DENEY NO: 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER
|
|
- Umut Yağcı
- 7 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 DENEY NO: 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma prensipleri ve özellikleri gözlemlenecekir. ÖN HAZIRLIK Lüfen aşağıdaki soruları yanılayınız. Kuvvelendirici ne demekir? BJT ve MOS kuvvelendiricilerin çalışma bölgeleri nelerdir? Kuvvelendirme işlevi, kuuplama akım ve gerilimlerinin değerinden başka hangi ekenlere bağlıdır? Kuuplama ne demekir? Bağlama kapasiesi ne demekir? Nerede ve ne amaçla kullanılır? Köprüleme kapasiesi ne demekir? Nerede ve ne amaçla kullanılır? Kazanç ne demekir? Faz farkı ne demekir? Kırpılma olayı nedir ve neden olmakadır? Lüfen aşağıdaki hesaplamaları yapınız. Şekil.2a daki devrenin çalışma nokası büyüklüklerini (V C, V B, V E, I C ) belirleyin. Şekil.2a daki devre için V c / V b gerilim kazancını C 3 devrede varken ve yokken (iki durum için ayrı ayrı) hesaplayın. Şekil.2b deki devrenin çalışma nokası büyüklüklerini (V D, V G, V S, I D ) belirleyin. Şekil.2b deki devre için V d / V g gerilim kazancını hesaplayın. Deney öncesinde, ön hazırlıka yapılması isenilenler (yanılanması isenilen sorular ve hesaplamalar) ile ilgili yazılı kısa sınav yapılacakır! GÖZDEN GEÇİRİLMESİ FAYDALI KONULAR BJT li kuvvelendiricilerde orak emeör ve orak bazlı devreleri (benzerlikler ve farklılıklar açısından) karşılaşırın. MOS kuvvelendiricilerde orak kaynak ve orak geçili devreleri (benzerlikler ve farklılıklar açısından) karşılaşırın. DENEYİN ÖĞRENCİYE KATACAĞI ŞEYLER Bu deney sonunda aşağıda sıralanmış olan bilgileri öğrenmiş ve gerçeklediğiniz devreler yardımı ile özümsemiş olmanız gerekmekedir. 3-1
2 Kuvvelendirici ne demekir ve işlevi nedir? BJT ve MOS kuvvelendiricilerin çalışma bölgeleri nelerdir? Kazanca eki eden fakörler nelerdir? Kuuplama koşulları nedir? Bağlama ve köprüleme kapasielerinin kullanım amaçları nelerdir? Faz farkı nedir ve nasıl gözlemlenir? DENEYDE KULLANILACAK MALZEME VE CİHAZLAR: Malzemeler: Şekil2.a için: Şekil2.b için: BC238B BS108 R g = 10kΩ R 3 = 820kΩ R 1 = 220kΩ R 4 = 330kΩ R 2 = 33kΩ R D = 1kΩ R C = 8.2kΩ R S = 220Ω R E = 1.2kΩ R y = 10kΩ R y = 12kΩ C 4 = C 5 = C 6 = 1µF C 1 = C 2 = 4.7µF Tel, kablo C 3 = 220µF Tel, kablo Cihazlar: Mulimere (kuuplama gerilimlerinin ve akımlarının ölçülmesinde kullanılacak) Osiloskop (giriş ve çıkış işarelerinin gözlenmesinde kullanılacak) Besleme kaynağı (12V, 15V) İşare Üreeci (1-100 khz lik sinüzoidal işare) Board Genel Bilgi Bir işare kaynağı arafından girişine uygulanan gücü, çıkış uçlarına bağlı bir yüke kuvvelendirerek veren devrelere kuvvelendirici denir. Kuvvelendiriciler, bir DC kaynakan sağlanan akımı girişine uygulanan işarele deneleyebilen elemanlardan (örneğin ranzisorlar) yararlanılarak gerçekleşirilir. Günümüzde, kuvvelendiricilerde bipolar jonksiyonlu ranzisorlar (BJT) veya alan ekili ranzisorlar (MOSFET, JFET, MESFET, vs.) yer almakadır. Tranzisorun bulunuşundan önce kullanılan elekron üpleri arık yalnızca çok yüksek güç uygulamalarında (örneğin radyo vericisi çıkış kaları) kullanılmakadır. Bilindiği gibi, ileri akif modda (BE jonksiyonu ileimde, BC jonksiyonu ıkamada) olan bir BJT nin çıkış akımı (I C ), giriş gerilimi (V BE ) ile denelenebilmekedir; oysa çıkış geriliminden (V CE ) neredeyse bağımsızdır. Doymada çalışan bir FET in I D, V GS ve V DS 3-2
