TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI
|
|
- Dilara Yağcı
- 8 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 TKPR118 ANALOG ELEKTRONĐK DERS NOTLARI Tarkan AYDIN 1
2 DĐYOTLAR Şekil 1.0 Şekil 1.1 Şekil 1.2 Şekil 1.3 Diyotun Karakteristik Eğrisi Şekil 1.4 Şekil 1.5 Diyotlar P N tipi maddelerden oluşur. Bu iki madde yan yana geldiğinde aralarında bir gerilim setti meydana gelir. Normalde açık devre olan bu yapı P tipi maddeye ( + ), N tipi maddeye ( - ) potansiyel uygulanırsa gerilim setti yıkılarak iletken hale gelir. Diyotun bu özelliği anahtar gibi kullanılmasını sağlar. Đleri yönde kutuplandığında birkaç 100 Ω (Ohm), ters yönünde ise birkaç M Ω civarında direnç gösterir. Tarkan AYDIN 2
3 Diyot Eşdeğer Devresi 1) 2) V >> Vd ( En az 100kat ) ( Vd ihmal edilebilir ) 3) V >> Rd ( Devre Empedansı >> Rd ) (Rd ihmal edilebilir ) 4) V >> Vd, R >> Rd ( Vd ve Rd ihmal edilebilir) Şekil 1.6 Dc veya Statik Direnç Statik direnç, diyotun belirli bir çalışma noktasındaki direncidir. Diyota Dc kaynak bağlanırsa oluşan dirençtir. Diyota Dc kaynak bağlandığında sabit kalır. Şekil 1.7 V Vd VR = 0 V = Vd + VR Statik Direnç Diyot karakteristik eğrisine (Şekil 1.5) A noktasında çalıştığı görülen diyotun statik direnci nedir? Vd = 0,8 V Id = 20 ma Vd 0,8 V RDC = = = 0,04 K Ω = ( 40 Ω ) Id 20 ma Tarkan AYDIN 3
4 B noktası için statik direnç nedir? ( Şekil 1.5 ) Vd 0,7 V RDC = = = 0,14 K Ω = ( 140 Ω ) Id 5 ma NOT: Diyot üstündeki gerilim düşümü azaldıkça iç direnç artar. 3. bölgede ters ön gerilimi altında çalışan diyotun statik direnci nedir? ( C noktası ) (Şekil 1.5 ) Vd = - 10 V Id = -2 ϻ A Vd - 10 V RDC = = = 5 M Ω Id -2 ϻ A AC veya Dinamik Direnç Vd RAC = Id Diyotun AC altında gösterdiği dirençtir. AC enerji altında çalışma noktası yukarı aşağı doğru hareket eder. Şekil 1.8 Değişken bir gerilim altında çalıştırılan diyotun çalışma noktası A B arasındaki gidip gelmektir. A Vd = 0,8 V, Id = 20 ma B Vd = 0,7 V, Id = 5 ma Vd 0,8 0,7 0,1 V RAC = = = = 0,0066 K = ( 6,6 Ω) Id ma Tarkan AYDIN 4
5 Diyotun Ölçülmesi Direnç kademesinde ölçülür. Diyot Uygulamaları 1 ) Şekil 1.9 Şekil 1.9 daki devrede Id=? Vd=? Vdd Vd VR = 0 VR = 8-0,7 = 7,3 V VR 7,3 V Id= = = 3,32 ma R 2,2 K 2 ) Şekil 2.0 IR =? VR =? Vdd - Vdsi Vdge VR =0 12 0,7 0,3 VR = 0 VR = 11 V VR 11 V IR= = = 1,964 ma R 5,6 K 3 ) Tarkan AYDIN 5
6 Şekil 2.1 Vdd VR1 Vd VR2 + Vdd1 = ,7 + 5 = VR1 + VR2 VR1 + VR2 = 14,3 V VR1 + VR2 14,3 V I= = = 2,1 ma R1 + R2 6,8 K VR2 = I. R2 = 2,1 ma. 2,2 K = 4,62 V Vo = 4,62 5 = - 0,38 V 4 ) Şekil 2.2 Vdd Vd VR1 Vdd1 = ,7 10 = VR1 = 4,3 V Vo = 4, = 14,3 V 5 ) Şekil VR1 0,7 4 = 0 VR1 = 15,3 V VR 15,3 V IR = = = 6,95 ma R 2,2 K 6 ) Tarkan AYDIN 6
7 Şekil VR1 0,7 = 0 VR1 =9,3 V VR 9,3 V IR = = = 0,028 A = ( 28 ma ) R 330Ω 7 ) Şekil 2.5 ILED = 10 ma, VLED = 2,5 V Devreden 10 ma geçirecek şekilde nasıl bir ön direnç bağlanırsa devre 10 V ile beslenir? VR1 = 10 2,5 = 7,5 V VR 7,5 V R = = = 0,75 K 750Ω I 10 ma 8 ) Şekil 2.6 VR = 12 8 = 4 V VR 4 V R = = = 0,4 K 400 Ω I 10 ma Tarkan AYDIN 7
8 9 ) Şekil 2.7 Şekildeki karakteristiğe sahip led ler 12 V ile çalıştırılmak isteniyor. Üzerinden 15 ma akım geçtiğine göre; A ) Tek bir led 12 V kaynağa bağlandığında ön direnç ne olmalıdır? B ) 2 Adet led 12 V kaynağa bağlandığında kullanılacak ön direnç ne olmalıdır? C ) En fazla Kaç led seri bağlanabilir, ön direnç ne olmalıdır? D ) Yukarıdaki 3 devrede kaynaktan çekilen güç, ledler üzerinde harcanan güç, ön direnç üzerinde harcanan güçleri bulup yorumlayınız. A ) VR = 12 2,8 = 9,2 V B) Şekil 2.8 VR 9,2 V R = = = 0,613 K 613 Ω I 15 ma VR = 12 5,6 = 6,4 V VR 6,4 V R = = = 426 Ω I 15 ma C ) Şekil 2.9 VR = 12 11,2 = 0,8 V VR 0,8 V R = = = 0,053 K 53 Ω I 15 ma Şekil 3.0 D) 1. Devre; 2. Devre 3. Devre PT =U.I = 180 mw PT = U. I = 180 mw PT = U. I = 180 mw PLED = 2, 8V. 15 ma = 42 mw PLED = 42mW (2led 84mW) PLED = 42mW (4led 168mW) Tarkan AYDIN 8
9 PR = 9,2 V. 15 ma = 138 mw PR = 6,4 V. 15 ma = 96 mw PR = 0,8 V. 15 ma = 12 mw 10 ) Şekil 3.1 U UD1 UD2 UR2 = ,7 0,7 = UR2 UR2 = 18,6 V UR 18,6 V I = = = 3,32 ma R2 5,6 KΩ UR1 = UD2 UR1 0,7 V IR1 = = = 0,21 ma R1 3,3 KΩ IR2 = 3,32 0,21 = 3,11 ma DOĞRULTMA DEVRELERĐ 1- Yarım Dalga Doğrultma Devreleri Şekil 3.2 Şekil 3.3 AC 1- Vi ( p p ) = 622 V 2- Vi ( p ) = 622 / 2 = 311 V Tarkan AYDIN 9
