FET Avantajları: Dezavantajı:

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "FET Avantajları: Dezavantajı:"

Transkript

1 FET Alan Etkili Transistör (Field Effect Transistor), 3 uçlu bir grup yarı iletken devre elemanının genel adıdır. Bu gruptaki transistörler kendi aralarında birtakım kategorilere ayrılır ve isimlendirilir. Aşağıda alan etkili transistör çeşitleri görülmektedir. Alan etkili transistör; Jonksiyon FET (JFET) veya metal oksitli yarı iletken JFET (MOSFET) olarak yapılır ve isimlendirilir. Her iki tip transistörün de n kanallı ve p kanallı olmak üzere iki tipte üretimi yapılır. n kanallı JFET'lerde iletim elektronlarla, p kanallı JFET lerde ise oyuklarla sağlanır. FET'lerin yapımı basit ve ekonomik olduğundan dolayı oldukça çok kullanım alanı bulmuştur. JFET lerin bipolar transistörlere göre önemli farklılıkları vardır. Avantajları: JFET'in giriş empedansı çok yüksektir. (BJT de 2 KΩ iken FET lerde yaklaşık 100 M Ω) Anahtar olarak kullanıldığında, sapma gerilimi yoktur. JFET'in gürültü seviyesi bipolar transistörlere nazaran azdır. Bu nedenle FET, alçak ve yüksek frekanslarda kullanılabilir. JFET, iyi bir sinyal kırpıcı olarak çalışır. JFET'in sıcaklık kararlılığı daha iyidir. Sıcaklık değişimlerinden pek etkilenmez. JFET'in radyasyon etkisi yoktur ve radyasyondan az etkilenir. BJT lere göre daha küçüktür. Bu nedenle entegrelerde daha fazla kullanılır. Dezavantajı: Bant genişliklerinin dar olması ve çabuk hasar görebilmesidir.

2 JFET (Eklem alan etkili transistör) 3 terminalli bir yarıiletkendir. Drain (akaç), source (kaynak) ve gate (kapı) n-kanal p-kanal JFET'ler; n kanallı ve p kanallı olmak üzere iki tipte üretilir. JFET sembolünde, gate ucunda bulunan okun yönü kanal tipini ifade eder. Ok yönü içeri doğru ise N kanal JFET, ok yönü dışarıya doğru ise P kanal JFET olduğu anlaşılır. n kanallı JFET ile p kanallı JFET in çalışma prensibi aynıdır. Tek fark akım yönleri ile polarma gerilimlerinin ters olmasıdır. JFET'e polarma gerilimleri uygulandığında meydana gelen akım ve gerilimler aşağıdaki şekil üzerinde gösterilmiştir.

3

4 n kanal JFET in karakteristik eğrileri. Kanalın tamamen kapanıp akım geçirmemesine neden olan ters gerilim değerine gate-source daralma gerilimi (pinch-off) adı verilir: Bu değer VP ile ifade edilir. Eğer drain kaynak voltajı daha fazla arttırılırsa, ters polarmalı gate ekleminin bozulma olayı (breakdown) meydana gelir. Bu ise yüksek bir ID akımına neden olarak JFET hasara uğrar. N kanal FET te VGS gerilimi, 0 ile -Vp arasında değiştirilerek ID akımı kontrol edilir. P kanal FET te ise ID akımının kontrolu için VGS gerilimi 0 ile Vp arasında değiştirilir. Kesimdeki VGS değerine VGS(off ) da denir. VGS(off ) ile Vp mutlak değer olarak birbirine eşittir. Katalogların çoğunda sadece VGS(off ) değeri verilir. Bu değer 10 na gibi çok küçük bir akımda tanımlanır.

5 FET'in bir diğer önemli karakteristiği ise, Transfer Karakteristiği olarak adlandırılır. Transfer karakteristiği eğrisi; sabit bir drain-source (VDS) geriliminde, gatesource (VGS) geriliminin fonksiyonu olarak elde edilen drain akımının (ID) eğrisini gösterir. Transfer karakteristiği aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi elemanın iki önemli parametresi olan VP ve IDSS değerlerini verir. Transfer karakteristiği eğrisi matematiksel olarak; Diğer taraftan ID=0 için, eşitlik VGS=VP durumunu sağlar. IDSS ve VP değerleri imalatçı kataloglarında verilir. Bu değerlerden yararlanılarak transfer karakteristiği çizilebilir. Transfer karakteristiği eğrisinden ve değerlerden faydalanarak ID değerleri de hesaplanabilir.

6 İleri Yön Geçiş İletkenliği FET de ileri yön geçiş iletkenliği gm, VDS gerilimi sabit iken, ID akımındaki değişimin VGS gerilimindeki değişime oranı olarak tanımlanır. FET in transfer karakteristiği lineer olmadığı için gm çalışma noktasına bağlı olarak değişir. Aşağıdaki Şekilde farklı çalışma noktalarında gm in bulunması gösterilmiştir. VGS= 0 iken gm değeri gm0 olarak tanımlanır. Herhangi bir noktadaki gm değeri, gm0 a göre aşağıdaki eşitlikle hesaplanır.

