Bölüm 9 FET li Yükselteçler

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "Bölüm 9 FET li Yükselteçler"

Transkript

1 Bölüm 9 FET li Yükseleçler DENEY 9-1 Orak-Kaynaklı (CS) JFET Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Orak kaynaklı JFET yükselecin öngerilim düzenlemesini anlamak. 2. Orak kaynaklı JFET yükselecin saik ve dinamik karakerisiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER FET in en önemli üç parameresi aşağıda anımlanmışır: δ io 1. gm (geçiş ilekenliği) = ds = sabi δ gs id gs δ ds 2. rd (akaç direnci) = gs δ id 3. μ(yükselme fakörü) = id gs ds = 0 = ds = K gs id = sabi gs id gs = 0 = gs = K δ ds δ gs id ds id gs = 0 = = sabi ds gs id = K Yukarıdaki formüllerde kullanılan: i d : akaç akımı (AC küçük işare) gs : G ile S arasına uygulanan AC gerilim (küçük işare) ds : D ile S arasında üreilen AC gerilim 9-1

2 JFET için öngerilim düzenlemesi 1. JFET için sabi öngerilim düzenlemesi: Şekil de göserilmişir. (1) Şekil 9-1-1(a) da, sabi öngerilimli p-kanallı FET devresi göserilmişir. Burada DD, DS ve I D yi meydana geirirken GG ise GS yi oluşurur. Şekil 9-1-1(b) de akaç karakerisik eğrisi ve çalışma nokası göserilmişir. Çıkış devresinin çevre gerilimleri denklemi DD =I D R D + DS ile DC yük doğrusu çizilebilir ve çalışma nokasının konumu belirlenebilir. (2) I D = 0 iken, DD = DS (A nokası) (3) DS = 0 iken, I D = DD / R D = 20 / 2.5K = 8mA (B nokası). A ve B nokaları arasına çizilecek doğru, DC yük doğrusudur. (4) I G 0 olduğu için (R i çok büyük), RG 0 ve GS = G S = GG = 2 Çalışma nokası, DC yük doğrusu ile GS = 2 a karşılık gelen eğrinin kesişim nokası Q bulunarak belirlenebilir. Q nokası ( DSQ, I DQ ) aynı zamanda aşağıdaki iki denklem kullanılarak da hesaplanabilir: DSQ = DD - I DQ R D I DQ = I DSS (1 - GSQ / P ) 2 (a) Öngerilim devresi (b) Çıkış karakerisiği Şekil Sabi öngerilimli p-kanallı JFET devresi 2. JFET için kendinden öngerilimli düzenleme Şekil 9-1-2'de göserilmişir. (1) Akaca uygulanan ek bir DD gerilim kaynağı mevcuur ve uygun bir çalışma nokası elde emek için, kapı-kaynak arasında kendinden öngerilim oluşurulabilir. (2) R i çok büyük olduğu için, I G 0, RG =0= G, S =I S R S I D R S, GS = G - S =0- S = - I D R S. 9-2

3 (3) Yük doğrusunun çizilmesi: a. Çıkış devresinin çevre gerilimleri denkleminden: DD = I D R D + DS +I D R S b. I D = 0 iken, DS = DD = 12 (A nokası) DD 12 c. DS = 0 iken, ID = = = 4mA (B nokası). R + R 3K D S d. A ve B nokaları arasına çizilecek doğru, DC yük doğrusudur. Çalışma nokası, GS eğrisi ile bu yük doğrusunun kesişimidir. (a) Öngerilim devresi (b) Çıkış karakerisiği Şekil Kendinden öngerilimli JFET devresi 3. JFET için gerilim bölücülü öngerilim düzenlemesi Şekil e JFET için gerilim bölücülü öngerilim devresi göserilmişir. Bu devrede, G nin arık sıfır olarak ayarlanmaması dışında, SG ve I D çözümleri kendinden öngerilimli devreninkilerle aynıdır. G = DD R2 R1 + R2 GS = G -I D R S I DQ = I DSS (1 GSQ P 2 ) 9-3

4 Şekil JFET için gerilim bölücülü öngerilim devresi FET küçük sinyal analizi ve FET li yükseleç uygulaması üç ayrı konfigürasyonla gerçeklenebilir: 1. Orak kaynak (CS) 2. Orak akaç (CD) 3. Orak kapı (CG) JFET CS yükseleç Şekil 9-1-4, orak kaynak (CS) yükseleç devresini gösermekedir. o s μr gm Rd Rd D Av = = = ' ' = // rd + RD Zo = rd + (1 + μ) Rs, Zo' = R D //Zo, μ= gm rd rd R D Çıkış fazı 180 o ers çevrilmişir. (a) Devre (b) AC eşdeğer devre Şekil JFET CS yükseleç 9-4