10 3- Vi (eff) = vi ( p ). 0,707 = 220 V Vo ( DC ) = Vo ( p ). 0,318 Vo ( DC ) = (Vo ( p ) VD ). 0,318 Avometre ile 20 V ölçülen AC bir gerilim yarım dalga doğrultma devresi ile doğrultuluyor. Devrenin çıkışındaki gerilimin ortalama değeri nedir? VAC (eff) = 20 V Şekil 3.4 Şekil 3.5 Veff = V ( p ). 0,707 Vo (DC) = ( Vi (p) VD ). 0, = V ( p ). 0,707 = ( 28,28 0,7 ). 0, = 8,77 V V(p) = = 28,28 V 0,707 2 Tam Dalga Doğrultma Devresi a) Köprü Tipi Doğrultma Devresi Şekil 3.6 Şekil 3.7 Vo (DC) = V (p). 0,636 Vo (DC) = (V(p) VD). 0,636 Vo (DC) = (V(p) 1,4). 0,636 Tarkan AYDIN 10
11 b) Orta Uçlu Transformatörle Yapılan Tam Dalga Doğrultma Devresi Pp = Ps Şekil 3.8 Şekil 3.9 Vo (DC) = ( V (p) 0,7). 0,636 2 x 12 V luk sekonder sargısı olan bir transformatörün çıkışına tam dalga doğrultma devresi yapılacaktır. a) Köprü tipi devre yapılırsa, c) 2 Diyotla doğrultma devresi yapılırsa çıkış gerilimleri ne olur? a ) Şekil 4.0 Veff = 12 V Veff 12 Vp = = = 16,97 V 0,707 0,707 Vo(Dc) = (V(p) 1,4). 0,636 = (16,97 1,4). 0,636 = 9,9 V b) Vo(DC) = (V(p) 0,7). 0,636 = (16,97 0,7). 0,636 = 10,34 V Şekil 4.1 Tarkan AYDIN 11
12 Devredeki D1 diyotu devrede ise; a) Çıkış dalga şeklini çiziniz. b) Çıkış geriliminin ortalama değerini bulunuz. a) b) Seri Kırpıcı Şekil 4.2 Veff 10 Vp = = = 14,14 V 0,707 0,707 Vo(Dc) = (V(p) 1,4). 0,318 = (14,14 1,4). 0,318 = 4,05 V KIRPICI DEVRELER Şekil 4.3 Şekil 4.4 Şekil 4.5 Şekil 4.6 Vi = 20 V ise Vi = 0 V ise Şekil 4.7 Şekil 4.8 Tarkan AYDIN 12
13 Vo = VRy Vi + V Vd Vo = ,7 = Vo Vo = 24,3 V Vo = 5 0,7 = 4,3 V Şekil 4.9 I = 0 Vo = I. Ry = 0 V Diyotun iletimde kalması için Vi gerilimi V- Vd = 5 0,7 = 4,3V u yenecek şekilde 4.3 V dan büyük olması gerekir. Paralel Kırpıcı Şekil 5.0 Şekil 5.1 Şekil 5.2 Şekil 5.3 Şekil 5.4 Şekil 5.5 Vi > 3,3 V ise akım geçmez Vi = Vo Vi < 3,3 V ise I, Vo = 3,3 V Şekil 5.6 Tarkan AYDIN 13
14 KENETLEYĐCĐ DEVRE Şekil 5.7 Şekil ) Şekil 5.9 Şekil 6.0 a ) V Vc VD = 0 c ) Vo = - V Vc 10 Vc 0,7 = 0 = ,3 Vc = 9,3 V = - 19,3 V b ) Vo = VD = 0,7 V 1 Diyotun iletimde olduğu durumdan işleme başlanır. 2 3 Şekil 6.1 Şekil 6.2 Tarkan AYDIN 14
15 1 ) V + V2 + VD Vc = ,7 Vc =0 Vc = 24,3 V Vo - VR = 5 0,7 = 4,3 V Şekil ) V + Vc VR = ,3 = VR VR = 34,3 V Şekil 6.4 ZENER DĐYOT Şekil 6.5 Şekil 6.6 Ters ön gerilim altında Vz gerilimine ulaşıncaya kadar açık devre özelliği gösterir. Iz = 0 dır. Vz gerilimi aşıldıktan sonra bir Iz akımı geçmeye başlar. Uçlarında Vz kadar bir gerilim tutar. Vz = Zener Eşik Gerilimi Izm = Maksimum Zener akımı Pz = Zener Gücü Pz= Vz. Iz Zener Uygulamaları 1 ) Sabit Vi, Değişken RL Tarkan AYDIN 15
16 Şekil 6.7 Şekil 6.8 Şekil 6.7 de görülen regülatör devresinde zener gerilimi yük uçlarındaki gerilime eşittir. Devredeki zenerin çalışabilmesi için RL uçlarında en az Vz kadar bir gerilimin düşmesi gerekir. Üzerinde Vz kadar gerilim düşürecek RL değerini bulmak için zener devreden çıkartırılırsa; Vi VRL = Vz =. RL Rs+ RL Vz (Rs+ RL) = Vi. RL Vz. Rs + Vz. RL = Vi. RL Vz. Rs = (Vi Vz ). RL Vz. Rs 1 ) RLmin = Vi Vz RLmin den büyük her direnç değeri zener diyotun çalışmasını sağlar. RL değeri RLmin den küçük olursa uçlarında Vz den daha küçük bir gerilim oluşacağından regülasyon sağlanmaz. ( Zener iletime geçmez ) 2 ) Min RL den max IL geçer. Vz ILmax = RLmin 3 ) VRS = Vi Vz VRS 4 ) IRS = Rs 5 ) IRS = Iz + IL 6 ) ILmin = IRS - IZmax 7 ) Min IL, Max RL geçer Vz RLmax = ILmin Tarkan AYDIN 16
17 Şekil 6.9 RLmax =? RLmin =? (Izmax = 32 ma) Vz. Rs RLmin = = = = 250Ω Vi Vz VRS 40 IRS = = = 40 ma Rs 1K ILmin = IRS Izmax = = 8 ma Vz 10 RLmax = = = 1,25K ILmin 8 ma Şekil ) Değişken Vi, Sabit RL Şekil 7.1 Şekil 7.2 Vz 1) Vimin =. (RS + RL) RL Vz 2 ) IL = 3 ) IRSmax = Izm + IL RL 4 ) Vimax = ( IRSmax. RS ) + Vz Tarkan AYDIN 17
18 Şekil 7.3 Vz 20 Vimin =. (RS + RL) = = 23,66 V RL 1200 Vz 20 IL = = =0,016 A = 16 ma RL 1200 IRSmax = Izm + IL = 60 ma + 16 ma = 76 ma Vimax = ( IRSmax. RS ) + Vz = (76 ma. 0,22K ) + 20V = 36,72 V Şekil 7.4 TRANSĐSTÖRLER 1 ) Ie = Ib + Ic Şekil 7.5 Şekil 7.6 Ic Ic = β. Ib Tarkan AYDIN 18
19 2 ) β = Ic Ib ϻ = Ie Şekil 7.7 Şekil 7.8 Transistorün Ölçülmesi ; Şekil 7.9 şekil 8.0 Şekil ) Ölçmeler sonunda direnç okunan aklardan ortak olanı beyz dir. (2) 2 ) Okunan değerlerden büyük olanı emiter direncidir. (1) 3 ) Beyz uygulanan potansiyel (+) ise NPN, (-) ise PNP dir. Şekil 8.2 Şekil 8.3 Beyz 2 Collector 3 Emiter 1 Bu transistör beyz ( - ) olduğu için PNP dir. Tarkan AYDIN 19
20 Şekil Beyzi Ortak Bağlantı Transistor ün Bağlantı Şekilleri Şekil Emiteri Ortak Bağlantı Şekil Kolektörü Ortak Bağlantı Şekil Basit Polarma Devresi Vcc = Vrb Vbe = 0 Şekil 8.8 Vcc = Ib. Rb + Vbe Tarkan AYDIN 20
