Işık Dönüştürücüler. Dedektörler Güneş Pilleri HSarı 1

Transkript

1 Işık Döüştürücüler Deektörler Güeş Pilleri 2008 HSarı 1

2 Işık Döüştürücüler-İçerik Işık Deektörleri Işık Deektörleri-Geel Özellikler Fotoiletke Deektörler Fotoiyot Deektörler» - Fotoiyotlar» -i- Fotoiyotlar» Metal-Yarıiletke Fotoiyotlar Çığ Fotoeektörler Bat İçi Soğurmalı Fotoeektörler Güeş Pilleri» Fotovoltaik tki» Güeş Pil Tasarımı 2008 HSarı 2

3 Işık Algılayıcıları (FotoDeektörler) Isıl (Termal) FotoDeektörler Foto eerjisii ısıya çevirerek ölçüle eektörler. Bu tür eektörler, verimsiz, yavaş ve elektroik tekoloji ile tümleşemeiklerie otoelektroikte kullaılmazlar - Termoelektrik eektörler - Bolometre eektörler - Pyroelektrik eektörler Fotoelektrik Deektörler Fotoelektrik etkiye ayaarak geliştirile eektörlerir. İç fotoelektrik etkiye (metal yerie yarıiletke) ve yarıiletke tekolojisie ayaa bu eektörler, verimli, hızlı ve tümleştirilebilikleri içi fotoikte çok yaygı olarak kullaılır Bu erste saece Fotoelektrik Deektörler iceleecektir 2008 HSarı 3

4 Fotoeektörler Uygu şekile tasarlaa bir - eklemii üzerie geçe akım, ters gerilim altıa eklem üzerie üşe ışık şieti ile oratılı olarak moüle eilebilir. I I = I I qv / kt k ( e 1) o V>0, I >0 -V + - A -V çığ bölgesi V<0, I <0 -I -, -i-, metal-yarıiletke eektörler V>0, I <0 +V g o = 0 g o 0 III. Bölge (V<0, I <0 ) İki farklı I-V bölgesi: - Akımı gerilime bağımsız, otik şiet ile oratılı oluğu bölge - Akımı gerilimle üstel olarak arttığı bölge (çığ bölgesi) 2008 HSarı 4

5 Fotoeektörler V o (φ) R V o iç fotoelektrik etki (oluşe e- çifti içerie kalır) i o (φ) λ Φ (foto/s) g C λ φ V - eklemi fotoiyot moua (yüksek ters gerilim) çalıştırılır ( ev ) = 1.24 λ ( µm) Ölçülecek (Giri) Otik akı (φ) (foto/s) i Ölçüle (Çıktı) o ( φ) ( veya V ( φ)) o Duyarlılık Teki süresi 2008 HSarı Verimlilik Kazaç 5

6 V o =0 i = i + i = 0 et c f v rift Fotoeektörler if Tüketim bölgesie elektro-eşik çiftii oluşturulması esasıa ayalı ışık algılayıcılarıa Tüketim Bölgesi Işık Algılayıcıları (Deletio Layer Photoioe) olarak alaırılır i if i rift I i et = i ( φ) + i rift if L V o L i k c f v φ=0 φ 0 V o V Φ (foto/s) L V o L c f v i if i if i rift i et = + = i 0 iif karalık = i ( φ) + i 2008 HSarı 6 i et i k rift << i o ( φ) if

7 İeal Fotoeektör İeal eektör arametreleri elerir? P o i ( ) o φ A R V ( ) o φ Kazaç Teki süresi Duyarlılık(resosivity) P o i o (t) i o λ t (s) t (s) P o Otik siyal Deektör Deektör akımı 2008 HSarı 7

8 Işık Algılayıcılar (Deektörler)-Geel Özellikler Kuatum Verimliliği (Quatum fficiecy) Deektör Tekisi (Resosivity) Teki Süresi (Resose Time) Kazaç (Gai) Kazaç-Batgeişliği Çarımı (Gai-Bawith Prouct) Siyal-Gürültü Oraı (SNR) 2008 HSarı 8

9 Kuatum Verimliliği Kuatum verimliliği (η): Bir fotou, eektör akımıa katkıa buluacak elektro ve eşik çifti (e- çifti) oluşturma olasılığı Bire çok foto olması urumua foto akısı cisie taımlaırsa η=(elektro-eşik çifti ürete ışık akısı) / (eektöre gele tolam ışık akısı) η ı etkileye faktörler: - yüzey eerji urumları - bat aralığı (algaboyu) - serbest taşıyıcı soğurması - foo saçılması hv - Soğurma katsayısı α (λ) - Aktiv bölgee - Yüzey yasıması soğrulmayalar 2008 HSarı - Olasılık - Yüzey etkiler 9

