BÖLÜM 8 ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖRLER (JFET) Konular:

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "BÖLÜM 8 ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖRLER (JFET) Konular:"

Transkript

1 ALAN ETKİLİ TRANİTÖRLER (JFET) BÖLÜM 8 8 Koular: 8.1 Ala Etkili Joksiyo Trasistör (JFET) 8. JFET Karakteristikleri ve Parametreleri 8.3 JFET i Polarmaladırılması 8.4 MOFET 8.5 MOFET i Karakteristikleri ve Parametreleri 8.6 MOFET i Polarmaladırılması 188

2 ANALO ELEKTRONİK- 8.1 ALAN ETKİLİ TRANİTÖR (JFET) Ala Etkili Trasistör (Field-Effect Trasistor); Biolar Joksiyo trasistörü tüm işlevlerii yerie getirebile fakat farklı yaı ve karakteristiklere sahi bir devre elemaıdır. Çoğulukla JFET veya FET olarak taımlaır veya isimledirilirler. JFET ler gerilim kotrollü devre elemalarıdır. Çeşitli alt grulara da ayrıla ala etkili trasistörler, kaal tilerie göre kaal ve kaal olmak üzere iki tite üretilirler. Bu Bölümde; JFET i temel yaısıı, sembolüü, özelliklerii ve temel çalışma resilerii iceleyeceğiz. Ala Etkili Trasistör (JFET), 3 uçlu bir gru yarıiletke devre elemaıı geel adıdır. Bu grutaki trasistörler kedi aralarıda bir takım kategorilere ayrılır ve isimledirilirler. Ala etkili trasistörleri üretim tileri ve çeşitleri şekil-8.1'de tablo halide verilmiştir. İlerleye bölümlerde her bir ti ayrıtıları olarak iceleecektir. ALAN ETKİLİ TRANİTÖRLER (JFET ) JFET MOFET N KANAL P KANAL ÇOĞALTAN TİP (EMOFET) AZALTAN TİP (E-MOFET) N KANAL P KANAL N KANAL P KANAL CMO Şekil-8.1 Ala ekili tasistörleri (JFET) Tileri Ala etkili trasistör; Joksiyo FET (JFET) veya metal oksitli yarı iletke JFET (MOFET) olarak yaılır ve isimledirilir. Her iki ti trasistörü de kaallı ve kaallı olmak üzere iki tite üretimi yaılır. N kaallı JFET'lerde iletim elektrolarla, P kaallı JFET lerde ise oyuklarla sağlaır. FET'leri yaımları basit ve ekoomik olduklarıda dolayı oldukça çok kullaım alaı bulmuşlardır. JFET leri biolar trasistörlere göre öemli farklılıkları vardır. JFET ile BJT leri Karşılaştırılmaları JFET'i giriş ve çıkış emedası çok yüksektir. Bu emedası değeri birkaç mega ohm'da yüzlerce mega ohma a kadar çıkabilir. Fakat çalışma frekasları yükseldikçe emedasları azalır. MOFET'i giriş emedası JFET'e azara daha büyüktür. BJT i giriş ve çıkış emedası JFET'te küçüktür. Bu farklılık BJT yerie JFET'i; JFET yerie de BJT'i kullaılamayacağıı gösterir. JFET'i çalışması sadece çoğuluk akım taşıyıcılarıı akışıa bağlıdır. Tek ti taşıyıcılı bu elemaa uiolar trasistör adı da verilir. 189

3 ANALO ELEKTRONİK- JFET'i gürültü seviyesi biolar trasistörlere azara azdır. Bu edele FET, alçak ve yüksek frekaslarda kullaılabilir. JFET, iyi bir siyal kırıcı olarak çalışır. JFET'i sıcaklık kararlılığı daha iyidir. ıcaklık değişimleride ek etkilemez. JFET'i radyasyo etkisi yoktur ve radyasyoda az etkileir. JFET'i BJT ye göre sakıcası; kazaç-bat geişliği çarımıı (geçiş frekası-kazacı bire düştüğü frekas) biolar trasistörle elde edilebilee kıyasla küçük olmasıdır. JFET'i Yaısı ve embolü JFET'ler; N kaallı ve P kaallı olmak üzere iki tite üretilirler. JFET'i fiziksel yaısı ve elektriksel sembolü şekil-8. de gösterilmiştir. JFET üç uca sahitir. Uçlarıa işlevleride ötürü; eyt (ate), örs (ource), rey (rai) isimleri verilmiştir. JFET'i fiziksel yaısıa bakıldığıda sörs ve drey uçlarıı ayı olabileceği ve hatta uçlarıı değiştirilerek sörs yerie drey'i, drey yerie sörs'ü kullaılabileceği düşüülebilir. Acak JFET'i yaısı, sörs ve drey bölgeleri içi bu eşitliği sağlamaz. JFET sembolüde, geyt ucuda bulua oku yöü kaal tiii ifade eder. Ok yöü içeri doğru ise N kaal JFET, ok yöü dışarıya doğru ise P kaal JFET olduğu alaşılır. Bu durum şekil-8..a ve b de gösterilmiştir. rey kaal örs rey kaal örs eyt eyt rey (rai) örs (ource) rey (rai) örs (ource) eyt (ate) eyt (ate) Şekil-8..a ve b N Kaallı ve P Kaallı JFET'i Yaısı ve embolü JFET'i Çalışması JFET'i elektriksel karakteristiklerii alayabilmek içi elemaı çalışmasıı icelememiz gerekmektedir. JFET'e olarma gerilimleri uyguladığıda meydaa gele akım ve gerilimler şekil-8.3 üzeride gösterilmiştir. rey-sörs arasıa uygulaa besleme gerilimi, drey ucu ile şase arasıa bağlaır. Bu gerilim, drey devresideki besleme gerilimi olarak taımlaır ve ile sembolize edilir. gerilimi, kaal içerisideki elektroları hareket etmesii sağlar. Bu elektrolar, sörs'de drey'e orada da kayağıı ozitif kutbua giderler. kayağıı içide sörse geri döerler. örs ve drey üzeride geçe bu akıma drey akımı deir ve ile sembolize edilir. 19

4 ANALO ELEKTRONİK- R Şekil-8.3 JFET'i Çalışması JFET i geyt termiali kotrol ucudur. JFET i iletkeliğii kotrol eder. Öce geyt termiali kullamada JFET i çalışmasıı aaliz edelim. Bu amaçla şekil-8.4 de yararlaacağız. Şekil-8.4 de verile devrede, gerilimi (şase) yaılırsa ve besleme kayağı da da başlayarak yükseltilirse kaal içeriside geçe akım miktarı da artar. Acak tii kaalı joksiyo direci maksimum akım değerii sıırlar. daha fazla artırıldığıda JFET de bir ters olarma bölgesi oluşur. Bu olarma bölgesie, azalma bölgesi (delatio) deir. Azalma bölgesi, kaal akımıı maddesii dar bir kesidi içide geçmesii gerektirir. Bu durum kaal direcii artmasıa sebe olur. olayısı ile akımıda artık bir azalma söz kousudur. R R = = Şekil-8.4.a ve b JFET'i Çalışması 191