3 büyüklükleri arasında da buna benzer bir ilişki vardır. Tranzisorun bu özelliği (çıkış akımının giriş gerilimine bağımlılığı) ona ismini vermekedir. ransfer resisor ransisor (geçiş direnci) Bu özelliğin bir ranzisorun kuvvelendirme yapmasını nasıl sağladığını kolayca göserebiliriz. Çıkış akımı giriş gerilimine BJT de (ileri akif modda) üsel, FET e ise (doymada) yaklaşık karesel biçimde bağlıdır. BJT nin ileri akif modda (FET in doymada) kuuplandığını varsayalım. Giriş gerilimindeki bir değişim ( V BE veya V GS ) çıkış akımındaki bir değişime ( I C veya I D ) neden olacakır. Eğer bu değişimler yeerince küçükse, I V C BE I V C BE I V D GS I V D GS yazılabilir. Buradaki ürevler, ranzisorların geçiş özeğrilerinin (I C V BE ve I D - V GS özeğrileri) çalışma nokasındaki eğimleridir ve geçiş ilekenliği adını alıp g m simgesi ile göserilir. Şimdi, çıkış akımının bir R direnci üzerine akarıldığını düşünelim. BJT ileri akif modda (FET doymada) kaldıkça, çıkış akımındaki bir değişim ( I C veya I D ) bu direnç üzerinde mulak olarak I C R kadar (FET için I D R kadar) bir gerilim değişimine neden olacakır. Çıkışa bağlı bu direnç üzerindeki bu gerilim değişimi (yani çıkış gerilimindeki değişim) o zaman, küçük değişimler için VO = I C R g m R VBE VO = I D R g m R VGS biçiminde yazılabilir. Buna göre, giriş gerilimindeki değişim çıkış geriliminde g m R ka bir değişime neden olmuşur. g m R > 1 olduğu sürece ranzisor kuvvelendirme yapmakadır. Burada önemli olan 2 noka vardır: 1- Tranzisorun kuvvelendirme yapabilmesi için uygun çalışma bölgesinde kuuplanması gerekir. 2- Tranzisorun yük direncine akardığı güç, ranzisor girişindeki güçen büyük olmakadır. Tranzisor bu gücü üreemeyeceğine göre bu güç bir kaynakan gelmekedir. Bu iki noka bizi şu sonuca göürür: Tranzisor, uygun çalışma nokasında kuuplanmak için bir besleme kaynağına gereksinim duyar. Uygun kuuplama koşulları alında kuvvelendirme yapan ranzisor, aslında bu besleme kaynağından yüke akarılacak akımı (gücü), girişine uygulanan işare aracılığı ile deneleyen bir akım konrol elemanı işlevi görmekedir. 3-3
4 Tranzisorların buraya kadar basileşirilerek anlaılan kuvvelendirme işlevi, aslında kuvvelendiricide ranzisor uç bağlanılarının nasıl yapıldığı, giriş ve çıkış uçlarının hangi uçlar olduğu, yükün ve işare kaynağı iç direncinin merebesi, kuuplama akım ve gerilimlerinin değeri, uygulanan işarein frekansı, yükün devreye doğrudan mı yoksa bir kondansaör üzerinden mi bağlı olduğu gibi sayısız ekene bağlıdır. Yine de, ranzisorların anım bağınıları ve bunlardan elde edilecek ürevler (yani özeğrilerin eğimleri) herhangi bir ranzisorlu kuvvelendiricide yeerince düşük frekanslar ve küçük işareler için kazancın nasıl ifade edilebileceğini bulmamızda kolaylık sağlar. Bilindiği gibi BJT için ileri akif modda ve MOSFET için doyma bölgesinde akım bağınıları şu biçimde verilebilmekedir: BJT: I = β I = I exp( V / V )(1 + V / V ) [V T = kt / q : ısıl gerilim] C F B S BE T 1 ( V ) 2 GS VT MOSFET: I G = 0, I D = β (1 + λvds ) [V T : eşik gerilimi] 2 Bu bağınılardan, çalışma nokası civarındaki küçük değişimler için aşağıdaki ilişkiler elde edilir. (Değişken işareler küçük harf / küçük indis, çalışma nokası büyüklükleri büyük harf / büyük indis ile göserilmekedir.) CE A BJT: MOSFET: i / c = g mvbe + vce ro, ib g mvbe / β F d m gs ds o [g m = r e -1 = I C / V T, r o = V A / I C ] i = g v + v / r, i = 0 [g m = β(v GS V T ) = (2βI D ) 1/2, g r o = (λi D ) -1 ] Daha önce, ileri akif moddaki BJT nin (doymadaki MOSFET in) çıkış akımının çıkış geriliminden bağımsız olduğunu varsaymışık. Oysa BJT de Early Olayı, MOSFET e ise Kanal Boyu Modülasyonu adı verilen ekiler nedeni ile I c akımı V CE den, I D akımı V DS den belirli oranda ekilenmekedir. Bu ekiler sırasıyla V A ve λ paramereleri ile modellenmeke ve küçük işareler için sonlu bir çıkış direnci r o sonucunu oluşurmakadır. Çıkış direnci, çıkış düğümündeki eşdeğer yük direnci ifadesine doğrudan girerek bu direncin değerini, dolayısıyla kazancı sınırladığı için olabildiğince büyük olması isenir. Bazı uygulamalarda (örneğin pasif dirençlerin çok yer kapladığı ümdevrelerde) yük olarak direnç değil de ranzisorun bu büyük çıkış direncinden yararlanılır ( akif yüklü kuvvelendiriciler ). Burada dikka edilecek bir noka, küçük işare paramerelerinin (g m ve r o ) çalışma nokası akımına bağımlı olduğudur. Yani ranzisorlu bir devrenin küçük işare davranışı (örneğin gerilim kazancı) ranzisorun kuuplama akımıyla değişir. Yukarıda küçük işareler için verilen bağınılar yardımıyla, BJT ve FET için sırasıyla Şekil.1a ve Şekil.1b deki küçük işare eşdeğer devreleri elde edilebilir. Bu devreler, doğrusal elemanlardan oluşuklarından, ranzisorlu kuvvelendiricilerin değişken işare davranışını incelemede büyük kolaylık sağlarlar. 3-4