21 Vcc - Vbe = Ib Vcc = Ic. Rc + VCE Rb VCE = Vcc Ic. Rc Ib = 0 ise Ic = 0 VCE = Vcc (Kesim Durumu) Transistor ün beyzinden, C - E arasını kısa devre yapacak kadar yeterince bir akım geçirilirse transistör doyum bölgesinde çalışır. Ib = Ibmax Ic = β. Ibmax = Icmax VCE = 0 V Şekil 8.9 Aktif Durum; 0 < Ib < Ibmax, 0 < Ic < Icmax, 0 < Vce < Vcc Şekil 9.0 Tarkan AYDIN 21
22 Transistor ün Anahtar Olarak Çalışması Şekil ) Transistör anahtar olarak çalışır. ( kesim veya doyum durumunda ) 2 ) S açık iken ; ( Kesim) Ib = 0, Ic = 0, Vce = Vcc = 12V, Vröle = 0 V 3 ) S kapalı iken ; Vcc Vbe 12 0,7 11,3 Ib = = = = 2,4 ma Rb 4K7 4K7 Bu akım, Icmax ı verecek yani transistor ü doyuma götürecek kadar yüksektir. Vcc Vcc 12 Ic = = = = 0,04 A = 40 ma Rc Rröle 300 Şekil 9.2 S açık iken I1=0 Vcc Vbe 19,3 I2 = = = 9,62 ma ( Ib2) 2K Vcc I2. 2 K Vbe 5 = 0 I2, Tr2 yi doyuma götürür. 20 I3 = = 1 A 15+5 Tarkan AYDIN 22
23 S kapalı iken; Vcc Vbe 19,3 I1 = = = 6,43 ma 3 K 3K Vcc 20V I2 = = = 10 ma 2 K 2 K I3 = 0 I2 akımı, Tr2 üzerinden geçemediği için (Ib2 = 0) Tr2 kesimdedir. S açıkken: I1 = 0 I2 = 0 I3 =0 (Tr1, Tr2 kesimde) S kapalıyken: 5 1,4 3,6 I1 = = = 0,72 ma 5 K 5 K Şekil 9.4 Tr1 doyumda iken: 5 0,7 4,3 I2 = = = 4,3 ma 1 K 1 K Vbe2 0,7 I4 = = = 0,7 ma 1 K 1 K I5 = I1 I4 = 0,72 0,7 = 0,02 ma I5 = I1 + I2 I4 = 0,72 + 4,3 0,7 5 2 = 4,32 ma I3 = = 9 ma 330 Şekil 9.5 Şekil Basit Polarma Devresi ve Örnekleri Vcc - Vbe 11,3 Ib = = = 0,047 ma 240 K 240 Ic = β. Ib = 50. 0,047 = 2,35 ma Ie = Ib + Ic = 0, ,35 = 2,39 ma Tarkan AYDIN 23
24 Vce = Vcc (Ic. Rc) = 12 (2,35. 2,2) = 6,82 V Şekil 9.7 Vcc Vce Ic. Rc = 0 Vcc Vce = Ic. Rc = 22 (2,52 ma. 3,3 K) = 13,69 V a ) Ib, Ic, Vce =? b ) Yük doğrusunu çizerek çalışma noktasını tespit ediniz. c ) Devrenin girişine Ib akımını ±10 ϻa değiştiren bir Vi sinyali uygulanırsa çalışma noktası hangi noktalar arasında değişir. 22 0,7 21,3 V a) Ib = = = 0,0313 ma 680 K 680 K Ic = β. Ib = 0, = 3,72 ma Vec = Vcc (Ic. Rc) Şekil 9.8 Vec = 22 V (3.72 ma. 3,3 K ) Vec = - 9,73 V c ) Ii = 10 ϻa Ib = IbQ + 10 ϻa = = 41 ϻa Ic = β. 41 ϻa = 4920 ϻa = 4,92 ma Vec = Vcc (Ic. Rc) = 22 (4,92 ma. 3,3 K) = 5,76 V Ib = IbQ 10 ϻa = = 21 ϻa Ic = = 2,52 ma Vec = Vcc (Ic. Rc) Şekil 9.9 Tarkan AYDIN 24
25 2 Emiter Dirençli Ön Gerilim Devresi Ib = Rb + (β + 1). Re a ) Vcc Ib. Rb Vbe (Ib + Ic). Re = 0 Vcc Ib. Rb Vbe Ib. Re + Ic. Re = 0 Vcc Ib. Rb Vbe Ib. Re + β. Ib. Re = 0 Vcc Ib. Rb Vbe Ib. Re (β + 1) = 0 Vcc Vbe = Ib. Rb + Ib. Re (β + 1) = 0 Vcc Vbe = Ib ( Rb + Re (β + 1) ) = 0 Vcc Vbe b ) Ic = β. Ib Şekil 10.0 c ) Vcc Ib. Rc Vce (Ic + Ib). Re Ib << Ic olduğundan ihmal edilebilir. Vce = Vce Ic. Rc Ic. Re Vce = Vcc Ic (Rc + Re ) 20 0,7 19,3 Ib = = = 0,036 ma 430 K + (101). 1K 531 K Ic = β. Ib = 0,036 ma. 100 = 3,6 ma Şekil 10.1 Vec = Vcc - Ic (Rc + Re) = 20 3,6 ma. 3 K = 20 10,8 = 9,2 V Vc = Vcc (Ic Rc) = 20 (3,6 ma. 2 K) = 12,8 V Tarkan AYDIN 25
26 Şekil ,7 19,3 19,3 Ib = = = = 0,03 ma 510 K + (201) K + 124,62K 634,62K Ic = ,03 = 6 ma Vce = Vcc Ic (Rc + Re) 20 6.(1,2 0,62) 20 10,92 = 9,08 V 20 Icmax = = 10,68 ma 1,82 K Şekil 10.3 Tarkan AYDIN 26
27 3 Kolektör Geri Beslemeli Ön Gerilim Devresi Şekil 10.4 Vcc = Ib. Rc + Ic. Rc + Ib. Rb + Vbe + Ib. Re + Ic. Re Ib << Ic Ie = Ib + Ic Ie = Ic Vcc Vbe = Ic. Rc + Ib. Rb + Ic. Re Vcc Vbe = β. Ib. Rc + Ib. Rb + β. Ib. Re Vcc Vbe = β. Ib (Rc + Re) + Ib. Rb Vcc Vbe = Ib (β + 1). (Rc + Re) + Rb Vcc Vbe Ib = Rb + (β + 1). (Rc + Re) Vcc = Ib. Rc + Ic. Rc + Vce + Ib. Re + Ic. Re Vce = Vcc Ic (Rc + Re) = Vcc Ic. Rc Ic. Re Ie = Ic Vcc = 10 V tur. Vcc Vbe 9,3 V Ib = = = 0,02 ma Rb + (β + 1). (Rc + Re) 464,2 K Ic = (β. Ib) = 50. 0,02 = 1 ma Vce = Vcc Ic (Rc + Re) = 10 1 (3K + 1.2K) = 5,8K Vc = Vcc Ic. Rc Tarkan AYDIN 27
28 Şekil = 10 1 ma. 3 K = 7 V 4 Đdeal (Beta dan Bağımsız) Polarma Devresi I1 = Ib + I2 Zb >> Rb2 I2 >> Ib I1 = I2 Vce = Vcc Ic (Rc + Re) Şekil 10.6 Vcc VRB2 = Vb =. Rb2 Rb1 + Rb2 Ve = VRE Ie = Ic Ve / Re Ve = Vb Vbe Vcc 22 Vb =. Rb2 =. 3,9 K = 2 V Rb1 + Rb2 39K + 3,9K Ve = Vb Vbe 2 0,7 = 1,3 V Ve 1,3V Ic = = = 0,86 ma Re 1,5K Vce = Vcc Ic (Rc + Re) = 22 0,86 ma. 11,5K = 22 9,89 = 12,11 V Vc = Vcc Ic. Rc 22 (0,86. 10K) = 22 8,6 = 13,4 V Ic 0,86 Ib = = = 0,006 ma Şekil 10.7 β V Vb =. 43K = 8,11 V 53 K Ve = 8,11 + 0,7 = 8,81 V Vre = Vcc Ve = 10 8,81 = 1,19 V Ve 8,81 V Ic = = = 0,595 ma Re 2K Vce = Vcc Ic ( Rc + Re ) = 10-0,595 (6,9 + 2) = 4,75 V Vc =Vrc = Ic. Rc = 0,595. 6,2K = 3,689 V Tarkan AYDIN 28