5 ANALO ELEKTRONİK- kayağıı daha fazla artırılması soucu kaalı tamame daraldığı (kaal direcii maksimuma yükseldiği) bir duruma erişilir. Bu değerde sora daha fazla akım akışı meydaa gelmez. Kısaca kaal akımıda artış artık mümkü olmaz. Çükü kaal kaama modua girmiş ve drey akımı doyuma ulaşmıştır. Bu durum şekil-8.4.b de resimlemiştir. ouçta, kaal direcide dolayı drey-sörs arasıda bir gerilim düşümü meydaa gelir. Bu gerilim, gerilimi olarak adladırılır. örüldüğü gibi, artarke drey ve sörs uçlarıda gerilim düşümü meydaa gelir. Bu gerilim düşümüe ise akımı sebe olur. Şekil-8.5'de görüldüğü gibi P oktasıda, artarke sabit bir değerde kalır. maksimum değerie ulaşmıştır. max değerie ise deir. kaalı doyum akımıdır. Bu ada yai akımı, P değerie ulaştığıda geyt-sörs arası gerilim de sıfırdır (=). değeri, elemaı yaısıa göre belli bir değerde buluur. Bu değer imalatçılar tarafıda verilir veya ölçülebilir. N kaalda geçe sabit akımı = N kaaldaki daralma oktası P N kaalı direcide dolayı oluşa eğim 8. JFET KARAKTERİTİKLERİ Şekil-1.5 Kaal Akımıı Nede Olduğu aralmaı rafiği Bu bölümde; JFET i iletim ve kesim bölgeleride asıl çalıştığıı öğreeceksiiz. JFET i; iletim, kesim veya aktif bölgelerde çalıştırılması içi gerekli arametreleri ve karakteristikleri taıyacaksıız. Bölüm souda JFET i öemli iki arametresii taıyacaksıız. Bu arametreler; trasfer karakteristiği ve daralma gerilimi (ich-off voltage) olarak adladırılmaktadır. JFET'lerde; geyt ucu, kaal bölgesii (azalma bölgesi) kotrol etmek içi kullaılır. Öreği; kaallı bir JFET'te, geyt ile sörs arasıa uygulaa egatif olariteli bir gerilim, gerilim azalma bölgesii büyültür. Bu durum, kaal akımıı daha düşük değerleride kaalı kaamasıa sebe olur. Eğer; gerilimi arttırılırsa ( kaal içi daha egatif yaılırsa) kaalı azalma bölgesi daha da büyür. Neticede drey akımı şekil-8.6.a ve b'de gösterildiği gibi daha düşük akım seviyeleride doyuma ulaşır. Şekil-8.6.a ve b'de ve kaal JFET'ler içi - grafiği çizilmiştir. Karakteristikte sabit gerilimii çeşitli değerleride ve değerleri gösterilmiştir. Örek eğriler; =v, -1v ve -v içi çizilmiştir. 19

6 ANALO ELEKTRONİK- = = =-1 =- =+1 =+ P P Şekil-8.6.a.b N ve P Kaallı JFET'i rey Karakteristikleri ouç olarak, kaal bir JFET de geyt-sörs arasıa uygulaa ters olarma büyürke, kaal akımı azalır. eyt-sörs arasıa uygulaa ters olarma gerilimi yeterli büyüklüğe ulaşırsa kaal tamame kaaabilir ve akımı sıfıra düşebilir. Kaalı tamame kaaı akım geçirmemesie ede ola ters gerilim değerie geyt-sörs daralma gerilimi (ich-off) adı verilir: Bu değer P ile ifade edilir. Yukarıdaki şekiller ve grafik iyi icelediğide 'i küçük değeri içi, akımıı lieer olarak arttığı görülür (şekil-8.6). gerilimi artarke, kaalı daraldığı görülür. FET'i bir diğer öemli karakteristiği ise, Trasfer Karakteristiği olarak adladırılır. Trasfer karakteristiği eğrisi; sabit bir drey-sörs () gerilimide, geyt-sörs () gerilimii foksiyou olarak elde edile drey akımıı () eğrisii gösterir. Trasfer karakteristiği şekil-8.7.a ve b'de gösterildiği gibi elemaı iki öemli arametresi ola P ve değerlerii verir. Trasfer karakteristiği eğrisi matematiksel olarak; = 1 - P eşitliği ile ifade edilir. Bu eşitlik veya bu eşitlikte çizile trasfer karakteristiği P ve değerlerie bağlıdır ve JFET'i çalışmasıı oldukça iyi taımlar. P değeri, kaallı fetler içi egatif, kaallı fetler içi ozitif bir değerdir. Trasfer karakteristiği eşitliği ile, şekil-8.7'deki trasfer karakteristiği karşılaştırılırsa; = olduğuda, eşitliği = durumuu sağladığı ve eğrii dikey ekse 'yi, değeride kestiği görülür. iğer tarafta = içi, eşitlik =P durumuu sağlar. ve P değerleri imalatçı kataloglarıda verilir. Bu değerlerde yararlaılarak trasfer karakteristiği çizilebilir. Trasfer karakteristiği eğriside ve değerlerde faydalaarak değerleri de hesalaabilir. 193

7 ANALO ELEKTRONİK- (ma) (ma) 1 1 = 1 - P Şekil-8.7 N ve P Kaallı JFET'i Trasfer Karakteristikleri JFET'i çalışması grafiksel olarak şekil-8.8 deki drey çıkış karakteristiği yardımı ile görülebilir. değeri, = durumuda elde edile akım seviyelerii meydaa getirdiği eğride okuur. P değeri ise açık bir şekilde görülmez. Acak P değeri e alttaki eğrisii değeride biraz daha büyüktür. Karakteristikteki kesik çizgi, doyum akımıı aktığı oktalarda geçmektedir. Bua göre, kesik çizgi =P- durumuu göstermektedir. Bu çizgi geellikle drey karakteristiğii bir arçası değildir, ama eğrii yatay eksee () değdiği oktaı değerii verir. + - R (ma) oyum Bölgesi = =-1 =- Bozulma Bölgesi Aktif Bölge P B Şekil-8.8 JFET'i rey Karakteristikleri Karakteristikte görüldüğü gibi aktif bölgede akımı sabittir. Acak belli bir değeride sora JFET bozulur, drey akımıı artışı JFET tarafıda artık sıırlaamaz. Acak JFET devresie bir harici elema bağlaarak, JFET koruur. JFET'i bozulma gerilimi değeri B olarak işaretlemiştir. B değeri, küçük geyt-sörs olarma gerilimleri içi daha büyüktür. Üretici firmalar tek bir değeri içi geellikle, B değerii kataloglarıda belirtirler. JFET i drey karakteristiğide kesik çizgi ile belirtile bölge ile, bozulma eğrileri arasıda kala bölge JFET içi aktif çalışma bölgesidir. JFET'ler siyal yükseltmek amacı ile kullaıldıklarıda aktif bölgede çalıştırılırlar. Aktif bölgede çalışma ise büyük ölçüde dc olarma gerilimleri ile sağlaır. JFET'ler sayısal devrelerde ve aahtarlama devreleride de çok sık kullaılırlar. Bu ti çalışmada JFET leri Kesim veya doyum bölgeleride çalışmalarıda faydalaılır ve bu bölgelerde çalıştırılırlar. 194

8 ANALO ELEKTRONİK- 8.3 JFET İN POLARMALANRLMA Öceki bölümlerde JFET i çalışma şartlarıı ve geel - karakteristiklerii iceledik. JFET i özelliklerii ve karakteristiklerii kullaarak devre tasarımı yaabilmemiz içi gerekli dc olarma şartlarıı sağlamamız gerekmektedir. Bu bölümde, JFET içi gerekli dc olarma şarlarıı aalizii yaı dc olarma yötemlerii göreceğiz. JFET ler içi uygulaa olarma yötemlerii sıra ile; sabit olarma, self olarma ve gerilim bölücülü olarma olarak sıralayabiliriz. Bu bölümü bitirdiğiizde JFET içi gerekli dc olarma yötemlerii öğrei, JFET i kullaarak devre ve cihaz tasarlamaya hazır hale geleceksiiz. Belli bir drey akımı ve drey-sörs gerilimi etrafıda JFET'i çalışabilmesi içi çoğulukla olarmaladırılması gerekir. Elema bir yükselteç olarak çalıştırılacaksa aktif bölgede çalışacak şekilde olarma gerilim ve akımları seçilir. JFET olarmalarıda bir çok olarma tii kullaılabilir. Biz bu bölümde çok kullaıla bir kaç olarma tiii iceleyeceğiz. abit Polarma evresi abit olarmalı bir JFET yükselteç devresi şekil-8.9 da verilmiştir. evreyi icelediğimizde olarmaı iki adet dc besleme kayağıda sağladığı görülmektedir. erçekte uygulamalarda tek bir dc besleme kayağı kullaılır. Fakat kouu daha iyi alaşılabilmesi içi bu devrede çift besleme kayağı kullaılmıştır. Şimdi şekildeki sabit olarmalı yükselteç devresii iceleyelim. ERİLER =1mA P =-4 + R R 1KΩ C - C 1 R 47KΩ = Şekil-8.9 abit olarmalı JFET'li yükselteç devresi Yükseltilecek işaret, geyt-sörs arasıa giriş işareti olarak uygulaır. Uygulaa bu işaret yükseltilmiş olarak rey-sörs arasıda alıır (). R direci AC işaret içi bir yol görevi görür. Fakat ters olarak olarmaladırıla geyt-sörs bölgeside dc akım geçmez. olayısıyla R üzeride dc gerilim düşümü olmaz. Bu edele geyt-sörs arasıdaki gerilim besleme gerilimie eşittir. Yai ==-1.5 'dur. Burada drey akımıı bulabiliriz. 195