5 Şekil.1 BJT küçük işare eşdeğeri Küçük işare eşdeğeri, ranzisorlu bir devrenin büyük genlikli işareler için nasıl davranacağını (büyük işare davranışı) doğru olarak belirleyemez, çünkü bu davranış doğrusal olmaz. Yine de, böyle büyük genlikler için, ranzisorlar doyma veya kesime (FET e doymasız bölge veya kesime) girmedikleri sürece, küçük işare eşdeğeri, ranzisorlu devrenin davranışıyla ilgili kabaca da olsa bir fikir verir. Giriş işarei değişirken, belirli bir ani giriş değeri için ranzisorun BE jonksiyonu ıkamaya ya da BC jonksiyonu ileime sokulabilir. Bu giriş değerinin daha öesine geçen giriş büyüklükleri için, ranzisorun çıkış akımı (I C ) değişmez (0A ya da I Csa değerinde kalır). Bu durumda çıkış işarei o bölge için yaklaşık sabi kalır. Böyle bir ekiye kırpılma denir. Analog uygulamalarda, çıkış işareindeki bu bozulma, ranzisorun doğrusal olmamasından ileri gelen bozulmadan çok daha ciddidir ve uygun çalışma nokası seçilerek ve giriş işarei genliği sınırlanarak önlenmesi gerekir. DENEY 1. Kısım: Şekil2.a daki BJT li kuvvelendiricinin kuuplama devresini (Şekil2.a da çizgi içerisine alınan kısım) kurun ve V CC = 15V ile besleyin. Tranzisorun kolekör, baz ve emeör DC gerilimlerini ve kolekör akımının DC değerini ölçün. Kuuplama devrenize eksik elemanlarınızı ekleyerek Şekil2.a daki devreyi elde edin. Girişe 1kHz lik bir sinüzoidal işare uygulayın. Giriş işareinizin genlik değerini değişirerek çıkış işareinin kırpılmaya girip girmediğini, giriyorsa kırpılmaya girdiği değeri belirleyin. Poziif ve negaif yöndeki kırpılma değerlerinin simerik olup olmadığına bakınız. Simerik değilse nedenlerini düşününüz. Çıkış işareinizi osiloskop ile gözlemleyerek, kırpılmaya girmemiş düzgün bir sinüs işare elde edecek biçimde giriş işareinizin genliğini ayarlayın. Giriş işareinizin genliğini ayarladığınız değerde sabi uarak osiloskopan sırasıyla V g, kolekör, baz ve emeör gerilimlerinin değişimini ölçme sonuçlarını işleme kısmına ölçekli olarak çiziniz. Osiloskopan aldığınız ölçüm sonuçlarına göre V c / V b gerilim kazancını hesaplayınız. Kolekör ve baz uçlarını aynı anda (dual olarak) osiloskopa gözlemleyip faz farkı olup olmadığını belirleyin. Faz farkı varsa ne kadar olduğunu belirleyiniz. C 3 kapasiesini devreden çıkarın ve buraya kadar yapıklarınızı (C 3 devrede yokken) ekrarlayınız. 3-5
6 Şekil-2.a BJT kuvvelendirici devre 2. Kısım: Şekil2.b deki MOS kuvvelendiricinin kuuplama devresini (Şekil2.b de çizgi içerisine alınan kısım) kurun ve V DD = 12V ile besleyin. Tranzisorun savak, geçi ve kaynak DC gerilimlerini ve I D akımının DC değerini ölçün. Kuuplama devrenize eksik elemanlarınızı ekleyerek Şekil2.b daki devreyi elde edin. Girişe genliği 20mV olan 50kHz lik bir sinüzoidal işare uygulayın. Osiloskop yardımı ile gözlemlediğiniz savak, geçi ve kaynak gerilimlerinin değişimini deney sonuç kağıdına ölçekli olarak çiziniz. Osiloskopan aldığınız ölçüm sonuçlarına göre V d / V g gerilim kazancını hesaplayınız. Savak ve geçi uçlarını aynı anda (dual olarak) osiloskopa gözlemleyip faz farkı olup olmadığını belirleyin. Faz farkı varsa ne kadar olduğunu belirleyiniz. Şekil-2.b MOSFET kuvvelendirici devre 3-6
7 ÖLÇME SONUÇLARINI İŞLEME KISMI Öğrenci Ad Soyad : Öğrenci Numara : Öğrenci Grup No: Öğrenci Deneyi yapıran Araş. Gör.: Araş. Gör. Oda No: Araş. Gör. Şekil.2a daki devre için: V C V B V E I C Deney Öncesinde Teorik Olarak Hesaplanan Değer Deney Esnasında Ölçülen Değer C 3 devredeyken: V g V c 3-7
8 V b V e 3-8
9 Şekil.2a daki devre için: C 3 devrede yokken: V g V c 3-9
10 V b V e 3-10
11 Şekil.2b deki devre için: V D V G V S I D Deney Öncesinde Teorik Olarak Hesaplanan Değer Deney Esnasında Ölçülen Değer V g V d V s V sin 3-11