10 Kuatum Verimliliği Kuatum Verimliliği hv η = (1 R)(1 e α ) ξ R=yasıtma katsayısı ξ=akıma katkı sağlaya elektro-eşik çifti oraı α=soğurma katsayısı 0 η 1 I o R (1 R) I o (1-R)I o I o α i o (1 R)(1 e α ) I o I = I (1 R)(1 e α ) o I = I (1 R)(1 e α ) soğurma=1 x x 2008 HSarı 10 o

11 Duyarlılık (Resosivity) Deektör evresie oluşa akım (i o ) ile eektör üzerie üşe otik güç (P) arasıaki katsayı R i o hν λ Φ (foto/s) P=hνφ (watt) Foto akısı Φ = Otik güç (Watt) P hν P = hν Φ (foto/s) Fotoları yarattığı elektro-eşik çiftlerie kayaklaa eektör evresie (ış evre) akım i ηep = ηeφ = hν İeal urum η=1 i = eφ ( ev ) = 1.24 λ ( µm) ηe i = P = ξ P hν ( Amer) P( Watt) = 2008 HSarı P = h = Öev-1: Duyarlılık Deektör Duyarlılığı ξ η ee algaboyu ν ile artar? i ηe λ Deektör Duyarlılığı ( ξ ) ξ = i

12 Kazaç Kazaç (G), bir fotou eektör evresie oluşturuğu tolam yük miktarı 1 foto 1 serbest yük eğil e Q kaar yük oluşturursa Q = Ge Kazaç G = Q e Q Q > < e e 1 foto 1 e- çifti 1 foto G e- çifti Kazaç: G >> 1 (çığ ışıkeektörler) G 1 (- fotoeektörler) Foto akısı Φ = P hν (foto/s) Kazaç cisie ış evree olaa akım i ηep = ηeφ = hν ηe i = ηqφ = G( ηeφ ) = G P hν Deektör Duyarlılığı 2008 HSarı 12 i ξ = G P

13 Teki Süresi Deektörlere teki süresi Geçiş zamaı gecikmesi RC zama sabiti Geçiş zamaı gecikmesi RC zama sabiti i o R V R x i(t) R eklem R eklem τ e =(-x)/v e 0 τ h =x/v h τ h = v h τ e = v e x t / RC ( ) = ioe τ t v h << v e x arttırmak tüketim bölgesii Öev-2: 2008 Ramo HSarı Geçiş zamaı gecikmesi τ = araltır 13 teoremi eir? v h i t C eklem R eklem τ RC Katkı atomlarıı arttırarak R eklem ireci üşürülebilir acak katkı atomlarıı = RC

14 Teki Süresi hv ifüzyo bölgesi sürükleme bölgesi hv ifüzyo bölgesi hv τ rift << τ if L τ h if=l /v h τ rift =/v L τ e if=l /v e L = elektro ifüzyo uzuluğu L = eşik ifüzyo uzuluğu Deektörlere teki zamaı I o I o Deektör t (s) 2008 HSarı t (s) 14

15 Sektral Duyarlılık λ > g λ > g R R i o i o Duyarlılık λ > g R ν g Frekas alt limit Frekas üst limit i o HSarı λ ( µ m) λ g ( µ m) = 15 ( ev ) g

16 Deektörler-Tasarım - eklemli fotoiyot P Tüketim bölgesi ve tarafıa λ 2εVo 1 1 = ( + ) q Na N 1/ eklemli fotoiyot α e η = 1 (1 + α L ) λ :10 16 cm -3 Yüksek elektro evigeliği 2008 HSarı 16 P + :10 19 cm -3 Tüketim bölgesi çoğulukla tarafıa Yüksek elektro evigeliği-> yüksek hız µ >> µ e α e i( φ) = qφ A(1 ) + i (1 + α L ) h k

