DENEY 4 Bipolar Junction Transistor (BJT) Parametreleri

Transkript

1 DENEY 4 Bipolar Junction Transistor (BJT) Parametreleri 1. Amaç Bu deneyin amacı; bipolar junction transistor (BJT) elemanının çalışma prensibini, test edilmesi ve kullanımını kavramak, devre elemanının temel parametrelerini incelemektir. 2. Temel Bilgiler Elektronik laboratuvarında şimdiye kadar yarıiletken diyot elemanının çalışma prensibi, akım-gerilim karakteristikleri ve çeşitli uygulamaları incelenmiştir. Bu çalışmalarda diyotun elektronik anahtarlamada ve dalgaların şekillendirilmesinde kullanışlı bir eleman olduğu görülmüştür. Bunun yanında elektronik devrelerde işaret akım ve geriliminin kuvvetlendirilmesine de ihtiyaç duyulmaktadır. Transistör elemanının farklı devre elemanları ile birlikte kullanılmasıyla işaret akım ve geriliminde kazanç ve kuvvetlendirme yapılabilmektedir. Bipolar junction transistor (BJT) ve field effect transistor (FET) (alan etkili transistör) en yaygın iki transistör ailesidir. BJT ve FET devreleri modern mikroelektroniğin temel yapılarıdır. Bu bağlamda her iki elektronik eleman da çok önemli olup belirli uygulamalar için her ikisinin de kendine özgü avantajları vardır. Bipolar Junction Transistor (BJT) BJT ayrı ayrı üç katkılama bölgesi ve buna bağlı olarak oluşan iki pn eklem içerir. Tek bir pn eklemin iki farklı temel çalışma modu (iletim veya kesim durumu) bulunurken, BJT de iki pn eklem bulunduğundan, her bir eklemin kutuplama durumuna göre dört farklı mod oluşur. Bu özellik transistorün farklı özelliklerde işlemleri gerçekleştirmesini mümkün kılar. BJT de üç faklı katkılama bölgesine bağlı olarak üç farklı terminal bulunur. BJT transistörün temel çalışma ilkesi; ortak bir terminale doğru, referans alınan bir terminalden akan akımın, üçüncü terminalden ortak terminale akan akımı kontrol etmesidir. BJT deki bipolar (çift kutuplu) terimi, iletim akımının hem hole hem de elektronlar tarafından meydana getirildiği için kullanılır. Transistörün Yapısı BJT nin iki farklı tipi olan PNP ve NPN transistörlerin blok gösterimi Şekil 1 de görülmektedir. NPN transistör iki n bölgesi arasında ince bir p bölgesi içerirken; PNP transistör iki p bölgesi arasında ince bir n bölgesi içerir. Buradaki üç farklı katkılama bölgesi ve bunların terminalleri emiter (yayıcı), baz (taban) ve kolektör (toplayıcı) adını alır. BJT nin çalışma prensibini birbirine yakın olarak konumlandırılmış iki pn eklemine dayanır ve buna bağlı olarak baz bölgesinin yeterince dar olması gerekmektedir ( 10 6 m).