12 EK BİLGİLER BC238B 3-12
13 BS
14 RAPORDA İSTENENLER: Ön hazırlık kısmında hesaplamış olduğunuz eorik değerler ile deney esnasında ölçüğünüz değerleri karşılaşırın. (Ön hazırlık için yapılmış olan eorik hesaplamalar, açık bir şekilde ve yapılan işlemler adım adım göserilerek rapora da yazılacak.) Ölçüm değerleriniz ile hesapladığınız değerler uyumlu mu? Uyumlu ise haa payınızı hesaplayın, uyumlu değilse nedenlerini belirin. Raporunuzu yazarken deneyden ne öğrendiğinizi bizim de anlamamızı sağlayacak şekilde, başka bir ifade ile, sadece deneyi nasıl yapığınızı adım adım yazmak yerine her bir adım ile neyi öğrendiğinizi mümkünse yorumlarınızı da ekleyerek yazın. Kolay gelsin, iyi çalışmalar 3-14
DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER
DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma özellikleri gözlemlenecekir.
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK - ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN334 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 1: TRANZİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERDE GERİBESLEME I. EĞİTİM II.
DetaylıBölüm 9 FET li Yükselteçler
Bölüm 9 FET li Yükseleçler DENEY 9-1 Orak-Kaynaklı (CS) JFET Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Orak kaynaklı JFET yükselecin öngerilim düzenlemesini anlamak. 2. Orak kaynaklı JFET yükselecin saik ve dinamik karakerisiklerini
DetaylıELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 3 TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER
T.. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİİLER Deneyi Yapanlar Grubu Numara
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I
Karadeniz Teknik Üniversiesi Mühendislik Fakülesi * Elekrik-Elekronik Mühendisliği Bölümü Elekronik Anabilim alı * Elekronik Laborauarı I FET.Lİ KUETLENİİCİLE 1. eneyin Amacı FET Transisörlerle yapılan
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II
T.. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY : TEK BESLEMELİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİİLER DENEY GRUBU :... DENEYİ YAPANLAR
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER
Karadeniz Teknik Üniversiesi Mühendislik Fakülesi * Elekrik-Elekronik Mühendisliği Bölümü Elekronik Anabilim Dalı * Elekronik Laborauarı I 1. Deneyin Amacı TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER Transisörlerin yükseleç
DetaylıELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY ZAMANLAMA DEVRESİ
T.. ULUDĞ ÜNİVESİTESİ MÜHENDİSLİK FKÜLTESİ ELEKTİK - ELEKTONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN334 ELEKTONİK DEVELE LBOTUVI II DENEY 6 ZMNLM DEVESİ Deneyi Yapanlar Grubu Numara d Soyad aporu Hazırlayan Diğer Üyeler
DetaylıBÖLÜM 7 GÜÇ (POWER) YÜKSELTECİ KONU: GEREKLİ DONANIM: ÖN BİLGİ: DENEYİN YAPILIŞI:
BÖLÜM 7 GÜÇ (POWER) YÜKSELTECİ KONU: 1. Transisörlü güç yükselecinin analizi ve çalışma karakerisiklerinin incelenmesi. GEREKLİ DONANIM: Osilaskop (Çif Kanallı) İşare Üreeci (Signal Generaor) DC Güç Kaynağı
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ ORTAK EMETÖRLÜ YÜKSELTEÇ DENEYİ Amaç: Bu deneyde, uygulamada kullanılan yükselteçlerin %90 ı olan ortak emetörlü yükselteç
DetaylıDENEY 1. İşlemsel Kuvvetlendiricili (OP-AMP) Devrelerin AC Uygulamaları
ULUDĞ ÜNİESİTESİ MÜHENDİSLİK FKÜLTESİ ELEKTİK-ELEKTONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN04 Elekrik Devreleri Laborauarı II 03-04 Bahar DENEY İşlemsel Kuvvelendiricili (OP-MP) Devreler Uygulamaları Deneyi Yapanın
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
T SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM21 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıDENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ Deneyin Amacı
DENEY 8: ORTAK EMİTERLİ YÜKSELTEÇ 8.1. Deneyin Amacı Ortak emiter bağlı yükseltecin yüklü, yüksüz kazancını tespit etmek ve ortak emiter yükseltecin küçük sinyal modelini çıkartmak. 8.2. Kullanılacak Malzemeler
DetaylıDENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI
DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II DENEY 7 KOMPARATÖRLER
T.C. LĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENİSLİK FKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENİSLİĞİ ÖLÜMÜ ELN4 ELEKTRONİK EVRELER LORTVRI II ENEY 7 KOMPRTÖRLER eneyi Yapanlar Grubu Numara d Soyad Raporu Hazırlayan iğer Üyeler eneyin
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
DetaylıDENEY 5 RL ve RC Devreleri
UUDAĞ ÜNİVESİTESİ MÜHENDİSİK FAKÜTESİ EEKTİK-EEKTONİK MÜHENDİSİĞİ BÖÜMÜ EEM2103 Elekrik Devreleri aborauarı 2014-2015 DENEY 5 ve Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı : Deney Sonuçları (40/100)
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN3304 ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI II
T.C. ULUDĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMRLIK FKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN4 ELEKTRONİK DEVRELER LBORTUVRI II DENEY 6: OSİLTÖRLER DENEY GRUBU :... DENEYİ YPNLR :......... RPORU HZIRLYN :...
DetaylıELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi
ELM 232 Elektronik I Deney 3 BJT Kutuplanması ve Küçük İşaret Analizi I. Amaç Bu deneyin amacı; BJT giriş çıkış karakteristikleri öğrenerek, doğrusal (lineer) transistör modellerinde kullanılan parametreler
DetaylıBölüm 7 Çok Katlı Yükselteçler
Bölüm 7 Çok Kalı Yükseleçler DENEY 7-1 RC Kuplajlı Yükseleç DENEYİN AMACI 1. RC kuplajlı yükselecin çalışma prensibini anlamak. 2. RC kuplajlı yükselecin herbir kaının giriş ve çıkış dalga şekillerini
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıDENEY-3. FET li Yükselticiler
DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)
DetaylıT.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 4 MOSFET KARAKTERİSTİKLERİ AÇIKLAMALAR Deneylere gelmeden önce lütfen deneyle
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıDENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B
DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051
DetaylıBölüm 11 Temel İşlemsel Yükselteç Devreleri
Bölüm 11 Temel İşlemsel Yükseleç Devreleri DENEY 11-1 Eviren Yükseleç DENEYİN AMACI 1. Eviren yükselecin çalışma prensibini anlamak. 2. Eviren yükselecin giriş ve çıkış dalga şekilleri ile gerilim kazancını
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#7 Ortak Kollektörlü ve Ortak Bazlı BJT Kuvvetlendirici Deneyi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU
DetaylıMOSFET Karakteristiği
Alınacak Malzemeler Listesi: 4 Adet 10 kω Potansiyomete 2 Adet 10 kω Direnç MOSFET Karakteristiği 4 Adet 10nF Polyester Kutu Tip Kondansatör 1 Adet IRF 530 N Kanallı MOSFET Amaç Bu deneyin amacı MOSFET
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ
Numara : Adı Soyadı : Grup Numarası : DENEY 1: DĠRENÇLERĠN SERĠ/PARALEL/KARIġIK BAĞLANMASI VE AKIM, GERĠLĠM ÖLÇÜLMESĠ Amaç: Teorik Bilgi: Ġstenenler: Aşağıda şemaları verilmiş olan 3 farklı devreyi kurarak,
DetaylıALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI
ALÇAK FREKANS GÜÇ YÜKSELTEÇLERİ VE ÇIKIŞ KATLARI Giriş Temel güç kuvvetlendiricisi yapılarından olan B sınıfı ve AB sınıfı kuvvetlendiricilerin çalışma mantığını kavrayarak, bu kuvvetlendiricileri verim
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deney, tersleyen kuvvetlendirici, terslemeyen kuvvetlendirici ve toplayıcı
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıBJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi
DENEY 5: BJT NİN KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 5.1. Deneyin Amacı BJT (Bipolar Junction Transistor) nin karakteristik eğrilerinin incelenmesi 5.2. Kullanılacak Aletler ve Malzemeler 1) BC237C BJT transistör 2)
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUARI I DENEY 3 TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLERİN TASARIMI VE TEST EDİLMESİ 2: AÇIKLAMALAR
