Elektronik 2 Laboratuvarı Deney Föyleri

Transkript

1 Elektronik 2 Laboratuvarı Deney Föyleri Hazırlayan: Arş. Gör. Kürşad UÇAR KONYA, 2018

2 DENEY FÖYÜ SAHİBİNİN Adı Soyadı Öğrenci No su Lab. Grubu Grup.. Laboratuvar Kuralları Deneyler iki haftada bir yapılacaktır. Her öğrenci kendi gün ve saatinde laboratuvara girecektir. Kendi grubunda derse gelmediği takdirde diğer grupların dersine girmek yasaktır. Deneyler 4. Kat 413 nolu laboratuvarda yapılacaktır. 1 dönemde toplam 5 deney yapılacaktır. Geçerli bir mazeretle deneye katılmayan bir öğrenci gerekli rapor, izin vb. belgelerle laboratuvar sorumlusuna en kısa zamanda başvurmalıdır. Dersle ilgili duyurular bölüm web sitesi üzerinden yapılacaktır. Deneye öğrencilerin deney föyüne çalışarak gelmeleri gerekmektedir. Her öğrenci derse kendi deney föyünü getirecektir. Deney föyü olmayan öğrenci derse alınmayacaktır. İsteyen öğrenci o deneyde yapılacak devreleri kendi malzemeleri ile kurup laboratuvara getirebilir. Deney föyleri her hafta bir deney olacak şekilde getirilecektik. Deneyden önce yapılması gerekilen kısımlar ve hesaplamalar deneyden önce mutlaka yapılmalıdır. Laboratuvar ile ilgili iletişim: Arş. Gör. Kürşad UÇAR kucar@selcuk.edu.tr Teknoloji Fakültesi 1. Kat 117 2

3 Elektronik 2 Laboratuvar Ders Saatleri Normal Öğretim İkinci Öğretim Deney No Grup No Tarih Saat Deney No Grup No Tarih Saat Grup :40 Grup :30 Deney 1 Grup :40 Grup :15 Deney 1 Grup :40 Grup :30 Grup :40 Grup :15 Grup :40 Grup :15 Deney 2 Grup :40 Grup :30 Deney 2 Grup :40 Grup :15 Grup :40 Grup :30 Grup :40 Grup :30 Deney 3 Grup :40 Grup :15 Deney 3 Grup :40 Grup :30 Grup :40 Grup :15 Deney 4 Deney 4 DAHA SONRA İLAN EDİLECEKTİR. DAHA SONRA İLAN EDİLECEKTİR. Deney 5 Deney 5 Lab saatlerinde olabilecek değişiklikler için duyuruları takip ediniz... 3

4 DENEY 1 4

5 DENEY 1: BJT lerin Sabit ve Gerilim Bölücülü Devreyle Öngerilimlenmesi Amaç: BJT transistörlerde bağlantılı terminaller için nasıl ölçüm ve hesaplama yapılacağını öğretmektir. Kullanılacak Malzemeler: Osiloskop Dijital Multimetre Dc Güç Kaynağı Fonksiyon Üretici 680-Ω, 1-kΩ, 1.8-kΩ, 2.2-kΩ, 6.8-kΩ, 33-kΩ, 1-MΩ dirençler BC DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Şekil 1 de gösterilen sabit ön gerilimli devrenin simülasyonunun yapılması için aşağıdaki adımları takip edin. Çizim sayfasının görev çubuğundaki butonları kullanarak aşağıdaki 3 soruda istenilen akımları ve gerilimleri elde ediniz. Şekil 1 i. Base,emiter ve kolektör akımlarını bulunuz. ii. Base-emiter voltajını bulunuz. (V BE =?) iii. Kolektör-emiter voltajını bulunuz. ( V CE =?) iv. β değerini hesaplayınız. 5

