyum teknolojisi kullanılarak gerçekleştirilmiştir. Karşılaştırma sırasında kapasite üzerinde oluşan (V G -V REF ) gerilim farkının N 2 düğümüne az kayıpla aktarılabilmesi için parazitik kapasitelerin küçük yapılmasına çalışılmıştır. 2.2) Tutucu Yapısı Kıyıcı türü karşılaştırıcının çıkışında oluşan kuvvetlendirilmiş (V G - V REF ) fark işareti, Şekil 3'de gösterilen tutucu yapısı tarafından lojik seviyelere kuvvetlendirilerek saklanmakta ve ROM katına gönderilmektedir. Devrede saat işareti 0 lojik 0 seviyesinde iken TNS - T N6 kesimde, ön yükleme tranzistörleri T P3 ve T P4 ise iletimdedir. Böylece T P1 ve T P2 tranzistörlerinin oluşturduğu p-kanal flip-flop düğümlerinin gerilimleri besleme gerilimi seviyesine kadar yükselirken T N1 ve T N2 tranzistörlerinin oluşturduğu n- kanal flip-flop düğümlerinin gerilimleri toprak seviyesine kadar boşalır. Saat Hl VDD VOD VDD VDD TP3 I JP1 X TP2 TN5 TN6 IH)] TN4 TN1 \ / TN2 TN3 h Şekil 3) Karşılaştırıcıda kullanılan tutucu yapısı ULUSAL KONGRESİ

14 işareti 0 lojik 1 seviyesine yükseldiğinde T N5 ve T N5 iletime geçer ve p- kanallı flip-flop düğümlerinden n-kanallı flip-floplara yükleme akımı akmaya başlar. Bu akımın bir bölümü de geçitleri (\A ve V 2 ) kıyıcı türü karşılaştırıcı tarafından kontrol edilen T N3 ve T N4 boşaltma tranzistörleri üzerinden boşalır. Bu boşaltma tranzistörleri arasındaki. (V r V 2 ) gerilim farkının yol açtığı akım dengesizliği flipflop'un uygun konumu almasını sağlar. Bir başka deyişle T N3 ' ün savak akımı T Nd ünkınden büyükse flip-flop çıkışı Q lojik û" a. tersi durumda ise lojik Ve çekilir. /4/V5/. 3) SONUÇ YİTAL'de üretilen A/D çeviricinin özellikleri Tablo 1de özetlenmiştir. Devrenin kırmık fotoğrafı Şekil 4'de görülmektedir. Şekil 5de 15MHz saat frekansı kullanılarak sayısala dönüştürülen düşük frekanslı bir rampa işaretinin D/A çevirici kullanılarak tekrar oluşturulması gösterilmiştir. Şekil 6 ve Şekil 7de tekrar oluşturulmuş 1 KHz ve 1MHz frekanslı sinüs işaretleri görülmektedir. Bu A/D çeviricinin üretilmesinden kazanılan deneyimle 30 MHz çevrim hızına sahip. 8 bit çözünürlükte bir çevirici üretilmesi hedeflenmektedir. Şekil 5) YİTAL'de üretilen A/D çevirici tümdevresi. Tablo 1 Besieme Gerilimi Güc Harcaması Max. Saat Frekansı Çözünürlük Doğruluk Kırmık Bovutu Kılıf Tranzıstör Direne Kaoasite 5V 75mW M5MHZ) 15 MHz 5 bit r Vz LSB 3mm x 3 mm 16 Bacak DİP Şekil 6) D/A kullanılarak tekrar oluşturulmuş rampa işareti

15 KAYNAKÇA i Şekil 6) D/A kullanılarak tekrar oluşturulmuş 1 KHz'lik sinüs işareti. [1] A.G.F. DINGWALL,"Monolithic Expandable 6 Bit 20 MHz CMOS /SOS A/D Converter," J.Solid-State Circuıts. vol. SC-14. pp Dec [2] A.G.F. DINGVVALL.'An 8-MHz CMOS Subranging 8-bıt A/D Converter," J.Solid-State Circuits, vol. SC-20, pp , Dec [3] T. KUMAMOTO. "An 8-bit High Speed CMOS A/D Converter." J. Solid- State Circuits, vol. SC-21, pp , Dec [4] A. YUKAVVA, "A CMOS 8-bit High- Speed A/D Converter IC," J. Solid- State Circuits. vol. SC-20. pp , June [5] J-T. WU. "A 100MHz Pipelined CMOS Comparator," J.Solid-State Circuits, vol. 23, pp , Dec Şekil 8) D/A kullanılarak tekrar oluşturulmuş IMHz'lik sinüs işareti. Yaman Özelçi Arzu Minareci 1988 yılında İTÜ Elektrik-Elektronik Fakültesinden mezun oldu [ de aynı fakültede yüksek lisans eğitimini tamamladı. 1990'dan beri TÜBİTAK MAM-YİTAL'de çalışmaktadır yılında İTÜ Elektrik-Elektronik Fakültesinden mezun oldu. Aynı tarihten beri TÜBİTAK-MAM-YİTAL 'de çalışmaktadır