DetaylıDENEY NO 3. Alçak Frekans Osilatörleri
DENEY NO 3 Alçak Frekans Osilatörleri Osilatörler ürettikleri dalga şekillerine göre sınıflandırılırlar. Bunlardan sinüs biçiminde işaret üretenlerine Sinüs Osilatörleri adı verilir. Pek çok yapıda ve
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
DetaylıELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRONİK I LAB. 2 KIRPICI DERELER ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK-I LABORATUARI DENEY 2: KIRPICI DERELER Yrd.Doç.Dr. Engin Ufuk ERGÜL Arş.Gör. Ayşe AYDIN YURDUSE Arş.Gör. Alişan AYAZ Arş.Gör.
DetaylıDENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları
Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ - 2 DENEYİ Amaç: Bu deneyde terslemeyen kuvvetlendirici, toplayıcı kuvvetlendirici ve karşılaştırıcı
DetaylıELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI
ELE 201L DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI Deney 5 Poziif Geri Bildirimli İşlemsel Kuvvelendirici Devreler İMZA KAĞIDI (Bu sayfa laborauvarın sonunda asisanlara eslim edilmelidir) Ön-Çalışma Lab Saain Başında
DetaylıELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI
ELEKTRONİK 1 KUTUPLAMA DEVRELERİ HAZIRLIK SORULARI SORU 1: Şekil 1 de çıkış özeğrileri ve DC yük doğrusu verilmiş olan transistör kullanılarak bir ortak emetörlü yükselteç gerçekleştirilmek istenmektedir.
DetaylıDEVRE ANALİZİ LABORATUARI. DENEY 3 ve 4 SERİ, PARALEL VE KARIŞIK BAĞLI DİRENÇ DEVRELERİ
DEVRE ANALİZİ LABORATUARI DENEY 3 ve 4 SERİ, PARALEL VE KARIŞIK BAĞLI DİRENÇ DEVRELERİ DENEY 3: SERİ VE PARALEL BAĞLI DİRENÇLİ DEVRELER 1. Açıklama Bu deneyin amacı; seri, paralel bağlı dirençlerin etkisini
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıBölüm 9 Çok Katlı Yükselteç Devreleri
Bölüm 9 Çok Kalı Yükseleç Devreleri 9.1 DENEYİN AMACI (1) Çeşili kuplaj iplerine sahip yükseleçlerin çalışma prensiplerini anlamak. (2) OTL yükseleç devresinin çalışma prensibini anlamak. (3) OCL yükseleç
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II Öğrenci No: Adı Soyadı: Grubu: DENEY RAPORU AKTİF FİLTRELER Deneyin Yapıldığı Tarih:.../.../2017
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II
ANALOG ELEKTONİK - II BÖLÜM Temel Opamp Devreleri Konular:. Eviren ve Evirmeyen Yükseleç. Temel ark Alıcı.3 Gerilim İzleyici.4 Türev ve Enegral Alıcı Amaçlar: Bu bölümü biirdiğinizde aşağıda belirilen
DetaylıDENEY 5. Pasif Filtreler
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM24 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2425 Bahar DENEY 5 Pasif Filtreler Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı : Ön
DetaylıDENEY 4. Rezonans Devreleri
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2012-2013 Bahar DENEY 4 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı
DetaylıÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9. --İşlemsel Yükselteçler
Masa No: No. Ad Soyad: No. Ad Soyad: ÖLÇME VE DEVRE LABORATUVARI DENEY: 9 --İşlemsel Yükselteçler 2013, Mayıs 15 İşlemsel Yükselteçler (OPerantional AMPlifiers : OP-AMPs) 1. Deneyin Amacı: Bu deneyin amacı,
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 3 SERİ VE PARALEL RLC DEVRELERİ Malzeme Listesi: 1 adet 100mH, 1 adet 1.5 mh, 1 adet 100mH ve 1 adet 100 uh Bobin 1 adet 820nF, 1 adet 200 nf, 1 adet 100pF ve 1 adet 100 nf Kondansatör 1 adet 100
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 2. BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 2 BJT nin Bağımlı Akım Kaynağı Davranışının İncelenmesi: Sabit Akım Kaynağı İle LED Sürücü Tasarımı 1.Adım: Aşağıda verilen devreleri sırasıyla kurunuz. Dirençler
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2
T.C. İSTANBUL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 2 BJT TRANSİSTÖRÜN DC KARAKTERİSTİĞİNİN ELDE EDİLMESİ AÇIKLAMALAR Deneylere
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
DetaylıDENEY TARİHİ RAPOR TESLİM TARİHİ NOT