29 Şekil 10.8 Ib, Ic, Vec, Vc =? Vcc Vbe 20 0,7 Ib = = = 0,08 ma Rb 240K Ic = β. Ib = 80. 0,08 =6,4 ma Vec = Vee (Ic. Rc) = 7,2 V ( Vce= - 7,2 V ) Vc = Ic. Rc = 6,4. 2K = 12,8 V Şekil 10.9 Doyumda Vce = 0 dır. Vcc 10 V Ic = Icmax = = = 5 ma Rc 2 K Ic 5 ma Ib = = = 0,05 ma β 100 Ib 0,05 Şekil 11.0 Vcc Vbe 10 0,7 Rb = = = 186 K Rb transistor ü doyuma götürebilmesi için 186 dan fazla olmamalıdır. Vcc Vbe 12 0,7 Rb = = = 376,6 K Ib 0,03 ma 4 Ic = β. Ib β = = 133,3 0,03 Tarkan AYDIN 29
30 Vce = Vcc Ic. Rc 6 = 12 (4. Rc) Rc = 1,5 K Örnek 11.1 Ve = Vb Vbe = 2,35 0,7 = 1,65 V Ve 1,65 Ic = = = 1,37 ma Re 1,2 K Vcc 20 Vb =. Rb2 =. 10K = 2,35 V Rb1 + Rb2 85K Vce = Vcc Ic. (Rc + Re) = 20 (1,37mA. 11,2K) = 20 15,34 = 4,66 V Vc = Vcc Ic. Rc 20 (1,37mA. 10K) = 20 13,7 = 6,3 V Şekil 11.1 Ic 1,78 Icmax = = = 0,02 ma β 80 Şekil 11.2 Şekil 11.3 Vcc Vbe 9 0,7 Ib = = = 0,083 ma Rb 100K Ic = β. Ib = 45. 0,083 = 3,73 ma Vce = Vcc Ic. Rc 9 (3,73. 1,2) = 4,52 Tarkan AYDIN 30
31 Vc = - Ic. Rc = 3,77. 1,2 = - 4,48 V (Şaseye göre collectör daha negatiftir.) Vb = ,44 = -11,56 V Vc = Vb Vbe = -11,56 0,7 = -12,26 V Vre = Vcc Ve -20 (-12,26) = - 7,74 V Vre2 =. 2,2 = 8,44 V 8,2 + 2,2 Vre - 7,74 Ic = = = 4,3 ma Re 1,8 Şekil 11.4 Vce = Vcc + Vee Ic (Re + Rc) ,3. (2,7 + 1,8) Vce = 20,65 V Betadan Bağımsız Ön Gerilim Devresi Vcc Vbb = VRB2 =. Rb2 Rb1 + Rb2 Rbb = Rb1 Rb2 = Rb1 + Rb2 Vbb Vbe Ib = Rbb + (β +1). Re Ic = β. Ib Rb1. Rb2 Vce = Vcc Ic. (Rc + Re) Şekil 11.5 Ön Gerilimin Kararlı Hale Getirilmesi ( Stabilizasyon ) Tarkan AYDIN 31
32 Ön gerilim devrelerinde sıcaklığa bağlı olarak devre akım ve gerilimi değerlerinde görülen değişiklikleri en aza indirmek için izlenen yollara stabilizasyon denir. Sıcaklık değişimi en çok 3 parametreyi etkile. 1 Ters yön kolektör kaçak akımı Ico sıcaklıktaki her 10 C artışla 2 ye katlanır. 2 Beyz Emiter gerilimi Vbe C başına 2,5 mv azalır. 3 Transistor ün akım kazancı sıcaklıkta artar. T Ico β Vbe ( C) (na) (V) -65 0,2. 10^ , ,1 50 0, , ,3. 10^ ,3 ÖDEV: Şekil ) Şekildeki ön gerilim devrelerinde kullanılan transistörlerin β değeri 100 dür. Bu devreler 12 V ta çalışacak şekilde uygun Rb, Rc, Re elemanlarını seçerek Ic ve Vce değerlerini bulunuz. 2 ) β = 110 için Ic ve Vce yi bulunuz. 3 ) β = 90 için Ic ve Vce yi bulunuz. 4 ) β daki %10 artış ve azalışın her devrenin Ic ve Vce değerlerini hangi oranda değiştirdiğini tespit ederek kararlılık açısından devreleri yorumlayınız. Tarkan AYDIN 32
33 Büyük Sinyal Yükselteçleri Şekil 11.7 A Sınıfı Büyük Sinyal Yükselteçleri Vcc Vbe Ib = Rb Ic = β. Ib Vce = Vcc (Ic. Rc) Şekil 11.8 Şekil Giriş sinyali küçükse, çıkış sinyali çalışma noktası etrafında küçük salınım, büyükse büyük salınım yapar. - Ic deki değişimin ortalama değeri Şekil 12.0 Ic. (p-p) ² Po (ac) = ( ). RL 8 Pi (dc) = DC giriş gücü (W) Pi (dc) = Vcc. IcQ Vcc kaynağından sisteme aktarılan güç Po (ac) = AC çıkış gücü (RL yüküne aktarılan güç) Ic (p p), Ic (p), Ic (rms) Ic. (p p) Ic (p-p) ² Po (ac) = ( ) ². RL =. RL Tarkan AYDIN 33
34 Vce. (p-p) Vce. (p-p)² ( ) ² Vce (p p)² Po (ac) = = = RL RL 8. RL Po (ac) = Ic (p p). Vce (p p) Ic. (p p) Vce (p p) Ic. (p p). Vce (p p) =. = Ac çıkış gücünü bulurken Po (ac), Ic veya Vce değeri p p ise sonuç 8 e, p ise sonuç 2 ye bölünür, Efektif ise doğrudan güç formülü uygulanır. %ϻ = Verim Po (ac) % ϻ =. 100 Pi (dc) Ic(p) = β. Ib =25.10 = 250 ma(p) değişime sebep olur. Ic(p)². RL (0,25)². 20 Po (ac) = = = 0,625 W 2 2 Po (ac) 0,625 % ϻ =. 100 =. 100 = 6,48 Pi (dc) 9,65 PQ = Pi (dc) Po (ac) = 9,65 0,625 = 9,05 W PQ = Transistor de harcanan ısı gücü ( kayıp güç PQ = Pi (dc) Po (ac) A sınıfı çalışan yükselteçlerin verimi maksimum % 25 tir. IbQ (p) = 10 ma Şekildeki devrede Vi sinyal kaynağı IbQ akımında (IbQ (p)) 10 ma lik değişime yol açmaktadır. Po (ac), Pi (dc), %ϻ, PQ =? Vcc Vbe 20 0,7 19,3 Ib = = = = 19,3 ma Rb 1 K 1 K IcQ = β. Ib = ,3 = 482,5 ma Pi(dc) = IcQ. Vcc = 0, = 9,65 W Şekil 12.1 Ib deki 10 ma lik değişim, Ic akımında Tarkan AYDIN 34
35 B sınıfı Push Pull yükselteçler girişte sinyal yokken kaynaktan güç çekmezler. Girişlerine Vi uygulandığında kaynaktan çektikleri akım doğrultulmuş tam dalga akım şeklindedir. Not: B sınıfı Push Pull yükselteçler girişte sinyal yokken kaynaktan güç çekmezler. Girişine Vi sinyali uygulandığında; 1 ) Pi (dc) = Vcc. Idc Idc = Ior = Ip. 0,636 VL²(rms eff) VL(p)² VL(p p) Po (ac) = = = RL 2. RL 8. RL P2Q = Pi (dc) Po (ac) PQ = P2Q / 2 Tarkan AYDIN 35