2 Şekil 1 Transistörlerin blok gösterimi ve sembolleri (a)npn ve (b)pnp Şekil 1 de gösterilen transistör yapıları temsili olarak kullanışlı olsa da transistorün gerçek yapısı daha karmaşıktır. Şekil 2 bir entegre devre içersinde oluşturulmuş olan klasik bir NPN transistorün kesit görüntüsünü temsil etmektedir. Burada dikkat edilmesi gereken nokta elemanın elektriksel olarak simetrik olmayışıdır. Buradaki elektriksel asimetriklik, emiter ve kolektör geometrilerinin aynı olmayışı ve katkılı bölgelerin katkılama konsantrasyonlarının birbirinden oldukça farklı olmasından kaynaklanmaktadır. Örneğin emiter, baz ve kollektör katkılama oranları sırasıyla 10 19, ve düzeylerindedir. Şekil 2 Entegre devre üzerinde üretilen bir npn transistorün kesitsel gösterimi Daha önce de belirtildiği gibi transistör yapısında emiter-baz arasında ve kolektör-baz arasında olmak üzere iki farklı pn eklem bulunmaktadır. Bu pn eklemlerin her birinin ileri yönlü ya da geri yönlü kutuplanmasına bağlı olarak BJT nin farklı çalışma modları meydana gelir (Tablo 1). Transistör ileri aktif modda iken kuvvetlendirici olarak, ters aktif modda, kesim modunda ve saturasyonda ise anahtar olarak kullanılırlar. Adından da anlaşılacağı gibi kesim modunda her iki pn eklem de iletimde olmadığından transistörde herhangi bir akım akmayacaktır. Tablo 1 BJT nin farklı çalışma modları Mod Emiter-Baz Eklemi Kollektör-Baz Eklemi Çalışma Tipi İleri yönlü aktif İletimde Kapalı Kuvvetlendirici Ters yönlü aktif Kapalı İletimde Anahtar Saturasyon İletimde İletimde Anahtar Kesim Kapalı Kapalı Anahtar

3 Şekil 2 deki transistörün karmaşık kesit görüntüsünden kurtulmak için Şekil 3 te basitleştirilmiş bir kesit görüntü verilmiştir. Burada genel akımların aktığı yönler gösterilmiştir. Akım kollektör terminalinden girerek baz bölgesinden geçip emiter terminalinden çıkar. Bunun yanında baz terminalinden girerek emiter-baz eklemini geçip emiterden çıkan küçük değerli bir akım da vardır. Sızıntı akımları göz ardı edilmektedir. Şekil 3 npn transistörün basitleştirilmiş kesit görüntüsü Şekil 4 te bir npn transistörde terminal akımları ile birlikte transistör içinde akan hole ve elektronların yönü gösterilmektedir. Burada akımın akış yönünün elektronların akış yönünün tersine doğru, pozitif yüklü hole akışı yönünde olduğu unutulmamalıdır. Şekil 4 İleri aktif yönde kutuplanmış npn transistörde hole ve elektron akışı Daha önce belirtildiği gibi emiter bölgesinin katkılaması diğer bölgelere nispeten daha fazla olduğundan, n-tipi emiterdeki elektron konsantrasyonu p-tipi bazdaki hole konsantrasyonundan çok daha fazladır. Böylelikle emiterden baza doğru akan elektronların sayısı bazdan emitere doğru akan hole sayısından çok büyüktür. Bu da baz akımının i B1 bileşeninin kollektör akımından çok daha küçük olacağı anlamına gelir. Bunun yanında baz bölgesinin genişliği çok küçük olduğu için baz bölgesinde rekombinasyona uğrayan elektron sayısı da küçük olacak ve baz akımının i B2 bileşeni de kollektör akımından çok küçük olacaktır. Transistörün içinde iki pn eklemi bulunur ve bu eklemlerden emiter-baz arasındaki ileri yönlü, kolektör baz arasındaki ise ters yönlü kutuplandığında transistör ileri aktif modda çalışır. Şekil 5 te uygun gerilim değerleri seçilerekileri aktif modda çalıştırılmak üzere kutuplanmış bir npn BJT devresi görülmektedir.