7 MOSFET JFET'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için, JFET'in girişine bağlanan sinyal kaynağından çekilen küçük miktardaki ters beyz gate akımı, sinyal kaynağını yükler. Bu yükleme etkisini azaltmak ve frekans cevabını geliştirmek için JFET'lere göre daha fazla gelişmiş başka bir alan etkili transistör yapılmıştır. Alan etkili transistörün (FET) geliştirilmiş tipi genellikle MOSFET olarak bilinen metal oksit yarı iletkendir. MOSFET kelimesinin açılımı metal oxide semiconductor field effect transistordür (Metal oksit yarı iletken alan etkili transistör). MOSFET, İngilizce açılımının baş harfleri bir araya getirilerek oluşturulmuştur. İzole edilmiş gate (gate ucu kanaldan yalıtılmıştır) özelliğinden dolayı MOSFET'lerin giriş empedansı son derece yüksek olup (10 14 ) elektrodlar arası iç kapasitansı çok küçüktür. Bundan dolayı MOSFET'ler normal transistörlerin, frekans sahasının çok daha üstündeki frekanslarda ve yüksek giriş empedanslı yükselteçlere ihtiyaç duyulan devrelerde daha fazla kullanılırlar. Bunun için MOSFET'ler voltmetre, ohmmetre ve diğer test aletlerinde kullanılırlar. MOSFET'lerde, JFET'lere ve klasik transistörlere nazaran gürültü daha az olup, band genişliği daha fazladır. MOSFET'lerin bu üstünlüklerine nazaran bazı sakıncaları vardır. MOSFET yapısındaki ince silikon oksit tabakası, kolaylıkla tahrip olabilir. MOSFET'e elle dokunulması halinde insan vücudu üzerindeki elektrostatik yük nedeniyle oksit tabakası delinerek, kullanılmayacak şekilde harap olabilir. Bundan dolayı MOSFET'ler, özel ambalajlarında korunmaya alınmalı, MOSFET'e dokunmadan önce kullanıcı, üzerindeki elektrostatik yükü topraklayarak boşaltmalıdır. MOSFET ler şu şekilde sınıflandırılır: 1. Azalan (Boşluk şarjlı, depletion tipi) D-MOSFET 2. Çoğalan (Enhancement) tipi E-MOSFET JFET'lerde olduğu gibi yine kendi aralarında, n-kanallı ve p-kanallı azalan ve çoğalan tip olarak ayrılır. D-MOSFET D-MOSFET in temel yapısı aşağıda gösterilmiştir. D-MOSFET te D ve S altkatman malzeme üzerine katkılanarak, kapıya komşu olan dar bir kanal ile birbirine bağlanmıştır. D-MOSFET N kanal ve P kanal olabilir.

8 Kapı kanaldan izole olduğu için kapıya negatif veya pozitif gerilim uygulanabilir. D-MOSFET kapısına negatif gerilim uygulanırsa Azaltma (Depletion), pozitif gerilim uygulanırsa Arttırma (Enhacement) modunda çalışır. D-MOSFET te kapı ve kanal bir kapasitenin iki paralel plakası ve SiO2 tabakası bir dielektrik malzeme gibidir. Transfer Eğrileri

9 E- MOSFET E MOSFET in yapı ve sembolü aşağıda gösterilmiştir. E-MOSFET te fiziksel bir kanal yoktur. N kanal E-MOSFET te kapıya uygulanan gerilim eşik değerinde, SiO2 tabakasına komşu olan P malzemesinde ince bir negatif yük tabakası ve bir kanal oluşturur. Eşik geriliminin altında bir kanal oluşmaz. Kapı kaynak arasındaki pozitif gerilim arttırıldığında kanala daha çok elektron çekilir ve kanalın iletkenliği artar.

10 Transfer eğrileri I D Aktif Bölge Lineer Bölge R D V DD /R D V GS5 =V GSon I D + R G I G + V DS V DD V GS4 V G V GS V GS3 V FT V DD V GS2 V GS1 =V GST V DSS V DS Kapı gerilimi ile mosfet akımı arasındaki bağıntı; ID= gm.vgs gm katsayısı üretici firmalar tarafından bilgi sayfalarında verilmektedir. Güç elektroniğinde mosfet, ya hic kapı gerilimi uygulanmadan yada yeterli seviyede uygulanarak anahtarlama modunda kullanılmalıdır. BJT den farklı olarak anahtarlama elemanı olarak çalışan mosfet iletimde iken bir dirençe eşit olur. İletimde durumunda üzerine düşem gerilim; VDS=rD ID Ancak, iletim direnci sıçaklıkla doğru orantılıdır. Mosfet anahtarlama güç kaybı en az, iletim güç kaybı en fazla olan yarıiletkendir. 100A-1000V değerlerine kadar bulunabilen mosfetler, düşük gerilim-yüksek frekanslı (100kHz) DC-DC dönüştürücü ve inverterlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.