5 Gerilim konrollü (değişken) direnç olarak FET (R veya CR) Şekil 9-1-5(a) da göserilen akaç karakerisik eğrisinden şu sonuçlar elde edilebilir: FET, DS nin çok küçük ancak yine de kısmanın öesinde olduğu omik bölgede çalışırken, akaç akımı, DS akaç-kaynak gerilimiyle doğru oranılıdır. Diğer bir ifadeyle, akaç-kaynak arasındaki kanalın direnci, GS arafından konrol edilir ve FET, direnci konrol emek için gerilimin kullanıldığı gerilim-ayarlı direnç (R) gibi davranır. Şekil 9-1-5(b) de, FET in gerilim konrollü direnç olarak çalışması için uygun olan düşük seviye bölgesindeki yükselme parçası göserilmişir. Her bir eğrinin eğimi R ds yi emsil eiği için R ds nin GS konrol geriliminin bir fonksiyonu olup olmadığı anlaşılabilir. Örmeğin GS = 0 için eğim çok fazla ve direnç minimumken, GS =-6 için eğim çok düşük ve direnç maksimumdur. Şekil 9-1-5(b) de göserilen FET direncinin konrol gerilimine bağlı değişimi, Şekil 9-1-5(c) deki eğri ile de göserilebilir. Burada r d nin GS ile birlike arığı ancak bu arışın doğrusal olmadığı açıkça görülmekedir. (a) Omik bölge (b) Omik bölgede I D - DS eğrisi (c) r d - GS eğrisi Şekil R olarak kullanılan FET'in çalışma durumu 9-5

6 KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL Temel Elekrik Devresi Laborauarı 2. KL FET Devre Deney Modülü 3. Mulimere 4. Osiloskop DENEYİN YAPILIŞI A. Kendinden Öngerilimli Orak Kaynak JFET Yükseleci 1. KL modülünü, KL Temel Elekrik Devreleri Deney Düzeneğinin üzerine koyun ve c bloğunun konumunu belirleyin. 2. Şekil daki devre ve Şekil deki bağlanı diyagramı (# işareli klips hariç) yardımıyla gerekli bağlanıları yapın. KL Düzeneğindeki sabi 12DC güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. R D, R12(3.3KΩ) dir. 3. DC volmere kullanarak, DS, GS ve D yi ölçün ve Tablo 9-1-1'e kaydedin. 4. KL Düzeneğinin üzerindeki Fonksiyon Üreecini kullanarak, IN (TP1) ucuna 1KHz lik bir sinüzoidal işare uygulayın. OUT1 (TP5) çıkış ucuna osiloskop bağlayın. 5. Osiloskop ekranında görünülenen çıkış dalga şekli bozulmayacak şekilde, sinüzoidal sinyalin genliğini arırın. IN ucundaki giriş dalga şeklini ve OUT1 ucundaki çıkış dalga şeklini ölçün ve Tablo 9-1-1'e kaydedin. Giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki farz farkını karşılaşırın. A yi hesaplayın. 6. R12 (3.3KΩ) ile akaç arasındaki klipsi çıkarın. R D değerini R12 den R16 (6.8KΩ) ya değişirmek için # işareli klipsi devreye yerleşirin. 3. adımdan 5. adıma kadar olan işlemleri ekrarlayın. 9-6

7 7. Yeniden R D =R12 (3.3KΩ) yapın ve C3 (22μF) ü devre dışı bırakın. 3. adımdan 5. adıma kadar olan işlemleri ekrarlayın. R12 DS GS D Av = opp ipp Giriş/çıkış arasındaki faz farkı 3.3K GİRİŞ ÇIKIŞ R16 DS GS D Av = opp ipp Giriş/çıkış arasındaki faz farkı 6.8K GİRİŞ ÇIKIŞ 9-7

8 GİRİŞ C3 DS GS D Bağlı değil Av = opp ipp Giriş/çıkış arasındaki faz farkı ÇIKIŞ Tablo Şekil Kendinden öngerilimli orak-kaynak yükseleci 9-8

9 Şekil Bağlanı diyagramı (KL blok c) B. Gerilim Bölücülü Öngerilimli Orak Kaynak JFET Yükseleci 1. Şekil deki devre ve Şekil daki bağlanı diyagramı yardımıyla gerekli bağlanıları yapın. KL Düzeneğindeki sabi 12DC güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 2. DC volmere kullanarak, DS ve GS yi ölçün ve Tablo 9-1-2'ye kaydedin. 3. KL Düzeneğinin üzerindeki Fonksiyon Üreecini kullanarak, IN (TP1) ucuna 1KHz lik bir sinüzoidal işare uygulayın. OUT1 (TP5) çıkış ucuna osiloskop bağlayın. 4. Osiloskop ekranında görünülenen çıkış dalga şekli bozulmayacak şekilde, sinüzoidal sinyalin genliğini arırın. IN ucundaki giriş dalga şeklini ve OUT1 ucundaki çıkış dalga şeklini ölçün ve Tablo 9-1-2'ye kaydedin. Giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki farz farkını karşılaşırın. A yi hesaplayın. 5. # işareli klipsi çıkararak C3'ü devre dışı bırakın ve 2. adımdan 4. adıma kadar olan işlemleri ekrarlayın. 9-9

