EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
|
|
- Ayla Sökmen
- 6 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Aşağıdaki problemlerde aksi belirtilmedikçe λ = 0, NMOS cihazlar için μncox = 200 μa/v 2, VTH = 0.4 V ve PMOS cihazlar için μpcox = 100 μa/v 2, VTH = V kabul ediniz. 1. Alttaki devrede M1 in doyumda ise W/L nin izin verilen maksimum değerini hesaplayınız. λ = 0 kabul ediniz. Bölüm 7 Seçme Sorular ve Çözümleri 3. Alttaki devrede M1 transistörünün triode bölgesine girmeksizin sağlayabileceği maksimum transkondüktans nedir? 2. Alttaki devreyi drain akımı 1 ma olacak şekilde tasarlamak istiyoruz. W/L = 20/0.18 ise giriş empedansı değeri en azından 20 kω olacak şekilde R1 ve R2 dirençlerini hesaplayınız. 4. Alttaki devre RS üzerinde 200 mv gerilim düşümü olacak şekilde tasarlanmalıdır. (a) M1 in doyumda kalması gerekiyorsa W/L nin izin verilen minimum değerini hesaplayınız (b) Giriş empedansı değeri en azından 30 kω olacak şekilde R1 ve R2 dirençlerini hesaplayınız.
2 6. Alttaki kendinden biyaslamalı devre drain akımı 1 ma olacak şekilde tasarlanmalıdır. M1 in 1/(100Ω) luk transkondüktans sağlayabilmesi için gerekli RD değeri nedir? 7. Altta verilen ortak source (CS) devresi için W/L = 30/0.18 ve λ = 0 dır. (a) 0.5 ma drain akımı elde etmek için gate gerilimi ne olmalıdır? (M1 in doyumda çalıştığını doğrulayınız.) (b) Böyle bir drain biyas akımı ile CS katının gerilim kazancı ne olur? 5. Alttaki devrede W/L = 20/0.18 dir. R2 direncinden akan akımı ID1 akımının 10 da biri kabul ederek, ID1 = 0.5 ma olması için gerekli R1 ve R2 dirençlerini hesaplayınız. 8. Bir önceki soruda bulunan devre W/L = 20/0.18, λ = 0, and ID = 0.25 ma olarak tasarlanmıştır. (a) Gerekli gate biyas gerilimini hesaplayınız. (b) Böyle bir gate gerilimi ile M1 in doyumda kalması sağlanırken W/L ne kadar artırılabilir? W/L artarken elde edilebilecek maksimum gerilim kazancı nedir?
3 Realization of Current Sources 10. Alttaki devrede M1 ve M2 kanal uzunlukları 0.25 μm ve λ = 0.1 V -1 dir. IX=2IY=1 ma olacak şekilde W1 ve W2 i belirleyiniz. Assume VDS1=VDS2=VB=0.8 V. Her bir akım kaynağının çıkış direnci nedir? 9. Alttaki devreyi W/L 20/0.18 değeri ile gerilim kazancı 5 olacak şekilde tasarlamak istiyoruz. Güç tüketiminin 1 mw ı geçmemesi gerekli ise gerekli gerekli RD değeri nedir? 11. Alttaki iki akım kaynağı IX=IY=0.5 ma olacak şekilde tasarlanmalıdır. VB1=1 V, VB2=1.2 V, λ = 0.1 V -1 ve L1=L2=0.25 μm ise W1 ve W2 i hesaplayınız. İki akım kaynağının çıkış dirençlerini kıyaslayınız.