4 Şekil 5 İleri yönlü aktif yönde kutuplanmış npn BJT Emiter Akımı: B-E eklemi ileri yönlü kutuplanan böyle bir transistörde bu eklem boyunca akan akımın (daha önce diyot akımında belirtildiği gibi) B-E arasına uygulanan gerilimin üstel fonksiyonu olması beklenir. Bu durumda emiter akımını; i E = I EO [e v BE V T 1] I EO e v BE olarak yazılır. Burada herzaman v BE V T olduğundan -1 terimi ihmal edilebilir. Denklemdeki I EO (B-E arası diyotun sızıntı akımı veya ters yönlü saturasyon akımı) çarpanı eklemin elektriksel parametrelerine bağlı olarak yazılmış olan bir sabittir ve değeri düzeylerindedir. Kollektör Akımı: Emiterdeki katkılama konsantrasyonu baza göre daha fazla olduğundan emiter akımının büyük bir çoğunluğunu emiterden çıkarak baza doğru akan elektronlar oluşturur. Burada baz bölgesini geçerek kollektöre ulaşan elektronlar ise kollektör akımını oluşturur. Transistörde kollektöre birim zamanda ulaşan elektronların sayısı, B-E arasına uygulanan gerilim ile orantılı olarak baza gelen elektron sayısı ile orantılıdır. Böylelikle kollektör akımı B-E gerilimi tarafından kontrol edilen baz akımı ile kontrol edilmiş olacaktır. Bu durumda İleri yönlü aktif modda çalışan BJT için kollektör akımı; i C = I S e v BE olarak yazılabilir. Kollektör akımı emiter akımından çok az küçüktür. Emiter ile kollektör akımları arasında; V T V T i C = αi E bağıntısı vardır. Bu bağıntıdaki "α" parametresine ortak-baz akım kazancı denir. Baz Akımı: B-E eklemi ileri yönlü kutuplandığında baz bölgesindeki holler B-E eklemini geçerek emitere akarlar ve Şekil 4 te gösterildiği gibi baz akımının bir bölümünü oluştururlar. İleri kutuplanmış olan B-E ekleminden dolayı bu akım da B-E gerilimi ile orantılı olacaktır. Şekil 4 te gösterildiği gibi az miktarda elektron baz bölgesinde rekombinasyona uğrar ve burada oluşan akım baz akımının diğer bölümünü oluştururlar. Rekombinasyon sonucu oluşan bu akıma aynı zamanda rekombinasyon akımı da denir ve doğrudan emiterden gelen elektron sayısına ve böylece yine B-E gerilimine bağlıdır.

5 Bu nedenle; i B2 e v BE V T olarak yazılabilir. Toplam baz akımı iki bileşenin toplamı ile; şeklinde yazılır. i B e v BE Transistörde B-E arasına uygulanan gerilim emiterden çıkıp kollektöre doğru akan elektron sayısını ve dolayısıyla kollektör akımını etkiler. Ayrıca baz akımı da B-E geriliminin bir fonksiyonudur. Bu durumda baz akımı ile kollektör akımının doğrudan birbiri ile orantılı olduğu sonucuna ulaşılır ve; ya da i B = I BO e v BE i C i B = β V T V T = i C β = I s β ev BE V T eşitlikleri yazılabilir. Burada β ya ortak-emiter akım kazancı adı verilir. β değeri genellikle 50 < β < 300 arasında değişiklik gösterir ve transistör üretiminin fabrikasyon sürecine bağlıdır. Bu sebeple aynı aileden iki farlı transistörde farklı (fakat yakın) değerlerde olabilirler. Şekil 6 da bir npn BJT devresi görülmektedir. Bu devrede transistörün emiter bacağı ortak toprağa bağlı olduğu için ortak-emiter devresi denir. Transistör ileri yönlü aktif modda kutuplandığında B-E eklemi ileri yönlü, B-C eklemi ters yönlü kutuplanacaktır. Pn eklemdeki daha önce bahsedilen parçalı lineer model kullanılarak B-E arası gerilimi diyotun açılma gerilimi olan V BE(on) a eşit kabul edilir. Şekil 6 İleri yönlü aktif modda çalışan NPN BJT nin ortak emiter bağlantısı V CC = v CE + i C R C Olduğundan, kollektöre bağlı olan V CC geriliminin değeri B-C eklemini ters yönlü kutuplamada tutacak kadar büyük olmalıdır. V BB ve R B ile oluşturulan baz akımı ve buna bağlı kollektör akımı, i C = βi B