10 DS GS C3 DS GS C3 22µF Bağlı değil GİRİŞ ÇIKIŞ Av = opp ipp Giriş/çıkış arasındaki faz farkı Tablo Şekil Gerilim bölücü öngerilimli orak kaynak yükseleç 9-10

11 Şekil Bağlanı diyagramı (KL blok c) SONUÇLAR Bu deneyde, orak kaynaklı JFET yükselecin giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki faz farkı ve gerilim kazancı ölçülmüşür. Orak emeörlü ransisörlü yükseleçe olduğu gibi, giriş ve çıkış sinyalleri arasında 180 o faz farkı vardır. Gerilim kazancı, R D 'nin büyüklüğüne bağlıdır. R D değeri büyüdükçe, gerilim kazancı da armakadır (A =g m R d ',R d '=r d //R D ). Bunun yanında, kaynak köprüleme kondansaörü de gerilim kazancını ekilemekedir. Eğer köprüleme kondansaörü devre dışı bırakılırsa, negaif geribesleme oraya çıkığı için, orak kaynak yükselecin gerilim kazancı azalır. 9-11

12 DENEY 9-2 Orak-Akaçlı (CD) JFET Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Orak-akaçlı JFET yükselecin öngerilim düzenlemesini anlamak. 2. Orak-akaçlı JFET yükselecin saik ve dinamik karakerisiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET li orak-akaç yükseleç devresi Şekil 9-2-1'de göserilmişir. Bu yükselecin özellikleri orak kollekörlü ransisörlü yükseleç ile benzerdir. Orak akaçlı yükselecin ac karakerisikleri: Av = o s μ = 1 1+ μ (1'den biraz küçük) Rd + rd Zo = çok küçükür, Zo =Zo//Rs 1 + μ Çıkış sinyalinin fazı giriş sinyaliyle aynıdır. Z i çok büyükür (Z i = ). (a) Devre (b) AC eşdeğer devre Şekil Orak akaçlı JFET yükseleci 9-12

13 KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL Temel Elekrik Devresi Laborauarı 2. KL FET Devre Deney Modülü 3. Osiloskop DENEYİN YAPILIŞI A. Kendinden Öngerilimli Orak-Akaçlı JFET Yükseleci 1. KL modülünü, KL Temel Elekrik Devreleri Deney Düzeneğinin üzerine koyun ve c bloğunun konumunu belirleyin. Şekil deki devre ve Şekil eki bağlanı diyagramı yardımıyla gerekli bağlanıları yapın. KL Düzeneğindeki 12DC sabi güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 2. DC volmere kullanarak, G, S ve GS yi ölçün. G = S = GS = 3. KL Düzeneğinin üzerindeki Fonksiyon Üreecini kullanarak, IN (TP1) ucuna 1KHz lik bir sinüzoidal işare uygulayın. OUT2 (TP6) çıkış ucuna osiloskop bağlayın. 4. Osiloskop ekranında görünülenen çıkış dalga şekli bozulmayacak şekilde, sinüzoidal sinyalin genliğini arırın. IN ucundaki giriş dalga şeklini ve OUT2 ucundaki çıkış dalga şeklini ölçün ve Tablo 9-2-1'e kaydedin. Giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki farz farkını karşılaşırın. A yi hesaplayın. 9-13

14 GİRİŞ ÇIKIŞ Av = opp ipp Giriş/çıkış arasındaki faz farkı Tablo Şekil

15 Şekil Bağlanı diyagramı (KL blok c) B. Gerilim Bölücülü Öngerilimli Orak Akaç JFET Yükseleci 1. Şekil eki devre ve Şekil eki bağlanı diyagramı yardımıyla gerekli bağlanıları yapın. KL Düzeneğindeki 12DC sabi güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 2. DC volmere kullanarak, G, S ve GS yi ölçün. G = S = GS = 3. KL Düzeneğinin üzerindeki Fonksiyon Üreecini kullanarak, IN (TP1) ucuna 1KHz lik bir sinüzoidal işare uygulayın. OUT2 (TP6) çıkış ucuna osiloskop bağlayın. 4. Osiloskop ekranında görünülenen çıkış dalga şekli bozulmayacak şekilde, sinüzoidal sinyalin genliğini arırın. IN ucundaki giriş dalga şeklini ve OUT2 ucundaki çıkış dalga şeklini ölçün ve Tablo 9-2-1'e kaydedin. Giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki farz farkını karşılaşırın. A yi hesaplayın. 9-15