9 ANALO ELEKTRONİK- = 1 - = 1mA v - 4 = 3.9mA Yukarıdaki eşitlikte görüldüğü gibi, geyt-sörs gerilimi (), drey akımı 'i değerii ayarlar. Bu akım 1'luk besleme kayağıda, R direcide drey-sörs kaalıda şaseye doğru geçer. JFET aktif bölgede çalıştığı sürece; akımı gerilimie bağlıdır. Fakat R direy direci değerie bağlı değildir. şekil-8.9 da görüldüğü gibi, drey akımıda dolayı R uçlarıda bir gerilim düşümü meydaa gelir. Bua göre JFET'i çalışma bölgesi yada gerilimi buluabilir. evrede; = R + olduğu görülür. Burada; = R = 1 (3.9mA 1.8KΩ) = buluur. Bulua bu değer yardımı ile JFET i çalışma oktası belirlemiştir. JFET'li sabit olarma devreside karşılaşıla ratik bazı sıırlamalar vardır. Bu sıırlamalar, şekil-8.1 da JFET i - karakteristikleri üzeride ayrıtılı olarak gösterilmiştir. Öreği yüksek kazaç elde edebilmek içi 'i sıfır volta olarmaladırılması, giriş gerilimii değişim miktarıı sıırlar. öz kousu olarma ile büyük gelikli giriş siyali kullaılırsa 'i ozitif alterasıda geyt ozitife kayar ve kaal akımı kotrol edilemez. Bu edele çok küçük giriş siyalleri içi sıfır volta yakı olarma kullamak mümkü olur. Büyük giriş siyaliyle çalışırke çalışma gerilimii iyi seçilmesi gerekir. Karakteristikte görüldüğü gibi sıfır voltta farklı değerleri daha küçük gm değerleri verirler. Yie çok büyük R değerleri de elemaı doyuma götürebilecek gerilim değerlerii vereceğide aktif bölgei dışıda bir çalışma oktası meydaa getirirler. ouç olarak; isteile miktardaki herhagi bir kazaç sadece büyük R değerleri seçilerek gerçekleşemez. (ma) Küçük değerli R C YÜK OĞRUU R =1K = R Q Q Çalışma Noktası =-1 =-1.5 Büyük değerli R =- = Q Şekil-8.1 JFET'i Çalışması ve Polarmaladırılması 196

10 ANALO ELEKTRONİK- elf Polarma evresi Pratik uygulamada JFET'li yükselteçler geellikle tek bir dc besleme kayağı ile olarmaladırılır. Böyle bir olarma devresi şekil-8.11' de gösterilmiştir. Bu devrede geytsörs olarma gerilimi elde etmek içi bir self olarma direci R kullaılmıştır. R direci uçlarıda xr gerilim düşümü edeiyle ozitif bir gerilimi meydaa gelir. eyt veya R geyt direcide dc akımı hiç geçmediğide geyt gerilimi sıfır volttur. eyt gerilimi sıfır volt olduğuda, geyt () ile sörs (+) arasıda ölçüle et gerilim egatif gerilimdir. (Bu gerilim, referas oktası sörs alıdığıda egatif değerde ölçülür.) Ölçüle bu egatif gerilim geyt-sörs arası olarma gerilimi dir. eyt-sörs arası olarma bağlatısı; = R = olduğu devrede görülmektedir. Bu bağıtı trasfer karakteristiği üzeride gösterilir. Buu içi iki değeri seçilir. JFET kesimde ike, = R olur. JFET iletimde ike ; = R + R =+4 =- (1.5K) (ma) R 6.KΩ + R - C (ma) () C 1 R = 1MΩ R 1.5KΩ C + - elf olarma eğrisi R =1.5K Q 6 4 Q -4 - () Şekil-8..1.a ve b elf olarmalı JFET devresi ve trasfer karakteristiği Bulua bu değerler ile trasfer karakteristiği üzeride yük çizgisi çizilir. Bu değerlere karşılık gele değerleri buluur. Bu değerler şekil-8.1.b deki tabloda verilmiştir. Tablodaki ve değerleri ilgili ekselerde işaretleir. İşaretlee bu oktalarda bir düz çizgi çizilir. Bu düz çizgiye self olarma çizgisi deir. üz çizgii trasfer karakteristiği eğrisii kestiği okta, devrei çalışma oktasıdır (Q). Polarma oktasıda ekselere dikler ierek bu oktaı çalışma şartları; = 1.6mA ve =. Q Q 4 olarak buluur. R değeri artırılırsa, R yük doğrusu yatay eksee doğru yaklaşır. Çalışma bölgesi kayar değeri küçülür. değeri büyür. R değeri azaltılırsa bu kez çalışma oktasıda büyür, küçülür. 197

11 ANALO ELEKTRONİK- Örek: 8.1 Çözüm Şekil-8.1.a da verile self olarmalı yükselteç devreside çalışma oktasıı R=1KΩ kabul ederek buluuz? Şekil-8.1.b'deki karakteristik eğri üzerie sıfırda yai =, = oktasıda başlaya ve seçile değeri öreği 4 ma ile bua karşılık bulua gerilimi; = R = ( 4mA) (1KΩ) = 4 olarak buluur. Bu değerleri belirledikleri kesişme oktasıda geçe self-olarma çizgisi çizilir. Bu çizgi ile elemaı trasfer karakteristiğii kesiştiği okta çalışma oktası olarak buluur. Çalışma oktası sükuet aıda (girişte AC işaret yokke), drey akımı Q ve geyt-sörs gerilimi Q değerii verir. Çalışma oktası içi çizim yaılarak ; Q =.ma ve Q =. değerleri tesit edilir. Tesit edile bu değerlerde yararlaarak ayı oktadaki drey-sörs gerilimi; = R = 4 (.ma 6.KΩ) = = 8. olarak hesalaır. Q Q Örek: 8. JFET P =-6 =5mA C 1 R = R 4.1KΩ = MΩ R.KΩ C + - C Şekil-8.13 de verile self olarmalı yükselteç devresii çalışma oktasıı buluuz ve trasfer karakteristiğii çiziiz? P=-6, =5mA Çözüm Şekil-8.13 kaallı JFET li self olarmalı yükselteç devresi Belirlemesi istee olarma oktasıı bulmak içi gerekli trasfer karakteristiği çizilmemiş acak P ve değerleri verilmiştir. Karakteristik eğrii çizimi de istemiştir. O zama trasfer eğrisi formülü ; = 1-198

12 ANALO ELEKTRONİK- ile verile P ve değerlerii kullaarak trasfer karakteristiği eğrisii çizmek oldukça kolay olur. eçile birkaç oktası ve bulara karşılık hesalaa değerlerie göre grafik kağıdıa taslak eğri çizilebilir. Öreği; şekil-8.13'deki JFET x ekseide P=-6 voltta başlayı; 4 = 4 içi ; = 1 - = 5mA 1 - =. 55mA P 6mA = içi ; = 1 - = 5mA 1 - =. ma P 6mA oktaları içie ala y ekseide ==5mA oktasıa kadar uzaa taslak trasfer eğrisi oluşturulur. Bu trasfer eğrisi üzerie (şekil-8.14), R=.Ω içi self olarma çizgisi çizilir. =- (.K) (ma) () elf olarma eğrisi R =1.5K Q (ma) Şekil-8.14 Trasfer eğrisi Q () Öreği; =ma lik bir drey akımı seçilerek geyt-sörs gerilimi; =-.R=-(mA)(.KΩ)= volt buluur. elf olarma çizgisi trasfer eğrisii yaklaşık; Q=-.95 Q=1.35mA oktalarıı birleştiği yerde keser. ükuet aıdaki bu değerlerde yie ayı adaki dreysörs gerilimi; Q=-Q (R+R) Q= mA(.KΩ+4.1KΩ) Q=7.5 volt. olarak buluur. erilim Bölücülü Polarma JFET içi kullaıla diğer bir dc olarma devresi ve trasfer karakteristiği şekil-8.15 de verilmiştir. Bu olarma şekli, gerilim bölücülü geyt olarma olarak biliir. Bu olarma tiide, olarma gerilimi ve akımıı belirlemesi diğer olarma devrelerideki gibidir. adece geyt gerilimii voltta farklı bir değerde tutulmasıda durum değişir. 199