DENEY 2 OHM-KIRCHOFF KANUNLARI VE BOBİN-DİRENÇ-KONDANSATÖR Malzeme Listesi: 1 adet 47Ω, 1 adet 100Ω, 1 adet 1,5KΩ ve 1 adet 6.8KΩ Dirençler 1 adet 100mH Bobin 1 adet 220nF Kondansatör Deneyde Kullanılacak
DetaylıELM201 ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUAR FÖYÜ
TC SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ ELEKTRİKELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ ELM21 ELEKTRONİKI DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEYİ YAPTIRAN: DENEYİN ADI: DENEY NO: DENEYİ YAPANIN ADI ve SOYADI: SINIFI: OKUL NO:
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I
T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış
DetaylıElektronik Devre Tasarım Laboratuarı
T.C. SAKARYA ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ Elektronik Devre Tasarım Laboratuarı -I- Grup No: Adı : Soyadı : Öğrenci No : 2 Elektronik Devre Tasarım Laboratuarı
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK 2008 DEVRELER II LABORATUARI
DİRENÇ-ENDÜKTANS VE DİRENÇ KAPASİTANS FİLTRE DEVRELERİ HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alçak geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 2. Yüksek geçiren filtre devrelerinin çalışmasını anlatınız. 3. R-L
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıDENEY 5. Rezonans Devreleri
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ EEM2104 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2017-2018 Bahar DENEY 5 Rezonans Devreleri Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı Soyadı
DetaylıADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
ADIYAMAN ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ DEVRE ANALİZİ LABORATUVARI-II DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : DENEY TARİHİ : DENEYİ YAPANLAR : RAPORU HAZIRLAYANIN
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 06: BJT TRANSİSTÖR ile KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTECİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıDENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI
DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI DENEYİN AMACI: Bu deneyde işlemsel kuvvetlendiricinin doğrusal uygulamaları incelenecek ve işlemsel kuvvetlendirici kullanılarak çeşitli matematiksel
Detaylı8. FET İN İNCELENMESİ
8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise
DetaylıEEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI
Dicle Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü EEME210 ELEKTRONİK LABORATUARI DENEY 02: ZENER DİYOT ve AKIM GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ 2014-2015 BAHAR Grup Kodu: Deney Tarihi:
DetaylıBu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır.
Bu deneyde lab cihazlarının kullanımı için 4 uygulama yapılacaktır. Uygulama -1: Dirençlerin Seri Bağlanması Uygulama -2: Dirençlerin Paralel Bağlanması Uygulama -3: Dirençlerin Karma Bağlanması Uygulama
DetaylıDENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI
ENEY-2 JT E MOSFET İN ÖZELLİKLERİNİN ÇKARTLMAS ENEYİN AMA: ipolar jonksiyonlu transistör (JT) ve MOS transistörün (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik ve pratik olarak
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI 1. Alternatif akım (AC) ve doğru akım nedir örnek vererek kısaca tanımını yapınız. 2. Alternatif akımda aynı frekansa sahip iki sinyal arasındaki faz farkı grafik üzerinde (osiloskopta)
DetaylıDENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı
DENEY NO:1 BJT Yükselticinin frekans Cevabı Yükselticiler, bir işaret kaynağı tarafından girişlerine verilen işareti çıkışlarına kuvvetlendirerek aktaran devrelerdir. Amaca göre yüke gerilim akım veya
DetaylıOHM KANUNU DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI
DENEY 1 OHM KANUNU 1.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde, Ohm kanunu işlenecektir. Seri ve paralel devrelere ohm kanunu uygulanıp, teorik sonuçlarla deney sonuçlarını karşılaştıracağız ve doğrulamasını yapacağız.