16 GİRİŞ ÇIKIŞ Av = opp ipp Giriş/çıkış arasındaki faz farkı Tablo Şekil

17 Şekil Bağlanı diyagramı (KL blok c) SONUÇLAR Bu deneyde, orak-akaçlı JFET yükselecin giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki faz farkı ve gerilim kazancı ölçülmüşür. Orak kollekörlü yükseleçe olduğu gibi, giriş ve çıkış sinyalleri arasında faz farkı yokur (0 o ). Orak-akaçlı JFET yükselecin gerilim kazancı 1'den biraz küçükür. 9-17

18 DENEY 9-3 Orak Kaynaklı (CS) MOSFET Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Orak kaynaklı MOSFET yükselecin öngerilim düzenlemesini anlamak. 2. Orak kaynaklı MOSFET yükselecin dinamik karakerisiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER Şekil de, n-kanallı kanal ayarlamalı MOSFET için gerilim bölücülü öngerilim devresi göserilmişir. Thevenin eoreminden, GQ = DD R G1 R G2 + R G2 GSQ = G - S = G DSQ = DD - I D (R S + R D ) I DQ = I DSS (1 GS P 2 ) Şekil N-kanallı kanal ayarlamalı MOSFET için gerilim bölücülü öngerilim devresi 9-18

19 KULLANILACAK ELEMANLAR 1. KL Temel Elekrik Devresi Laborauarı 2. KL FET Devre Deney Modülü 3. Osiloskop DENEYİN YAPILIŞI A. Kendinden Öngerilimli Orak-Kaynaklı MOSFET Yükseleç 1. KL modülünü, KL Temel Elekrik Devreleri Deney Düzeneğinin üzerine koyun ve d bloğunu belirleyin. Şekil deki devre ve Şekil eki bağlanı diyagramı yardımıyla gerekli bağlanıları yapın. KL Düzeneğindeki sabi 12DC güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 2. KL Düzeneğindeki Fonksiyon Üreecini kullanarak, IN ucuna 1KHz lik bir sinüzoidal işare uygulayın. OUT çıkış ucuna osiloskop bağlayın. 3. Osiloskop ekranında görünülenen çıkış dalga şekli bozulmayacak şekilde, sinüzoidal sinyalin genliğini arırın. IN ucundaki giriş dalga şeklini ve OUT ucundaki çıkış dalga şeklini ölçün ve Tablo 9-3-1'e kaydedin. Giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki farz farkını karşılaşırın. A yi hesaplayın. 4. # işareli klipsi çıkararak C7(22µF)'yi devre dışı bırakın. 2. ve 3. adımdaki işlemleri ekrarlayın. 9-19

20 C7=22µF C7 bağlı değil GİRİŞ ÇIKIŞ Av = opp ipp Giriş/çıkış arasındaki faz farkı Tablo Şekil Kendinden öngerilimli MOSFET CS yükseleç 9-20

21 Şekil Bağlanı diyagramı (KL25005 blok d) B. Gerilim Bölücülü Öngerilimli Orak-Kaynak JFET Yükseleci 1. Şekil eki devre ve Şekil eki bağlanı diyagramı yardımıyla gerekli bağlanıları yapın. KL Düzeneğindeki sabi 12DC güç kaynağını, KL modülüne bağlayın. 2. KL Düzeneğindeki Fonksiyon Üreecini kullanarak, IN ucuna 1KHz lik bir sinüzoidal işare uygulayın. OUT çıkış ucuna osiloskop bağlayın. 3. Osiloskop ekranında görünülenen çıkış dalga şekli bozulmayacak şekilde, sinüzoidal sinyalin genliğini arırın. IN ucundaki giriş dalga şeklini ve OUT ucundaki çıkış dalga şeklini ölçün ve Tablo 9-3-2'ye kaydedin. Giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki farz farkını karşılaşırın. A yi hesaplayın. 4. # işareli klipsi çıkararak C7(22µF)'yi devre dışı bırakın. 2. ve 3. adımdaki işlemleri ekrarlayın. 9-21

22 C7=22µF C7 bağlı değil GİRİŞ ÇIKIŞ Av = opp ipp Giriş/çıkış arasındaki faz farkı Tablo Şekil Gerilim bölücülü öngerilimli MOSFET CS yükseleç 9-22