16 TEK VE BİRLEŞTİRİLMİŞ OPTİK FİBERİN HAT SAÇILMA ÖLÇÜMÜ M.Sadettin ÖZYAZICI Gaziantep Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Gaziantep ÖZET Uzunlukları 1-2 km olan 12 tek mod optik fiberin ve km birleştirilmiş hattın saçılma ölçümleri tanımlanmıştır. Tüm fiberlerin um da -6 ps/nm/km den um da +2 ps/nm/km içerisinde olan saçılma şartını karşıladıkları bulunmuştur. Tek fiber ölçümlerinden hesaplanan hat saçılmasının ölçülen hat saçılması ile uyuştuğu görülmüştür. 2. DENEYSEL Şekil 1 de deneysel düzenek gösterilmiştir. J>tUtMM«uJ«lUMaU t 1. GİRİŞ Optik fiber komünikasyon sistemlerindeki en önemli problemlerinden biri iki optik fiber arasında maksimum ışık enerjisi transferini sağlamak için bu iki optik fiberin düzgün olarak birbirine bağlanmasıdır. Fabrikada veya sahada iki optik fiber arasında oluşturulan devamlı eklem fiber birleştirilmesi olarak bilinmektedir İM. Fiber birleştirilmesi uzunlukları kısa olan optik fiberlerin birleştirilerek ardışık bağlantı için hiçbir kısıtlamanın olmadığı uzun mesafe optik fiber komünikasyon sistemlerinin tesis edilmesinde sıkça kullanılmaktadır. Uzun mesafe optik fiber komünikasyon sistemlerinin tasarımında önemli olan sistem parametresi istenilen bit akış hızını taşıyacak kapasitede toplam bant genişliğini sağlayacak olan optik fiberlerin seçimidir. Hattın bant genişliğini tahmin etmek için farklı profilleri, mod karışımının farklı derecelerini ve eklemlerdeki uyuşmazlığı dikkate alan bir teori önerilmiştir 121. Bu araştırmada uzunlukları 1-2 km olan 12 adet tek mod fiberin ve bu 12 adet tek fiberlerin birleştirilmesi ile elde edilen 15.5 km uzunluğundaki hattın saçılma ölçümleri herhangi bir optik fiber ders kitabinda bulunabilecek saçılma teorisine girmeden tanımlanmıştır T» ckaıı.«cokim V J DS- b«aı* tpliııaı NO- MMIIİ 4«MI< r hl Şekil 1. Fiber Raman lazerin şeması. Fiber Raman lazer 1.06 um ile 1.6 um dalgaboylan arasında picosaniye süreli darbeleri üretmektedir. Bu darbeler saçılması ölçülecek olan optik fibere enjekte edilerek optik fiber çıkışındaki darbeler 500 psec tepkimeli GePIN photo diyod kullanılarak Sampling Osiloskop da gözlenmiştir. Optik fiberin saçılması ışık darbelerinin gecikme zamanlarının dalgaboyu ile olan değişiminden tespit edilmektedir. Optik fiber ana maddesi olan silica nın kırılma indisinin dalgaboyuna bağımlılığı çok iyi bilinmektedir. Bu bağımlılık kullanılarak gecikme zamanının dalgaboyuna bağımlılığı bulunabilir. Gecikme zamanının dalgaboyuna bağımlılığı ifadesi ile verilmektedir /3,4/. Bu denklem deneysel verilerin etkin değer (r.m.s.) uyarlamasında kullanılarak denklemdeki a

17 ,b,c,d, ve e katsayıları tespit edilir. Daha sonra denklemin dalgaboyuyla türevi alınarak saçılma hesaplanır. Fiber Raman lazer tek renkli pompadan geniş bantlı çıkış üretmek için Raman saçılmasını kullanır. Pompa aynı anda 760 Hz de Q- anahtarlanan ve 100 Mhz de akustik-optik olarak mod kilitlenen Quantronix Nd:YAG lazerdir. Q-anahtarlaması darbe süresi 250 nsec ve tepe gücü 1 kw olan darbeler üretir. Aynı anda mod kilitlemesi darbe genişliği <200 psec ve tepe gücü >5 kw olan darbeleri Q-anahtarlanmış zarf içinde üretir (Şekil 2). anahtarlama sürücüsü ile 50 Mhz modkilitleme sürücüsü birbirine senkronize edilir. Aynca, 760 Hz lik sinyal osiloskopu tetikleme için kullanılır. Sayısal gecikme jenerötörü osiloskop tetiklemesini geciktirerek mod-kilitli darbelerin Q~anahtarlama bölgesinin tepesiyle çakışmasını sağlar. Gecikme jenerötörü zamanlama seğirmesi ( >lnsec) ilave ettiğinden jenerötör çıkışı ve 50 MHz lik sinyal AND kapısına beslenmiştir. Bu düzenleme ile osiloskop tetikleme sinyali 50 MHz sinyalin kenarından alınmakta ve optik darbeler ile tetikleme arasındaki zamanlama seğirmesi ±25 psec olmaktadır. Osiloskop çıkışı aynca X-Y çizicisine bağlanmıştır. Şekil 2. Mod kilitlenmiş ve Q-anahtarlanmış darbelerin osiloskop görüntüleri. Yaklaşık olarak 1 kw tepe gücü tek mod fibere X20 mikroskop merceği ile akuple edilerek tek geçiş tetikli Raman saçılması aracılığı ile çok mertebeli Stokes bileşenleri üretilir. Nötr yoğunluk filitreleri lazer gücünü fiber hasar gücünün altında tutar. Kullanılan fiberin uzunluğu 500 m, göbek çapı 8 um, kesim dalgaboyu 0.99 um, 1.06 im daki kayıbı 0.81 db/km ve 1.3 um daki kaybı ise 041 db/km dir. Raman fiberi çıkışındaki dalgaboyu çizgi genişliği 2 nm olan monochromator ile seçilmektedir. Darbeler daha sonra test fiberine enjekte edilerek GePIN photo diyod ile sezimlenir. Photo diyod çıkışı güçlendirildikten sonra sampling osiloskopda gözlenirler. Frekans ölçekleyicisi kullanılarak 760 Hz Q- Monochromator den gelen ışık darbeleri 2 m uzunluğundaki tek mod optik fibere akuple edilir. Zaman gecikmesinin dalgaboyuyla değişimi Q-anahtar zarfının merkezinden bir darbe seçerek ve bu darbenin pozisyonunu monochromator ile seçilen bir seri dalgaboyunda zaman ekseninde kayıt ederek ölçülür. Bu ölçüm test fiberinden zaman gecikmesini öçmek için referans teşkil eder. Bu işlem 2 m fiberi test fiberi ile değiştirerek tekrarlanır. Test fiberinin zaman gecikmesi test fiberi sonuçlanndan referans sonuçlannı çıkartarak bulunur. Ölçümler her bir tek fiber ve birleştirilmiş hat için 1.12 um ile 1.5 um dalgaboylan arasında yapılmıştır. Anritsu ILM cihazı ile ölçülen hat kayıbı 15.3 db dir. Mandrel wrap ile ilave edilen ilave 3 db kayıp ile toplam hat kayıbı 18.3 db dir. 3. SONUÇLAR Zaman gecikme sonuçlannın en iyi eğri uyarlaması ve hesaplan saçılma MMJ 347 fiberi için Şekil 3 de gösterilmiştir. Çeşitli fiberlerin sıfir saçılma dalgaboyu ve um ve um dalgaboylanndaki saçılmalan Tabo 1 de verilmiştir. Sıfir dalgaboyu etrafındaki saçılma ölçümünün doğruluğu belli darbe genişliğinden dolayı darbe pozisyonundaki belirsizlik ve mod kilitlenmiş ve Q- anahtarlamış lazer deki kararsızlıkla sınırlıdır. Bu doğruluk 1 km fiber için ±1 ps/nm/km, tahmin edilen hat için ±0.7