4 12. Aşağıdaki devrede (W/L)1 = 10/0.18 ve (W/L)2 =30/0.18 dir. Eğer λ = 0.1 V -1, VX=0.9 V olacak şekilde VB yi hesaplayınız. 13. Aşağıdaki devrede M1 ve M2 akım kaynağı olarak çalışmaktadır. VB=1 V ve W/L=20/0.25 ise IX ve IY yi hesaplayınız. M1 ve M2 nin çıkış dirençleri nasıl ilişkilidir? 15. Bir önceki sorunun devresi için λ2 λ1 olacak şekilde M2 uzun bir kanal boyuna sahiptir. λ1= 0.1 V -1, (W/L)1 = 20/0.18, ve ID = 1 ma ise gerilim kazancını hesaplayınız. CS Stage soruları (7-9. Sorular da CS stage ile alakalı) 14. Şekildeki CS katı 0.5 ma biyas akımında gerilim kazancı olarak 10 vermelidir. λ1 = 0.1 V -1, ve λ2 = 0.15 V -1 kabul ediniz. (a) Gerekli (W/L)1 değerini hesaplayınız. (b) (W/L)2 = 20/0.18 ise gerekli VB değerini hesaplayınız.
5 16. Bir önceki sorudaki devrede M1 ve M2 belirli boyutlar ile I1 biyas akımı için tasarlanmıştır. Her iki transistörün genişlik ve boyutu ikiye katlanırsa, gerilim kazancı nasıl değişir? Şu iki durumu dikkate alın; a) Biyas akımı sabitken, b) Biyas akımı ikiye katlanırsa. 18. Aşağıdaki topolojilerden hangisi tercih edilir, açıklayınız. 19. Alttaki devreyi gerilim kazancı 3 olacak şekilde tasarlamak istiyoruz. (W/L)1 = 20/0.18 ise (W/L)2 belirleyiniz. λ = 0 kabul ediniz. 17. Aşağıdaki şekildeki CS katı 0.5 ma lik biyas akımında gerilim kazancı olarak 15 değerini sağlamalıdır. Eğer If λ1 = 0.15 V -1 and λ2 = 0.05 V -1, gerekli (W/L)2 değerini hesaplayınız. 20. Bir önceki sorudaki devre için (W/L)1 = 10/0.18 ve ID1 = 0.5 ma a) λ = 0 ise M1 doyum sınırında çalışacak şekilde (W/L)2 oranını belirleyiniz. b) Şimdi kazancı hesaplayınız. c) (W/L)2 nin seçimi niçin maksimum kazancı verir, açıklayınız.
6 21. Bir önceki sorudaki devreyi gerilim kazancı 5 olacak şekilde tasarlamak istiyoruz. a) (W/L)2 = 20/0.18 ise gerekli (W/L)1 belirleyiniz. b) L)1 doyumda çalışması gerekiyorsa izin verilebilen maksimum biyas akımı nedir? 22. λ 0 ise, aşağıda gösterilen devrelerin kazançlarını hesaplayınız.
7 23. Alttaki devre için λ = 0 kabul ederek M1 doyum sınırında çalışacak şekilde gate gerilimini belirleyiniz. 25. λ = 0 kabul ederek aşağıda gösterilen devrelerin kazançlarını hesaplayınız. 24. Önceki sorudaki dejenere CS katının 1 ma lij biyas akımı ile gerilim kazancı 4 vermelidir. RS üzerinde 200 mv luk gerilim düşümü olduğunu ve λ = 0 kabul ediniz. a) RD= 1 kω ise gerekli W/L değerini belirleyiniz. Bu W/L seçimi ile transistör doyumda mı çalışır? b) W/L=50/0.18 ise RD nin gerekli değerini hesaplayınız. Bu RD seçimi ile transistör doyumda mı çalışır?
8 28. Alttaki CS katı 1 ma lik bir biyas akımı taşır. RD = 1 k ve λ = 0.1 V -1 ise 1 V luk gate gerilimi için gerekli W/L oranını hesaplayınız. Devrenin gerilim kazancı nedir? 26. λ > 0 durumu için bir dejenere CS katını dikkate alınız. gmro >>1 kabul ederek devrenin gerilim kazancını hesaplayınız. 27. λ 0 ise, aşağıda gösterilen devrelerin her birinin çıkış empedanslarını hesaplayınız. 29. Bir önceki soruyu λ = 0 için tekrar çözünüz ve sonuçları kıyaslayınız.