6 olarak yazılır. Burada eğer V BB = 0 olarak ayarlanırsa B-E eklemine gerilim uygulanmamış ve i B = 0, i C = 0 olur. Bu durumda transistör kesimde olacaktır. Akım Bağıntıları Transistör bir süper düğüm gibi düşünülüp Kirchoff akım kanunu yazılırsa; olur. BJT ileri yönlü aktif modda kutuplandığında; i E = i C + i B yazılır. Akım eşitlikleri bir arada yazılırsa; i C = βi B olur. Kollektör-emiter akımları arasındaki ilişki; şeklinde yazılır. i C = αi E idi, buradan; yazılır. Transistörde Bacak Bağlantıları i E = (1 + β)i B β i C = ( β + 1 )i E α = β β+1 ve β = α Üretici firmalar tarafından farklı amaçlar ve değerler için farklı transistörler üretilmektedir. Kılıf şekillerine bağlı olarak bacak bağlantıları da farklılık gösterir. Bir transistörde üç bacak bulunur. Bu bacakların transistörün hangi terminaline denk geldiği kataloglarda verilir. Aşağıda belli başlı bazı transistör çeşitlerinin kılıfları ve bacak bağlantıları gösterilmiştir. 1 α Şekil 7 Farklı transistör çeşitleri ve bacak isimleri

7 Multimetre ile Transistör Testi Transistörlerin multimetre ile kontrolü için aşağıdaki adımlar takip edilir. Bu adımlar NPN transistör için adımlar verilmiş olup PNP transistörlerde ölçüm sonuçları npn transistörlerinin tam tersi olmalıdır. 1. Multimetrenin siyah probunu (COM) transistörün bazına (B) tutturunuz. Kırmızı probu (pozitif prob) emiter (E) ve kollektöre (C) ayrı ayrı dokundurunuz. Bu adımda küçük direnç okunmalıdır. Aksi halde transistör arızalıdır. 2. Multimetrenin kırmızı probunu transistörün bazına (B) tutturunuz. Siyah probu ise emiter (E) ve kollektöre (C) ayrı ayrı dokundurunuz. Bu adımda büyük bir direnç okunmalıdır. Aksi halde transistör arızalıdır. 3. Multimetre probları emiter ve kollektör bacaklarına ayrı ayrı dokundurulduğunda büyük bir direnç okunmalıdır. Aksi halde transistör arızalıdır. KAYNAKLAR: 1. Microelectronics Circuit Analysis and Design, Neamen D., Microelectronic Circuit Design, Jeager R., Blalock T., Malzeme Listesi Dirençler : 100kΩ, 1kΩ, BJT : BC238 Standart deney teçhizatı

8

9 Adı, Soyadı: Öğrenci No: 4. Hazırlık Çalışması 1. Aşağıdaki devreyi ekteki transistör kataloğundan BC238B ye ait parametreleri (DC current gain) kullanarak çözünüz ve ilgili tabloyu doldurunuz. V CE I C grafiğini çiziniz.(v BE(on) = 0.7V) + R2 2k 1K 12Vdc V2 V1 R1 220k 100K Q1 V CE BC237 - BC V 1 I B I C V CE V 4.7V 6.7V 8.7V 10.7V