11 Bütün mosfetlerin dahili bir ters-paralel diyotları mevcuttur. Mosfet bilgi sayfalarında, bu diyot hakkında yeterli bilgi verilmektedir. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) Günümüzde güç elektroniği uygulamalarında en fazla kullanılan elemanlardan birisi olan IGBT, transistör (BJT) ile Emosfet karısımı özel bir elemandır. BJT nin iyi tarafı iletim iç direncinin dolayısıyla da iletim kayıplarının düsük olmasıdır. Kötü tarafı ise anahtarlanma süresinin uzun olması dolayısıyla da anahtarlama kayıplarının yüksek olmasıdır. E-Mosfet lerde ise BJT ye göre tam tersi durum söz konusudur. Yani Mosfet in kötü tarafı, iletim iç direncinin yüksek dolayısıyla da iletim kayıpları transistöre göre daha fazla olmasıdır. İyi tarafı ise, yüksek giriş empedansı ve anahtarlanma süresinin düsük, dolayısıyla da anahtarlama kayıplarının transistöre göre daha az olmasıdır. Her iki elemanın iyi özellikleri alınarak yeni bir eleman gelistirilmistir. Bu eleman girisi mosfet gibi yapılandırılmıs çıkısı ise transistör gibi yapılandırılmıs olan IGBT dir. IGBT nin yapısı, temel devresi ve tipik eğrisi şekilde görülmektedir. Burada VGET : Kapı eşik gerilimi (4V civarında) VCET : CE eşik gerilimi (>2V) VCER : CE devrilme gerilimidir. I C V DD /R C R C V GE5 =V GES C I C + R G I G V GE4 + V CE V DD G V G V GE3 V GE E V RB V GE2 V GE1 =V GET V CE V CET V DD V CER IGBT nin anahtarlama hızı ve gerilim düşümü değerleri MOSFET ve BJT arasındadır. Kapı gerilim MOSFET te olduğu gibi bir eşik değerine sahiptir (VGET). Çıkış geriliminde BJT den farklı olarak bir bir eşik değeri (VCET) bulunmaktadır. Bu eşik gerilimine rağmen, iletim direnci çok küçük olan IGBT nin büyük akımlardaki gerilim düşümü MOSFET e göre çok küçüktür. IGBT nin ters dayanma gerilimi BJT gibi küçüktür. 500V-2000V a kadar bulunabilen IGBT

12 ler 1usn mertebesinde anahtarlama sürelerine sahiptir. Pratikte düşük gerilimli uygulamalarda MOSFET, daha yüksek gerilim (400V ve üstü) uygulamalarında IGBT tercih edilmektedir. DC-DC dönüstürücü (DC kıyıcı) ve DC-AC dönüstürücü (İnvertör) devrelerinde tercih edilen IGBT ler, orta frekanslara (20kHz) gerilim kontrollu anahtar olarak kullanılmaktadır. IGBT yarıiletkenleri, iki kutuplu eklem tranzistörleri gibi iletim kayıpları düşük olmasına rağmen MOSFET ler gibi de yüksek hızlara sahiptirler. Giriş impedansları yüksek olup, iletim hızları yüksektir. İki kutuplu eklem tranzistörleri ile karşılaştırıldıklarında, iletim akım ve gerilim yoğunlukları fazla olduğundan onlardan daha hızlı anahtarlama yapabilirler. İletim kayıplarının MOSFET lere oranla daha düşük olmasından dolayı da yüksek gerilimli uygulamalarda, MOSFET lerin yerine tercih edilirler. Akımın sıfır geçişinde anahtarlama veya rezonans anahtarlama tekniklerinin kullanılmasıyla yüzlerce KHz anahtarlama frekans oranlarında çalıştırılabilirler. İletime geçme hızları MOSFET lerden hızlı fakat kesime geçme hızları daha düşüktür. 1KHz ile 50KHz arasında iki kutuplu eklem tranzistörleri, MOSFET ler ve tristörlere tercih edilirler. Tristörlerle karşılaştırıldıklarında, onlardan çok hızlı anahtarlama yapabilirler. Gerilim değişim hızları dv/dt daha iyi olup, kesime girmeleri için tristörler gibi söndürme devrelerine gerek duymazlar. Kapıdan söndürmeli tristörler (GTO) bile ters bir akım akıtarak kesime girmesine karşılık, IGBT lerin kesime girmesi için kapı kapasitelerinin boşalması kesime girmesi için yeterlidir. IGBT lerin MOSFET lerden bir farkı da ters paralel bağlı bir diyotlarının olmayışıdır. Bu nedenle devre tasarımcıları, motor denetiminde IGBT kullandıklarında yükte oluşabilecek zıt emk ların olumsuz etkilerini önlemek için devreye ters paralel bağlı bir diyot kullanırlar. BJT ve IGBT lerin iletim kaybı, elemanın iletim gerilim düşümüne bağlıdır. MOSFET te ise iletim kaybı Rds direnci tarafından belirlenir. MOSFET IGBT BJT Akım (A) Gerilim (V) RDS (Ω) 25 o 0,2 0,24 0,18 RDS (Ω) 150 o 0,6 0,23 0,24 Anahtarlama süresi (ns) Benzer akım gerilim oranlarına sahip bu üç elemanın boyut olarak sıralanması BJT>IGBT>MOSFET.