6 2. DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. β NIN BULUNMASI a. Şekil 1 'deki devreyi kurunuz. b. V BE ve V RC gerilimlerini ölçünüz ve aşağıya kaydediniz. V BE(ölçülen) :. V RC(ölçülen) :. c. Ölçülen direnç ve gerilim değerlerini aşağıdaki formüller içerisinde kullanarak baz ve kollektör akımını hesaplayınız. Bulduğunuz değerleri hem aşağıya kaydediniz. I B(hesaplanan) :. I C(hesaplanan) :. d. Yukarıda bulduğunuz değerleri kullanarak β = Ic/ IB formulünden β değerini hesaplayınız. β: SABİT ÖNGERİLİMLİ DÜZENLEME a. Bir önceki bölümde bulduğunuz değerleri kullanarak V B, V C, V E ve V CE gerilimlerini hesaplayınız. V B(hesaplanan) :, V C(hesaplanan) :., V E(hesaplanan) :., V CE(hesaplanan) :. 6

7 b. Yukarıda hesaplayarak bulduğunuz değerleri şimdi de ölçerek elde ediniz. V B(ölçülen) :, V C(ölçülen) :., V E(ölçülen) :., V CE(ölçülen) : GERİLİM BÖLÜCÜLÜ DEVRE a. Şekil 2 deki devreyi BC337 transistör kullanarak kurunuz. b. Birinci bölümde BC337 transistörü için elde edilen β değerini kullanarak V B, V E, I E, I C, V C, V CE ve I B değerlerini hesaplayınız. V B :., V E :., I E :.., I C :.., V C :.., V CE :.. I B :. 7

8 c. Şekil 2 deki devreyi çalıştırınız ve V B, V E, V C, V CE gerilimlerini ölçünüz ve Tablo 1 e giriniz. Buna ek olarak V R1 ve V R2 gerilimlerini ölçünüz. I C, I E akımlarını hesaplayınız ayrıca I 1 ve I 2 akımlarını ( I 1 = V R1 / R 1 ve I 2 = V R2 / R 2 ) formülünü kullanarak bulunuz. I B akımını Kirşof akım kuralını (I 1 ve I 2 akımlarının toplamı) kullanarak hesaplayınız. Hesaplanan I B, I E, I C değerlerini Tablo 1 e giriniz. Tablo 1 deki ölçülen ve hesaplanan değerleri karşılaştırınız. Aralarında açıklamaya değer belirgin fark var mı? TABLO 1 3. SORULAR 1. a. Şekil 1 de gösterilen sabit öngerilimli devre için saturasyon(doyum) akımı olan I C(SAT) değerini hesaplayınız. I C(SAT):.. b. Şekil 1 de gösterilen sabit öngerilimli devre için saturasyon(doyum) akımı olan I C(SAT) değerini β değerini normalden 2 kat büyük alarak hesaplayınız. I C(SAT):.. 8

9 c. a ve b şıklarında çözülen devreler için I C(SAT) akımı değeri kullanılan transistorün β değerine bağlı olarak değişir mi? 2. Deneylerdeki her iki devre için β değeri 2 kat alındığında Q noktası (kolektör karakteristiğinde (I C ve V CE tarafından tanımlanan) değişimi nasıl olur? Bir transistor daha yüksek β değerine sahip bir transistor ile yer değiştirildiğinde Q noktası nasıl kayar? Q noktası saturasyona (yüksek I C düşük V CE ) doğru mu yoksa kesime (düşük I C yüksek V CE ) doğru mu hareket eder? Açıklayınız. 3. β da oluşan değişimden dolayı, I C, I B ve V CE oranlarındaki değişimi bulunuz. 9

10 DENEY 2 10

11 DENEY 2: Ortak-Emiterli BJT Yükselteçler Amaç: Ortak emiterli bir devrede AC ve DC gerilimleri ölçmek. Yüklü ve yüksüz durumda gerilim kuvvetlendirmeyi(av), giriş empedansı (Zi) ve çıkış empadansı (Zo) ölçmek. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Fonksiyon üreteci Malzemeler :1 kω, 3 kω, 10 kω direnç 15 μf(2), 100 μf BJT Transistör BC DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Aşağıda verilen devrenin simülasyon çizimini yapınız. Vsig voltaj kaynağını çizim programında V SIN olarak alınız ve genlik değerini 10mV frekansını da 1kHz olarak ayarlayınız. 1) Devredeki tüm akım ve voltaj değerlerini ölçünüz. 2) Elde edilen değerler sonucunda r ε direncini hesaplayınız. 3) Devrenin giriş ve çıkış voltajını osiloskop yardımıyla gösteriniz.(osiloskobun bir probu Vsig girişinde diğer probu ise çıkış üzerinde olacak) 4) Prob imleçlerini kullanarak giriş ve çıkış dalga şekillerinin tepeden tepeye değerlerini ölçünüz. 11