36 Şekil 12.2 Vcc = 30 V luk tek bir kaynak kullanılarak yapılan B sınıfı Push Pull yükseltecin yük direnci 16 Ω dur. Yük uçlarında 20 V (p) değerli bir çıkış sinyali görüldüğüne göre, a) Pi (dc) b) Po (ac) c) % ϻ d) PQ e) Yukarıdaki devrede yük uçlarındaki gerilimin tepe değeri maksimum (30V) değere ulaştığında yükseltecin verimi ne olur? VL(p)² 20² 400 a) Po (ac) = = = = 12,5 W 2. RL VL(p) 20 b) I(p) = = = 1,25 A (p) RL 16 IDC = I(p). 0,636 = 1,25. 0,636 = 0,795 A Pi(dc) = Vcc. IDC = 30. 0,795 = 23,85 W Po (ac) 12,5 c) % ϻ =. 100 =. 100 = %52 Şekil 12.3 Pi (dc) 23,85 d) P2Q = Pi (dc) Po (ac) = 23,85 12,5 = 11,35 W PQ = P2Q / 2 = 11,35 / 2 = 5,675 W V (p) 30 IDC = I(p). 0,636 = 1,19 A e) Ip = = = 1,875 A Pi(dc) = Vcc. IDC = 30. 1,19 = 28,125 W RL 16 Po (ac) 28,125 % ϻ =. 100 =. 100 = %78 Pi (dc) 35,75 Not: B sınıfı Push Pull yükselteçlerin verimi maksimum %78 dir. Bu verim RL uçlarınca Vcc kadar bir gerilim görüldüğümde gerçekleşir. B sınıfı Push Pull bir yükseltecin yük direnci 4Ω dur. 12 V luk tek bir kaynak la beslenmektedir. a) Yük uçlarında VL(p p) = 20 V luk bir sinyal ölçüldüğü anda yükseltecin verimini, b) Yükselteçten alınabilecek maksimum Gücü bulunuz. Şekil 12.4 Po (ac) 12,5 % ϻ =. 100 =. 100 = %65 Pi (dc) 19,08 a) V(p) = 20 / 2 = 10 V I(p) =V(p) / RL = 10 / 4 = 2,5 A IDC = I(p). 0,636 = 2,5. 0,636 = 1,59 A Pi(dc) = Vcc. IDC = 12. 1,59 = 19,08 W VL(p)² 10² 100 Po (ac) = = = = 12,5 W 2. RL V(p) = 12 V VL(p)² 12² Tarkan AYDIN 36
37 b) Po (ac) = = = = 18 W I(p) = = 3A I = 3. 0,636 = 1,98 A 2. RL ,7 IbQ = = 11,3 ma 1 K IcQ= ,3 = 226 ma a) Pi (dc) = IcQ. Vcc = 0, = 2,7 W b) Ic (p) =Ib (p). β = = 100 ma Po (ac) =. RL =. 4 = 0,02 W 2 2 Ic (p)² (0,1)² Po (ac) 0,02 Şekil 12.5 c) % ϻ =. 100 =. 100 = %7,4 Pi (dc) 2,7 ALAN ETKĐLĐ TRANSĐSTÖRLER (Field Effect Transistors FET, JFET) Şekil 12.6 Şekil ) Giriş empedansları çok yüksektir. ( Yaklaşık 100MΩ, BJT de 5 10 KΩ ) 2) Kararlı (Sıcaklık değişiklerinde parametreleri transistor deki gibi fazla değişmez. 3) Distorsiyonu düşüktür. 4) BJT den daha kolay bozulabilir. Tarkan AYDIN 37
38 Şekil 12.8 JFET Parametreleri: 1) Idss: Vgs = 0 olduğunda geçen Io akımı (maksimum Id akımı, Id doyum) 2)Vp : (Kısma gerilimi) Id yi 0 yapan (kesime götüren) en küçük Vgs gerilimidir. Vgs Id = Idss. ( 1 - )² Vp Transfer karakteristik eğrisi ( N Kanal JFET ) Şekil 12.9 Kısma gerilimi Vp = -4V, Drain Source doyum akımı, Idss = 12 ma olan N Kanal bir JFET in Id akımını aşağıdaki Vgs değerleri için bulunuz. a) Vgs = 0 V b) Vgs = -1,2 V c) Vgs = -2 V d) Vgs = -4 V 0-1,2 a) Id = 12 ( 1 - )² = 12 ma b) Id = 12 ( 1 - )² = 5,88 ma c) Id = 12 ( 1 - )² = 3 ma d) Id = 12 ( 1 - )² = 0 ma -4-4 JFET Parametrelerinin Bulunması: 1) Idss: Vgs kısa devre yapılır. Vdd kaynağı Q dan itibaren yavaş yavaş arttırılır. Id akımı sabit kaldığında görülen akım Idss dir. Tarkan AYDIN 38
39 Şekil ) Vp: Vgg kaynağı 0 dan itibaren yavaş yavaş arttırılır. Id akımını 0 yapan Vgs gerilimi Vp gerilimidir. Transfer Karakteristik Eğrisinin Çizilmesi Şekil 13.1 Idss ve Vp değerleri, katalog veya deneyle belirlendikten sonra transfer karakteristik eğrisi çizilebilir. Idss = 10 ma, Vp = - 5 V olan N Kanal bir JFET in karakteristik eğrisini çiziniz. Vgs Id = Idss. ( 1 - )² Vp 0-1 Vgs = 0 için Id = 10. ( 1 - )² = 10 ma Vgs = -1 için Id = 10. ( 1 - )² = 6,4 ma Vgs = -2 için Id = 10. ( 1 - )² = 3,6 ma Vgs = -3 için Id = 10. ( 1 - )² = 1,6 ma Vgs = -4 için Id = 10. ( 1 - )² = 0,4 ma Vgs = -5 için Id = 10. ( 1 - )² = 0 ma -5-5 Şekil 13.2 Tarkan AYDIN 39
40 2. YOL Idss = 12 ma, Vp = - 4V 1) Vgs = 0 için Id = Idss ( 12 ma) 2) Vgs = 0,3.Vp = - 1,2 V - 1,2 Id = 12 ( 1 - )² = 5,88 Yaklaşık 6mA ( Idss / 2) -4 3) Vgs = 0,5. Vp = -2V -2 Id = 12 ( 1 - )²= 3 ma ( Idss / 4) 4 4) Vgs = vp = - 4V ise Id = 0 Şekil 13.3 JFET Ön Gerilim Devreleri 1- Sabit Ön gerilim Devresi: IGG = 0 VRG = IGG. 0 = 0V RG direnci, VGG kaynağının giriş empedansını düşürmesini engellemek için 1-10 MΩ arasında seçilir. 1) VGG = VGS VGS 2) Id = Idss. ( 1- )² Vp 3) Vds = Vdd (Id. Rd) Şekil 13.4 ad -1,5 Id = 12(1- )² = 4,68 ma -4 Vds = 12 ( 4,68. 1,2K) = 6,38 V Tarkan AYDIN 40
41 Şekil 13.5 Yük Doğrusunun Çizilmesi Vdd Idmax = = 10 ma Rd A sınıfı Çalışıyor. Idmax < Idss ise Idmax değeri alınır. Idmax > Idss ise Idss değeri alınır. Şekil Id = 20 ( 1 - )² = 5 ma -4 Vds = 20 ( 5. 2K) = = 10 V 2 20 Idmax = = 10 ma A sınıfı Aktif Bölge Örnek Kendinden Ön Gerilimli Devre IRG = 0 Vg = IRG. Rg = 0 V Vs = Vrs = Id. Rs Vgs = Vg Vs = 0 Vs = 0 Id. Rs Vgs = - Id. Rs Tarkan AYDIN 41
42 Örnek13.8 Formül 2 bilinmeyenli (Vgs ve Id) olduğundan transfer karakteristik eğrisi çizilir. Vgs = - Id. Rs Vgs ve Id için değerler verilerek iki nokta tespit edilir. Noktaları birleştiren doğru ile transfer karakteristik eğrisinin kesim noktası çalışma noktasını verir. Vgs = -1,5 Vd Vgs = 0 için Id = 0 ID = 1 için Vgs = - 1,5 V Vgs Id 0 0-1,5 1 Vds = Vdd Id (Rd + Rs) = 24 1,6 (6,8 + 1,5) = 10,72 Şekil 13.9 Şekil Đdeal Ön Gerilim Devresi Vdd Vg =. Rg2 Rg1 + Rg2 Vs = Id.Rs Vgs = Vg Vs Vgs = Vg (Id. Rs) Tarkan AYDIN 42