18 ps/nm/km ve birleştirilmiş hat için ise ±0.5 ps/nm/km dir. Sıfır dalgaboyunda bunlara karşılık gelen doğruluk ise ±10nm, ±1 nm ve ±5 nm dir. - ' t um da -6 ps/nm/km ile um da +2 ps/nm/km arasında olmalıdır. Ölçülen tüm fiberlerin saçılması -3.6 ile +2 ps/nm/km sınırları arasında kalmaktadır km uzunluğundaki hattın tahmin edilen sıfır saçılma dalgaboyu 1.306±0.007 um olup saçılması -2.7±0.7 ile 1.4±0.7 ps/nm/km arasında değişmektedir. Aynı hattın ölçülen sıfir saçılma dalgaboyu 1.317±0.005 um olup saçılması 3.6±0.5 ile 0.6±0.5 ps/nm/km arasında değişmektedir. Sonuç olarak tüm tek fiberlerin ve birleştirilmiş hattın saçılması belirtilen saçılma ümitlen içerisinde kalmaktadır. Ayrıca, tahmin edilen ve ölçülen sonuçlar deneysel doğruluk limitleri içensinde birbirleri ile uyuşmaktadırlar. KAYNAKLAR İM J.F.Dalgleish, "Splices, connectors, and povver couplers for field and oflfıce use", Proc. IEEE, vol. 10, pp , Şekil 3. Zaman gecikmesi ve hesaplanan saçılmanın dalgaboyuyla değişimi. ili M.Eve, "Multipath time dispersion of an optical network", Opt. Quantum Electron., Vol. 10, pp.41-51, / D.N.Payne and A.H.Hartog," Determination of the vvavelength of zero dispersion in optical fıbers by pulse-delay measurements", Electron. Lett, vol. 13, pp , l-'ıücr Nutr.ber MM) 3-47 MMA 22S j : n II 1% J 346 J 341 MMH 178 BOJ: MMH 162 MMA 384 J3:o MMJ 355/1 Prt\lıc;ed routc Mcasurcd rou:e Dıs;:crsıun um -3 6i _^ " :.7iO7-3.6*0 5 pyıun/l;m al i,"25 (im l.u ±07 0.6±0 5 içi o dıi[)ctaıon vavclcn^ıh. ilıı 3!2t j 1 _ 2% * I7±0 005.cnytlı. tviıı C5 S Tablo 1. Saçılma ve sıfır saçılma dalgaboyu. Belirtime göre bu fiberlerin saçılması A.Sugımura. K.Daikoku, N.Imoto and T.Miya, "Wavelength dispersion characteristics of single mode fıbers in low loss region", IEEE J. Quantum Electron., vol. 16, pp , olmuştur yılında Gaziantep de doğmuştur yılında Orta Doğu Teknik Üniversitesi Gaziantep Kampusu Elektrik-Elektroni k Mühendisliği Bölümünden mezun yılında yüksek lisans

19 çalışmalarını tamamlayarak M.Sc. diploması almıştır yılında General Electric Company Hirst Research Center (İngiltere) de araştırmacı olarak çalışmaya başlamış ve Imperial College de Ph.D çalışmalarını sürdürmüştür yılında Ph.D diploması almış ve aynı tarihte Gaziantep Üniversitesin de Y.Doç. unvanı ile göreve başlamıştır yılında Doçent unvanını almıştır. Yan iletken lazerlerden çok kısa süreli darbe üretimi ve optik fiberlerde doğrusal olmayan darbe propagasyonu konulannda çalışmalarını sürdürmektedir

20 LAZER DİYOTLARDAN ÜRETİLEN DARBELERE KAZANÇ ANAHTARLAMA FREKANSININ ETKİLERİ Muhittin SAYIN ve M. Sadettin ÖZYAZICI Gaziantep Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü GAZİANTEP ÖZET Bu çalışmada, yan iletken lazerlerden kazanç anahtarlama yöntemi ile çok kısa süreli darbe üretimi ele alınmıştır. Kazanç anahtarlama frekansının darbe üretimine etkisi incelenmiş ve doğru kazanç anahtarlama yapılabilecek frekans aralığı çok-modlu değişim denklemleri kullanılarak belirlenmiştir. Ayrıca, DC uyartımın kazanç anahtarlamanın alt ve üst sınır frekanslarına etkisi belirlenmiştir. 1. GİRİŞ Yan iletken lazerlerden çok kısa süreli optik darbe üretim yöntemleri içinde en basit olanı kazanç anahtarlamadır. Diğer yöntemlerden aktif ve pasif mod kilitleme sistemlerinde harici optik parçalar ile dış kovuğun çok iyi ayarlanması gerekmektedir. Çok parçalı ve büyük hacimli olan bu sistemlerin fiber optik haberleşme sistemlerinde kullanımı belirtilen dezavantaj lanndan dolayı büyük ölçüde kısıtlanmıştır. Kazanç anahtarlama yönteminde ise, lazer diyodun giriş elektriksel sinyallere tepkimesinin doğal sonucu olan gevşeme salınımlanndan faydalanılır. Buna göre, lazer diyoda bir DC biasla birlikte RF akımı uygulandığında, giriş frekansına denk gelen süreleri aynen takip eden aralıklarla optik çıkış darbeleri elde ediliyorsa kazanç anahtarlama doğru yapılıyor demektir. Giriş akımı yukanda bahsedildiği gibi sinüs veya sayısal sistemlerde olduğu gibi elektnksel darbe dizileri de olabilir. Kazanç anahtarlama yöntemi 801i yıllann başından beri yaygın olarak incelenmektedir /1-5/. Yapılan deneysel çalışmalann sonuçlanndan yola çıkılarak geliştirilen değişim denklemleri, lazer diyotlardan kazanç anahtarlama yöntemi ile çok kısa süreli optik darbe üretimini çok iyi modelleyebilmektedir. 2. MATEMATİKSEL MODEL Bu çalışmada, yan iletken lazerlerden kazanç anahtarlama yöntemi ile çok kısa süreli darbe üretimi çok-modlu değişim denklemleri kullanılarak modellenmiştir. Modelde, fiber optik haberleşme sistemlerinde (1.3 um ve 1.55 um) yaygın olarak kullanılan InGaAsP lazer diyotlann önemli özellikleri olan kazanç sıkıştırması (veya kazanç doyması), Auger birleşimi ve ışımasız birleşim kapsanmaktadır. Çok-modluluğun gereği olarak kazanç ve ışımalı birleşim spektrumlan Lorentzian hatşekli fonksiyonu halinde modele dahil edilmiştir. Bu özellikleri içeren çok-modlu değişim denklemlen aşağıdaki gibi alınmıştır: dt Bu eşitliklerde t zaman (s), N elektron yoğunluğu (cm' 3 ), S, i. modun foton yoğunluğu (cm" 3 ), G t L modun kazancı (s' 1 ), M mod numarası (2A/+1 mod mevcuttur), q elektron yükü (As), V aktif bölge hacmi (cm 3 ), T W ışımasız ömür (s), B ışımalı birleşim katsayısı (cmv 1 ), C Auger birleşimi katsayısı (cmv), F yoğunlaşma faktörü, T P foton