13 TRİSTÖR (SCR:Silicon Controlled Rectifier),Yarıiletken denetimli doğrultucu Tristör, yarı iletken 4 tabaka ve 3 ekleme sahip, 2 ana ve 1 kontrol terminali bulunan, kontrollü bir yarı iletkendir. Tristörler, SCR olarak da tanımlanırlar. Güç denetimi ana devre elemanlarının en önemlilerinden biridir. Dört ayrı yarıiletken tabakadan oluşmuştur. Çalışması, seri bağlı npn ve pnp tipli iki tranzistörün çalışması gibidir. Tristörün tranzistör eşdeğer devresi, Şekil 2.72.(c) den görüldüğü gibi, npn ve pnp tipi iki tranzistörün biri birini sürecek şekilde bağlanmasından oluşmuştur. Kapıdan T2 tranzistörünün bazına gerilim uygulanırsa T1'in bazına bağlı olarak IC kollektör akımı akmaya başlar. Akım denklemleri; IC1 = 1.IA + ICB01 IC2 = 2 IK + ICB02 IK = IA + IG IA = IC1 + IC2 IA = 1.IA + ICB IK + ICB02 IA = 1.IA + ICB (IA + IG) + ICB02 IA =( 2 IG + ICB01+ ICB02)/(1-1+ 2) IG=0 ise 1+ 2 çok düşüktür bundan dolayı payda 1 den çok küçük olmaz ve küçük anot akımı oluşur. IG yeterince büyük olursa 1+ 2=1 olur ve tristörden sonsuz akım akar(sınırlanmalıdır). ICB01 ve ICB02 emiter açık durumda her iki transistörün kollektör sızıntı akımlarıdır.

14 Akımın düşük değerlerinde 1 ve 2 değerleri de küçüktür. Taşıyıcı yoğunluk etkisinden dolayı küçük olan bu değerler, akımın artmasıyla hızla artarlar. Klasik anlamda kapıdan iletime sürme, bu kapı akım kazancına dayanılarak yapılır. SCR çok yaygın olarak kullanılan bir güç denetim elemanıdır. Tek bir tristör, milyonlarca Watt'lık gücü denetleyebilir. Seri-paralel bağlama ile 100MW kademelerindeki güçler denetlenebilir. Tristörün iletimi Tristörün anoduna ( ) katoduna (+) yönde bir gerilim uygulandığında, Şekilden görüldüğü gibi, kapı devresindeki s anahtarı kapatılsa bile tristör iletmeyecektir. Yani kesim bölgesinde çalışacaktır. Bu bölgede, tristör bir diyot gibidir. R (potansiyometre) ayarlı direnci ile tristör uçlarındaki VAK ters gerilimi arttırılarak VRB negatif devrilme gerilimine ulaştığında, diyotlarda olduğu gibi, ters yönde tristörden bir akım akar ve tristör iletken hale gelir. Şekil (a) daki devrede olduğu gibi, tristörün anoduna (+) katoduna ( ) olmak üzere bir gerilim uygulandığında, tristör iletime kutuplanmış olur. Kapı devresine, s anahtarı kapatılarak, bir tetikleme gerilimi uygulandığında tristör iletime geçer.

15 R R V G + - s I G G A K SCR I A (a) + Değişken - V K + V G - s I G G A K SCR (b) - Değişken + V K I A [A] I H (1) (2) I GH>I G1>I G2>I G3>I Gn>I G0=0 (yani tetikleme yok) (5) V RB (6) (4) (7) 0 V TT V 1 V 2 V 3 V n V FB0(I G=0) V A [V] (c) Tristörün (a)iletime kutuplama, (b)kesime kutuplama, (c)iletim-kesim-tıkama özeğrileri. (3) V latc V latc (8) Şekildeki iletim-kesim özeğrisinden görüldüğü gibi, SCR, IH tutma akımı (Holding current) değerine kadar iletime girmez. IA anot akımı bu değerin üstüne çıktığında, SCR hızla iletim konumuna geçerek anot akımı da artmaya başlar. Anot akımı herhangi bir nedenle bu IH tutma akımının altına inerse, SCR kesime girmiş olur. Tutma akımı SCR'de, negatif direnç özelliği gibi davranış gösterir. Ters gerilim tutma ve iletim özellikleri diyoda eşdeğer olan tristör, ek olarak ileri yönde gerilim tutma ve kontrol özelliklerine sahiptir. Tristör, kapı akımı uygulanmadığında, uygulanan pozitif gerilimi tutar ve akım geçirmez. Ancak uygulanan gerilim seviyesi sıfır devrilme gerilimi (VFB0) değerine ulaşırsa kendiliğinden iletime geçer. Tristör, kapı devresine kısa süreli bir akım darbesi ile devrilerek iletime geçer (tetiklenme). Tetikleme akımı A-K uçlarına uygulanan gerilimin seviyesine bağlıdır. Bu gerilim artıkça tetikleme akımı düşer. Ayrıca bu akım sıcaklığada bağlıdır. Kesimde olan ve uçlarına pozitif gerilim uygulanan bir trsitör G ucuna yeterli bir akım darbesi uygulandığında iletime geçer. Tristörün içinden geçen akım tutma (IH) akımının üstüne çıktığında tristör iletime kilitlenir ve bir diyota dönüşür (kapı akımından etkilenmez).