12 2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR RTAK EMİTERLİ DC ÖNGERİLİMLEME a. Şekil 1 'deki devreyi kurunuz. b. Devredeki aşağıda verilen DC değerleri hesaplayınız. V B(hesaplanan) :., V C(hesaplanan) :., V E(hesaplanan) :., I E(hesaplanan) :., r ε(hesaplanan) :.. c. Devreye Vcc=10 V DC gerilim uygulayarak aşağıda verilen DC değerleri ölçünüz. V B(ölçülen) :., V C(ölçülen) :., V E(ölçülen) :.., I E(ölçülen) :., Bulduğunuz değerleri 1(b) deki değerler ile karşılaştırınız. I E = V E / R E eşitliğini kullanarak emiter akımını hesaplayınız. I E(hesaplanan) :., I E nin ölçülen değerini kullanarak r ε AC dinamik direncini hesaplayınız Ortak Emiterli AC gerilim kazancı a. Emiter direnci köprülenmiş ortak emiterli transistörlü devrenin gerilim kazancını kazanç eşitliğinden faydalanarak bulunuz. :.. 12

13 b. AC giriş sinyali Vsig=20 mv (rms), f=1 khz lik bir sinyali devreye uygulayınız. Çıkış dalga şeklini gözleyerek çıkış işaretinin şeklinde bir bozulma olmadığından emin olunuz.(eğer varsa giriş işaretinin değeri veya DC gerilim değerini düzelme oluncaya kadar azaltınız). DMM veya osiloskop kullanarak AC çıkış gerilimini ölçünüz. :.. Ölçüm değerlerini kullanarak yüksüz durumdaki gerilim kazancını hesaplayınız AC Giriş Empadansı Zi :.. a. Zi değerini hesaplayınız.(β=150 ve transistor katalog bilgilerini kullanabilirsiniz) :.. b. Zi değerini ölçmek için Rx=1 kω olan bir giriş ölçüm direncini Şekil 2.2 deki gibi bağlayınız. Girişe Vsig=20 mv, rms uygulayınız. Çıkış dalga şeklini osiloskopla gözleyiniz ve sinyalde bir bozulma (distorsiyon) olmadığından emin olunuz (gerekiyorsa giriş değerini ayarlayınız) ve Vi değerini ölçünüz. Zi yi bulmak için Vi(ölçülen)=... buradan elde edilir. Zi nin ölçülen değerini bölüm 3 (a) daki hesaplanan değer ile karşılaştırınız. (hesaplanan):. 13

14 2.4. AC Çıkış Empadansı Zo a. Zo = Rc bağıntısından Zo ın değerini hesaplayınız. Zo(hesaplanan):. b. Girişteki Rx direncini kaldırarak Vsig=20 mv, rms değerinini girişe uygulayarak Vo çıkış değerini ölçünüz. Çıkış dalga şeklinde distorsiyon olmadığından emin olunuz. Vo(ölçülen)(yüksüz durumda):... Zo ın ölçülen değerini bölüm 4 (a) daki hesaplanan değer ile karşılaştırınız Osiloskop Ölçümü Şekil 2.1 deki devreye Vsig=20 mv, tepeden-tepeye f=1 khz lik bir giriş sinyali uygulayarak, Şekil 2.3 e Vsig ve Vo dalga şekillerini çiziniz. 14