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Endüstriyel Sensörler ve Uygulama Alanları Kalite kontrol amaçlı ölçme sistemleri, üretim ve montaj hatlarında imalat sürecinin en önemli aşamalarındandır. Günümüz teknolojisi mükemmelliği ve üretimdeki

Detaylı

UME DE AC AKIM ÖLÇÜMLERİ

UME DE AC AKIM ÖLÇÜMLERİ VII. UUSA ÖÇÜMBİİM KONGRESİ 543 UME DE AC AKIM ÖÇÜMERİ Mehedin ARİFOVİÇ Naylan KANATOĞU ayrettin ÇINAR ÖZET Günümüzde kullanılan yüksek doğruluklu çok fonksiyonlu kalibratör ve multimetrelerin AC akım

Detaylı

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır.

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. 6. Osiloskop Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. Osiloskoplar üç gruba ayrılabilir; 1. Analog osiloskoplar 2. Dijital osiloskoplar

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma

Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER. Elektriksel Kutuplaşma. Dielektrik malzemeler. Kutuplaşma Türleri 15.4.2015. Elektronik kutuplaşma Dielektrik malzeme DİELEKTRİK ÖZELLİKLER Dielektrik malzemeler; serbest elektron yoktur, yalıtkan malzemelerdir, uygulanan elektriksel alandan etkilenebilirler. 1 2 Dielektrik malzemeler Elektriksel alan

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

ELEKTRİK MOTOR SÜRÜCÜLERİ: PWM AC KIYICILAR

ELEKTRİK MOTOR SÜRÜCÜLERİ: PWM AC KIYICILAR ELEKTRİK MOTOR SÜRÜCÜLERİ: PWM AC KIYICILAR Hazırlayan ve Sunan: ELEKTRİK_55 SUNUM AKIŞI: PWM (DARBE GENİŞLİK MODÜLASYONU) NEDİR? Çalışma Oranı PWM in Elde Edilmesi Temelleri PWM in Kullanım Alanları AC

Detaylı

TEK FAZLI KONTROLLU VE KONTROLSUZ DOĞRULTUCULAR

TEK FAZLI KONTROLLU VE KONTROLSUZ DOĞRULTUCULAR FIRAT ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ GÜÇ ELEKTRONİĞİ LABORATUVARI DENEY NO:1 TEK FAZLI KONTROLLU VE KONTROLSUZ DOĞRULTUCULAR 1.1 Giriş Diyod ve tristör gibi

Detaylı

Kocaeli Üniversitesi {kudret.sahin1, oktay, atangel}@kocaeli.edu.tr. Şekil 1: Paralel A / S dönüştürücünün genel gösterimi

Kocaeli Üniversitesi {kudret.sahin1, oktay, atangel}@kocaeli.edu.tr. Şekil 1: Paralel A / S dönüştürücünün genel gösterimi Fırat Üniversitesi-Elazığ 5 BİT- 2.5GS/s PARALEL(FLASH) ANALOG SAYISAL DÖNÜŞTÜRÜCÜ TASARIMI ÖZET Bu çalışmada, 0.18µm TSMC CMOS teknolojisinde yeni bir 1-N kodlayıcı tekniği kullanılarak 5-bit flash A

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti

Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Deneyin Temeli Harici Fotoelektrik etki ve Planck sabiti deney seti Fotoelektrik etki modern fiziğin gelişimindeki anahtar deneylerden birisidir. Filaman lambadan çıkan beyaz ışık ızgaralı spektrometre

Detaylı

KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ

KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ KONUM ALGILAMA YÖNTEMLERİ VE KONTROLÜ 1. AMAÇ: Endüstride kullanılan direnç, kapasite ve indüktans tipi konum (yerdeğiştirme) algılama transdüserlerinin temel ilkelerini açıklayıp kapalı döngü denetim

Detaylı

FEYZĠ AKKAYA BĠLĠMSEL ETKĠNLĠKLERĠ DESTEKLEME FONU

FEYZĠ AKKAYA BĠLĠMSEL ETKĠNLĠKLERĠ DESTEKLEME FONU FEYZĠ AKKAYA BĠLĠMSEL ETKĠNLĠKLERĠ DESTEKLEME FONU ÜSTÜN BAġARILI GENÇ BĠLĠM ĠNSANLARINA ARAġTIRMA DESTEĞĠ FABED ARAġTIRMA PROJESĠ GELĠġME RAPORU Proje BaĢlığı: Su tutmayan yüzey üzerinde duran tek sıvı

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

Alternatif Akım; Zaman içerisinde yönü ve şiddeti belli bir düzen içerisinde değişen akıma alternatif akım denir.