13 ANALO ELEKTRONİK- JFET P =-5 =8mA R 1 MΩ C 1 R.5KΩ =+16 C + - =- (.K) (ma) () R =1.5K (ma) R 8KΩ R 1.5KΩ C Şekil-8.15 erilim bölücülü geyt olarması ve trasfer karakteristiği -4 Q - Q + () erilim bölücülü olarma devreside, diğer olarma tilerie azara daha iyi bir kararlılık söz kousudur. erilim bölücü devrede elde edile gerilimii değeri; = R = R + R olarak buluur. Bu durumda sükuetteki geyt-sörs olarma gerilimi; olur. Q = 1 ( R ) Örek: 8.3 Çözüm Şekil-8.15'de görüle gerilim bölücülü olarma devreside JFET'i C olarma gerilimlerii buluuz? JFET i geyt gerilimi; R 8KΩ = = = 16 = R1 R MΩ + 8KΩ + olur..r gerilim düşümüü soucuda geyt-sörs gerilimi ; =- =-(.R) olur. Burada belli bir R değeri içi, 'ye bir kaç değişik değer verilerek buu karşılığı ola değerleri buluur. Trasfer karakteristiği eğrisi öcede olduğu gibi; = 1 - formülüde belirleir. O zama P=-4volt ve =8mA değerlerie sahi olur. JFET içi trasfer karakteristiği yukarıdaki gibi çizilir. elf olarma çizgisi ile trasfer karakteristiğii kesiştiği okta, dc olarma (çalışma) oktasıı verir. P

14 ANALO ELEKTRONİK- Bu oktada çalışma şartları da; Q=.5mA, Q=-1.75 olt olarak sataır. Burada; Q=-Q.R=16-.5mA(.5KΩ)=9.75 volt Q=Q.R =.5mA (1.5KΩ)= 3.75 volt rey-sörs gerilimi ise; Q=Q-Q = = 6 volt Olarak hesalaır. Hesalaa değerlerde yararlaarak olarma oktasıdaki geyt-sörs gerilimi kotrol edilirse, souç; Q=Q-Q Q= Q=-1.75 volt buluur. oucu grafiksel metot kullaılarak elde edile değerle ayı olduğu görülür. 8.4 MOFET LERİN TANTM E KARAKTERİTİKLERİ MOFET (MetalOksit emicoductor FET), Ala etkili trasistörlerde geliştirilmiş bir gru trasistörü geel adıdır. MOFET lerde geyt termiali, kaalda izole edilmiştir. Bu tür ala etkili trasistörlere, Metal oksitli yarıiletke FET veya kısaca MOFET deilmektedir. Ayrıca kimi kayaklarda İzole edilmiş geytli FET veya FET adı da verilmektedir. Mosfet ler, Azalta ti (eletio) ve Çoğalta ti (Ehacemet) olmak üzere iki ti de üretilirler. Bu tür mosfet ler; kısaca -MOFET ve E-MOFET olarak adladırılır. Bu bölümde mosfet tilerii, temel yalarıı, şematik sembollerii ve temel çalışma resilerii göreceksiiz. MOFET'i Temel Yaısı Ala etkili trasistörleri bazı tileride geyt termiali kaalda izole edilmiş (yalıtılmış) biçimde yaılır. Bu tür ala etkili trasistörlere, metal oksitli yarı iletke FET (Metal-Oxide emicoductor FET) veya kısaca MOFET deir. Mosfet ler, izole edilmiş geytli FET veya kısaca FET olarak da adladırılmaktadırlar. 1

15 ANALO ELEKTRONİK- MOFET'ler; ya azalta ti MOFET (elatio-mofet) yada çoğalta ti MOFET (Ehacmet MOFET) olarak imal edilirler. Azalta ti Mosfet lere kısaca -MOFET, Çoğalta ti Mosfet lere ise E-MOFET deilmektedir. Her iki ti MOFET ide; P kaal ve N kaal olmak iki tii vardır. N kaallı ve E-MOFET'i temel yaıları şekil-8.16'da verilmiştir. MOFET lerde tıkı JFET ler gibi 3 uçlu aktif devre elamaları grubudadır. Uçlarıa işlevleride ötürü; eyt (ate), rey (rai) ve örs (ource) isimleri verilmektedir. Şekil-8.16 da verile temel yaıda abstreyt (ubsrate) termiali, dördücü uç gibi görüse de geellikle sörse bağlaır veya şase otasiyelide tutulur. -MOFET'i yaısıda kaal fiziksel olarak yaılmış haldedir. -MOFET i, drey-sörs uçlarıa bir dc gerilim kayağı bağladığıda drey ile sörs arasıda bir akım meydaa gelir. E-MOFET' i yaısıda ise, imalat sırasıda şekilledirilmiş veya oluşturulmuş bir kaal yoktur. E-MOFET'i; drey-sörs uçlarıa gerilim uyguladığıda akım meydaa gelebilmesi içi, şarj taşıyıcılarıı kaalı oluşturması gerekir. Buu içide geyt ucua gerilim uygulaması gereklidir. rey (rai) rey (rai) io io eyt (ate) ubstrate (abreyt) eyt (ate) ubstrate (abreyt) Kaal Kaal Yok örs (ource) örs (ource) Şekil-8.16 Azalta ve Çoğalta Ti N Kaal MOFET'leri Yaıları Azalta Ti MOFET (-MOFET) -MOFET leri, -kaal ve -kaal olmak üzere başlıca iki tide üretimi yaılır. Şekil a'da -kaal -MOFET'i yaısı ve şematik sembolü görülmektedir. Şekil-8.17.b de ise -kaal -MOFET i yaısı ve şematik sembolü görülmektedir. N kaallı -MOFET, tii gövde (substrate-sabstreyt) üzerie yerleştirilmiştir. N tii yarı iletke maddede yaıla sörs ve drey bölgelerie, sörs ve drey termialleri bir metalle (alimüyum) bağlamışlardır. Ayrıca sörs ve drey bölgeleri içte N tii kaal bölgesiyle birbirie bağlaırlar. N kaalı üstüde bulua ve kaal ile geyt arasıdaki izolasyou sağlaya ice siliko dioksit (io) tabakasıı üzerie ice bir metal tabaka kour. Bu bileşimi - MOFET'i oluşturur. Şematik sembol de elemaı geyt, sörs ve drey uçları gösterilir. absreyt ucu ise çoğulukla sörs e bağlı olarak gösterilir. Şematik gösterimde elemaı kaal tii sabstreyt ucudaki oku yöü ile belirtilir. Şekil-8.17 de görüldüğü gibi ok yöü elemaı içie doğru ise -kaal -MOFET, ok yöü dışarı doğru ise -kaal -MOFET taımlaır.

16 ANALO ELEKTRONİK- io Kaal absreyt io Kaal absreyt Şekil-8.17.a ve b N Kaal ve P Kaal E-MOFET'i Yaısı ve embolü N-kaallı -MOFET'i geyt-sörs arasıa egatif bir gerilim () uygulaırsa elektrolar kaal bölgesii ortasıa doğru itilirler ve kaalda daralma olur. Yeterli büyüklükte geytsörs gerilimi kaalı tamame daraltarak kaatır. iğer tarafta; ozitif geyt-sörs gerilimii uygulaması halide, tii taşıyıcılar itildikleride kaal büyüklüğüde bir artış olur. Bu durum daha çok şarj taşıyıcısıı oluşumua izi verdiğide daha büyük bir kaal akımı meydaa gelir. N kaallı -MOFET'i trasfer ve drey karakteristikleri ise şekil-8.18'de görülmektedir. Karakteristik eğriler; elemaı gerek ozitif, gerekse egatif geyt-sörs gerilimide çalışmasıı göstermektedir. Negatif değerleri, daraltma gerilimie (ich-off) kadar drey akımıı azaltırlar. Bu gerilimde sora drey akımı hiç akmaz. N kaallı -NOFET'i trasfer karakteristiği, egatif geyt-sörs gerilimleri içi JFET karakteristiği ile ayıdır ve ozitif değerleri içi de bu özellik koruur. Negatif ve ozitif her iki değeride de geyt kaalda izole edildiğide MOFET, 'i her iki olarite durumuda çalıştırılabilir. öz kousu iki olarite durumu da da geyt akımı meydaa gelmektedir. (ma) (ma) = 1 - P =+1 = - P =-1 =- Şekil-8.18.a ve b N Kaal E-MOFET'i Trasfer ve - karakteristikleri P kaallı -MOFET'i yaısı ve şematik sembolü şekil-8.18.b'de verilmiştir. Bu ti MOFET'i kaalı P tii, sabsreyti ise N tii yarıiletkede yaılır. P ve N kaallı - MOFET'ler çalışma esası bakımıda birbirii bezeridir. Acak P kaallı -MOFET te olarma kayaklarıı yöü terstir. Akım taşıyıcıları oyuklardır. eyt-sörs gerilimi egatif olduğuda drey akımı artarke, ozitif olduğuda azalır. Bu edele daralma gerilimi P ozitif değerlidir. Şekil-8.19 da P kaal -MOFET'i trasfer ve drey - (Akım-erilim) karakteristikleri görülmektedir. 3