23 Şekil Bağlanı diyagramı (KL25005 blok d) SONUÇLAR Bu deneyde orak kaynaklı MOSFET yükselecin giriş ve çıkış sinyalleri arasındaki faz farkı ve gerilim kazancı ölçülmüşür. Orak kaynaklı JFET yükselecinde olduğu gibi, orak kaynaklı MOSFET yükselecin giriş ve çıkış sinyalleri arasında da 180 o faz farkı vardır. Bunun yanında, kaynak köprüleme kondansaörü de gerilim kazancını ekilemekedir. Eğer köprüleme kondansaörü devre dışı bırakılırsa, negaif geribesleme oraya çıkığı için, orak kaynaklı MOSFET yükselecin gerilim kazancı azalır. 9-23

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversiesi Mühendislik Fakülesi * Elekrik-Elekronik Mühendisliği Bölümü Elekronik Anabilim alı * Elekronik Laborauarı I FET.Lİ KUETLENİİCİLE 1. eneyin Amacı FET Transisörlerle yapılan

Detaylı

Bölüm 11 Temel İşlemsel Yükselteç Devreleri

Bölüm 11 Temel İşlemsel Yükselteç Devreleri Bölüm 11 Temel İşlemsel Yükseleç Devreleri DENEY 11-1 Eviren Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Eviren yükselecin çalışma prensibini anlamak. 2. Eviren yükselecin giriş ve çıkış dalga şekilleri ile gerilim kazancını

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma özellikleri gözlemlenecekir.

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları

Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini

Detaylı

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak.

Bölüm 3 AC Devreler. 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. Bölüm 3 AC Devreler DENEY 3-1 AC RC Devresi DENEYİN AMACI 1. AC devrede, seri RC ağının karakteristiklerini anlamak. 2. Kapasitif reaktans, empedans ve faz açısı kavramlarını anlamak. GENEL BİLGİLER Saf

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6

Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 Süperpozisyon/Thevenin-Norton Deney 5-6 DENEY 2-3 Süperpozisyon, Thevenin ve Norton Teoremleri DENEYİN AMACI 1. Süperpozisyon teoremini doğrulamak. 2. Thevenin teoremini doğrulamak. 3. Norton teoremini

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN334 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 1: TRANZİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERDE GERİBESLEME I. EĞİTİM II.

Detaylı

DENEY NO: 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER

DENEY NO: 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEY NO: 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma prensipleri ve

Detaylı

BÖLÜM 7 GÜÇ (POWER) YÜKSELTECİ KONU: GEREKLİ DONANIM: ÖN BİLGİ: DENEYİN YAPILIŞI:

BÖLÜM 7 GÜÇ (POWER) YÜKSELTECİ KONU: GEREKLİ DONANIM: ÖN BİLGİ: DENEYİN YAPILIŞI: BÖLÜM 7 GÜÇ (POWER) YÜKSELTECİ KONU: 1. Transisörlü güç yükselecinin analizi ve çalışma karakerisiklerinin incelenmesi. GEREKLİ DONANIM: Osilaskop (Çif Kanallı) İşare Üreeci (Signal Generaor) DC Güç Kaynağı

Detaylı

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 3 TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 3 TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER T.. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİİLER Deneyi Yapanlar Grubu Numara

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II T.. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY : TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİİLER DENEY GRUBU :... DENEYİ YAPANLAR

Detaylı

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri

Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3

Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 Osiloskop ve AC Akım Gerilim Ölçümü Deney 3 DENEY 1-6 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II T.C. ULUDĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMRLIK FKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN4 ELEKTRONİK DEVRELER LBORTUVRI II DENEY 6: OSİLTÖRLER DENEY GRUBU :... DENEYİ YPNLR :......... RPORU HZIRLYN :...

Detaylı

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1 Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden

Detaylı

DENEY 5 RL ve RC Devreleri

DENEY 5 RL ve RC Devreleri UUDAĞ ÜNİVESİTESİ MÜHENDİSİK FAKÜTESİ EEKTİK-EEKTONİK MÜHENDİSİĞİ BÖÜMÜ EEM2103 Elekrik Devreleri aborauarı 2014-2015 DENEY 5 ve Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı : Deney Sonuçları (40/100)

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY ZAMANLAMA DEVRESİ

ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY ZAMANLAMA DEVRESİ T.. ULUDĞ ÜNİVESİTESİ MÜHENDİSLİK FKÜLTESİ ELEKTİK - ELEKTONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN334 ELEKTONİK DEVELE LBOTUVI II DENEY 6 ZMNLM DEVESİ Deneyi Yapanlar Grubu Numara d Soyad aporu Hazırlayan Diğer Üyeler

Detaylı

MOSFET Karakteristiği

MOSFET Karakteristiği Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI

DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI DENEY 1 1.1. DC GERİLİM ÖLÇÜMÜ 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-21001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. Devre elemanı üzerinden akım akmasını sağlayan

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri

DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.