Alternatif Akım; Zaman içerisinde yönü ve şiddeti belli bir düzen içerisinde değişen akıma alternatif akım denir. ALTERNATiF AKIM Alternatif Akım; Zaman içerisinde yönü ve şiddeti belli bir düzen içerisinde değişen akıma alternatif akım denir. Doğru akım ve alternatif akım devrelerinde akım yönleri şekilde görüldüğü

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR 1.1 Amaçlar AC nin Elde Edilmesi: Farklı ve değişken DC gerilimlerin anahtar ve potansiyometreler kullanılarak elde edilmesi. Kare dalga

Detaylı

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

Sıcaklık Nasıl Ölçülür?

Sıcaklık Nasıl Ölçülür? Sıcaklık Nasıl Ölçülür? En basit ve en çok kullanılan özellik ısıl genleşmedir. Cam termometredeki sıvıda olduğu gibi. Elektriksel dönüşüm için algılamanın farklı metotları kullanılır. Bunlar : rezistif

Detaylı

Sabit Gerilim Regülatörü Kullanarak Ayarlanabilir Güç Kaynağı

Sabit Gerilim Regülatörü Kullanarak Ayarlanabilir Güç Kaynağı Sabit Gerilim Regülatörü Kullanarak Ayarlanabilir Güç Kaynağı Sabit değerli pozitif gerilim regülatörleri basit bir şekilde iki adet direnç ilavesiyle ayarlanabilir gerilim kaynaklarına dönüştürülebilir.

Detaylı

BESLEME KARTI RF ALICI KARTI

BESLEME KARTI RF ALICI KARTI BESLEME KARTI Araç üzerinde bulunan ve tüm kartları besleyen ünitedir.doğrudan Lipo batarya ile beslendikten sonra motor kartına 11.1 V diğer kartlara 5 V dağıtır. Özellikleri; Ters gerilim korumalı Isınmaya

Detaylı

100 kv AC YÜKSEK GERİLİM BÖLÜCÜSÜ YAPIMI

100 kv AC YÜKSEK GERİLİM BÖLÜCÜSÜ YAPIMI 465 100 kv AC YÜKSEK GERİLİM BÖLÜCÜSÜ YAPIMI Ahmet MEREV Serkan DEDEOĞLU Kaan GÜLNİHAR ÖZET Yüksek gerilim, ölçülen işaretin genliğinin yüksek olması nedeniyle bilinen ölçme sistemleri ile doğrudan ölçülemez.

Detaylı

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları

1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları 1. Giriş 2. Yayınma Mekanizmaları 3. Kararlı Karasız Yayınma 4. Yayınmayı etkileyen faktörler 5. Yarı iletkenlerde yayınma 6. Diğer yayınma yolları Sol üstte yüzey seftleştirme işlemi uygulanmış bir çelik

Detaylı

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM)

Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) Fatih Üniversitesi Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 316 Haberleşme I LAB SINAVI DARBE GENLİK MODÜLASYONU (PWM) 9.1 Amaçlar 1. µa741 ile PWM modülatör kurulması. 2. LM555 in çalışma prensiplerinin

Detaylı

MÜHENDİSLİK EĞİTİMLERİNDE ÖLÇÜMBİLİM VE KALİBRASYON KONULARINDAKİ MEVCUT DURUMUN DEĞERLENDİRİLMESİ

MÜHENDİSLİK EĞİTİMLERİNDE ÖLÇÜMBİLİM VE KALİBRASYON KONULARINDAKİ MEVCUT DURUMUN DEĞERLENDİRİLMESİ 253 MÜHENDİSLİK EĞİTİMLERİNDE ÖLÇÜMBİLİM VE KALİBRASYON KONULARINDAKİ MEVCUT DURUMUN DEĞERLENDİRİLMESİ Özge ALTUN ÖZET Ülkemizde gelişen teknoloji ve ileri seviye mühendislik uygulamalarının artmasıyla

Detaylı

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY 6 ANALOG/DİGİTAL DÖNÜŞTÜRÜCÜ. Grup Numara Ad Soyad RAPORU HAZIRLAYAN:

ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY 6 ANALOG/DİGİTAL DÖNÜŞTÜRÜCÜ. Grup Numara Ad Soyad RAPORU HAZIRLAYAN: ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ SAYISAL TASARIM LABORATUVARI DENEY 6 ANALOG/DİGİTAL DÖNÜŞTÜRÜCÜ DENEYİ YAPANLAR Grup Numara Ad Soyad RAPORU HAZIRLAYAN: Deneyin Yapılış Tarihi Raporun Geleceği Tarih Raporun

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

Güneş Paneli Montaj Şekillerinin Karşılaştırılması

Güneş Paneli Montaj Şekillerinin Karşılaştırılması Güneş Paneli Montaj Şekillerinin Karşılaştırılması Dünya genelinde hatırı sayılır bir kurulu güce ulaşan güneş enerji santrallerinin, ülkemizdeki kapasitesi de (artış hızı birçok etkene bağlı olarak, dünyadaki

Detaylı

SICAKLIK ALGILAYICILAR

SICAKLIK ALGILAYICILAR SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç

Detaylı

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BİLECİK ŞEYH EDEBALİ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MAKİNE VE İMALAT MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MÜHENDİSLİKTE DENEYSEL METOTLAR II DOĞRUSAL ISI İLETİMİ DENEYİ 1.Deneyin Adı: Doğrusal ısı iletimi deneyi..