16 İletimde olan bir tristör, içerisinden geçen akım tutma akımın altına indiğinde yada indirildiğinde kesime gider. Sönme süresi kadar (tq) kadar kesimde kalmak zorundadır. Tristör kontrol sinyali ile kesime girmediği için yarı kontrollü güç elemanıdır. Tristörlerin çeşitli şartlarda iletimi sağlanabilir. i1-gerilim etkisiyle iletim (VA > VFB0) Tristör anot-katot uçlarına pozitif yönde bir gerilim uygulandığında kapı akımı sıfır bile olsa bu gerilim sıfır devrilme gerilimine ulaşınca görüldüğü gibi iletime geçer. Yani 1+ 2=1 olur demektir. Anot gerilimi VA, sıfır iletim devrilme gerilimi VFB0 değerinin üzerinde ise, kapı akımı sıfır olduğu durumda, e2 eklemi akımı etkisiyle oluşan elektrik alanı, diğer eklemleri da iletime sürer. Fakat işletmede bu tip iletime sürme şekli kullanılmaz. Çünkü, tristör böyle iletime geçerken zarar görebilir. Yani e2 eklemi ile silisyum tabaka temasındaki bölgede, alan etkisiyle anahtarlama akımı çığ şeklinde artmasına neden olur, ve tristörü iletime geçmeden termik olarak yükleyerek zarar verebilir. Anahtarlama kayıpları, anot geriliminin karesiyle orantılı olduğundan sıfır iletim devrilme geriliminden büyük anot gerilimleri tristör için zararlı olur. i2-hız etkisiyle iletim (Gerilim değişme hızı dvak/dt < dvak/dt krt) SCR'nin tranzistör eşdeğer devresinde baz-kollektör arasında bir kapasite görünür. Dolayısıyla dv/dt oranı yüksek olduğunda yani anot-katot gerilimi çok ani yükseldiğinde bu kapasitenin etkisiyle sıfır devrilme gerilimine gelmeden önce tristör iletime geçer. Her tristör için kritik bir dva/dt değeri vardır. Gerilim yükselme hızı bu değeri aşınca, tristör kapı ucundan bir uyarma olmazsa bile iletime geçer. Bu kritik değere, kritik gerilim yükselme hızı dva/dt krt denir. i3-sıcaklık etkisiyle iletim (TJ TJüretim) Yüksek sıcaklıklarda, p-n eklemi e2'de her 8 C sıcaklık artışında eklem kaçak akımı yaklaşık iki katına çıkar. Sıcaklığın yükselmesiyle 1+ 2 oranı 1'e yaklaşır ve tristör iletime geçer. Dolayısıyla tristörlerin ortam sıcaklığına bağlı olarak, eklemlerinin aşırı ısınarak denetimsiz olarak iletime girmesini önlemek için soğutulması gerekir. Tristör iletimde iken geçen akım, eşdeğer direnç ve gerilim düşümüne bağlı olarak bir kayıp güç oluşarak ısıya dönüşür. İşletmedeki bu TJ sıcaklığı, eklem bölgesinde olması gereken en yüksek sıcaklık TJSCR değerinin üzerine çıkarsa SCR denetimsiz iletime girmek ister. Bunu önlemek için SCR soğutularak TJ TJSCR olması sağlanır.

17 i4-işıma enerjisiyle iletim (ışık, radyoaktivite, elektromagnetik dalgalar vs. etkisi) Işıma etkisi veya enerjisi ile silisyumun spektral band genişliği değişerek yük taşıyıcı oranını (elektron ve oyuk) değiştirir. Dolayısıyla G= 1+ 2 kazancını 1'e yaklaştırarak tristörü tetikler. Bu mekanizma ışık etkili tristörlerde, tetikleme devresi için bulunur. Bu tristörler ışıkla tetiklendiği gibi aynı anda kapı tetiklemeli de çalışırlar. i5-tranzistör etkisiyle iletim (IG) Tranzistörlerin bazına bir gerilim uygulayarak, yani Şekilde G ucuna bir darbe gerilim uygulanması durumunda tranzistör iletime geçer. Buna kapıdan tetikleme veya tristörün ateşlenmesi denir. p bölgesinden çıkarılan kapı ucundan tetiklenen tristörlere klasik tristörler denir. Üstteki n tabakasına, baz kabul edilip kapı darbesi verilerek tetiklenen tristörlere de tamamlayıcı (Complementary) tristörler denir. V G mv 0 I A A 0,9.I T 0,1.I T 0 V A V t on t d t p t p t d olursa SCR rahatlıkla iletime girer t r di/dt V Q R Kesim (sönd.) komutu I T - di/dt söndürme (kesim) I RRM t q t ms Tekrar poz. t ms Ger. Uyg. V DRM dv/dt dv/dt krtk. 0 iyileşme süresi V RRM (a)tristör anahtarlama özeğrileri (kapı akımına göre anot akım ve gerilimi) V R t ms

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11 MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER

BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER BÖLÜM VII ÖZEL YARIİLETKENLER 7.1 GİRİŞ Diyot ve transistörler gibi yarıiletken elemanlara ek olarak, özel uygulamalar için birçok değişik tipte yarıiletken elemanlar geliştirilmiştir. Bunlar arasında;

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Güç Elektroniği Ders 03

Güç Elektroniği Ders 03 Güç Elektroniği Ders 03 Ders Notları Ege Üniversitesi Öğretim Üyesi Yrd.Doç.Dr. Mehmet Necdet YILDIZ a aittir. Özer ŞENYURT Ekim 15 1 Özer ŞENYURT Ekim 15 2 Çift Yönlü Tristör (Triyak), Temel Yapısı ve

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Teorik Bilgiler ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Güç elektroniği devreleri ile güç dönüşümü anahtarlama teknikleri kullanılarak yapılır.