10

11 Deney No Deney Adı Öğrenci No Ad-Soyad İmza 5. Deney Çalışması 5.1. Multimetre ile Transistör Testi Transistör bacaklarını belirlemenin en güvenilir yolu, üretici firmanın katalog bilgilerini kullanmaktır. Bunun yanında tipi (npn-pnp), bacakları, V CEsat değeri ve β kazancı bilinmeyen bir transistörün bu değerleri multimetre ile belirlenebilir. Günümüz multimetrelerinin çoğunda transistörün çalışıp çalışmadığını, tipini belirleyerek beta (hfe) kazancını ölçen fonksiyonlar mevcuttur. Eğer ölçü aletinde böyle bir bağlantı noktası varsa transistör; multimetre üzerindeki özel aparata (c, b, e harfleri ile belirtilen) doğru yerleştirilmesi ile test gerçekleştirilir. Transistör bacakları bu soketlere doğru olarak yerleştirildiğinde multimetre ekranında β (hfe) değeri görülür. Değerin okunduğu anda bacakların bağlı olduğu terminal isimleri ile transistör bacaklarının isimleri ve tipi belirlenir. Eğer ölçü aletinde yukarıda belirtildiği gibi bir bağlantı noktası yok ise, transistörler ölçü aletinin diyot kademesinde yapılan kontroller ile test edilir Multimetre Diyot Kademesinde Transistör Testi 1. Multimetreyi diyot kademesine alınız. 2. Multimetrenin bir probunu transistörün rastgele bir bacağına dokundurunuz. 3. Problardan biri transistör bacaklarından birinde sabit dururken, diğer prob transistörün diğer iki bacağına ayrı ayrı dokundurulduğunda ekranda değer gösteriyorsa sabit olan bacak baz terminalidir. Bu adımı baz terminalini bulana kadar tekrar ediniz. 4. Baz terminali belirlendikten sonra multimetrenin değişken olan probu BJT'nin diğer iki bacağına dokundurulduğunda hangi bacak büyük değer gösteriyorsa orası emiter terminali ve okunan değer V BEon değeridir. V BEon =... Değişken probun küçük değer gösterdiği bacak kollektör terminali ve okunan değer V CEon değeridir. V CEon = adımda emiter ve kollektör terminallerinin belirlendiği anda sabit tutulan bacaktaki (baz) prob siyah renkli ise transistör tipi PNP, kırmızı renkli ise NPN'dir. Transistör Bacakları 1:... 2:... 3:... Transistör tipi :...

12 5.3. Deney 1 Transistör Akım-Gerilim Karakteristiği 1. Şekil 8'deki devreyi kurunuz. 2. V BB gerilimini değiştirerek tabloyu doldurunuz. 3. Deney sonuç sayfasındaki grafiğe V CE I C eğrisini çiziniz. R1 Q1 + R2 2k 1K VCC 12v V CE VBB 100K 220k BC238 - Q2N2222 Şekil 8 V BB (V) I B I C V CE 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6 6,5 7 7,5 8 8,5 9 9,5 10

13 6. Deney 4 Sonuç Sayfası I C V CE 7. Tartışma Bu deney süresince öğrendiklerinizi kendi cümlelerinizle açıklayınız. Elde ettiğiniz sonuçları yorumlayınız.

14

15 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document by BC237/D NPN Silicon COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol BC 237 BC 238 BC 239 Unit Collector Emitter Voltage VCEO Vdc Collector Emitter Voltage VCES Vdc Emitter Base Voltage VEBO Vdc Collector Current Continuous IC 100 madc Total Device TA = 25 C Derate above 25 C PD mw mw/ C CASE 29 04, STYLE 17 TO 92 (TO 226AA) Total Device TC = 25 C Derate above 25 C PD Watts mw/ C Operating and Storage Junction Temperature Range TJ, Tstg 55 to +150 C THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Thermal Resistance, Junction to Ambient R JA 357 C/W Thermal Resistance, Junction to Case R JC 125 C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C unless otherwise noted) OFF CHARACTERISTICS Collector Emitter Breakdown Voltage (IC = 2.0 ma, IB = 0) Emitter Base Breakdown Voltage (IE = 100 A, IC = 0) Collector Cutoff Current (VCE = 30 V, VBE = 0) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit BC237 BC238 BC239 BC237 BC238 BC239 BC238 BC239 V(BR)CEO V(BR)EBO ICES V V na (VCE = 50 V, VBE = 0) BC (VCE = 30 V, VBE = 0) TA = 125 C BC238 BC µa (VCE = 50 V, VBE = 0) TA = 125 C BC REV 1 Motorola Small Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data Motorola, Inc