Detaylı

Ahenk (Koherans, uyum)

Ahenk (Koherans, uyum) Girişim Girişim Ahenk (Koherans, uyum Ahenk (Koherans, uyum Ahenk (Koherans, uyum http://en.wikipedia.org/wiki/coherence_(physics#ntroduction Ahenk (Koherans, uyum Girişim İki ve/veya daha fazla dalganın

Detaylı

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Sıcaklık kontrol elemanlarının türlerini ve çalışma ilkelerini öğrenmek. 2. Bir orantılı sıcaklık kontrol devresi yapmak. GİRİŞ Solid-state sıcaklık kontrol

Detaylı

Yükseltici DA Kıyıcılar, Gerilim beslemeli invertörler / 12. Hafta

Yükseltici DA Kıyıcılar, Gerilim beslemeli invertörler / 12. Hafta E sınıfı DC kıyıcılar; E sınıfı DC kıyıcılar, çift yönlü (4 bölgeli) DC kıyıcılar olarak bilinmekte olup iki adet C veya iki adet D sınıfı DC kıyıcının birleşiminden oluşmuşlardır. Bu tür kıyıcılar, iki

Detaylı

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri U : AC girişteki efektif faz gerilimi f : Frekans q : Faz sayısı I d, I y : DC çıkış veya yük akımı (ortalama değer) U d U d : DC çıkış gerilimi, U d = f() : Maksimum

Detaylı

Koku Ölçüm Yöntemleri

Koku Ölçüm Yöntemleri Orta Doğu Teknik Üniversitesi Çevre Mühendisliği Bölümü Koku Ölçüm Yöntemleri HAZIRLAYANLAR: Prof. Dr. Aysel Atımtay Çevre Müh. Meltem Güvener ODTÜ, 1-2 Nisan 2004 Ankara 1 KOKU ÖLÇÜM YÖNTEMLERİ Elektronik

Detaylı

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ

KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ KIRIKKALE ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ SAYISAL ELEKTRONİK LAB. DENEY FÖYÜ DENEY 4 OSİLATÖRLER SCHMİT TRİGGER ve MULTİVİBRATÖR DEVRELERİ ÖN BİLGİ: Elektronik iletişim sistemlerinde

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ

MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ MİKRODALGA ÖLÇÜM TEKNİKLERİ Dr. Murat CELEP TÜBİTAK ULUSAL METROLOJİ ENSTİTÜSÜ 02 Nisan 2014 1 İÇERİK Ölçme Mikrodalga gürültü S-parametreleri Network Analyzer Spektrum analyzer SAR ölçümleri 2 ÖLÇME (?)

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik Üniversitesi gizem.pekkucuk@gmail.com,

Detaylı

Alternatif Akım Devre Analizi

Alternatif Akım Devre Analizi Alternatif Akım Devre Analizi Öğr.Gör. Emre ÖZER Alternatif Akımın Tanımı Zamaniçerisindeyönüveşiddeti belli bir düzen içerisinde (periyodik) değişen akıma alternatif akımdenir. En bilinen alternatif akım

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

Doç. Dr. Ersan KABALCI. AEK-207 Güneş Enerjisi İle Elektrik Üretimi

Doç. Dr. Ersan KABALCI. AEK-207 Güneş Enerjisi İle Elektrik Üretimi 6. Bölüm Şebeke Bağlantıları ve Şebeke Giriş-Çıkışları Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 AEK-207 Güneş Enerjisi İle Elektrik Üretimi Giriş Elektrik şebekesinin bulunmadığı yerleşimden uzak bölgelerde enerji ihtiyacını

Detaylı

Optoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1

Optoelektronik Tümleşik Devreler. 2008 HSarı 1 Optoelektronik Tümleşik Devreler 2008 HSarı 1 Kaynaklar: R. G. Hunsperger, Integrated Optics: Theory and Technology, 3rd Edition, Springer Series in Optical Science, Springer-Verlag, 1991 2008 HSarı 2

Detaylı

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM

GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM GÜNEŞ PİLLERİ (FOTOVOLTAİK PİLLER) I. BÖLÜM Prof. Dr. Olcay KINCAY Y. Doç. Dr. Nur BEKİROĞLU Y. Doç. Dr. Zehra YUMURTACI İ ç e r i k Genel bilgi ve çalışma ilkesi Güneş pili tipleri Güneş pilinin elektriksel

Detaylı

İzolasyon Yalıtım Direnç Ölçer Marka/Model METREL/ 3201

İzolasyon Yalıtım Direnç Ölçer Marka/Model METREL/ 3201 İzolasyon Yalıtım Direnç Ölçer Marka/Model METREL/ 3201 250V-5kV arası 25V luk adımlarla ayarlanabilir test gerilimi 5mA güçlü kısa devre akımı 10 T Ohm a kadar direnç ölçebilme Doğruluk-İzolasyon: 5 %

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DENEY FÖYÜ DENEY ADI AC AKIM, GERİLİM VE GÜÇ DENEYİ DERSİN ÖĞRETİM ÜYESİ DENEY SORUMLUSU DENEY GRUBU: DENEY TARİHİ : TESLİM

Detaylı

Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/11) Akreditasyon Kapsamı

Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/11) Akreditasyon Kapsamı Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/11) Adresi : Sincan Organize Sanayi Bölgesi Büyük Selçuklu Bulvarı No:2/A 06930 ANKARA / TÜRKİYE Tel : 0 312 267 32 43 Faks : 0312 267 17 61 E-Posta : eldas@eldas.com.tr

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 13. BÖLÜM FİBER OPTİK ÖLÇÜMLERİ

DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 13. BÖLÜM FİBER OPTİK ÖLÇÜMLERİ DUMLUPINAR ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 13. BÖLÜM FİBER OPTİK ÖLÇÜMLERİ KONULAR test ekipmanları zayıflama ölçümleri dispersiyon ölçümleri OTDR saha uygulamaları eye paternleri

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır.

TEMEL ELEKTRONİK. Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. BÖLÜM 2 KONDANSATÖRLER Önbilgiler: Kondansatör, DC akımı geçirmeyip, AC akımı geçiren devre elemanıdır. Yapısı: Kondansatör şekil 1.6' da görüldüğü gibi, iki iletken plaka arasına yalıtkan bir maddenin

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

İleri Elektronik Uygulamaları Hata Analizi

İleri Elektronik Uygulamaları Hata Analizi İleri Elektronik Uygulamaları Hata Analizi Tuba KIYAN 01.04.2014 1 Tarihçe Transistör + Tümleşik devre Bilgisayar + İnternet Bilişim Çağı Transistörün Evrimi İlk transistör (1947) Bell Laboratuvarları

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri

Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri Bölüm 4 Ardışıl Lojik Devre Deneyleri DENEY 4-1 Flip-Floplar DENEYİN AMACI 1. Kombinasyonel ve ardışıl lojik devreler arasındaki farkları ve çeşitli bellek birimi uygulamalarını anlamak. 2. Çeşitli flip-flop