17 Deektörler-Tasarım-2 P - eklemli fotoiyot λ Kısa tüketim bölgesi, kısa geçiş zamaı, hızlı eektör. Acak kısa tüketim bölgesi, soğrula fotoları alaıı küçülttüğüe kuatum verimliliğii azaltır - Tüketim bölgesii ışıa (if. uzuluğu içie) oluşa e- çiftleri (v if << v rift ) eektör teki süresii arttırır Kuatum verimliliğii arttırmak ve if. kayaklaa geçikmeleri azaltmak içi - ara bölgesie katkılamamış bir katma atarak foto soğurma alaı arttırılabilir -i- eklemli fotoiyot i λ 2008 HSarı 17 - Geiş tüketim bölgesi RC eğerii azaltır (teki süresi artar) - -i- iyotlar kuatum verimliliği ve teki süresi içi otimize eilebilir

18 Deektör Parametreleri Arasıaki İlişki Getirisi Götürüsü Geiş Tüketim Bölgesi Aşırı Katkılama Foto soğurması artar - Seri ireci azaltır - Teki süresii iyileştririr Teki süresii arttırır Tüketim bölgesii araltır, azala hacime olayı foto soğurması azalır Teki süresi Duyarlılık Kazaç Frekas Tekisi (frekas bataralığı-bw) G-BW=sabit 2008 HSarı 18

19 Yarıiletke Deektör Malzemeler λ g (µm) (I 1-x Ga x )(As 1-y P y ) Batiçi geçişli eektörler (Süerörgü Deektörler) λ ( µ m) = g 1.24 ( ev ) g IGaP AlGaP AlGaAs IGaAs GaSb GaSbAs Ge Si g (ev) ISb: 0.18 ev IAs IP GaAs AlAs GaP 2008 HSarı Kızılaltı Görüür Morötesi 19

20 Yarıiletke Deektör Çeşitleri Fotoiletke Deektörler - Fotoiyotlar -i- Fotoiyotlar Metal-Yarıiletke Fotoeektörler Çığ Fotoeektörler Dalga klavuzlu Fotoeektörler Bat İçi Soğurmalı Fotoeektörler 2008 HSarı 20

21 Fotoiletke Deektörler Uygu bir yarıiletke üzerie üşe foto, iletim baıa bir elektro, eğerlik baıa ise bir eşik oluşturur Oluşa elektro-eşik çiftleri taşıyıcı yoğuluğuu, olayısı ile iletkeliği (σ) arttırır Dış evree olaşa akım (veya evreye seri bağlı ireç üzerieki gerilim) foto akısıa bağlı olarak eğişir V o (φ) σ(φ) R i o (φ) λ Φ (foto/s) 2008 HSarı 21

22 Birim hacim başıa e- çifti oluşma oraı (r) = fazlalık elektro yoğuluğu τ = Fazlalık taşıyıcıları birleşme ömrü (1/s) /τ = fazlalık elektroları azalma oraı σ = q( µ + µ ) Fotoiletke Deektörler v h << v e Akım e h Kazaç τ e fototaşıyıcı ömrü 2008 HSarı 22 G τ τ e r φ = η A Dege urumua e- oluşma ve birleşme oraları eşit olacaktır, elektro yoğuluğu Φ (foto/s) hv R e e i o (φ) v e v h yarıiletke A τ e = v e v = µ τ h = v elektro geçiş zamaı: τ e v h = µ h h elektro geçiş zamaı iletkelikteki artış σ = e ( µ + µ ) ητ σ = e ( µ e + µ h) φ A i ητφ = A (Kazaç η=1) i = AJ = A( σ ) e ητ i = ( vh + ve ) φ A i = eη τ φ e = eη Gφ h

23 Fotoiletke Deektörler i = eη Gφ Kazaç G = τ τ e yarıiletke yalıtka Kazaç ( τ < τ e) G 1 ( τ > τ ) G 1 e v e =10 7 cm/s τ e =10-8 s τ=10-13 s Fotoiletke eektör yaısı Tiik Kazaç G= < 10 6 Sektral Duyarlılık Duyarlılık λ ( µ m) λ ( µ m) = g 1.24 ( ev ) g g ν 2008 HSarı 23