17 ANALO ELEKTRONİK- (ma) (ma) = 1 - P + P =-1 = =+1 =+ Şekil-8.19 P Kaallı E-MOFET'i Trasfer ve - Karakteristikleri Çoğalta Ti MOFET (E-MOFET) Çoğalta ti MOFET i (E-MOFET) temel yaısı ve şematik sembolü şekil-8.'de verilmiştir. E-MOFET ler, -kaallı ve -kaallı olmak üzere iki ti de üretilirler. Şekildeki yaıda da görüldüğü gibi E-MOFET i temel yaısıda fiziksel olarak oluşturulmuş bir kaal yoktur. Kısaca E-MOFET, drey ile sörs arasıda fiziksel bir kaala sahi değildir. E-MOFET'i şematik sembolüde drey ile sörs arası kesik çizgilerle gösterilir. Bu durum başlagıçta E-MOFET de kaal olmadığıı belirtmek içidir. Şematik sembolde sabsreyt ucudaki ok u yöü E-MOFET i kaal tiii belirtir. Ok yöü içeri doğru ise, N tii kaalı gösterir. Ok yöü dışarı doğru ise P tii kaalı gösterir. E-MOFET lerde kaal tii ile sabsreyt te kullaıla yarıiletke malzemeleri tileri terstir. io io absreyt absreyt Şekil-8..a ve b N Kaallı ve P kaallı E-MOFET'i Yaısı ve embolü E-MOFET lerde kaal, geyt termialie uygulaa harici bir besleme ile oluşturulur. eyt-sörs uçları arasıa ozitif bir gerilimii uygulaması, geyt altıda sabstreyt bölgeside bulua oyukları (boşlukları) iter ve orada bir azalma (delasyo) bölgesi yaratır. eyt gerilimi yeterice ozitif değere çıkarıldığıda; elektrolar, ozitif gerilim tarafıda bu azalma bölgesie çekilirler. Böylece, drey ile sörs arasıdaki bu bölge N kaalı gibi hareket eder. Pozitif geyt gerilimiyle oluşturula ve şekilledirile N kaallı E-MOFET'i trasfer ve - Karakteristiği şekil-8.1'de gösterilmiştir. 4

18 ANALO ELEKTRONİK- (ma) = K [ - ] T (ma) =6 =5 =4 =3 T Şekil-8.1 N Kaallı E-MOFET'i - Karakteristikleri Elemaı trasfer karakteristiğide de görüldüğü gibi, geyt-sörs gerilimi eşik (thresholdbaşlagıç) değeri T'yi aşıcaya kadar drey akım hiç akmaz. Bu eşik gerilimi değerii üzerideki ozitif gerilimlerde, arta değerli bir drey akımı meydaa gelir. Bu akımı Trasfer karakteristiği de, = K ( T Eşitliği yardımıyla taımlaabilir. Eşitlik yukarıdaki formülde yalız >T şartı içi geçerlidir. Eşitlikte K sabitesi tiik olarak.3 ma/ değeride olu elemaı yaısıa bağlı ola bir özelliktir. = volt durumuda drey akımı akmadığı içi E- MOFET'lerde değeride söz edilebilir. E-MOFET'leri çalışma sahası; -MOFET'lerde daha sıırlı olmasıa rağme, E-MOFET ler, büyük-ölçekli etegre devreler içi çok kullaışlıdır. Çükü E-MOFET ler basit yaılı ve küçük boyutlu elemalardır. E-MOFET'i şematik sembolüde drey ile sörs arası kesik çizgilerle gösterilir. Bu çoğalta ti elemada başlagıçta kaalı olmayışıı belirtmek içidir. Buda başka sabstreyt ucudaki ok P tii sabstreyti ve N kaalı gösterir. P kaallı E-MOFET'ler şekil-8..b'de gösterile yaıda imal edilir. Şematik sembolü ise ayı şekilde gösterilmiştir. E-MOFET i sabstreyti, N tii yarı iletkede yaılır. P-kaallı E-MOFET'i çalışma resibi N kaallı gibidir. Acak, P kaallı da olarma kayaklarıı yöü terstir. Akım taşıyıcıları oyuklardır. Negatif değerli eşik gerilimi aşılıcaya kadar drey akımı yoktur. aha büyük değerli egatif geyt gerilimleride arta bir drey akımı vardır. P Kaallı E-MOFET (Ehacmet-MOFET)'i trasfer ve - Karakteristiği şekil-8.'de gösterilmiştir. Karakteristikleri iceleyerek bu elemaı çalışması kolayca irdeleebilir. Karakteristikte görüldüğü gibi P kaallı E-MOFET de olarma akım ve gerilimlerii yöü N kaal E-MOFET'e göre terstir. ) 5

19 ANALO ELEKTRONİK- (ma) (ma) =-6 =-5 =-4 =-3 -T Şekil-8.. a ve b P Kaallı E-MOFET'i Trasfer ve - Karakteristikleri 8.5 MOFET LERİN POLARMALANRLMA Bu bölümde MOFET leri asıl olarmaladırılacağıı göreceksiiz. Özellikle MOFET lerle gerçekleştirile yükselteç devreleride dc olarmaı öemi büyüktür. Bu bölümde; sırası ile -MOFET ve E-MOFET içi olarma yötemlerii ve dc aalizlerii göreceksiiz. -MOFET'i Polarmaladırılması Tiik bir -kaallı -MOFET li yükselteç devresi şekil-8.3.a da ve -MOFET i trasfer karakteristiği ise şekil-8.3.b de verilmiştir. Bu yükselteç devresi, çok büyük değerli geyt direci R hariç, JFET'li yükselteçle bezerdir. Bu devrede geyt-sörs gerilimi ozitife gidebildiğide, elamaı küçük egatif geyt-sörs gerilimide olarmaladırmak mümküdür. ERİLER =1mA P =-4 C 1 =+ R 1.5KΩ C 47F = 1 - P (ma) 1mA 47F R 1MΩ R 15Ω C 47µF R 15Ω Q Q 6.7mA - P =-4 Q =-1 Şekil-8.3.a ve b N-kaallı -MOFET li yükselteç ve trasfer karakteristiği 6