15 DENEY 3 15

16 DENEY 3: JFET KARAKTERİSTİK İNCELEMESİ Amaç: Bir JFET transistörün çıkış ve transfer karakteristiklerini elde etmek. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Malzemeler : 100 Ω direnç (2) 1 kω direnç (2) 10 kω direnç 5 kω luk potansiyometre 1 MΩ luk potansiyometre BF245A veya BF245AC JFET Transistor 1. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Aşağıdaki devre Şekil 3.1 deki devre ile benzerdir fakat iki devrede farklı JFET ler kullanılmıştır. Bu devrenin çalışma noktasını belirlemek için, devrenin simülasyonunu yapınız ve aşağıda istenilen değerleri ölçünüz. 1) Drain-Source voltajını (VDS) 2) Gate Souce voltajını (VGS) 3) Drain akımını (ID) 4) Gate akımını Deney 2 Bu devrenin çalışma noktasını belirlemek için, devrenin simülasyonunu yapınız ve aşağıda istenilen değerleri ölçünüz. 1) Drain-Source voltajını (VDS) 2) Gate Souce voltajını (VGS) 3) Drain akımını (ID) 4) Gate akımını 16

17 Sorular 1) Schockley akım denkleminde ID ve VGS verildiğinde özel bir noktada IDSS ve VP hesaplanabilir mi? Hesaplanabilirse nasıl hesaplanır? Şayet hesaplanamazsa nedeni nedir? 2) Schockley eşitliğini IDSS, VP ve ID terimlerini kullanarak VGS yi verecek şekilde yazınız. 3) IDSS =10 ma, VP =-5V ve ID =4mA olarak verilirse VGS yi bulunuz. 2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR VGS (ölçülen) = Doyma Akımı IDSS ve Kısma Gerilimi VP nin Ölçülmesi a. Şekil 3.1 deki devreyi kurunuz. b) 1 MΩ luk potansiyometreyi V GS =0 V olana kadar değiştirin. V GS =0 V olduğunda I D =I DSS olduğunu unutmayınız. c) 5 kω luk potansiyometreyi değiştirerek V DS =8 V olmasını sağlayın. V R gerilim değerini ölçünüz. V R (ölçülen)=... d) Doyma akımını I DSS =I D =VR/R formülünü ve ölçülen direnç değerini kullanarak hesaplayınız. I DSS (ölçümden hesaplama)=... e) V DS değerini 8 V olarak tutun ve V R =1mV olana kadar V GS değerini azaltın. Burada I D = V R /R = 1mV/100 Ω = 10 μa 0 ma. V P gerilimini I D =0 ma olduğundaki V GS voltajı olduğunu hatırlayın. Kapı kaynak kapama gerilimini aşağıya kaydedin. V P (ölçülen)=... f) Bulunan değerleri laboratuvardaki farklı iki grupla karşılaştırın ve aşağıya kaydedin. 1. I DSS =, V P = 2. I DSS =, V P = Bulunan değerlere göre IDSS ve VP değerleri bütün F245C transistörleri için aynı mı? 17

18 g) Bulunan I DSS ve V P değerlerini ve Shockley denklemini kullanarak devrenin transfer karakterini Şekil 3.2 ye çiziniz. Eğri üzerinde en az 5 nokta belirleyiniz. Shockley Denklemi 2.2. Çıkış Karakteristiği a. Şekil 3.1 deki devreyi kullanarak V GS =0 V ve V DS =0 V elde edene kadar potansiyometreleri değiştirin. I D değerini I D =V R /R ve ölçülmüş olan R değerini kullanarak hesaplayın ve Tablo 3.1 e girin. b. V GS değerini 0 V olarak tutun ve V DS değerini 1 er volt artırarak 14 V a kadar çıkarın. Her adımda hesaplanan I D değerini kaydedin. 100 Ω luk rezistans için ölçülen değeri kullanmayı unutmayın. c. 1 MΩ luk potansiyometreyi V GS = -1 V olana kadar değiştirin. V GS değerini sabit tutarak V DS değerini Tablo 3.1 deki değerlere göre ayarlayın ve hesaplanan I D değerlerini kaydedin. d. 2(c) adımını tablodaki V GS değerleri için tekrarlayın. V GS değeri V P değerini aştığında işlemi durdurun. e. JFET in çıkış karakteristiğini Şekil 3.3 e çizin. f. Grafik Bölüm 1 in sonuçlarını doğruluyor mu? Yani V GS =0 V iken I D nin ortalama değeri I DSS e yakın mı? I D =0 ma değerini sağlayan V GS değeri V P değerine yakın mı? 18