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI

BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT104 ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUVAR UYGULAMALARI DENEY NO: 8 JFET TRANSİSTÖRLER VE KARAKTERİSTİKLERİ Laboratuvar Grup

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

BJT (Bipolar Junction Transistor) :

BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT (Bipolar Junction Transistor) : BJT içinde hem çoğunluk taşıyıcılar hem de azınlık taşıyıcıları görev yaptığı için Bipolar "çift kutuplu" denmektedir. Transistör ilk icat edildiğinde yarı iletken maddeler

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun

Detaylı

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)

TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden

Detaylı

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison

Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Thomas Alva Edison Sensörler Öğr. Gör. Erhan CEMÜNAL Sıkı bir çalışmanın yerini hiç bir şey alamaz. Deha yüzde bir ilham ve yüzde doksandokuz terdir. Thomas Alva Edison İçerik TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI Transdüser ve Sensör

Detaylı

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır?

2- İşverenler işyerlerinde meydana gelen bir iş kazasını en geç kaç iş günü içerisinde ilgili bölge müdürlüğüne bildirmek zorundadır? 1- Doğa ve çevreye fazla zarar vermeden devamlı ve kaliteli bir hizmet veya mal üretimi sırasında iş kazalarının meydana gelmemesi ve meslek hastalıklarının oluşmaması için alınan tedbirlerin ve yapılan

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

1. Güç Elektroniğinin Kapsamı ve Uygulamaları. 2. Önemli Yarı İletken Güç Elemanları. 3. AC-DC Dönüştürücüler / Doğrultucular

1. Güç Elektroniğinin Kapsamı ve Uygulamaları. 2. Önemli Yarı İletken Güç Elemanları. 3. AC-DC Dönüştürücüler / Doğrultucular GÜÇ ELEKTRONİĞİ 1. Güç Elektroniğinin Kapsamı ve Uygulamaları 2. Önemli Yarı İletken Güç Elemanları 3. AC-DC Dönüştürücüler / Doğrultucular 4. AC-AC Dönüştürücüler / AC Kıyıcılar 5. DC-DC Dönüştürücüler

Detaylı

MOSFET Karakteristiği

MOSFET Karakteristiği Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET

Detaylı

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör

Multivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme

BÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ

TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * lektrik-lektronik Mühendisliği ölümü lektronik Anabilim Dalı * lektronik Laboratuarı 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖR KARAKTRİSTİKLRİ Transistörlerin yapısının

Detaylı

Şekil Sönümün Tesiri

Şekil Sönümün Tesiri LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin

Detaylı

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır.

Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve elektronik bilim dalları arasında bir bilim dalıdır. 3. Bölüm Güç Elektroniğinde Temel Kavramlar ve Devre Türleri Doç. Dr. Ersan KABALC AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ Güç Elektroniğine Giriş Güç elektroniği elektrik mühendisliğinde enerji ve

Detaylı

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI

MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI MEKATRONİĞİN TEMELLERİ TEMEL ELEKTRONİK KAVRAMLARI KONDANSATÖR Kondansatör iki iletken plaka arasına bir yalıtkan malzeme konarak elde edilen ve elektrik enerjisini elektrostatik enerji olarak depolamaya

Detaylı

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları

T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232

Detaylı

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 3 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Diyotu tanımlayınız. Diyot bir yönde akım geçiren, diğer yönde akım geçirmeyen elektronik devre elemanıdır. Diyotlarda anot ve katodu tanımlayınız. Diyot

Detaylı

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler)

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) 1- Transistör (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakkında temel bilgi Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akıma göre C (kolektör)-e (emiter) uçlan

Detaylı

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri

DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEY 13 Diyak ve Triyak Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. Triyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 2. Diyak karakteristiklerini öğrenmek ve ölçmek. 3. Diyak-Triyak faz kontrol devrelerini incelemek.

Detaylı

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini

ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon

Detaylı

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.

1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.1. Deneyin Amacı: Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2.Teorik bilgiler: Yarıiletken elemanlar elektronik devrelerde

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot

Elektronik-I Laboratuvarı 1. Deney Raporu. Figure 1: Diyot ElektronikI Laboratuvarı 1. Deney Raporu AdıSoyadı: İmza: Grup No: 1 Diyot Diyot,Silisyum ve Germanyum gibi yarıiletken malzemelerden yapılmış olan aktif devre elemanıdır. İki adet bağlantı ucu vardır.

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları

Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 40 Modern Fiziğin Teknolojideki Uygulamaları 1 Test 1 in Çözümleri 1. USG ve MR cihazları ile ilgili verilen bilgiler doğrudur. BT cihazı c-ışınları ile değil X-ışınları ile çalışır. Bu nedenle I ve II.

Detaylı

SICAKLIK ALGILAYICILAR

SICAKLIK ALGILAYICILAR SICAKLIK ALGILAYICILAR AVANTAJLARI Kendisi güç üretir Oldukça kararlı çıkış Yüksek çıkış Doğrusal çıkış verir Basit yapıda Doğru çıkış verir Hızlı Yüksek çıkış Sağlam Termokupldan (ısıl İki hatlı direnç

Detaylı

DENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü

DENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü DENEY 12 SCR ile İki yönlü DC Motor Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Elektromanyetik rölelerin çalışmasını ve yapısını öğrenmek 2. SCR kesime görüme yöntemlerini öğrenmek 3. Bir dc motorun dönme yönünü kontrol

Detaylı

DENEY 4 PUT Karakteristikleri

DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEY 4 PUT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. PUT karakteristiklerini ve yapısını öğrenmek. 2. PUT un çalışmasını ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek. 3. PUT karakteristiklerini ölçmek. 4.