43 Şekil 14.1 Şekil 14.2 Vdd 18 Vg =. Rg2 =.10 = 1,5 V Vgs = vg Id. Rs Rg1 + Rg Vgs = 1,5 0,5. Id Vgs Id Id = 1 için Vgs = 1,5 0,5. 1 = Vgs = -2 için -2 = 1,5 0,5. Id Id = 7mA -2 7 Vds = Vdd Id (Rd + Rs) = 18 3,7 ( 2 + 0,5) 8,7 V Şekildeki devrede Id akımının Idss / 2 olabilmesi için Rs direnci ne olmalıdır? Id = Idss / 2 Vgs = 0,3. Vp = - 0,9 V Vgs = Vg Id. Rs -0,9 = 1,5 3. Rs -2,4 = -3. Rs Rs = 0,8 K = 800Ω Vds = Vdd Id (Rd + Rs) 18 3 (2 + 0,8) = 9,6V Şekil14.3 MOSFETLER 1 Kanal Ayarlamalı Mosfetler Hem negatif hem de pozitif Vgs gerilimi ile çalıştırılabilir. N kanal mosfetde Vgs nin negatif değerleri Id akımını düşürürken pozitif değerleri ise Id akımının Idss ninde üzerinde akmasına yol açar. Tarkan AYDIN 43
44 Şekil 14.4 Şekil 14.5 Şekil 14.6 Kanal Ayarlamalı N Kanal bir Mosfet Idss =12mA Vp= - 4,5V değerlere sahiptir. Id akımını, Vgs = 0, -2, -3, +1 için bulunuz. Vgs Id = Idss ( 1 - )² Vp 0-2 Vgs = 0 Id =12 (1- ) ² = 12 ma Vgs = -2 Id = 12 ( 1 - )² = 3,7 ma - 4,5-4,5-3 1 Vgs = -3 Id =12 (1- ) ² = 1,33 ma Vgs = +1 Id = 12 ( 1 - )² = 17,92 ma - 4,5-4,5 2- Kanal Oluşturmalı Mosfet Şekil 14.8 Şekil 14.9 Vgs = 0 iken Id akımı akmaz. Vt değerine kadar Id = 0 dır. N kanallı Mosfetde Vt den büyük pozitif Vgs değerleri Id nin akmasına yol açar. Id = k ( Vgs Vt)² k: Mosfetin yapısına ilişkin b ir katsayı tipik olarak 0,3 ma / V² Vt = eşik gerilimi Id akımının 0 olmasını sağlayan en büyük Vgs değeri. Tarkan AYDIN 44
45 Şekil 15.0 N kanallı Kanal oluşturmalı bir mosfetin K 0 0,3 ma / V² Vt = +2,5 V Vgs = 2,5 V, 4 V, 6 V için Id =? Id = k (Vgs Vt)² Vgs = 2.5 V 0 Vgs = 4 V 0,675 ma Vgs = 6 V 3,675 ma Şekil 15.1 Vgs = 0 0 = 1,5 0,3 Id - 1,5 = 0,3Id Vgs Id Id = 5 ma 0 5 Id = 0 Vgs = 1,5 0,3. 0 1,5 0 Vgs = 1,5 V Şekilde kanal oluşturmalı N kanal bir mosfet kolektör geri beslemeli devre ile çalıştırılmaktadır. Mosfeti iletime geçirmek için gereken gerilim Rg üzerinden sağlanır. Vgs gerilimi Id yi berlirler. Ig = 0, Vrg = 0, Vgs = Vds Id = k. (Vgs Vt)² Denklemde Vgs ye Vt den başlamak üzerine belirli aralıklarla değerler verilerek her seferinde Id akımı bulunur. Transfer karakteristik eğrisi çizilir. 1) Id = k ( Vgs Vt ) ² Vgs = 3V için Id = 0,3 ( 3 3 ) ² = 0 ma Vgs = 5V için Id = 0,3 ( 5 3 ) ² = 1,2 ma Vgs = 7V için Id = 0,3 ( 7 3 ) ² = 4,8 ma Vgs = 9V için Id = 0,3 ( 9 3 ) ² = 10,8 ma Vgs Id 12V 3 0 Idmax = = 6 ma 5 1,2 2K 7 4,8 Vds = Vdd Id. Rd 9 10,8 Şekil 15.2 Yukarıdaki Örnekte Vdd gerilimi 15 a çıkarsa Vd değeri ne olur? Tarkan AYDIN 45
46 Id = k (Vgs Vt)² (Bu formülde Vdd olmadığı için karakteristik eğrisi değişmez.) Şekil 15.3 Şekil 15.4 Vds = Vd = Vdd Id. Rd = 7 V Idss = 12 ma Vp = -3 V Rs, Rd, Id, Vgs =? Devrenin A sınıfı çalışması için ( çalışma noktasının) yük doğrusunun ortasında olmasını sağlamak için değerleri bulunuz. IdQ = 6 ma ( ideal A sınıfı çalışma için ) (Idss / 2) Vrd = Vdd Vd = = 9 V Vrs = Vs = 1 V Vrs 1 V Rs = = = 0,16 K = 160Ω Vgs = Vg Vs = 0 1 = -1 V Şekil 15.5 Id 6 ma Vrd = = 9 V Rd = 9 V / 6 ma = 1,5 K Id = = 4 ma 1,5 K 6 V Vdd 20 Vg =. Rg2 =. 30K = 4,95 V Rg1 + Rg2 121K Vgs Vgs = Vg (Id. Rs) = 4,95 ( 4. 1,5) = - 1,05 V Id = Idss (1 - )² -1,05 Vp 4 = Idss (1 - )² -3 4 = Idss. 0,4225 Idss = 9,46 ma Şekil 15.6 Tarkan AYDIN 46
47 Vg = = = 4,83 V Rg1 + Rg2 31 Vgs = Vg (Id. Rs) Vgs = 4,83 (1. Id) Vgs = 0 için Id = 4,83 ma Id = 6 için Vgs = -1,17 V Vdd Rg Vgs Id 6 4,83 1,17 6 Şekil 15.7 SON Tarkan AYDIN 47
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)
ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör
DetaylıZENER DİYOTLAR. Hedefler
ZENER DİYOTLAR Hedefler Bu üniteyi çalıştıktan sonra; Zener diyotları tanıyacak ve çalışma prensiplerini kavrayacaksınız. Örnek devreler üzerinde Zener diyotlu regülasyon devrelerini öğreneceksiniz. 2
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıMakine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU
Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun
Detaylı(BJT) NPN PNP
Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
Detaylı2. Bölüm: Diyot Uygulamaları. Doç. Dr. Ersan KABALCI
2. Bölüm: Diyot Uygulamaları Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 Yük Eğrisi Yük eğrisi, herhangi bir devrede diyot uygulanan bütün gerilimler (V D ) için muhtemel akım (I D ) durumlarını gösterir. E/R maksimum I
DetaylıÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...