19 19

20 DENEY 4 20

21 DENEY 4: LİNEER OP-AMP DEVRELERİ Amaç: Operasyonel Kuvvetlendiricilerde DC ve AC gerilimleri ölçmek. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Fonksiyon üreteci Malzemeler :20 kω, 100 kω (3) direnç 741 op- amp 1. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Şekil 4.7 de gösterilen eviren yükseltecin simülasyonunu yapınız. Zaman domeninde t=200μs için aşağıda istenilen değerleri bulunuz. 1) Giriş ve çıkış voltaj dalga şekillerini gözlemleyiniz. Ekran görüntüsünü alıp rapora ekleyiniz. 2) Giriş ve çıkış voltajlarının her biri için tepeden tepeye(peak-to-peak) değerlerini ölçünüz. 3) Giriş voltajına karşılık çıkış voltajı arasındaki faz farkını gözlemleyiniz. Faz Farkı kaç derecedir? 2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. Eviren Kuvvetlendirici a. Şekil 4.1 deki devrenin gerilim kazancını hesaplayınız. 21

22 Av=Vo/Vi (hesaplanan)=... b. Şekil 4.1 deki devreyi kurunuz. Girişe Vi=1V, rms (f=10 khz) bir gerilim uygulayarak DMM kullanarak çıkış gerilimini ölçünüz. Ölçülen değerleri kullanarak gerilim kazancını hesaplayınız. 1(a) daki hesaplanan değeri 1(b) deki ölçülen değerle karşılaştırınız. Vo (ölçülen)=... Av=Vo/Vi (ölçümden)=... c. R1 değerini 100 kω luk bir dirençle değiştirerek Vo/Vi yi hesaplayınız. Vo (ölçülen)=... Giriş Vi=1V, rms değeri için çıkışı ölçünüz. Av=Vo/Vi (ölçümden)=... 1(a) daki hesaplanan değeri 1(b) deki ölçülen değerle karşılaştırınız. d. Osiloskobu kullanarak giriş ve çıkış gerilimlerini Şekil 4.2 ye çiziniz. 22

23 2.2. Evirmeyen Kuvvetlendirici a. Şekil 4.3 deki devrenin gerilim kazancını hesaplayınız. Av=Vo/Vi (hesaplanan)=... b. Şekil 8.3 deki devreyi kurarak direnç değerlerini ölçünüz.girişe Vi=1V, rms (f=10 khz) bir gerilim uygulayarak DMM kullanarak çıkış gerilimini ölçünüz. c. Ölçülen değerleri kullanarak gerilim kazancını hesaplayınız. 2(a) daki hesaplanan değeri 2(b) deki ölçülen değerle karşılaştırınız. Vo (ölçülen)=... Av=Vo/Vi(ölçümden)=... d. R1 değerini 100 kω luk bir dirençle değiştirerek 2(a) ve 2(b) yi tekrarlayınız.. Av=Vo/Vi (hesaplanan)=... Vo (ölçülen)=... Av=Vo/Vi (ölçümden)=... 23

24 Gerilim kazancının ölçülen ve hesaplanan değerlerini karşılaştırınız. e. Osiloskobu kullanarak giriş ve çıkış gerilimlerini Şekil 4.4 ye çiziniz Gerilim İzleyici Şekil 4.5 deki devreyi kurarak direnç değerlerini ölçünüz.girişe Vi=1V, rms (f=10 khz) bir gerilim uygulayarak DMM kullanarak çıkış gerilimini ölçünüz. Ölçülen değeri teorik değerle karşılaştırınız. Vo (ölçülen)= Toplama Devresi a. Şekil 4.6 daki devredeki çıkış gerilimini hesaplayınız. (V1=V2=1V, rms). 24