Detaylı

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2

DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DC Akım/Gerilim Ölçümü ve Ohm Yasası Deney 2 DENEY 1-3 DC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. DC gerilimin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. KL-22001 Deney Düzeneğini tanımak. 3. Voltmetrenin nasıl kullanıldığını

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI

DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 6 KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIM DAVRANIŞI DENEY 6: KONDANSATÖRÜN VE BOBİNİN DOĞRU AKIMDA DAVRANIŞI 1. Açıklama Kondansatör doğru akımı geçirmeyip alternatif akımı

Detaylı

DENEY 4. Rezonans Devreleri

DENEY 4. Rezonans Devreleri ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2012-2013 Bahar DENEY 4 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siir Üniversiesi Elekrik-Elekronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kiabı): Fundamenals of Elecric Circuis Charles K. Alexander Mahew N.O. Sadiku McGraw Hill,

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle

Detaylı

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ

SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ SAYISAL DEVRE TASARIMI LABORATUVARI DENEY 1: TEMEL LOJİK KAPI KARAKTERİSTİKLERİNİN ÖLÇÜMÜ DENEYİN AMACI 1. Temel lojik kapı sembollerini ve karakteristiklerini anlamak. GENEL BİLGİLER TTL kapıların karakteristikleri,

Detaylı

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz.

ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI. NOT: Devre elemanlarınızın yanma ihtimallerine karşın yedeklerini de temin ediniz. Deneyin Amacı: Kullanılacak Materyaller: ĠġLEMSEL KUVVETLENDĠRĠCĠLERĠN DOĞRUSAL UYGULAMALARI LM 741 entegresi x 1 adet 22kΩ x 1 adet 10nF x 1 adet 5.1 V Zener Diyot(1N4655) x 1 adet 100kΩ potansiyometre

Detaylı

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi

Şekil 6.1 Faz çeviren toplama devresi 23 Deney Adı : İşlemsel Kuvvetlendiricinin Temel Devreleri Deney No : 6 Deneyin Amacı : İşlemsel kuvvetlendiricilerle en ok kullanılan devreleri gerekleştirmek, fonksiyonlarını belirlemek Deneyle İlgili

Detaylı

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI

ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 2 Thevenin Eşdeğer Devreleri ve Süperpozisyon İlkesi 1. Hazırlık a. Dersin internet sitesinde yayınlanan Laboratuvar Güvenliği ve cihazlarla ilgili bildirileri

Detaylı

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)

EEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER) EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II

ANALOG ELEKTRONİK - II ANALOG ELEKTONİK - II BÖLÜM Temel Opamp Devreleri Konular:. Eviren ve Evirmeyen Yükseleç. Temel ark Alıcı.3 Gerilim İzleyici.4 Türev ve Enegral Alıcı Amaçlar: Bu bölümü biirdiğinizde aşağıda belirilen

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 11 Deney Adı: OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri Malzeme Listesi:

Detaylı

Bölüm 1 Diyot Karakteristikleri

Bölüm 1 Diyot Karakteristikleri Bölüm 1 Diyot Karakteristikleri DENEY 1-1 PN-Jonksiyon Diyot Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. PN-jonksiyon diyotlarının karakteristiklerini anlamak. 2. Farklı diyot tiplerinin kendine özgü özelliklerini

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler)

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) 1- Transistör (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakkında temel bilgi Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akıma göre C (kolektör)-e (emiter) uçlan

Detaylı

RL, RC ve RLC DEN OLUŞMUŞ DEVRELERDE GEÇİCİ REJİMLERİN İNCELENMESİ

RL, RC ve RLC DEN OLUŞMUŞ DEVRELERDE GEÇİCİ REJİMLERİN İNCELENMESİ DNY NO: 6, C ve C DN OUŞMUŞ DVD GÇİCİ JİMİN İNCNMSİ Deneyin Amacı: Birinci derece elekrik devrelerinin zaman domeninde incelenmesi ve davranışlarının analiz edilmesi amaçlanmakadır. Genel Bilgiler: Bir

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VI. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VI. DENEY FÖYÜ ELEKTİK DEELEİ-2 LABOATUAI I. DENEY FÖYÜ ALTENATİF AKIM DEESİNDE GÜÇ ÖLÇÜMÜ Amaç: Alternatif akım devresinde harcanan gücün analizi ve ölçülmesi. Gerekli Ekipmanlar: AA Güç Kaynağı, 1kΩ Direnç, 0.5H Bobin,