Detaylı

elektromagnetik uzunluk ölçerlerin Iaboratu ar koşullarında kaiibrasyonu

elektromagnetik uzunluk ölçerlerin Iaboratu ar koşullarında kaiibrasyonu elektromagnetik uzunluk ölçerlerin Iaboratu ar koşullarında kaiibrasyonu ÖZET Yük. Müh. Uğur DOĞAN -Yük. Müh Özgür GÖR Müh. Aysel ÖZÇEKER Bu çalışmada Yıldız Teknik Üniversitesi İnşaat Fakültesi Jeodezi

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

İki Aşamalı C Band Ebrium Katkılı Fiber Yükselteçlerde (EKFY) Kazanç Düzeltmek İçin Uzun Periyotlu Fiber Izgara Kullanılması

İki Aşamalı C Band Ebrium Katkılı Fiber Yükselteçlerde (EKFY) Kazanç Düzeltmek İçin Uzun Periyotlu Fiber Izgara Kullanılması İki Aşamalı C Band Ebrium Katkılı Fiber Yükselteçlerde (EKFY) Kazanç Düzeltmek İçin Uzun Periyotlu Fiber Izgara Kullanılması Haluk Tanrıkulu tanrikul@metu.edu.tr ÖZET Ebrium Katkılı Fiber Yükselteç (EKFY)

Detaylı

Data Communications. Gazi Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü. 3. Veri ve Sinyaller

Data Communications. Gazi Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü. 3. Veri ve Sinyaller Veri İletişimi Data Communications Suat ÖZDEMİR Gazi Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 3. Veri ve Sinyaller Analog ve sayısal sinyal Fiziksel katmanın önemli işlevlerinden ş birisi iletim ortamında

Detaylı

BÖLÜM I GİRİŞ (1.1) y(t) veya y(x) T veya λ. a t veya x. Şekil 1.1 Dalga. a genlik, T peryod (veya λ dalga boyu)

BÖLÜM I GİRİŞ (1.1) y(t) veya y(x) T veya λ. a t veya x. Şekil 1.1 Dalga. a genlik, T peryod (veya λ dalga boyu) BÖLÜM I GİRİŞ 1.1 Sinyal Bir sistemin durum ve davranış bilgilerini taşıyan, bir veya daha fazla değişken ile tanımlanan bir fonksiyon olup veri işlemde dalga olarak adlandırılır. Bir dalga, genliği, dalga

Detaylı

27.10.2011 HAFTA 1 KALICI OLMAYAN HAFIZA RAM SRAM DRAM DDRAM KALICI HAFIZA ROM PROM EPROM EEPROM FLASH HARDDISK

27.10.2011 HAFTA 1 KALICI OLMAYAN HAFIZA RAM SRAM DRAM DDRAM KALICI HAFIZA ROM PROM EPROM EEPROM FLASH HARDDISK Mikroişlemci HAFTA 1 HAFIZA BİRİMLERİ Program Kodları ve verinin saklandığı bölüm Kalıcı Hafıza ROM PROM EPROM EEPROM FLASH UÇUCU SRAM DRAM DRRAM... ALU Saklayıcılar Kod Çözücüler... GİRİŞ/ÇIKIŞ G/Ç I/O

Detaylı

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Diyotu tanımlayınız. Diyot bir yönde akım geçiren, diğer yönde akım geçirmeyen elektronik devre elemanıdır. Diyotlarda anot ve katodu tanımlayınız. Diyot

Detaylı

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir.

Şekilde görüldüğü gibi Gerilim/akım yoğunluğu karakteristik eğrisi dört nedenden dolayi meydana gelir. Bir fuel cell in teorik açık devre gerilimi: Formülüne göre 100 oc altinda yaklaşık 1.2 V dur. Fakat gerçekte bu değere hiçbir zaman ulaşılamaz. Şekil 3.1 de normal hava basıncında ve yaklaşık 70 oc da

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER

RF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER RF MİKROELEKTRONİK TEMEL BİLGİLER BİRİMLER terminalli bir devre için desibel cinsinden voltaj kazancı: V o A = V 0log db Vi GİRİŞ Güç kazancı: P o A = P 10log db Pi ÇIKIŞ BİRİMLER Girişteki kaynak direnci

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 1. Deneyin Amacı Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI CDS (Kadmiyum

Detaylı

19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU

19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU 19 ve 29 cmlik PONCEBLOC HAFİF YAPI ELEMANI SES AZALMA İNDİSİ ÖLÇÜMÜ ÖN RAPORU HAZIRLAYAN : Y.DOÇ. DR. NURGÜN TAMER BAYAZIT İTÜ MİMARLIK FAKÜLTESİ YAPI BİLGİSİ ABD TAŞKIŞLA TAKSİM-34437 İST TEMMUZ, 2014

Detaylı

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI K.T.Ü ElektrikElektronik Müh.Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I KICHOFF'UN KIML E GEĠLĠMLE YSSININ DENEYSEL SĞLNMSI KICHOFF'UN KIML YSSI: Bir elektrik devresinde, bir düğümde bulunan kollara ilişkin akımların

Detaylı

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ. DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ

OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ. DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ 1) İdeal Sönümleme Elemanı : a) Öteleme Sönümleyici : Mekanik Elemanların Matematiksel Modeli Basit mekanik elemanlar, öteleme hareketinde;

Detaylı

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc

REZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik

Detaylı

ELM019 - Ölçme ve Enstrümantasyon 3

ELM019 - Ölçme ve Enstrümantasyon 3 DAQ - Converters Veri Toplayıcılar Data Acquisition Bir Veri Toplama Sisteminin (DAS) Bileşenleri Bazı tıbbi cihazlar bir hastadan gelen fizyolojik işaretlerin takibini ve analizini yapabilir. Şekildeki

Detaylı

TEK FAZLI KONTROLLÜ (TRĠSTÖRLÜ) DOĞRULTUCULAR

TEK FAZLI KONTROLLÜ (TRĠSTÖRLÜ) DOĞRULTUCULAR TEK FAZLI KONTROLLÜ (TRĠSTÖRLÜ) DOĞRULTUCULAR Teorik Bilgi Deney de sabit çıkış gerilimi üretebilen diyotlu doğrultucuları inceledik. Eğer endüstriyel uygulama sabit değil de ayarlanabilir bir gerilime

Detaylı

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 402 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY 4