DetaylıDENEY 5: RC DEVRESİNİN OSİLOSKOPLA GEÇİCİ REJİM ANALİZİ
A. DENEYİN AMACI : Seri RC devresinin geçici rejim davranışını osiloskop ile analiz etmek. B. KULLANILACAK ARAÇ VE MALZEMELER : 1. Sinyal Üreteci, 2. Osiloskop, 3. Değişik değerlerde direnç ve kondansatörler.
DetaylıDENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ
DENEY 5: FREKANS CEVABI VE BODE GRAFİĞİ 1 AMAÇ Bu deneyin temel amacı; bant geçiren ve alçak geçiren seri RLC filtrelerin cevabını incelemektir. Ayrıca frekans cevabı deneyi neticesinde elde edilen verileri
DetaylıDENEY 3. Maksimum Güç Transferi
ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELN2024 Elektrik Devreleri Laboratuarı II 2013-2014 Bahar DENEY 3 Maksimum Güç Transferi Deneyi Yapanın Değerlendirme Adı
DetaylıEEM 202 DENEY 9 Ad&Soyad: No: RC DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANSTA RC DEVRELERİ (FİLTRELER)
EEM 0 DENEY 9 Ad&oyad: R DEVRELERİ-II DEĞİŞKEN BİR FREKANTA R DEVRELERİ (FİLTRELER) 9. Amaçlar Değişken frekansta R devreleri: Kazanç ve faz karakteristikleri Alçak-Geçiren filtre Yüksek-Geçiren filtre
DetaylıGeçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler
Geçmiş yıllardaki vize sorularından örnekler Notlar kapalıdır, hesap makinesi kullanılabilir, öncelikle kağıtlardaki boş alanları kullanınız ve ek kağıt gerekmedikçe istemeyiniz. 6 veya 7.ci sorudan en
DetaylıDENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.
DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,
DetaylıFİZİK-II DERSİ LABORATUVARI ( FL 2 4 )
FİZİK-II DERSİ LABORATUVARI ( FL 2 4 ) KURAM: Kondansaörün Dolma ve Boşalması Klasik olarak bildiğiniz gibi, iki ileken paralel plaka arasına dielekrik (yalıkan) bir madde konulursa kondansaör oluşur.
DetaylıDENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER
DENEY-6 LOJİK KPILR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN MCI: Bu deneyde emel manık kapıları (logic gaes) incelenecek ek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecekir. ÖN HZIRLIK Temel lojik kapı devrelerinden
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıTransistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır.
I. Önbilgi Transistör Transistörler yarıiletken teknolojisiyle üretilmiş, azınlık-çoğunluk yük taşıyıcılara sahip solidstate elektronik devre elemanlarıdır. =>Solid-state ne demek? Araştırınız. Cevap:
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ÖDEV-2
ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ 06.05.2015 ÖDEV-2 1. Aşağıdaki şekilde verilen devrenin; a) a-b uçlarının solunda kalan kısmının Thevenin eşdeğerini bulunuz. b) Bu eşdeğerden faydalanarak R L =4 luk yük direncinde
DetaylıENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI
ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALAR HAKAN KUNTMAN 03-04 EĞİTİM-ÖĞRETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik alanında çeşitli ölçü ve kontrol düzenlerinin
DetaylıÖlçü Aletlerinin Tanıtılması
Teknoloji Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği 2017-2018 Bahar Yarıyılı EEM108 Elektrik Devreleri I Laboratuvarı 1 Ölçü Aletlerinin Tanıtılması Öğrenci Adı : Numarası : Tarihi : kurallarını okuyunuz.
DetaylıDENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER
DENEY 6 BJT KUVVETLENDİRİCİLER 1. Amaç Bu deneyin amacı, lineer (doğrusal) kuvvetlendiricilerde kullanılan BJT kuvvetlendirici devresinin devre girişine uygulanan zamanla değişen bir küçük işareti kuvvetlendirmesi
DetaylıBu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.
DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili
DetaylıŞekil 1 de ortak emiterli bir devre görülmektedir. Devredeki R C, BJT nin doğru akım yük direnci olarak adlandırılır. Çıkış devresi için,
DENEY 6: BJT NİN YÜK DOĞRUSU VE ÇALIŞMA NOKTASI 6.1. Deneyin Amacı İki kaynak ile kutuplandırılan bir BJT nin yük doğrusunun çizilerek, bu doğru üzerinde hesaplanması ve deney sonucunda elde edilen değerlere
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
Detaylı