9 30. Alttaki ortak source katı için M1 in drain akımı I1 ideal akım kaynağı ile tanımlanmış olup R1 ve R2 den bağımsız kalmaktadır (Niçin?). I1=1 ma, RD = 500 Ω, λ = 0, ve C1 i çok büyük kabul ediniz. a) Gerilim kazancının 5 olması için gerekli W/L değerini hesaplayınız. b) R1+R2 besleme kaynağından 0.1 ma den daha fazla akım çekmezken transistörü triode bölgesinden 200 mv uzağa yerleştirmek için gerekli R1 ve R2 değerlerini seçiniz. c) (b) de bulunan değerler ile (a) da bulunan W/L değeri iki katına çıkarsa ne olur? Hem biyas koşullarını (M1 triode bölgesine yaklaşır mı yaklaşmazmı açısından) hem de gerilim kazancı açısından bu yeni durumu değerlendiriniz. 31. Alttaki CS katı için I1 kaynağı M1 in biyas akımını tanımlar ve C1 çok büyüktür. a) λ = 0, I1=1 ma ise transistörün doyumda kalması için izin verilen maksimum RD değeri nedir? b) (a) de bulunan değer ile gerilim kazancının 5 olması için gerekli W/L değerini belirleyiniz. 32. Altta gösterilen ortak gate katının gerilim kazancı 4 ve giriş empedansı 50Ω olmalıdır. ID=0.5 ma ve λ = 0 ise RD ve W/L değerlerini belirleyiniz.
10 33. Bir önceki sorudaki devre için ID=0.5 ma, λ = 0 ve Vb=1V alınız. Giriş empedansının 50Ω ve gerilim kazancının maksimum (M1 saturasyonda kalırken) olması için gerekli RD ve W/L değerlerini belirleyiniz. 35. Aşağıda gösterilen CG yükselteci I1=1mA lik kaynak ile biyaslanmaktadır. λ = 0 ve C1 i çok büyük kabul ediniz. a) RD nin hangi değeri M1 i triode bölgesinden 100 mv öteye yerleştirir? b) Devrenin (a) da bulunan RD değeri ile gerilim kazancı olarak 5 vermesi gerekiyorsa gerekli W/L değerini belirleyiniz. 34. Alttaki devredeki CG katı 50Ω luk giriş empedansı ve 500Ω luk çıkış empedansı sunmalıdır. λ = 0 alınız. a) ID nin izin verilebilen maksimum değeri nedir? b) (a) da elde edilen değer ile gerekli W/L değerini hesaplayınız. c) Gerilim kazancını hesaplayınız. 36. Aşagıdaki her bir katın gerilim kazancını belirleyiniz.
11 38. Bir önceki problemi alttaki devre için tekrar ediniz. 37. CS katına (M1 and RD1) bir CG katının (M2 and RD2) bağlandığı aşağıdaki devreyi göz önüne alınız. a) vout/vin = (vx/vin)(vout/vx) yazmak suretiyle ve λ = 0 alarak, toplam kazancı yazınız. b) (a) da elde edilen sonucu RD1 a götürmek suretiyle basitleştiriniz. Bu sonucun niçin beklenmesi gerektiğini açıklayınız. 39. λ = 0 kabul ederek alttaki devrenin gerilim kazancını hesaplayınız. Bu devrenin niçin ortak gate devresi olmadığını açıklayınız.
12 40. λ = 0 ve kapasiteleri çok büyük kabul ederek alttaki devrenin gerilim kazancını hesaplayınız. 42. Aşağıdaki source takip edici devresini gerilim kazancı 0.8 olacak şekilde tasarlamak istiyoruz. W/L = 30/0.18 and λ = 0 ise gerekli biyas gerilimini hesaplayınız. Source Follower 41. Altta gösterilen source takip edici RG üzerinden biyaslanmaktadır. W/L = 20/0.18 and λ = 0.1 V -1 ise gerilim kazancını hesaplayınız. 43. Bir önceki soruda verilen source takip edici devresi 1.8V luk maksimum gate biyas gerilimi ile tasarlanacaktır. λ = 0 ise 0.8 gerilim kazancı elde etmek için gerekli W/L değerini hesaplayınız.