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 402 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY 4 BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAK - 0 MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI DENEY İÇİNDE SABİT SICAKLIKTA SİLİNDİRİK ISITICI BULUNAN DİKDÖRTGEN PRİZMATİK SAC KUTU YÜZEYLERİNDEN ZORLANMIŞ TAŞINIM

Detaylı

ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5

ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 ELEKTROMANYETİK DALGA TEORİSİ DERS - 5 İletim Hatları İLETİM HATLARI İletim hatlarının tarihsel gelişimi iki iletkenli basit hatlarla (ilk telefon hatlarında olduğu gibi) başlamıştır. Mikrodalga enerjisinin

Detaylı

ADC Devrelerinde Pratik Düşünceler

ADC Devrelerinde Pratik Düşünceler ADC Devrelerinde Pratik Düşünceler ADC nin belki de en önemli örneği çözünürlüğüdür. Çözünürlük dönüştürücü tarafından elde edilen ikili bitlerin sayısıdır. Çünkü ADC devreleri birçok kesikli adımdan birinin

Detaylı

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits)

BSE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates And Logic Circuits) SE 207 Mantık Devreleri Lojik Kapılar ve Lojik Devreler (Logic Gates nd Logic Circuits) Sakarya Üniversitesi Lojik Kapılar - maçlar Lojik kapıları ve lojik devreleri tanıtmak Temel işlemler olarak VE,

Detaylı

ZM-2H606 İki Faz Step. Motor Sürücüsü. Özet

ZM-2H606 İki Faz Step. Motor Sürücüsü. Özet ZM-2H606 İki Faz Step Motor Sürücüsü Özet ZM-2H606 iki faz, 4,6 ve 8 telli step motorlar için üretilmiştir. Yüksek frekanslı giriş sinyallerini kabul edebilecek şekilde donatılmıştır. Akım kararlılığı,

Detaylı

5. (10 Puan) Op-Amp devresine aşağıda gösterildiği gibi bir SİNÜS dalga formu uygulanmıştır. Op-Amp devresinin çıkış sinyal formunu çiziniz.

5. (10 Puan) Op-Amp devresine aşağıda gösterildiği gibi bir SİNÜS dalga formu uygulanmıştır. Op-Amp devresinin çıkış sinyal formunu çiziniz. MAK442 MT3-MEKATRONİK S Ü L E Y M A N D E MİREL ÜNİVERSİTES E Sİ M Ü H E N DİSLİK-MİMM A R L I K F A K Ü L T E Sİ M A KİNA M Ü H E N DİSLİĞİ BÖLÜMÜ Ü ÖĞRENCİ ADI NO İMZA SORU/PUAN 1/15 2/15 3/10 4/10 5/10

Detaylı

SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ KMM 302 KİMYA MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI-I ÖĞÜTME ELEME DENEYİ

SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ KMM 302 KİMYA MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI-I ÖĞÜTME ELEME DENEYİ SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ KİMYA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ KMM 302 KİMYA MÜHENDİSLİĞİ LABORATUVARI-I ÖĞÜTME ELEME DENEYİ ISPARTA, 2014 ÖĞÜTME ELEME DENEYİ DENEYİN AMACI: Kolemanit mineralinin

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak.

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ AMAÇ: 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. 2. Bu eş potansiyel çizgileri kullanarak elektrik alan çizgilerinin

Detaylı

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken)

Düzenlilik = ((Vçıkış(yük yokken) - Vçıkış(yük varken)) / Vçıkış(yük varken) KTÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı DOĞRULTUCULAR Günümüzde bilgisayarlar başta olmak üzere bir çok elektronik cihazı doğru akımla çalıştığı bilinen

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

Asenkron Motor Analizi

Asenkron Motor Analizi Temsili Resim Giriş Asenkron motorlar, neredeyse 100 yılı aşkın bir süredir endüstride geniş bir yelpazede kulla- Alperen ÜŞÜDÜM nılmaktadır. Elektrik Müh. Son yıllarda, FİGES A.Ş. kontrol teknolojilerinin

Detaylı

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ

OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ TOPLAR OP-AMP ÖRNEĞİ GERİLİM İZLEYİCİ Eşdeğer devresinden görüldüğü gibi Vo = Vi 'dir. Emiter izleyici devreye çok benzer. Bu devrenin giriş empedansı yüksek, çıkış empedansı

Detaylı

Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/10) Akreditasyon Kapsamı

Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/10) Akreditasyon Kapsamı Akreditasyon Sertifikası Eki (Sayfa 1/10) Adresi : Çavuşoğlu Mah. Barbaros Hayrettin Paşa Cad. No:16 KARTAL 81430 İSTANBUL / TÜRKİYE Tel : 0 216 374 99 24 Faks : 0 216 374 99 28 E-Posta : metkal@metkal.com.tr

Detaylı

ELK 318 İLETİŞİM KURAMI-II

ELK 318 İLETİŞİM KURAMI-II ELK 318 İLETİŞİM KURAMI-II Nihat KABAOĞLU Kısım 5 DERSİN İÇERİĞİ Sayısal Haberleşmeye Giriş Giriş Sayısal Haberleşmenin Temelleri Temel Ödünleşimler Örnekleme ve Darbe Modülasyonu Örnekleme İşlemi İdeal

Detaylı

Data Communications. Gazi Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü. 5. Analog veri iletimi

Data Communications. Gazi Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü. 5. Analog veri iletimi Veri İletişimi Data Communications Suat ÖZDEMİR Gazi Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü 5. Analog veri iletimi Sayısal analog çevirme http://ceng.gazi.edu.tr/~ozdemir/ 2 Sayısal analog çevirme

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

OSİLOSKOP I. KULLANIM ALANI

OSİLOSKOP I. KULLANIM ALANI OSİLOSKOP I. KULLANIM ALANI Osiloskop elektriksel işaretlerin ölçülmesinde ve görüntülenmesinde kullanılan temel bir ölçüm aletidir. İşaretin dalga şeklinin görüntülenmesini, frekans ve genliğinin kolayca

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Transdüser ve Sensör Kavramı Fiziksel ortam değişikliklerini (ısı, ışık, basınç, ses, vb.) algılayan elemanlara sensör, algıladığı bilgiyi elektrik enerjisine çeviren elemanlara

Detaylı