20 ANALO ELEKTRONİK- evrei C olarma değerleri aşağıda gösterile işlemler taki edilerek buluur. JFET de olduğu gibi, -MOFET'ide trasfer karakteristiği; trasfer karakteristiği eşitliği yardımıyla buluur ve self olarma yük çizgisi şekil-8.3.b de verile trasfer karakteristiği üzerie çizilir. 1 = 1 = 1mA 1 = 6. 75mA P 4 = ( R ) = 6.75mA (15Ω) = 1 =1 ma ve P=4 volta göre çizile trasfer karakteristiği ile R=15 ohm içi çizile selfolarma yük çizgisii kesiştiği yer sükuetteki olarma oktasıı verir. Şekil-8.3.b de çizim yaılarak olarma oktasıı şartları; olarak belirleir. Bu durumda drey gerilimi, Q = 1 ve Q = 6. 75mA Q = ( Q R ) = (6.75mA 1.5KΩ) = ve drey-sörs gerilimi ise; Q =Q Q = = olarak buluur. E-MOFET'i Polarmaladırılması E-MOFET'i dc olarmaladırılması içi çok kullaıla bir devre düzei şekil-8.4'de görülmektedir. evrede drey-sörs gerilimi (), geyt-sörs olarma gerilimi olarak kullaılmıştır. Bu işlem, drey-sörs arasıa R=1MΩ luk bir direç bağlamak suretiyle gerçekleştirilmiştir. eyt akımı olmadığıda R direci uçlarıda bir gerilim düşümü olmaz. olayısıyla drey gerilimi aye geytte görülür. olayısıyla = olur. iğer bir deyimle drey-sörs arasıdaki gerilimi, geyt-sörs arasıdaki gerilimie eşittir. Belli bir R değeri içi uygu olarma oktası elemaı trasfer karakteristiği kullaılarak buluabilir. Şekil-8.4.b'de R=KΩ ve = değerleri içi olarma oktasıı, elamaı trasfer karakteristiğide faydalaılarak asıl buluduğu görülmektedir. Elemaı trasfer karakteristiği, = K ( T eşitliği kullaılarak grafik kağıdıa çizilebilir. Örek olarak verile -kaallı E-MOFET'i elema yaısıa bağlı sabitesi K=.3mA/ ve eşik gerilimi T=3 olduğua göre trasfer karakteristiği eşitliği, ) 7

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

MAK312 ÖLÇME ve DEĞERLENDİRME OTOMATİK KONTROL LABORATUARI 1. Elektriksel Ölçümler ve İşlemsel Kuvvetlendiriciler

MAK312 ÖLÇME ve DEĞERLENDİRME OTOMATİK KONTROL LABORATUARI 1. Elektriksel Ölçümler ve İşlemsel Kuvvetlendiriciler MAK32 ÖLÇME ve DEĞELENDİME OTOMATİK KONTOL LABOATUAI Elektriksel Ölçümler ve İşlemsel Kuvvetlediriciler AMAÇLA:. Multimetre ile direç, gerilim ve akım ölçümleri, 2. Direç ölçümüde belirsizlik aalizii yapılması

Detaylı

BÖLÜM 3 YER ÖLÇÜLERİ. Doç.Dr. Suat ŞAHİNLER

BÖLÜM 3 YER ÖLÇÜLERİ. Doç.Dr. Suat ŞAHİNLER BÖLÜM 3 YER ÖLÇÜLERİ İkici bölümde verileri frekas tablolarıı hazırlaması ve grafikleri çizilmesideki esas amaç; gözlemleri doğal olarak ait oldukları populasyo dağılışıı belirlemek ve dağılışı geel özelliklerii

Detaylı

DENEYĐN AMACI: Bu deneyin amacı MOS elemanların temel özelliklerini, n ve p kanallı elemanların temel uygulamalarını öğretmektir.

DENEYĐN AMACI: Bu deneyin amacı MOS elemanların temel özelliklerini, n ve p kanallı elemanların temel uygulamalarını öğretmektir. DENEY NO: 7 MOSFET ÖLÇÜMÜ ve UYGULAMALARI DENEYĐN AMACI: Bu deeyi amacı MOS elemaları temel özelliklerii, ve p kaallı elemaları temel uygulamalarıı öğretmektir. DENEY MALZEMELERĐ Bu deeyde 4007 MOS paketi

Detaylı

BASAMAK ATLAYARAK VEYA FARKLI ZIPLAYARAK İLERLEME DURUMLARININ SAYISI

BASAMAK ATLAYARAK VEYA FARKLI ZIPLAYARAK İLERLEME DURUMLARININ SAYISI Projesii Kousu: Bir çekirgei metre, metre veya 3 metre zıplayarak uzuluğu verile bir yolu kaç farklı şekilde gidebileceği ya da bir kişii veya (veya 3) basamak atlayarak basamak sayısı verile bir merdivei

Detaylı

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI

7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme. Doç. Dr. Ersan KABALCI 7. BÖLÜM: FET Öngerilimleme oç. r. Ersan KABALCI 1 Genel FET Öngerilimleme evreleri JFET abit Öngerilim evresi Kendinden Öngerilim evresi Gerilim Bölücü Öngerilim evresi Kanal Ayarlamalı MOFET (-MO) Kendinden

Detaylı

(3) Eğer f karmaşık değerli bir fonksiyon ise gerçel kısmı Ref Lebesgue. Ref f. (4) Genel karmaşık değerli bir fonksiyon için. (6.

(3) Eğer f karmaşık değerli bir fonksiyon ise gerçel kısmı Ref Lebesgue. Ref f. (4) Genel karmaşık değerli bir fonksiyon için. (6. Problemler 3 i Çözümleri Problemler 3 i Çözümleri Aşağıdaki özellikleri kaıtlamaızı ve buu yaıda daha fazla soyut kaıt vermeizi isteyeceğiz. h.h. eşitliğii ölçümü sıfır ola bir kümei tümleyei üzeride eşit

Detaylı

8. FET İN İNCELENMESİ

8. FET İN İNCELENMESİ 8. FET İN İNCELENMESİ 8.1. TEORİK BİLGİ FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir. Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör) ya da kısaca bilinen adı ile FET, ikincisi ise

Detaylı

İstatistik ve Olasılık

İstatistik ve Olasılık İstatistik ve Olasılık Ders 3: MERKEZİ EĞİLİM VE DAĞILMA ÖLÇÜLERİ Prof. Dr. İrfa KAYMAZ Taım Araştırma souçlarıı açıklamasıda frekas tablosu ve poligou isteile bilgiyi her zama sağlamayabilir. Verileri

Detaylı

TOPOLOJİK TEMEL KAVRAMLAR

TOPOLOJİK TEMEL KAVRAMLAR TOPOLOJİK TEMEL KAVRAMLAR 1.1. Kümeler ve Foksiyolar A ı bir elemaıa B i yalız bir elemaıı eşleye bağıtıya bir foksiyo deir. f : A B, Domf = U A ve ragef B dir. Taım 1.1.1. f : A B foksiyou içi V A olsu.

Detaylı

HİPOTEZ TESTLERİ. İstatistikte hipotez testleri, karar teorisi olarak adlandırılır. Ortaya atılan doğru veya yanlış iddialara hipotez denir.

HİPOTEZ TESTLERİ. İstatistikte hipotez testleri, karar teorisi olarak adlandırılır. Ortaya atılan doğru veya yanlış iddialara hipotez denir. HİPOTEZ TETLERİ İstatistikte hipotez testleri, karar teorisi olarak adladırılır. Ortaya atıla doğru veya yalış iddialara hipotez deir. Öreği para hilesizdir deildiğide bu bir hipotezdir. Ortaya atıla iddiaya

Detaylı

İstatistik ve Olasılık

İstatistik ve Olasılık İstatistik ve Olasılık Ders 3: MERKEZİ EĞİLİM VE DAĞILMA ÖLÇÜLERİ Prof. Dr. İrfa KAYMAZ Taım Araştırma souçlarıı açıklamasıda frekas tablosu ve poligou isteile bilgiyi her zama sağlamayabilir. Verileri

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11

MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR. Hafta 11 MOSFET:METAL-OXIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR METAL-OKSİT ALAN ETKİLİ TRANZİSTOR Hafta 11 Prof. Dr. Mehmet Akbaba Karabük Üniversitesi Bilgisayar Mhendisliği Bölümü 15.02.2015 Electronik Devreler, Prof. Dr.

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı

AKIŞKAN BORUSU ve VANTİLATÖR DENEYİ

AKIŞKAN BORUSU ve VANTİLATÖR DENEYİ AKIŞKA BORUSU ve ATİLATÖR DEEYİ. DEEYİ AMACI a) Lüle ile debi ölçmek, b) Dairesel kesitli bir borudaki türbülaslı akış şartlarıda hız profili ve eerji kayıplarıı deeysel olarak belirlemek ve literatürde

Detaylı

İÇİNDEKİLER. Ön Söz Polinomlar II. ve III. Dereceden Denklemler Parabol II. Dereceden Eşitsizlikler...