13 46. Alttaki source takip edici devresini 3mW lık güç tüketimi ile 0.8 lik gerilim kazancı için tasarlamak istiyoruz. Gerekli W/L değerlerini hesaplayınız. λ = 0 ve C1 i çok büyük kabul ediniz. 44. Altta verilen source takip edici devresi bir akım kaynağı bulundurmaktadır. Eğer devre V GS=0.9 V ile 100Ω dan daha küçük bir çıkış empedansı sağlaması gerekiyorsa I 1 ve W/L değerlerini belirleyiniz. λ = 0 alınız. 47. Aşagıdaki her bir katın gerilim kazancını belirleyiniz. λ 0 alınız. 45. Bir önceki sorudaki devre 2mW lık güç tüketimi ile 50Ω dan daha küçük bir çıkış empedansı sağlamalıdır. Gerekli W/L değerini bulunuz. λ = 0 alınız.
14 48. Alttaki devrede ortak gate (M2 and RD) katının önüne source takip edici (M1 and I1) devresi bağlanmıştır. a) vout/vin = (vx/vin)(vout/vx) yazmak suretiyle ve λ = 0 alarak, toplam kazancı yazınız. b) (a) da elde edilen sonucu gm1 = gm2 almak suretiyle sadeleştiriniz. NOT: Kitapta bu soruların devamındaki tasarım problemlerinede bakınız.
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 6 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 3 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
DetaylıBu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.
DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıR 1 R 2 R L R 3 R 4. Şekil 1
DENEY #4 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ ve MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi Kullanılan Alet ve Malzemeler: 1) DC Güç Kaynağı 2) Avometre
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ÖDEV-2
ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ 06.05.2015 ÖDEV-2 1. Aşağıdaki şekilde verilen devrenin; a) a-b uçlarının solunda kalan kısmının Thevenin eşdeğerini bulunuz. b) Bu eşdeğerden faydalanarak R L =4 luk yük direncinde
DetaylıDENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ
DENEY-6 THEVENİN TEOREMİNİN İNCELENMESİ MAKSİMUM GÜÇ TRANSFERİ Deneyin Amacı : Thevenin teoreminin geçerliliğinin deneysel olarak gözlemlenmesi. Maksimum güç transferi teoreminin geçerliliğinin deneysel
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıKTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I. I kd = r. Şekil 1.
KTÜ, Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik Laboratuarı I THEENİN ve NORTON TEOREMLERİ Bir veya daha fazla sayıda Elektro Motor Kuvvet kaynağı bulunduran lineer bir devre tek
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıOHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI
OHM KANUNU DĠRENÇLERĠN BAĞLANMASI 2.1 Objectives: Ohm Kanunu: Farklı direnç değerleri için, dirence uygulanan gerilime göre direnç üzerinden akan akımın ölçülmesi. Dirençlerin Seri Bağlanması: Seri bağlı
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıBu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.
Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Uygulama -1: Dirençlerin Seri Bağlanması Uygulama -2: Dirençlerin Paralel Bağlanması Uygulama -3: Dirençlerin Karma Bağlanması Uygulama
DetaylıBölüm 1 Temel Lojik Kapılar
Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar DENEY 1-1 Lojik Kapı Devreleri DENEYİN AMACI 1. Çeşitli lojik kapıların çalışma prensiplerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların girişi ve çıkış gerilimlerini
Detaylıİşlemsel Yükselteçler
İşlemsel Yükselteçler Bölüm 5. 5.1. Giriş İşlemsel yükselteçler aktif devre elemanlarıdır. Devrede gerilin kontrollü gerilim kaynağı gibi çalışırlar. İşlemsel yükselteçler sinyalleri toplama, çıkarma,
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıDENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları
Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
Detaylı4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI
4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı
DetaylıDeney 2: FET in DC ve AC Analizi
Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıDeney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.
Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)
DetaylıBölüm 9 FET li Yükselteçler
Bölüm 9 FET li Yükseleçler DENEY 9-1 Orak-Kaynaklı (CS) JFET Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Orak kaynaklı JFET yükselecin öngerilim düzenlemesini anlamak. 2. Orak kaynaklı JFET yükselecin saik ve dinamik karakerisiklerini
Detaylı1) Seri ve paralel bağlı dirençlerin eşdeğer direncinin bulunması. 2) Kirchhoff akım ve gerilim yasalarının incelenmesi.