25 Vo(hesaplanan):.. b. Şekil 4.6 deki devreyi kurarak direnç değerlerini ölçünüz. Girişe V1=V2=1V, rms (f=10 khz) bir gerilim uygulayarak DMM kullanarak çıkış gerilimini ölçünüz. Vo(ölçülen):... 4(a) daki hesaplanan değeri 4(b) deki ölçülen değerle karşılaştırınız. c. R2 değerini 100 kω luk bir dirençle değiştirerek 4(a) ve 4(b) yi tekrarlayınız. Vo(hesaplanan):.. Vo(ölçülen):... 25

26 DENEY 5 26

27 DENEY 5: Darlingtonlu ve Kaskod Kuvvetlendirici Devreleri Amaç: Darlington ve kaskod kuvvetlendiricilerde AC ve DC gerilimleri ölçmek. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Fonksiyon üreteci Malzemeler : 51Ω(1), 1 kω (2), 1.8 kω (1), 4.7 kω(1), 5.9 kω(1), 6.8 kω(1) 50 kω luk potansiyometre (1) μf (1), 10 μf (3) 2N3904 BJT (2) a. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Şekil 5.3 de gösterilen kaskod yükselteç devrenin simülasyonunu yapınız. Çizim sayfasının görev çubuğundaki butonları kullanarak aşağıdaki 3 soruda istenilen akımları ve gerilimleri elde ediniz. 1) Tüm DC akım ve voltajları ölçünüz.(dc Analiz yaparak) 2) Ölçüm sonucunda elde edilen değerleri kullanarak devrenin dinamik direncini hesaplayınız. 3) Zaman domeninde t=200μs ayarını yaparak giriş ve çıkış dalga şekillerini osiloskop yardımıyla gösteriniz. 27

28 2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. Darlington Emiter İzleyici Düzenlemesi a.. Şekil 5.1 'deki devreyi kurarak DC gerilim ve akımları hesaplayınız. V B (hesaplanan) =... V E (hesaplanan) =... Gerilim kazancı, giriş ve çıkış direnci ve çıkış empedansı teorik değerlerini hesaplayınız. Av (hesaplanan) =... Zi (hesaplanan) =... Zo(hesaplanan) =... b. Şekil 5.1 deki Darlington transistörlü devreyi kurunuz ve 50 kω luk potansiyometre(rb) yi VE =5 V bir emiter gerilimi elde edecek şekilde ayarlayınız. DMM kullanarak DC gerilimleri ölçünüz. Ölçülen değerlere göre base ve emiter DC akımlarını hesaplayınız. V B (ölçülen) =... V E (ölçülen) =... I B (hesaplanan)=... I E (hesaplanan)=... 28

29 Bu Q noktasındaki transistorün β değerin hesaplayınız. β(hesaplanan)=... c. Giriş değeri f=10 khz frekansta Vsin=1 V tepe geriliminde bir sinyal devreye uygulayınız. Osiloskobu kullanarak çıkış gerilimini gözleyiniz. Sinyalin kırpılmamış ve bozulmamış olduğuna dikkat ediniz. (Giriş sinyalinin genliğini gerekirse düşürünüz.) Vi (ölçülen) =... Vo (ölçülen) =... Ölçülen değerlere göre AC gerilim kazancını hesaplayınız. Av(hesaplanan) = Kaskod Kuvvetlendirici a. Şekil 5.2 deki kaskod kuvvetlendiricideki DC gerilim ve akımları hesaplayınız.(base akımlarının gerilim bölücü akımlarından çok küçük olduğunu kabul ediniz.) V B1 (hesaplanan)=... V E1 (hesaplanan)=... V C1 (hesaplanan)=... V B2 (hesaplanan)=... V E2 (hesaplanan)=... V C2 (hesaplanan)=... 29