24 - FotoDeektörler - eklemii I-V grafiğii III. bölgesie akım (üşük gerilim eğerlerie) gerilime bağımsız, fakat akım, ışık şieti ile oratılıır V o (φ) i φ = i e i φ qv / kt ( ) k ( 1) o ( ) I R i o (φ) g o =0 g 1 g 2 g 3 -V V g 3 >g 2 >g 1 λ φ Tüketim bölgesie elektro-eşik çiftii oluşturulması esasıa ayalı ışık algılayıcılarıa Tüketim Bölgesi Işık Algılayıcıları (Deletio Layer Photoioe) Yaı ters besleerek çalıştırılır: - Yüksek ters gerilim, tüketim bölgesie güçlü elektrik ala oluşturuğua taşıyıcı sürükleme hızı artar (olayısı ile teki süresi iyileştirilir). Ayrıca tüketim bölgesii geişliği artacağıa kaasitif etkiler e azalır (olayısı ile teki süresi iyileştirilmiş olur) -Ters gerilimle tüketim bölgesi geişleiğie aha geiş bir alaa fotolar soğrulur 2008 HSarı Kazaç 1 24

25 - FotoDeektörler hv ifüzyo bölgesi sürükleme bölgesi hv ifüzyo bölgesi hv τ rift << τ if L τ h if=l /v h τ rift =/v L τ e if=l /v e Teki süresi: -Tüketim bölgesieki güçlü yaısal elektrik alaa olayı bu bölgeeki taşıyıcıları hareketi hızlı oluğua fotoiletkelere göre teki süresi aha iyiir -Tüketim bölgesii ışıa oluşturula e- çiftlerii ifüzyo yolu ile hareketi uzu zama alacağıa bu teki süresii olumsuz etkiler - - yaı yerie -i- yaıaki iyotlar kullaılarak teki süresi aha a iyileştirilebilir 2008 HSarı 25

26 -i- Fotoeektörler - yaı arasıa katkılamamış bir katma koarak tüketim bölgesii geişliği kotrollü olarak geişletilir. V o (φ) R λ φ i o (φ) i-bölgesi (saf bölge, itrisic): katkılamamış bölge (veya çok az katkılı) i Uygulaa ters gerilim tümüyle i-bölgesie görülür Fazlalık taşıyıcılarıı yarı ömrü yeterice uzu ise oluşa elektro-eşik çifti - ve -bölgelerie ulaşarak tolaır -i- yaıı üstülükleri: -Tüketim bölgesi çok geiş oluğua aha fazla foto tolaır -Tüketim bölgesii kalılığı kotrol eilebilir -Geiş tüketim bölgesi, küçük C, küçük RC sabiti, yüksek teki süresi - ikosaiye (s) teki süresi 2008 HSarı Kazaç 1 26

27 Schottky gelli FotoDeektörler Malzeme metal Yarıiletke (-tii) Bat Yaısı Φ w Φ S w χ boşluk C F F V - veya -tii yarıiletke üzerie metal Metal-Yarıiletke (Schottky)Yaı metal yarıiletke Φ w -χ C F V 2008 HSarı 27

28 Schottky gelli FotoDeektörler Çok ice (otik geçirge) metal--tii (veya -tii) yarıiletke tüketim bölgesi Φ w -χ Üstülükleri metal yarıiletke C F V Her yarıiletke veya -tii katkılaamaığı içi bazı yarıiletkelere - eklemli eektör yamak zorur Tüketim bölgesi heme yüzeye başlaığı içi yüzey birleşmeleri miimumur (yüksek η) (Bu sebete yüksek eerjili (UV) fotoları algılamasıa üstülükleri varır) Metale olayı ireç küçük oluğua RC zama sabiti küçük olayısı ile yüksek teki süresi ( 100 GHz) erji hv Φ w -χ 2008 HSarı 28

29 Dalga Klavuzu Fotoeektörler Normal eektöre ışık - eklemie ik oğrultua gelir. L R λ + λ R i o α e i( φ) = qφ A(1 ) + i (1 + α L ) α e η = 1 (1 + α L ) k i( φ) = qφ A(1 e α L ) Dalgaklavuzu şeklie yaıla eektörlere ışık ekleme aralel gelir αl >>1 yaılabilir η=1 - ve L birbirie bağımsız olarak ayarlaabilir Kazaç HSarı 29

30 Çığ Fotoeektörler (Avalace Photoeectors) Düşük seviyeeki ışık siyallerii algılamak içi çığ ışık algılayıcıları (avalache hotoeector) kullaılır Tüketim bölgesi algılayıcılarıa kazaç e fazla 1 olurke çığ algılayıcılara bu sayı çok büyük olabilir g o = 0 g o 0 I -V i k +V Çığ fotoeektör yaısı i k çığ i o V i o çığ i i k = Karalık akım -I i o = Işık oluğu urumaki akım Öev-3: Ne zama Zeer e 2008 zama HSarı çığ 30 etkisi?