16 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C unless otherwise noted) (Continued) ON CHARACTERISTICS DC Current Gain (IC = 10 µa, VCE = 5.0 V) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit BC237A BC237B/238B BC237C/238C/239C hfe (IC = 2.0 ma, VCE = 5.0 V) BC237 BC239 BC237A BC237B/238B BC237C/238C/239C (IC = 100 ma, VCE = 5.0 V) BC237A BC237B/238B BC237C/238C/239C Collector Emitter On Voltage (IC = 10 ma, IB = 0.5 ma) (IC = 100 ma, IB = 5.0 ma) BC237/BC238/BC239 BC237/BC239 BC238 VCE(sat) V Base Emitter Saturation Voltage (IC = 10 ma, IB = 0.5 ma) (IC = 100 ma, IB = 5.0 ma) VBE(sat) V Base Emitter On Voltage (IC = 100 µa, VCE = 5.0 V) (IC = 2.0 ma, VCE = 5.0 V) (IC = 100 ma, VCE = 5.0 V) VBE(on) V DYNAMIC CHARACTERISTICS Current Gain Bandwidth Product (IC = 0.5 ma, VCE = 3.0 V, f = 100 MHz) BC237 BC238 BC239 ft MHz (IC = 10 ma, VCE = 5.0 V, f = 100 MHz) Collector Base Capacitance (VCB = 10 V, IC = 0, f = 1.0 MHz) Emitter Base Capacitance (VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1.0 MHz) BC237 BC238 BC Cobo 4.5 pf Cibo 8.0 pf Noise Figure (IC = ma, VCE = 5.0 V, RS = 2.0 kω, f = 1.0 khz) (IC = ma, VCE = 5.0 V, RS = 2.0 kω, f = 1.0 khz, f = 200 Hz) BC239 BC237 BC238 BC239 NF db 2 Motorola Small Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

17 hfe, NORMALIZED DC CURRENT GAIN VCE = 10 V TA = 25 C V, VOLTAGE (VOLTS) TA = 25 C IC/IB = 10 VCE = 10 V IC/IB = IC, COLLECTOR CURRENT (madc) IC, COLLECTOR CURRENT (madc) Figure 1. Normalized DC Current Gain Figure 2. Saturation and On Voltages ft, CURRENT GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz) VCE = 10 V TA = 25 C IC, COLLECTOR CURRENT (madc) C, CAPACITANCE (pf) Cib Cob TA = 25 C VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 3. Current Gain Bandwidth Product Figure 4. Capacitances rb, BASE SPREADING RESISTANCE (OHMS) VCE = 10 V f = 1.0 khz TA = 25 C IC, COLLECTOR CURRENT (madc) 10 Figure 5. Base Spreading Resistance Motorola Small Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data 3

18 PACKAGE DIMENSIONS SEATING PLANE R A X X H V 1 N F G P N B L K C D J SECTION X X NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R IS UNCONTROLLED. 4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L. DIMENSION D AND J APPLY BETWEEN L AND K MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM. INCHES MILLIMETERS DIM MIN MAX MIN MAX A B C D F G H J K L N P R V CASE (TO 226AA) ISSUE AD STYLE 17: PIN 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. Typical parameters can and do vary in different applications. All operating parameters, including Typicals must be validated for each customer application by customer s technical experts. Motorola does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the Motorola product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part. Motorola and are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. How to reach us: USA/EUROPE: Motorola Literature Distribution; JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi SPD JLDC, Toshikatsu Otsuki, P.O. Box 20912; Phoenix, Arizona F Seibu Butsuryu Center, Tatsumi Koto Ku, Tokyo 135, Japan MFAX: RMFAX0@ .sps.mot.com TOUCHTONE (602) HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park, INTERNET: NET.com 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong Motorola Small Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data BC237/D