Detaylı

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri

AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri AC-DC Dönüştürücülerin Genel Özellikleri U : AC girişteki efektif faz gerilimi f : Frekans q : Faz sayısı I d, I y : DC çıkış veya yük akımı (ortalama değer) U d U d : DC çıkış gerilimi, U d = f() : Maksimum

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ

DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ DENEY 2: DĠYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERĠ 1- Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, şekil 1 'de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET

T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI MEGEP (MESLEKİ EĞİTİM VE ÖĞRETİM SİSTEMİNİN GÜÇLENDİRİLMESİ PROJESİ) BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET ANKARA 2007 Milli Eğitim Bakanlığı tarafından geliştirilen modüller;

Detaylı

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre

DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEY 21 IC Zamanlayıcı Devre DENEYİN AMACI 1. IC zamanlayıcı NE555 in çalışmasını öğrenmek. 2. 555 multivibratörlerinin çalışma ve yapılarını öğrenmek. 3. IC zamanlayıcı anahtar devresi yapmak. GİRİŞ

Detaylı

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ

DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ DENEY 2: DİYOTLU KIRPICI, KENETLEME VE DOĞRULTMA DEVRELERİ 1. Kırpıcı Devreler: Girişine uygulanan sinyalin bir bölümünü kırpan devrelere denir. En basit kırpıcı devre, Şekil 1 de görüldüğü gibi yarım

Detaylı

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET 523EO0075 Ankara, 2011 Bu modül, mesleki ve teknik eğitim okul/kurumlarında uygulanan Çerçeve Öğretim Programlarında yer alan yeterlikleri

Detaylı

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI

TRANSİSTÖRLERİN KUTUPLANMASI DNY NO: 7 TANSİSTÖLİN KUTUPLANMAS ipolar transistörlerin dc eşdeğer modellerini incelemek, transistörlerin kutuplama şekillerini göstermek ve pratik olarak transistörlü devrelerde ölçüm yapmak. - KUAMSAL

Detaylı

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI Sayısal Devreler (ojik Devreleri) SYIS EEMNIN İÇ YPII Sayısal tümdevrelerin gerçeklenmesinde çeşitli tipte tranzistorlar kullanılır. İlk olarak bipolar tipteki tranzistorlar tanıtılacaktır. ipolar Tranzistor:

Detaylı

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010

TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim

Detaylı

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1

Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar. Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler ve Temel Mantıksal (Lojik) Yapılar Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 1 Yarı İletkenler Bilgisayar Mühendisliğine Giriş 2 Elektrik iletkenliği bakımından, iletken ile yalıtkan arasında kalan

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI

Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 1. Deneyin Amacı Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I ENDÜSTRİYEL KONTROL UYGULAMALARI CDS (Kadmiyum

Detaylı

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK

DİYOT ÇEŞİTLERİ TEMEL ELEKTRONİK BÖLÜM 5 DİYOT ÇEŞİTLERİ 1) KRİSTAL DİYOT 2) ZENER DİYOT 3) TÜNEL DİYOT 4) IŞIK YAYAN DİYOT (LED) 5) FOTO DİYOT 6) AYARLANABİLİR KAPASİTELİ DİYOT (VARAKTÖR - VARİKAP) DİĞER DİYOTLAR 1) MİKRODALGA DİYOTLARI

Detaylı

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI

KIRCHOFF'UN AKIMLAR VE GERĠLĠMLER YASASININ DENEYSEL SAĞLANMASI K.T.Ü ElektrikElektronik Müh.Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I KICHOFF'UN KIML E GEĠLĠMLE YSSININ DENEYSEL SĞLNMSI KICHOFF'UN KIML YSSI: Bir elektrik devresinde, bir düğümde bulunan kollara ilişkin akımların

Detaylı

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir.

2- Tristör ile yük akımı değiştirilerek ayarlı yükkontrolü yapılabilir. Tristörlü Redresörler ( Doğrultmaçlar ) : Alternatif akımı doğru akıma çeviren sistemlere redresör denir. Redresörler sanayi için gerekli olan DC gerilimin elde edilmesini sağlar. Büyük akım ve gerilimlerin

Detaylı

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç

DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI

Detaylı

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim

Detaylı

TRİSTÖRÜN YAPISI VE ÖZELLİKLERİ

TRİSTÖRÜN YAPISI VE ÖZELLİKLERİ TRİSTÖRÜN YAPISI VE ÖZELLİKLERİ TRİSTÖRLÜ REDRESÖRLERDE DİYOT VE TRİSTÖRÜN KORUNMA YÖNTEMLERİ VE DİKKAT EDİLMESİ GEREKEN HUSUSLAR Diyotları korumak için mutlaka yaklaşık 100ohm 5watt taş direnç ve 474nF

Detaylı

TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI

TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI Tarkan AYDIN 1 DĐYOTLAR Şekil 1.0 Şekil 1.1 Şekil 1.2 Şekil 1.3 Diyotun Karakteristik Eğrisi Şekil 1.4 Şekil 1.5 Diyotlar P N tipi maddelerden oluşur. Bu iki madde