ÜNİTE 4 TEST SORU BANKASI (TEMEL ELEKTRONİK) TRANSİSTÖRÜN TANIMI Transistörlerin çalışması için, beyz ve emiterin... kollektörün ise...olarak polarmalandırılması gerekir. Yukarıdaki boşluğa aşağıdakilerden
DetaylıELM 232 Elektronik I - Deney 2 Zener Diyotlu Regülatör Tasarımı. Doğrultucu Regülatör Yük. R L yükü üzerinde oluşan sinyalin DC bileşeni
Amaç Bu deneyin amaçları; tam doğrultucu köprünün çalışmasını izlemek, kondansatör kullanılarak elde edilen doğrultucuyu incelemek ve zenerli regülatör tasarımı yapmaktır. Deneyin Yapılışı Sırasında İhtiyaç
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
DetaylıElektronik Laboratuvarı
2013 2014 Elektronik Laboratuvarı Ders Sorumlusu: Prof. Dr. Mehmet AKBABA Laboratuvar Sorumluları: Rafet DURGUT İçindekiler Tablosu Deney 1: Laboratuvar Malzemelerinin Kullanılması... 4 1.0. Amaç ve Kapsam...
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıMetal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması
Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıFET Transistörün Bayaslanması
MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,
Detaylı1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi.
DNY 1: DİYOT KARAKTRİSTİKLRİ 1.1. Deneyin Amacı Temel yarı iletken elemanlardan, diyot ve zener diyotun tanımlanması, test edilmesi ve bazı karakteristiklerinin incelenmesi. 1.2. Kullanılacak Aletler ve
DetaylıTRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT)
TRANSİSTÖRLER 1. ÇİFT KUTUP YÜZEYLİ TRANSİSTÖRLER (BJT) BJT (Bipolar Junction Transistor ) çift birleşim yüzeyli transistördür. İki N maddesi, bir P maddesi ya da iki P maddesi, bir N maddesi birleşiminden
DetaylıDENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B
DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051
DetaylıGERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ
GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine
DetaylıT.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ LABORATUVAR RAPORU ADI SOYADI : Fedi Salhi 170214925 Bilge Batuhan Kurtul 170214006 Hamdi Sharaf 170214921 DERSİN ADI : Güç
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıBJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ
BJT TRANSİSTÖRLÜ DC POLARMA DEVRELERİ Hedefler DC polarma devrelerinin amacını, avantajlarını ve çalışma prensipleri anlayacaksınız Sabit Beyz Polarmalı ve Emiteri Kararlı DC Polarma Devrelerinin hesaplamalarını
DetaylıT.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ Elektronik Mühendisliği Bölümü. ELK232 Elektronik Devre Elemanları
T.C. MALTEPE ÜNİVERSİTESİ ELK232 Elektronik Devre Elemanları DENEY 2 Diyot Karekteristikleri Öğretim Üyesi Yrd. Doç. Dr. Serkan TOPALOĞLU Elektronik Devre Elemanları Mühendislik Fakültesi Baskı-1 ELK232
DetaylıDENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk
DENEY 5 TRANSİSTOR KUTUPLAMA KARARLILIK ve DC DUYARLILIk AMAÇLAR Bipolar transistorleri kullanarak güncel bazı kutuplama devreleri tasarımı ve analizi. Kutuplama devrelerinin sıcaklığa karşı kararlılık
DetaylıMOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı
MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıMultivibratörler. Monastable (Tek Kararlı) Multivibratör
Multivibratörler Kare dalga veya dikdörtgen dalga meydana getiren devrelere MULTİVİBRATÖR adı verilir. Bu devreler temel olarak pozitif geri beslemeli iki yükselteç devresinden oluşur. Genelde çalışma
DetaylıT.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I
T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 6: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad
DetaylıYükselteçlerde Geri Besleme
Yükselteçlerde Geri Besleme Açık çevrim bir yükseltici yandaki gibi gösterebiliriz. vi A Bu devreyi aşağıdaki gibi kazancı β olan bir geri besleme devresi ile kapalı döngü haline getirebiliriz. A= vo A
DetaylıDENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları
Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir
DetaylıŞekil 1: Diyot sembol ve görünüşleri
DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Diyotlar; bir yarısı N-tipi, diğer yarısı P-tipi yarıiletkenden oluşan kristal elemanlardır ve tek yönlü akım geçiren yarıiletken devre elemanlarıdır. N
DetaylıT.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I
T.C. YALOVA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ENERJİ SİSTEMLERİ MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ESM 413 ENERJİ SİSTEMLERİ LABORATUVARI I DENEY 2: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ VE AC-DC DOĞRULTUCU UYGULAMALARI Ad Soyad
DetaylıEEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEM 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 04: BJT TRANSİSTÖR VE AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 7 Deney Adı: Zener Diyot Karakteristiği ve Uygulaması Öğretim Üyesi: Yard. Doç.