DENEY 3. DİRENÇLERİN SERİ VE PARALEL BAĞLANMASI Amaç: 1) Seri ve paralel bağlı dirençlerin eşdeğer direncinin bulunması. 2) Kirchhoff akım ve gerilim yasalarının incelenmesi. Kuramsal Bilgi: Elektrik devrelerinde
DetaylıOHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI
DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, Ohm kanunu işlenecektir. Seri ve paralel devrelere ohm kanunu uygulanıp, teorik sonuçlarla deney sonuçlarını karşılaştıracağız ve doğrulamasını yapacağız.
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıKOB Statik Giriş Direnci. Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü Ortak Yükseltecin (KOB) Statik Karakteristikleri
Kollektörü Ortak Yükselteç (KOB) Kollektörü ortak baglantılı yüselteçte, kollektör hem girişte hem de çıkışta ortaktır "Kollektörü ortak bağlantının" ilk harfleri alınarak "KOB" kısaltması üretilmiştir.
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıSERİ, PARALEL DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF KANUNLARI
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİNE GİRİŞ DERSİ SERİ, PARALEL DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF KANUNLARI Dr. Öğr. Üyesi Ahmet ÇİFCİ SERİ DEVRELER Birden fazla direncin,
DetaylıNedim Tutkun, PhD, MIEEE Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Konuralp Düzce
GÜÇ ELEKTRONİĞİ ÖRNEK ARASINAV SORULARI Nedim Tutkun, PhD, MIEEE nedimtutkun@duzce.edu.tr Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü 81620 Konuralp Düzce Soru-1) Şekildeki diyotlu R-L devresinde,
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri
DENEY FÖYÜ 7: Seri ve Paralel Rezonans Devreleri Deneyin Amacı: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini hesaplamak ve ölçmek, rezonans eğrilerini çizmek.
DetaylıEEM 201 DEVRE TEORĐSĐ I DENEY 3
GERĐLĐM BÖLÜCÜ EEM 0 DEVRE TEORĐSĐ I 3. Amaçlar: Yük Olmadan Gerilim Bölücü Đşlemi: Yüksüz gerilim bölücü devrede gerilim oranlarının ölçülmesi. Gerilim bölücü formülü. Yük Altında Gerilim Bölücü: Yük
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I
Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin
DetaylıREZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc
KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik
DetaylıDİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ
DİJİTAL ELEKTRONİK LABORATUVARI DENEY FÖYÜ OSMANİYE KORKUT ATA ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ 2012 1 LABORATUVAR KURALLARI 1. Laboratuvarlar programda belirtilen giriş ve çıkış saatlerine
DetaylıDENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ
DENEY 8 FARK YÜKSELTEÇLERİ 8.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde fark yükselteçleri analiz edilecek ve girşçıkış sinyalleri incelenecektir. 8.2 TEORİK BİLGİ Fark yükselteçleri birçok entegre devrelerde kullanılan
Detaylı4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek
DENEY 4: ZENER DİYOT (Güncellenecek) 4.1. Deneyin Amacı Zener diyotun I-V karakteristiğini çıkarmak, zener diyotun gerilim regülatörü olarak kullanılışını öğrenmek 4.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
DetaylıDENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri
DENEY NO 3 Alçak Frekans Osilatörleri Osilatörler ürettikleri dalga şekillerine göre sınıflandırılırlar. Bunlardan sinüs biçiminde işaret üretenlerine Sinüs Osilatörleri adı verilir. Pek çok yapıda ve
DetaylıĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER
K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral
DetaylıŞekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği
ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıDENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B
DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıDENEY 13 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ (Op Amp)
İŞLMSL KUVVTLNDİİCİ (Op Amp) A. DNYİN AMACI : Opampın kuvvetlendirici özelliğinin daha iyi bir şekilde anlaşılması amacıyla uygulamalı devre çalışmaları yapmak. B. KULLANILACAK AAÇ V MALZML : 1. Multimetre
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıDENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.
DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,
DetaylıDeğişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.
DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 11 Deney Adı: OPAMP lı Tersleyen, Terslemeyen ve Toplayıcı Devreleri Malzeme Listesi:
DetaylıMOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı
MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,
DetaylıELEKTRONİK LAB. 1. DENEY QUİZ ÇALIŞMA SORULARI
ELEKTRONİK LAB. 1. ENEY QUİZ ÇALIŞMA SORULARI Laboratuvar başlangıcında 15 dk sürecek tek soruluk Quiz yapılacaktır. Bu dökümandaki Quiz Çalışma Sorularından ve eney föyü teorik kısımdaki sorulardan sorulacaktır.
DetaylıDENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100 Hz Hz 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı
DENEY NO:1 DENEYİN ADI: 100-200 4. Derece 3dB Ripple lı Tschebyscheff Filtre Tasarımı DENEYİN AMACI: Bu deneyi başarıyla tamamlayan her öğrenci 1. Filtre tasarımında uyulması gereken kuralları bilecek
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıDENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ
DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde diyotların akım-gerilim karakteristiği incelenecektir. Bir ölçü aleti ile (volt-ohm metre) diyodun ölçülmesi ve kontrol edilmesi (anot ve katot
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler
Masa No: No. Ad Soyad: No. Ad Soyad: ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9 --İşlemsel Yükselteçler 2013, Mayıs 15 İşlemsel Yükselteçler (OPerantional AMPlifiers : OP-AMPs) 1. Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı,
DetaylıŞekil 1. R dirençli basit bir devre
DENEY 2. OHM KANUNU Amaç: incelenmesi. Elektrik devrelerinde gerilim, akım ve direnç arasındaki ilişkinin Ohm kanunu ile Kuramsal Bilgi: Bir iletkenden geçen elektrik akımına karşı, iletken maddenin içyapısına
DetaylıMOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11
MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR
DetaylıSAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI
Sayısal Devreler (ojik Devreleri) SYIS EEMNIN İÇ YPII Sayısal tümdevrelerin gerçeklenmesinde çeşitli tipte tranzistorlar kullanılır. İlk olarak bipolar tipteki tranzistorlar tanıtılacaktır. ipolar Tranzistor:
DetaylıNedim Tutkun, PhD, MIEEE Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Konuralp Düzce
ELEKTRİK DEVRELERİ I ÖRNEK ARASINAV SORULARI Nedim Tutkun, PhD, MIEEE nedimtutkun@duzce.edu.tr Düzce Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü 81620 Konuralp Düzce Soru-1) Şekildeki devrede
DetaylıDENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç
Deney 10 DENEY 6-3 Ortak Kollektörlü Yükselteç DENEYİN AMACI 1. Ortak kollektörlü (CC) yükseltecin çalışma prensibini anlamak. 2. Ortak kollektörlü yükseltecin karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alternatif akım (AC) ve doğru akım nedir örnek vererek kısaca tanımını yapınız. 2. Alternatif akımda aynı frekansa sahip iki sinyal arasındaki faz farkı grafik üzerinde (osiloskopta)
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıDENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ
DENEY-3 AKIM VE GERİLİM BÖLME KIRCHOFF AKIM VE GERİLİM KANUNLARININ İNCELENMESİ Deneyin Amacı: Gerilim ve akım bölmenin anlaşılması, Ohm ve Kirchoff kanunlarının geçerliliğinin deneysel olarak gözlenmesi.
DetaylıDENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:
1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k
DetaylıBÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER
BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit
DetaylıÖN BİLGİ: 5.1 Faz Kaymalı RC Osilatör
DENEY 7 : OSİLATÖR UYGULAMASI AMAÇ: Faz Kaymalı RC Osilatör ve Schmitt Tetikleyicili Karedalga Osilatörün temel çalışma prensipleri MALZEMELER: Güç Kaynağı: 12VDC, 5VDC Transistör: BC108C veya Muadili
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı
DetaylıElektrik Müh. Temelleri
Elektrik Müh. Temelleri ELK184 4 @ysevim61 https://www.facebook.com/groups/ktuemt/ Elektrik Mühendisliğinin TemelleriYrd. Doç. Dr. Yusuf SEVİM 1 Thevenin (Gerilim) ve Norton (kım) Eşdeğeri macı : Devreyi
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100
DetaylıDENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ
Deneyin Amacı: DENEY FÖYÜ 5: THEVENİN VE NORTON TEOREMLERİNİN İNCELENMESİ Devre Analiz yöntemlerinden olan Thevenin ve Norton teoremlerinin deneysel olarak gerçeklenmesi. Doğrusal devreleri analiz etmek
DetaylıDENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları
DENEY FÖYÜ 7: İşlemsel Yükselteçlerin Doğrusal Uygulamaları Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı; İşlemsel yükselteçlerle (OP-AMP) yapılabilecek doğrusal uygulamaları laboratuvar ortamında gerçekleştirmek ve
DetaylıAREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ
AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER DR. GÖRKEM SERBES İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ İşlemsel kuvvetlendirici (Op-Amp); farksal girişi ve tek uçlu çıkışı olan DC kuplajlı, yüksek kazançlı
DetaylıSelçuk Üniversitesi Teknoloji Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği
Selçuk Üniversitesi Teknoloji Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Devre Analizi 1 (DC Analiz) Laboratuvar Deney Föyü Ders Sorumlusu: Dr. Öğr. Gör. Hüseyin Doğan Arş. Gör. Osman Özer Konya 2018 2
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıIntroduction to Circuit Analysis Laboratuarı 1.Deney Föyü
2012 Introduction to Circuit Analysis Laboratuarı 1.Deney Föyü KBÜ Elektrik-Elektronik Mühendisliği 26.03.2012 DENEY 1: MULTİMETRE KULLANIMI, KVL, KCL, DÜĞÜM ANALİZİ UYGULAMALARI AMAÇ ve KAPSAM Deneyde
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıYarışma Sınavı. A ) Kristal diyot B ) Zenner diyot C ) Varyabıl diyot D ) Schotky diyot E ) Diyak
1 3 Hızlı diyot olarak bilinen, iletime geçme gerilimleri çok düşük olan ve yüksek frekanslı devrelerin doğrultulmasında kullanılan eleman Yukarıda verilen devrede kullanılan transistörün yükseltme katsayısı
DetaylıElektronik Laboratuvarı
2013 2014 Elektronik Laboratuvarı Ders Sorumlusu: Prof. Dr. Mehmet AKBABA Laboratuvar Sorumluları: Rafet DURGUT İçindekiler Tablosu Deney 1: Laboratuvar Malzemelerinin Kullanılması... 4 1.0. Amaç ve Kapsam...
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Deneyin Amacı: Alçak frekans güç yükselteçleri ve çıkış katlarının incelenip, çalışma mantıklarının kavranması Kullanılacak Materyaller: BD135 (npn Transistör)
DetaylıDENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü
DENEY 1-1 AC Gerilim Ölçümü DENEYİN AMACI 1. AC gerilimlerin nasıl ölçüldüğünü öğrenmek. 2. AC voltmetrenin nasıl kullanıldığını öğrenmek. GENEL BİLGİLER AC voltmetre, ac gerilimleri ölçmek için kullanılan
DetaylıDENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ
DENEY 4 TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİĞİ KOLLEKTÖR EĞRİSİ AMAÇLAR: ir transistor ün kolektör e baz eğrilerinin görülmesi. Transistor ün beta ( β) değerinin belirlenmesi. Sıcaklığa bağlı değişimlerin belirlenmesi.
DetaylıELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ
EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini
DetaylıDEVRE ANALİZİ LABORATUARI. DENEY 3 ve 4 SERİ, PARALEL VE KARIŞIK BAĞLI DİRENÇ DEVRELERİ
DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 3 ve 4 SERİ, PARALEL VE KARIŞIK BAĞLI DİRENÇ DEVRELERİ DENEY 3: SERİ VE PARALEL BAĞLI DİRENÇLİ DEVRELER 1. Açıklama Bu deneyin amacı; seri, paralel bağlı dirençlerin etkisini
Detaylı