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE

ANALOG ELEKTRONİK - II YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE BÖLÜM 7 YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE KONU: Opamp uygulaması olarak; 2. dereceden Yüksek Geçiren Aktif Filtre (High-Pass Filter) devresinin özellikleri ve çalışma karakteristikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM:

Detaylı

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının

Detaylı

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT

DENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100

Detaylı

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEY-6 LOJİK KPILR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN MCI: Bu deneyde emel manık kapıları (logic gaes) incelenecek ek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecekir. ÖN HZIRLIK Temel lojik kapı devrelerinden

Detaylı

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER

BÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL

Detaylı

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ

dq I = (1) dt OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ OHM YASASI ve OHM YASASI İLE DİRENÇ ÖLÇÜMÜ AMAÇLAR Ohm yasasına uyan (ohmik) malzemeler ile ohmik olmayan malzemelerin akım-gerilim karakteristiklerini elde etmek. Deneysel akım gerilim değerlerini kullanarak

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

BÖLÜM 3 ALTERNATİF AKIMDA SERİ DEVRELER

BÖLÜM 3 ALTERNATİF AKIMDA SERİ DEVRELER BÖÜM 3 ATENATİF AKMDA SEİ DEVEE 3.1 - (DİENÇ - BOBİN SEİ BAĞANMAS 3. - (DİENÇ - KONDANSATÖÜN SEİ BAĞANMAS 3.3 -- (DİENÇ-BOBİN - KONDANSATÖ SEİ BAĞANMAS 3.4 -- SEİ DEVESİNDE GÜÇ 77 ATENATİF AKM DEVE ANAİİ

Detaylı

1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek.

1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek. DENEY 7-2 Sayıcılar DENEYİN AMACI 1. Sayıcıların çalışma prensiplerini ve JK flip-floplarla nasıl gerçekleştirileceğini anlamak. 2. Asenkron ve senkron sayıcıları incelemek. GENEL BİLGİLER Sayıcılar, flip-floplar

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı

Şekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için

Detaylı

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI II. DENEY FÖYÜ

ELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI II. DENEY FÖYÜ ELEKRİK DERELERİ-2 LABORAUARI II. DENEY FÖYÜ 1-a) AA Gerilim Ölçümü Amaç: AA devrede gerilim ölçmek ve AA voltmetrenin kullanımı Gerekli Ekipmanlar: AA Güç Kaynağı, AA oltmetre, 1kΩ direnç, 220Ω direnç,

Detaylı

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri

Mekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN

Detaylı

KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I. I kd = r. Şekil 1.

KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I. I kd = r. Şekil 1. KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I THEENİN ve NORTON TEOREMLERİ Bir veya daha fazla sayıda Elektro Motor Kuvvet kaynağı bulunduran lineer bir devre tek

Detaylı

Bölüm 13 OPAMP lı Karşılaştırıcı ve Osilatör Devreleri

Bölüm 13 OPAMP lı Karşılaştırıcı ve Osilatör Devreleri Bölüm 13 OPAMP lı Karşılaştırıcı ve Osilatör Devreleri DENEY 13-1 Karşılaştırıcılar DENEYİN AMACI 1. Karşılaştırıcı devrelerin çalışma prensiplerini anlamak. 2. Sıfır karşılaştırıcıların giriş ve çıkış

Detaylı

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör

ÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör DENEY 7 : OSİLATÖR UYGULAMASI AMAÇ: Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörün temel çalışma prensipleri MALZEMELER: Güç Kaynağı: 12VDC, 5VDC Transistör: BC108C veya Muadili

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır.

Avf = 1 / 1 + βa. Yeterli kazanca sahip amplifikatör βa 1 şartını sağlamalıdır. Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. 2 OSİLATÖRLER 1. Ön Bilgiler 1.1 Osilatör Osilatörler DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik enerjisine

Detaylı

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi

DENEY 3. Maksimum Güç Transferi ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2014-2015 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

PN-Jonksiyon ve Zener Diyot Karakteristikleri Deney 1. Elektronik Laboratuvarı

PN-Jonksiyon ve Zener Diyot Karakteristikleri Deney 1. Elektronik Laboratuvarı PN-Jonksiyon ve Zener Diyot Karakteristikleri Deney 1 1 DENEY 1-1 PN-Jonksiyon Diyot Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. PN-jonksiyon diyotlarının karakteristiklerini anlamak. 2. Farklı diyot tiplerinin

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

Bölüm 7 FM Modülatörleri

Bölüm 7 FM Modülatörleri Bölüm 7 FM Modülatörleri 7.1 AMAÇ 1. Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi 2. Gerilim kontrollü osilatörün(vco) çalışma prensibinin anlaşılması. 3. Gerilim kontrollü osilatör