DetaylıŞekil 7.1. (a) Sinüs dalga giriş sinyali, (b) yarım dalga doğrultmaç çıkışı, (c) tam dalga doğrultmaç çıkışı
DENEY NO : 7 DENEY ADI : DOĞRULTUCULAR Amaç 1. Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu oluşturmak 2. Dalgacıkları azaltmak için kondansatör filtrelerinin kullanımını incelemek. 3. Dalgacıkları azaltmak için
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010
TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim
DetaylıTRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT)
TRANSİSTÖRÜN YAPISI (BJT) Transistörler, katı-hal devre elemanlarıdır. Genelde transistör yapımında silisyum ve germanyum kullanılmaktadır. Bu dokümanımızda bipolar Jonksiyon transistörlerin temel yapısı
DetaylıAdapazarı Meslek Yüksekokulu Analog Elektronik
22 Adapazarı Meslek Yüksekokulu Analog Elektronik Doğrultma Devreleri AC gerilimi DC gerilime çeviren devrelere doğrultma devreleri denir. Elde edilen DC gerilim dalgalı bir gerilimdir. Kullanılan doğrultma
DetaylıYarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;
1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun
DetaylıBölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 7 FET Karakteristikleri Deneyleri 7.1 DENEYİN AMACI (1) JFET in temel karakteristiklerini anlamak. (2) MOSFET in temel karakteristiklerini anlamak. 7.2 GENEL BİLGİLER 7.2.1 Yeni Terimler: (1) JFET
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Aşağıdaki problemlerde aksi belirtilmedikçe
DetaylıYarım Dalga Doğrultma
Elektronik Devreler 1. Diyot Uygulamaları 1.1 Doğrultma Devreleri 1.1.1 Yarım dalga Doğrultma 1.1.2 Tam Dalga Doğrultma İki Diyotlu Tam Dalga Doğrultma Dört Diyotlu Tam Dalga Doğrultma Konunun Özeti *
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 BJT TRANSİSTÖRÜN AC KUVVETLENDİRİCİ ve ON-OFF ANAHTARLAMA ELEMANI OLARAK KULLANILMASI
DetaylıÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini
ÜNİTE 5 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transformatörün tanımını yapınız. Alternatif akımın frekansını değiştirmeden, gerilimini alçaltmaya veya yükseltmeye yarayan elektro manyetik indüksiyon
DetaylıR 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1
DENEY #4 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ ve MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi Kullanılan Alet ve Malzemeler: 1) DC Güç Kaynağı 2) Avometre
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıBC237, BC338 transistör, 220Ω, 330Ω, 4.7KΩ 10KΩ, 100KΩ dirençler ve bağlantı kabloları Multimetre, DC güç kaynağı
DENEY 7: BJT ÖNGERİLİMLENDİRME ÇEŞİTLERİ 7.1. Deneyin Amacı BJT ön gerilimlendirme devrelerine örnek olarak verilen üç değişik bağlantının, değişen β değerlerine karşı gösterdiği çalışma noktalarındaki
DetaylıDENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü
DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC voltmetre, ac gerilimleri ölçmek için kullanılan
DetaylıELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri
DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.
DetaylıOP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ
OP-AMP UYGULAMA ÖRNEKLERİ TOPLAR OP-AMP ÖRNEĞİ GERİLİM İZLEYİCİ Eşdeğer devresinden görüldüğü gibi Vo = Vi 'dir. Emiter izleyici devreye çok benzer. Bu devrenin giriş empedansı yüksek, çıkış empedansı
DetaylıHARRAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRE VE TASARIM LABORATUVARI I DENEY FÖYÜ
HARRAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRE VE TASARIM LABORATUVARI I DENEY FÖYÜ 2018 ELEKTRONİK DEVRE VE TASARIM LABORATUVARI I Öğretim Üyesi:
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıDENEY 1. 7408 in lojik iç şeması: Sekil 2
DENEY 1 AMAÇ: VE Kapılarının (AND Gates) çalısma prensibinin kavranması. Çıkıs olarak led kullanılacaktır. Kullanılacak devre elemanları: Anahtarlar (switches), 100 ohm ve 1k lık dirençler, 7408 entegre
DetaylıMOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11
MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.
DetaylıAMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
AMASYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM 108 Elektrik Devreleri I Laboratuarı Deneyin Adı: Kırchoff un Akımlar Ve Gerilimler Yasası Devre Elemanlarının Akım-Gerilim
Detaylı7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI
7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1 Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden
DetaylıEEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME 210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 01: DİYOTLAR ve DİYOTUN AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney
DetaylıDENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.
DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,
DetaylıDENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ
DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ AMAÇLAR: ir transistor ün kolektör e baz eğrilerinin görülmesi. Transistor ün beta ( β) değerinin belirlenmesi. Sıcaklığa bağlı değişimlerin belirlenmesi.
DetaylıDOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı Elektronik I Dersi Laboratuvarı DOĞRULTUCULAR VE REGÜLATÖRLER 1. Deneyin Amacı Yarım
DetaylıDENEY-4 BİR FAZLI TRANSFORMATÖRÜN KISA DEVRE DENEYİ
DENEY-4 BİR FAZLI TRANSFORMATÖRÜN KISA DEVRE DENEYİ TRANSFORMATÖRLERİN EŞDEĞER DEVRESİ Transformatörlerin devre analizinde ve simülasyonunda gerçek modelinin yerine eşdeğer devreleri kullanılır. Eşdeğer
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıBölüm 8 FET Karakteristikleri
Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri
DetaylıElektrik Devre Lab
2010-2011 Elektrik Devre Lab. 2 09.03.2011 Elektronik sistemlerde işlenecek sinyallerin hemen hepsi düşük genlikli, yani zayıf sinyallerdir. Elektronik sistemlerin pek çoğunda da yeterli derecede yükseltilmiş
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıFET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ. Hafta 9
FET: FIELD EFFECT TRANZISTORS ALAN ETKİLİ TRANZİSTÖRLER JFET LERİN DC ANALİZİ Hafta 9 Prof. Dr. Mehmet Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mühendisliği 1 Alan-Etkili Tranzistörler (FET ler) Hatırlanacağı üzere
DetaylıBu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.
DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili
DetaylıADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK-ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ DEVRE ANALĠZĠ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYĠN ADI : DENEY TARĠHĠ : DENEYĠ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 6 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI
ELEKTRONİK DEVRE ELEMANLARI 1. Direnç Renk Kodları Direnç Renk Tablosu Renk Sayı Çarpan Tolerans SİYAH 0 1 KAHVERENGİ 1 10 ± %1 KIRMIZI 2 100 ± %2 TURUNCU 3 1000 SARI 4 10.000 YEŞİL 5 100.000 ± %0.5 MAVİ
DetaylıELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri
ELEKTRONİK-2 DERSİ LABORATUVARI DENEY 1: Doğrultucu Deneyleri DENEYİN AMACI (1) Yarım-dalga, tam-dalga ve köprü doğrultucu devrelerinin çalışma prensiplerini anlamak. GENEL BİLGİLER Yeni Terimler (Önemli
DetaylıDeney 2: FET in DC ve AC Analizi
Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıDers 04. Elektronik Devre Tasarımı. Güç Elektroniği 1. Ders Notları Ege Üniversitesi Öğretim Üyesi Yrd.Doç.Dr. Mehmet Necdet YILDIZ a aittir.
Elektronik Devre Tasarımı Ders 04 Ders Notları Ege Üniversitesi Öğretim Üyesi Yrd.Doç.Dr. Mehmet Necdet YILDIZ a aittir. www.ozersenyurt.net www.orbeetech.com / 1 AC-DC Dönüştürücüler AC-DC dönüştürücüler
DetaylıEEE-220 Electronic Circuits Lab. PSPICE KULLANIMI
EEE- Electronic Circuits Lab. PSPICE KULLANIMI Hazırlayan: Zehan KESİLMİŞ Süre:6 dakika.pspice PSPICE, California üniversitesi tarafından geliştirilmiş bir elektronik devre benzetim programıdır. PSPICE
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 2 OHM-KIRCHOFF KANUNLARI VE BOBİN-DİRENÇ-KONDANSATÖR Malzeme Listesi: 1 adet 47Ω, 1 adet 100Ω, 1 adet 1,5KΩ ve 1 adet 6.8KΩ Dirençler 1 adet 100mH Bobin 1 adet 220nF Kondansatör Deneyde Kullanılacak
Detaylı