31 Çığ Işıkalgılayıcılar (Avalace Photoeectors) V R i e Ε imact ioizatio α h : birim uzuluk başıa eşik iyoizasyo olasılığı α e : birim uzuluk başıa elektro iyoizasyo olasılığ 1/α e : çarışmalar arası ortalama uzaklık Çığ fotoeektörler αh κ = α e İle karakterize eilirler κ = 0 Çığ etkisi elektrolarla i x κ = Çığ etkisi eşiklerle 2008 HSarı 31

32 Çığ Işıkeektörleri Çığ etkisii hem elektrolarla hem e eşiklerle bir araa oluşturulmasıistnmz: - Zama kaybıa - Gürültü artışıa - Çığ kırılmasıa ee olur Bu etkileri azaltmak içi eektör tasarımı saece bir taşıyıcıya göre yaılır [κ=0 (elektrolarla) veya κ= (eşiklerle)] Ayrıca fotoları soğruluğu ve ivmeleirilikleri bölgeler e farklı tutulur. Heteroyaılarla oluştırılmuş çığ ışık eektörü V R g C V V=0 C = g + i + + Çığ bölgesi Soğurma bölgesi 2008 HSarı V

33 Çığ Işıkeektörleri Kazaç i o () i o (0) i( x) = α i( x) x e i( x) = i e α x e o Tek bir taşıyıcı (öreği elektro) kazaç (G) G e α e = Her iki taşıyıcı oluğu uruma kazaç (G) 1 κ κ = 1 G = e (1 κ ) αe k αh κ = α e 1 κ = 1 G = α 1 e 2008 HSarı 33

34 Heteroyaılı - Fotoeektörler itaksiyel büyütme ile yüzey urumları azaltılır λ=1.55 mµ Soğurma yok (ecere) Soğrulma bölgesi + -IP -IP - -I 0.53 Ga 0.47 As + -IP g =1.35 ev g =0.75 ev 2008 HSarı 34

35 Heteroyaılı Çığ Fotoeektörler I 0.53 Ga 0.47 As, IP alttaş üzerie sorusuz olarak büyütülebilir λ=1.55 mµ Soğurma yok (ecere) Çığ bölgesi Soğrulma bölgesi + -IP -IP - -I 0.53 Ga 0.47 As g =1.35 ev g =0.75 ev 2008 HSarı 35

36 Bat İçi Soğurmalı (Süer Örgülü) FotoDeektörler Normal eektörlere e- oluşumu iletim ve eğerlik baı arasıa olur Yarıiletke süerörgüler (GaAs/GaAlAs) kullaılarak kızılaltı bölgee çok hızlı eektörler yaılabilir Uygu şekile oluşturula kuatum çukurlarıa uyarmalar iletim baıa kuatalı eerji seviyeleri arasıa a olabilir C ν = C C ( 2 1 ) h 2 1 fotoakım Üstülükleri - Uzu alga boylarıı algılama - Yüksek teki süresi eğerlik baı alaşılırlık içi gösterilmemiştir! 140 Å 70 Å λ=10.3 µm 70 Å GaAs :10 18 cm Å Al 0.36 Ga 0.64 As R=2 9V besleme GaAlAs GaAs GaAlAs GaAs GaAlAs GaAs GaAlAs GaAs GaAlAs Olumsuzlukları -Karalık akım büyük (tüelleme ile geçe 1 -> 2 elektrolar) 2008 HSarı çift

37 Katmalı FotoDiyotlar Farklı bat aralığıa sahi yarıiletkeler uygu şekile biraraya getirilerek sektral tekisi arttırılabilir GaAs GaAlAs GaAs IAs C C V Tek katmalı - eektör V Çok katmalı - eektör uyarlılık BW homo BW hetero Üstülükleri -Geiş frekas bataralığı (BW) -Yüksek verimlilik Olumsuzlukları - Üretimi ahalı AlGaAs/GaAs/IAs GaAs 2008 HSarı λ 37

38 Güeş Pilleri 2008 HSarı 38

39 Yarıiletke klemleri Otoelektroik Uygulamaları Işık altıa - eklemi üzerie oluşa gerilim ve akım ters yölü olur, yai eklem emk (elektromotor kuvvet) gibi, başka bir ifae ile il gibi avraır. g o =0 g o 0 I V>0, I >0 -V V<0, I <0 +V IV. Bölge (V>0, I <0 ): Güeş Pilleri -I V>0, I <0 - + A 2008 HSarı 39