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

FİZİK II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ

FİZİK II LABORATUVARI DENEY FÖYÜ ELAL BAYA ÜNİESİTESİ / FEN-EDEBİYAT FAKÜLTESİ / FİZİK BÖLÜMÜ FİZİK LOATUA DENEY FÖYÜ. DİENÇ E ELEKTOMOTO KUETİNİN ÖLÇÜLMESİ. OHM YASAS. KHHOFF YASALA 4. ELEKTİK YÜKLEİNİN DEPOLANŞ E AKŞ AD SOYAD: NUMAA:

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye

Detaylı

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR

ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR ALTERNATĐF AKIM (AC) I AC NĐN ELDE EDĐLMESĐ; KARE VE ÜÇGEN DALGALAR 1.1 Amaçlar AC nin Elde Edilmesi: Farklı ve değişken DC gerilimlerin anahtar ve potansiyometreler kullanılarak elde edilmesi. Kare dalga

Detaylı

BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LABORATUARI - I DENEYLERİ

BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LABORATUARI - I DENEYLERİ BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LABORATUARI - I DENEYLERİ Dersin Sorumlusu Yrd. Doç. Dr. Rukiye UZUN 1 BÜLENT ECEVİT ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ

Detaylı

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ

DEVRE ANALİZİ DENEY FÖYÜ DEVRE NLİZİ DENEY FÖYÜ 2013-2014 Ders Sorumlusu: Yrd. Doç. Dr. Can Bülent FİDN Laboratuvar Sorumluları: İbrahim TLI : Rafet DURGUT İÇİNDEKİLER DENEY 1: SERİ VE PRLEL DİRENÇLİ DEVRELER... 3 DENEY 2: THEVENİN

Detaylı

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ

ELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM21 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:

Detaylı

DENEY 2-1 VEYA DEĞİL Kapı Devresi

DENEY 2-1 VEYA DEĞİL Kapı Devresi DENEY 2-1 VEYA DEĞİL Kapı Devresi DENEYİN AMACI 1. VEYA DEĞİL kapıları ile diğer lojik kapıların nasıl gerçekleştirildiğini anlamak. GENEL BİLGİLER VEYA DEĞİL kapısının sembolü, Şekil 2-1 de gösterilmiştir.

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ

KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı

Detaylı

DENEY 1-3 ÖZEL VEYA KAPI DEVRESİ

DENEY 1-3 ÖZEL VEYA KAPI DEVRESİ DENEY 1-3 ÖZEL VEYA KAPI DEVRESİ DENEYİN AMACI 1. ÖZEL VEYA kapısının karakteristiklerini anlamak. GENEL BİLGİLER ÖZEL VEYA kapısının sembolü Şekil 1-8 de gösterilmiştir. F çıkışı, A B + AB ifadesine eşittir.

Detaylı

EEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3

EEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3 GERĐLĐM BÖLÜCÜ EEM 0 DEVRE TEORĐSĐ I 3. Amaçlar: Yük Olmadan Gerilim Bölücü Đşlemi: Yüksüz gerilim bölücü devrede gerilim oranlarının ölçülmesi. Gerilim bölücü formülü. Yük Altında Gerilim Bölücü: Yük

Detaylı

BÖLÜM 4 AM DEMODÜLATÖRLERİ

BÖLÜM 4 AM DEMODÜLATÖRLERİ BÖLÜM 4 AM DEMODÜLATÖRLERİ 4.1 AMAÇ 1. Genlik demodülasyonunun prensibini anlama.. Diyot ile bir genlik modülatörü gerçekleştirme. 3. Çarpım detektörü ile bir genlik demodülatörü gerçekleştirme. 4. TEMEL

Detaylı

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ

DENEY 6: SERİ/PARALEL RC DEVRELERİN AC ANALİZİ A. DENEYİN AMACI : Seri ve paralel RC devrelerinin ac analizini yapmak. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Sinyal Üreteci, 2. Osiloskop, 3. Değişik değerlerde direnç ve kondansatörler. C. DENEY İLE

Detaylı

DENEY 9: THEVENİN VE NORTON TEOREMİ UYGULAMALARI

DENEY 9: THEVENİN VE NORTON TEOREMİ UYGULAMALARI A. DENEYİN AMACI : Thevenin ve Norton teoreminin daha iyi bir şekilde anlaşılması için deneysel çalışma yapmak. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Multimetre 2. DC Güç Kaynağı 3. Değişik değerlerde

Detaylı

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

5. Bölüm: BJT DC Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 5. ölüm: JT D Öngerilimleme Doç. Dr. rsan KAAL 1 Öngerilimleme Transistörün düzgün bir şekilde çalışması için öngerilimlenmesi gerekir. DA çalışma noktasını oluşturmak için birçok yöntem vardır. Öngerilimleme

Detaylı