30 b. Şekil 5.2 deki devredeki DC gerilimleri ölçünüz. V B1 (ölçülen)=... V E1 (ölçülen)=... V C1 (ölçülen)=... V B2 (ölçülen)=... V E2 (ölçülen)=... V C2 (ölçülen)=... c. Her bir transistörün AC gerilim kazançlarını hesaplayınız. A V1 (hesaplanan)=... A V2 (hesaplanan)=... d. f=10 khz frekansta Vsin=10mV tepe geriliminde bir giriş sinyali uygulayarak osiloskoptan çıkış gerilimini gözleyiniz. Eğer çıkış sinyalinde bir kırpılma veya bozulma varsa giriş gerilimini azaltınız. DMM kullanarak AC sinyalleri ölçünüz. Ölçülen gerilim kazançlarını hesaplayınız. 2 (c ) ve (d) deki hesaplanan ve ölçülen değerleri karşılaştırınız. V İ (ölçülen)=... V O1 (ölçülen)=... V O2 (ölçülen)=... A V1 = V O1 / V İ (hesaplanan)=... A V2 = V O2 / V O1 (hesaplanan)=... A V = V O2 / V İ (hesaplanan)=... e. Osiloskopta V O1 ve V O2 çıkış gerilimlerini, giriş gerilimi Vi yi gözleyiniz. Genlik ve faz farklılıklarınız gösteriniz.(resim çekerek raporunuza ekleyiniz.) 30

31 DENEY 6 31

32 DENEY 6: Ortak Emiterli Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Amaç: Ortak Emiterli bir kuvvetlendiricide frekans cevabını ölçmek ve hesaplamak. Kullanılacak Malzemeler: Ölçü Aletleri : Dijital Multimetre Osiloskop Güç Kaynağı : DC Güç Kaynağı Fonksiyon üreteci Malzemeler : 2 kω (2), 3.9 kω(1), 10 kω(1), 39 kω(1) 1 μf, 10 μf(3) 2N3904 (npn BJT) 1. DENEY ÖNCESİ YAPILMASI GEREKENLER Şekil 7.3 de gösterilen devrenin simülasyonunu yapınız. Frekans değerini 10Hz den 1GHz e manuel olarak ayarlayarak (f=10hz,1khz,100khz,1mhz,100mhz,1ghz) Vout/Vin sayısal kazancın çizimini yapınız. Giriş çıkış ölçümlerini osikoskopta yapınız. 1) Şekil 7.3 deki devrenin DC analizini yapınız. 2) Hesaplanan verilerden dinamik direnci ve yüklü ortaband kazancını hesaplayınız. 3) Simülasyondaki kazanç değeriyle hesaplanan değeri karşılaştırınız. Değerler aynı mı? 32

33 2- DENEY SAATİNDE YAPILACAKLAR 2.1. Düşük Frekans Cevabı Hesaplamaları a. DC öngerilimleme voltajlarını ve akımlarını Şekil 7.1 deki devreden hesaplayınız. V B (hesaplanan) =... V E (hesaplanan) =... V C (hesaplanan)=... I E (hesaplanan)=... re (hesaplanan)=... b. Kuvvetlendiricinin orta banttaki (yükleme durumunda) kazancını verilen formülü kullanarak hesaplayınız. Av,mid =... 33

34 2.2. Düşük Frekans Cevabı Ölçümleri a. Şekil 7.1 deki devreyi kurarak direnç değerlerini ölçünüz. Vcc=20 V ayarlayınız. f= 5 khz de Vsig=20 mv tepe değerinde AC sinyali girişe uygulayınız. Çıkış Vo sinyalini osiloskopla gözleyiniz. Eğer sinyalde bir bozulma varsa giriş sinyalini azaltınız. b. Bozulmasız sinyal için aşağıdaki değerleri ölçünüz. c. Devrenin orta frekans gerilim kazancını hesaplayınız. Vsig (ölçülen)=. Vo(ölçülen)= Av,mid =... Giriş sinyalini yukarıdaki gibi ayarlanmış tutarak Tablo 7.1 deki tablodaki gibi frekans değerlerini değiştirerek Vo değerlerini tabloda doldurunuz. Her bir frekans için kuvvetlendiricinin kazancını hesaplayınız. Ve tablo 7.2 ye giriniz YÜKSEK FREKANS CEVABI HESAPLAMALARI a. Bozulmasız bir çıkış gerilimi elde edecek şekilde giriş gerilimi uygulayarak, yüksek frekanslardaki çıkış gerilimlerini ölçerek Tablo 7.3 ü doldurunuz. Vi(ölçülen)=.. 34

35 . 35