40 Güeş Pilleri Uygu bir - eklemi I-V eğrisii V. bölgesie çalıştırılırsa eklem üzerie gele ışığı oluşturacağı elektro-eşik çifti tolaarak ış evreye elektriksel güç sağlayabilir. Bua fotovoltaik etki eir I o >0 I I g - V g + i o =0 I g V g V Fotovoltik (PV) etki i o >0 lektro-eşik çiftii yaratılması ile - eklemii uçları arasıa oluşacak ola gerilim kullaıla yarıiletke malzemei bat aralığıa aha üşük olur (Öreği Si e bu gerilim < 1 V) Akım ise ayılatıla yüzeye bağlıır. 1 cm 3 lik ala içi ma arasıa eğişir Gerilim üşük oluğua yüksek güç ele etmek içi büyük yüzey alaları kullamak gerekmekteir Güeş sektrumuaki bütü algaboylarıı eklem tarafıa soğrulması arzulaır Siliko, ucuz oluşua olayı güeş illerie yaygıca kullaılmaktaır 2008 HSarı 40

41 Güeş Pilleri-2 Güeş illerii verimliliği: (oluşturula e-h sayısı) / (gele foto sayısı) I o =0 I I o >0 V m V oc V I sc - + I m I sc V oc = Açık evre gerilimi I sc = Kısa evre akımı V oc eklemii yüzey alaıa eklemleri irecie bağlı Yarıiletke malzemei bat aralığıa ve katkılamaya bağlı V m - V m = klem üzerie oluşa maksimum gerilimi I m = Devree olaşa maksimum akım I m + ImVm 2008 HSarı Dolum Faktörü (Fill Factor) FF = 41 I V sc oc

42 Güeş Pilleri-Tasarım Güeş Pili Tasarımı a) Gele güeş ışığıı e etki şekile elektrik eerjisie (elektro-eşik çiftie) çevirebilme özelliği (hv g ) b) Otik güçte maksimum erecee fayalamak içi güeş ilii geiş yüzeye sahi eklem alaı olmalıır a) hv > g c) Oluşacak elektro-eşik çiftlerii eklem bölgesie ulaşması maksimum olacak şekile ayarlamalıır ( <L ) g b) A c) < L 2008 HSarı 42

43 Güeş Pilleri-Tasarım Güeş Pili Tasarımı (Devam) ) Yüzey yasımasıı azaltacak ve taşıyıcıları yüzeye birleşmesii azaltacak yasıtma öleyici kalama ile kalamalıır e) Oluşa elektro-eşik çiftlerii tekrara birleşmee tolayacak uçları (elektrotları) uygu yerleştirilmesi f) - bölgelerie güç kaybıı e aza olabilmesi içi çok küçük irece sahi olmalıır Yasıtma öleyici kalama ) e, f) hv > g Üstte görüüş 2008 HSarı 43 hv > g Metal kotak

44 Güeş Pilleri-Malzemeler Güeş illerie bat yaısı oğrua ve olaylı bat yaısıa sahi malzemeler kullaılabilir Kristal yaıya sahi malzemelere verim yüksektir acak maliyet artar Güeş illerii yaımıa kullaıla e yaygı malzeme Silisyumur (Si) Güeş illerie kullaıla siliko, sıcaklıkla verimliliği üştüğü içi buu yerie yüksek sıcaklıklara verimliliği aha iyi ola bileşik yarıiletkeler kullaılmaktaır Öreği GaAs-GaAlAs heteroyaılı güeş illeri yüksek verimliliğe ve yüksek sıcaklıklara çalışabilme özelliğie sahitir Acak GaAs-GaAlAs heteroyaıları üretimi ahalıır 2008 HSarı 44

45 Güeş Pilleri-Malzemeler Güeş illerie bat yaısı oğrua ve olaylı bat yaısıa sahi malzemeler kullaılabilir Kristal yaıya sahi malzemelere verim yüksektir acak maliyet artar Güeş illerii yaımıa kullaıla e yaygı malzeme Silisyumur (Si) Malzeme Teorik verim (%) Pratik verim (%) Bat aralığı (ev) Silisyum (kristal) Silisyum (oli-kristal) Silisyum (amorf) GaAs CTe CuISe 2 -(CIS) (Bakır iiyumiseleie) Cu 2 O (Bakır-2 oksit) HSarı 45