İÇİNDEKİLER. Ön Söz Polinomlar II. ve III. Dereceden Denklemler Parabol II. Dereceden Eşitsizlikler... İÇİNDEKİLER Ö Söz... Poliomlar... II. ve III. Derecede Deklemler... Parabol... 9 II. Derecede Eşitsizlikler... 8 Trigoometri... 8 Logaritma... 59 Toplam ve Çarpım Sembolü... 7 Diziler... 79 Özel Taımlı

Detaylı

FREKANS CEVABI YÖNTEMLERİ FREKANS ALANI CEVABI VEYA SİNUSOİDAL GİRİŞ CEVABI

FREKANS CEVABI YÖNTEMLERİ FREKANS ALANI CEVABI VEYA SİNUSOİDAL GİRİŞ CEVABI FREKANS CEVABI YÖNEMLERİ FREKANS ALANI CEVABI VEYA SİNUSOİDAL GİRİŞ CEVABI G(s (r(t ı Laplace döüşümü; A(s B(s A(s (s p (s p L(s p C(s G(sR(s R(s R s A(s B(s R(s A(s R a C(s L B(s s s j s j s p a b b s

Detaylı

M Ü H E N D İ S L E R İ Ç İ N S AY I S A L YÖ N T E M L E R

M Ü H E N D İ S L E R İ Ç İ N S AY I S A L YÖ N T E M L E R İ H S A N T İ M U Ç İ N D O L A P C İ, Y İ Ğ İ T A K S O Y M Ü H E N D İ S L E R İ Ç İ N S AY I S A L YÖ N T E M L E R P U B L I S H E R O F T H I S B O O K Copyright 13 İHSAN TİMUÇİN DOLAPCİ, YİĞİT AKSOY

Detaylı

Tümevarım_toplam_Çarpım_Dizi_Seri. n c = nc i= 1 n ca i. k 1. i= r n. Σ sembolü ile bilinmesi gerekli bazı formüller : 1) k =1+ 2 + 3+...

Tümevarım_toplam_Çarpım_Dizi_Seri. n c = nc i= 1 n ca i. k 1. i= r n. Σ sembolü ile bilinmesi gerekli bazı formüller : 1) k =1+ 2 + 3+... MC formülüü doğruluğuu tümevarım ilkesi ile gösterelim. www.matematikclub.com, 00 Cebir Notları Gökha DEMĐR, gdemir@yahoo.com.tr Tümevarım_toplam_Çarpım_Dizi_Seri Tümevarım Metodu : Matematikte kulladığımız

Detaylı

Dr. AKIN PALA. Damızlık Değeri, genotipik değer, allel frekansları. Damızlık değeri hesabı. Damızlık değeri hesabı. Damızlık değeri hesabı

Dr. AKIN PALA. Damızlık Değeri, genotipik değer, allel frekansları. Damızlık değeri hesabı. Damızlık değeri hesabı. Damızlık değeri hesabı Damızlık Değeri, geotipik değer, allel frekasları Aki Pala, aki@comu.edu.tr ttp://members.comu.edu.tr/aki/ Damızlık değeri esabı µ Ökkeş =800 gr gülük calı ağırlık Sürü A Sürü µ Döller µ 500gr 700 DD esabı

Detaylı

3-Şekil bakımından kararlı ve sarsıntıya dayanıklı olması. 4-Işık renginin mümkün oldukça güneş ışığına yakın olması

3-Şekil bakımından kararlı ve sarsıntıya dayanıklı olması. 4-Işık renginin mümkün oldukça güneş ışığına yakın olması Işık Kayakları Geel olarak ışık kayaklarıda ş özellikler araır. 1-Etkilik faktörüü büyük olması 2-Ömrüü z olması 3-Şekil bakımıda kararlı ve sarsıtıya dayaıklı olması 4-Işık regii mümkü oldkça güeş ışığıa

Detaylı

Bileşik faiz hesaplamalarında kullanılan semboller basit faizdeki ile aynıdır. Temel formüller ise şöyledir:

Bileşik faiz hesaplamalarında kullanılan semboller basit faizdeki ile aynıdır. Temel formüller ise şöyledir: 1 BİLEŞİK FAİZ: Basit faiz hesabı kısa vadeli(1 yılda az) kredi işlemleride uygulaa bir metot idi. Ayrıca basit faiz metoduda her döem içi aapara sabit kalmakta olup o döem elde edile faiz tutarı bir soraki

Detaylı

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK)

ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) ÜNİTE 4 KLASİK SORU VE CEVAPLARI (TEMEL ELEKTRONİK) Transistörü tanımlayınız. Beyz ucundan geçen akıma göre, emiter-kollektör arasındaki direnci azaltıp çoğaltabilen elektronik devre elemanına transistör

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

Venn Şeması ile Alt Kümeleri Saymak

Venn Şeması ile Alt Kümeleri Saymak Ve Şeması ile lt Kümeleri Saymak Osma Ekiz Bu çalışmada verile bir kümei çeşitli özellikleri sağlaya alt küme veya alt kümlerii ve şeması yardımıyla saymaya çalışacağız. Temel presibimiz aradığımız alt

Detaylı

Elektrik Enerji Sistemlerinde Oluşan Harmoniklerin Filtrelenmesinde Pasif Filtre ve Filtreli Kompanzasyonun Kullanımı ve Simülasyon Örnekleri

Elektrik Enerji Sistemlerinde Oluşan Harmoniklerin Filtrelenmesinde Pasif Filtre ve Filtreli Kompanzasyonun Kullanımı ve Simülasyon Örnekleri Politekik Dergisi Joural of Polytechic ilt: 9 Sayı: 4 s.63-69, 006 Vol: 9 No: 4 pp.63-69, 006 Elektrik Eerji Sistemleride Oluşa Harmoikleri Filtrelemeside Pasif Filtre ve Filtreli Kompazasyou Kullaımı

Detaylı

ALTERNATİF SİSTEMLERİN KARŞILAŞTIRILMASI

ALTERNATİF SİSTEMLERİN KARŞILAŞTIRILMASI ALTERNATİF SİSTEMLERİN KARŞILAŞTIRILMASI Bezetimi e öemli faydalarıda birisi, uygulamaya koymada öce alteratifleri karşılaştırmaı mümkü olmasıdır. Alteratifler; Fabrika yerleşim tasarımları Alteratif üretim

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

Doç. Dr. M. Mete DOĞANAY Prof. Dr. Ramazan AKTAŞ

Doç. Dr. M. Mete DOĞANAY Prof. Dr. Ramazan AKTAŞ TAHVİL DEĞERLEMESİ Doç. Dr. M. Mee DOĞANAY Prof. Dr. Ramaza AKTAŞ 1 İçerik Tahvil ve Özellikleri Faiz Oraı ve Tahvil Değeri Arasıdaki İlişki Tahvili Geiri Oraı ve Vadeye Kadar Geirisi Faiz Oraı Riski Verim

Detaylı

Ki- kare Bağımsızlık Testi

Ki- kare Bağımsızlık Testi PARAMETRİK OLMAYAN İSTATİSTİKSEL TEKNİKLER Prof. Dr. Ali ŞEN Ki- kare Bağımsızlık Testi Daha öceki bölümlerde ölçümler arasıdaki ilişkileri asıl iceleeceğii gördük. Acak sıklıkla ilgileile veriler ölçüm

Detaylı

n 1 1. Pratik Bilgi-1 in y a(x r) k türünden 2. Pratik Bilgi-1 x a(y k) r türünden

n 1 1. Pratik Bilgi-1 in y a(x r) k türünden 2. Pratik Bilgi-1 x a(y k) r türünden Pratik Bilgi- (İtegralsiz Ala Bulma) a eğrisi ile ve 0 doğrularıı sıırladığı ala ise, a eğrisi ile 0 ve a doğrularıı sıırladığı ala dir. Ugulama-. Muharrem Şahi eğrisi ile ve 0 doğrularıı sıırladığı bölgei

Detaylı

1.1 FET Çal³ma Bölgeleri. Elektronik-I Laboratuvar 6. Deney. Ad-Soyad: mza: Grup No: JFET; jonksiyon FET. MOSFET; metal-oksit yar iletken FET

1.1 FET Çal³ma Bölgeleri. Elektronik-I Laboratuvar 6. Deney. Ad-Soyad: mza: Grup No: JFET; jonksiyon FET. MOSFET; metal-oksit yar iletken FET Elektronik-I Laboratuvar 6. eney Ad-oyad: mza: rup No: 1 FET ve FET Çal³ma Bölgeleri Alan etkili transistorlar ksaca FET (Field-Eect Transistor) olarak bilinmektedir. Aktif devre eleman olan alan etkili

Detaylı

1. Tabanı 2a büyük eksenli, 2b küçük eksenli elips ile sınırlanan ve büyük eksene dik her kesiti kare olan cismin 16ab 2 hacmini bulunuz.