Detaylı

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ

SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

Yükseltici DA Kıyıcılar, Gerilim beslemeli invertörler / 12. Hafta

Yükseltici DA Kıyıcılar, Gerilim beslemeli invertörler / 12. Hafta E sınıfı DC kıyıcılar; E sınıfı DC kıyıcılar, çift yönlü (4 bölgeli) DC kıyıcılar olarak bilinmekte olup iki adet C veya iki adet D sınıfı DC kıyıcının birleşiminden oluşmuşlardır. Bu tür kıyıcılar, iki

Detaylı

Güç Elektroniği Ders 02

Güç Elektroniği Ders 02 Güç Elektroniği Ders 02 Ders Notları Ege Üniversitesi Öğretim Üyesi Yrd.Doç.Dr. Mehmet Necdet YILDIZ a aittir. Özer ŞENYURT Ekim 15 1 Özer ŞENYURT Ekim 15 2 Yarı İletken Güç Anahtarları Güç elektroniğinin

Detaylı

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ

MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ ELEKTRONİK-BİLGİSAYAR BÖLÜMÜ ELEKTRONİK 2 LAB. DENEY FÖYLERİ Elektronik 2 Deney föyleri Arş. Gör. Hayriye Korkmaz tarafından hazırlanmıştır. JFET ÖN GERİLİMLENDİRME

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.

Değişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir. DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese

Detaylı

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1. DİYOT ve UYGULAMALARI

T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1. DİYOT ve UYGULAMALARI T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 DİYOT ve UYGULAMALARI DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN EKİM 2011 KAYSERİ DİYOT

Detaylı

DENEY 2 UJT Karakteristikleri

DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEY 2 UJT Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. UJT nin iç yapısını ve karakteristiklerini öğrenmek. 2. UJT nin çalışma ilkelerini ve iki transistörlü eşdeğer devresini öğrenmek 3. UJT karakteristiklerinin

Detaylı

T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ T.C. KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DC-DC BOOST CONVERTER DEVRESİ AHMET KALKAN 110206028 Prof. Dr. Nurettin ABUT KOCAELİ-2014 1. ÖZET Bu çalışmada bir yükseltici tip DA ayarlayıcısı

Detaylı

Statik güç eviricilerinin temel görevi, bir DA güç kaynağı kullanarak çıkışta AA dalga şekli üretmektir.

Statik güç eviricilerinin temel görevi, bir DA güç kaynağı kullanarak çıkışta AA dalga şekli üretmektir. 4. Bölüm Eviriciler ve Eviricilerin Sınıflandırılması Doç. Dr. Ersan KABALCI AEK-207 GÜNEŞ ENERJİSİ İLE ELEKTRİK ÜRETİMİ Giriş Statik güç eviricilerinin temel görevi, bir DA güç kaynağı kullanarak çıkışta

Detaylı

Bundan sonra, giriş anahtarını diğer pozisyona hareket ettirip ne olduğunu göreceğiz:

Bundan sonra, giriş anahtarını diğer pozisyona hareket ettirip ne olduğunu göreceğiz: CMOS Geçit Devresi Bu noktaya kadar transistör mantık devre analizlerimiz çift kutuplu transistörlerin kullanıldığı TTL dizayn modeli ile sınırlı idi ve kayan girişlerin genel stratejisi "yüksek" (V cc

Detaylı

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır.

6. Osiloskop. Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. 6. Osiloskop Periyodik ve periyodik olmayan elektriksel işaretlerin gözlenmesi ve ölçülmesini sağlayan elektronik bir cihazdır. Osiloskoplar üç gruba ayrılabilir; 1. Analog osiloskoplar 2. Dijital osiloskoplar

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Proje Adı : IŞIĞA DÖNEN KAFA PROJESİ

YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ. Proje Adı : IŞIĞA DÖNEN KAFA PROJESİ YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNE FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ Proje Adı : IŞIĞA DÖNEN KAFA PROJESİ Proje No : 2 Proje Raporu Adı: HALİL Soyadı: EMUL Öğrenci

Detaylı

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL

Sensörler. Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Sensörler Yrd.Doç.Dr. İlker ÜNAL Optik Sensörler Üzerine düşen ışığa bağlı olarak üstünden geçen akımı değiştiren elemanlara optik eleman denir. Optik transdüserler ışık miktarındaki değişmeleri elektriksel

Detaylı

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1

KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 KARABÜK ÜNİVERSİTESİ Öğretim Üyesi: Doç.Dr. Tamila ANUTGAN 1 Elektriksel olaylarla ilgili buraya kadar yaptığımız, tartışmalarımız, durgun yüklerle veya elektrostatikle sınırlı kalmıştır. Şimdi, elektrik

Detaylı

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1 Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden

Detaylı

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1

KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK (ANALİZ, TASARIM, PROBLEM) 1. BÖLÜM DİYOT, DİYOT MODELLERİ VE UYGULAMALARI... 1 1.1. YARIİLETKEN DİYOT... 1 1.2. DİYOTUN DC MODELİ... 10 1.3. DİYOTUN ALÇAK FREKANS KÜÇÜK

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye

Detaylı

Elektrik Devre Temelleri

Elektrik Devre Temelleri Elektrik Devre Temelleri 3. TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) 1 PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2

Detaylı

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü

DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEY 16 Sıcaklık Kontrolü DENEYİN AMACI 1. Sıcaklık kontrol elemanlarının türlerini ve çalışma ilkelerini öğrenmek. 2. Bir orantılı sıcaklık kontrol devresi yapmak. GİRİŞ Solid-state sıcaklık kontrol

Detaylı