1. Tabanı 2a büyük eksenli, 2b küçük eksenli elips ile sınırlanan ve büyük eksene dik her kesiti kare olan cismin 16ab 2 hacmini bulunuz. MAT -MATEMATİK (5-5 YAZ DÖNEMİ) ÇALIŞMA SORULARI. Tabaı a büyük ekseli, b küçük ekseli elips ile sıırlaa ve büyük eksee dik her kesiti kare ola cismi 6ab hacmii buluuz. Cevap :. y = ve y = eğrileri ile

Detaylı

Kontrol Sistemleri Tasarımı

Kontrol Sistemleri Tasarımı Kotrol Sistemleri Tasarımı Frekas Yaıtı Prof. Dr. Bület E. Plati 3 Ağustos 0 Eylül 06 Taım Kararlı bir sistemi siüs girdisie sürekli rejim yaıtı Bu taımda 3 temel boyut bulumaktadır:. Kararlı bir sistem

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği

Şekil 1: Zener diyot sembol ve görünüşleri. Zener akımı. Gerilim Regülasyonu. bölgesi. Şekil 2: Zener diyotun akım-gerilim karakteristiği ZENER DİYOT VE AKIM-GERİLİM KARAKTERİSTİĞİ Küçük sinyal diyotları, delinme gerilimine yakın değerlerde hasar görebileceğinden, bu değerlerde kullanılamazlar. Buna karşılık, Zener diyotlar delinme gerilimi

Detaylı

20 (1), 109-115, 2008 20(1), 109-115, 2008. kakilli@marmara.edu.tr

20 (1), 109-115, 2008 20(1), 109-115, 2008. kakilli@marmara.edu.tr Fırat Üiv. Fe ve Müh. il. Dergisi Sciece ad Eg. J of Fırat Uiv. 0 (), 09-5, 008 0(), 09-5, 008 Harmoikleri Reaktif Güç Kompazasyo Sistemlerie Etkilerii İcelemesi ve Simülasyou da KKİİ, Koray TUNÇP ve Mehmet

Detaylı

Standart Formun Yapısı. Kanonik Form. DP nin Formları SİMPLEX YÖNTEMİ DP nin Düzenleniş Şekilleri. 1) Optimizasyonun anlamını değiştirme

Standart Formun Yapısı. Kanonik Form. DP nin Formları SİMPLEX YÖNTEMİ DP nin Düzenleniş Şekilleri. 1) Optimizasyonun anlamını değiştirme 5.0.06 DP i Düzeleiş Şekilleri DP i Formları SİMPLEX YÖNTEMİ ) Primal (özgü) form ) Kaoik form 3) Stadart form 4) Dual (ikiz) form Ayrı bir kou olarak işleecek Stadart formlar Simplex Yötemi içi daha elverişli

Detaylı

D( 4 6 % ) "5 2 ( 0* % 09 ) "5 2

D( 4 6 % ) 5 2 ( 0* % 09 ) 5 2 3 BÖLÜM KAALI SİSEMLEDE EMODİNAMİĞİN I KANUNU I Yasaya giriş Birii bölümde eerjii edilide var veya yo edilemeyeeği vurgulamış, sadee biçim değiştirebileeği belirtilmişti Bu ile deeysel souçlara dayaır

Detaylı

ÇÖZÜM.1. S.1. Uyarılmış bir hidrojen atomunda Balmer serisinin H β çizgisi gözlenmiştir. Buna göre,bunun dışında hangi serilerin çizgileri gözlenir?

ÇÖZÜM.1. S.1. Uyarılmış bir hidrojen atomunda Balmer serisinin H β çizgisi gözlenmiştir. Buna göre,bunun dışında hangi serilerin çizgileri gözlenir? KONU:ATOM FİĞİ ebuyukfizikci@otmail.com HAIRLAYAN ve SORU ÇÖÜMLERİ:Amet Selami AKSU Fizik Öğretmei www.fizikvefe.com S.1. Uyarılmış bir idroje atomuda Balmer serisii H β çizgisi gözlemiştir. Bua göre,buu

Detaylı

SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK-MİMARLIK FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAKİNA ELEMANLARI LABORATUARI DENEY FÖYÜ

SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK-MİMARLIK FAKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAKİNA ELEMANLARI LABORATUARI DENEY FÖYÜ SÜLEYMAN DEMİREL ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK-MİMARLIK AKÜLTESİ MAKİNA MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ MAKİNA ELEMANLARI LABORATUARI DENEY ÖYÜ DENEY I VİDALARDA OTOBLOKAJ DENEY II SÜRTÜNME KATSAYISININ BELİRLENMESİ DERSİN

Detaylı

FET Transistörün Bayaslanması

FET Transistörün Bayaslanması MOSFET MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür. Kısaca, MOSFET,

Detaylı

DÖNEM I BİYOİSTATİSTİK, HALK SAĞLIĞI VE RUH SAĞLIĞI DERS KURULU Ders Kurulu Başkanı : Yrd.Doç.Dr. İsmail YILDIZ

DÖNEM I BİYOİSTATİSTİK, HALK SAĞLIĞI VE RUH SAĞLIĞI DERS KURULU Ders Kurulu Başkanı : Yrd.Doç.Dr. İsmail YILDIZ DÖNEM I BİYOİSTATİSTİK, HALK SAĞLIĞI VE RUH SAĞLIĞI DERS KURULU Ders Kurulu Başkaı : Yrd.Doç.Dr. İsmail YILDIZ ARAŞTIRMADA PLANLAMA VE ÇÖZÜMLEME (03-09 Ocak 014 Y.ÇELİK) Araştırma Süreci (The research

Detaylı

Diziler ve Seriler ÜNİTE. Amaçlar. İçindekiler. Yazar Prof.Dr. Vakıf CAFEROV

Diziler ve Seriler ÜNİTE. Amaçlar. İçindekiler. Yazar Prof.Dr. Vakıf CAFEROV Diziler ve Seriler Yazar Prof.Dr. Vakıf CAFEROV ÜNİTE 7 Amaçlar Bu üiteyi çalıştıkta sora; dizi kavramıı taıyacak, dizileri yakısaklığıı araştırabilecek, sosuz toplamı alamıı bilecek, serileri yakısaklığıı

Detaylı

Fotovoltaik Teknoloji

Fotovoltaik Teknoloji Fotovoltaik Teknoloji Bölüm 5: Fotovoltaik Hücre Karakteristikleri Fotovoltaik Hücrede Enerji Dönüşümü Fotovoltaik Hücre Parametreleri I-V İlişkisi Yük Çizgisi Kısa Devre Akımı Açık Devre Voltajı MPP (Maximum

Detaylı

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak.

EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ. 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. EŞ POTANSİYEL VE ELEKTRİK ALAN ÇİZGİLERİ AMAÇ: 1. Zıt yükle yüklenmiş iki iletkenin oluşturduğu eş potansiyel çizgileri araştırıp bulmak. 2. Bu eş potansiyel çizgileri kullanarak elektrik alan çizgilerinin

Detaylı

TĐCARĐ MATEMATĐK - 5.2 Bileşik Faiz

TĐCARĐ MATEMATĐK - 5.2 Bileşik Faiz TĐCARĐ MATEMATĐK - 5 Bileşik 57ÇÖZÜMLÜ ÖRNEKLER: Örek 57: 0000 YTL yıllık %40 faiz oraıyla yıl bileşik faiz ile bakaya yatırılmıştır Bu paraı yılı souda ulaşacağı değer edir? IYol: PV = 0000 YTL = PV (

Detaylı

TÜME VARIM Bu bölümde öce,kısaca tümevarım yötemii, sorada ÖYS de karşılamakta olduğumuz sembolüü ve sembolüü ele alacağız. A. TÜME VARIM YÖNTEMİ Tümevarım yötemii ifade etmede öce, öerme ve doğruluk kümesi

Detaylı

Bölüm 4. Görüntü Bölütleme. 4.1. Giriş

Bölüm 4. Görüntü Bölütleme. 4.1. Giriş Bölüm 4 Görüü Bölüleme 4.. Giriş Görüü iyileşirme ve görüü oarmada arklı olarak görüü bölüleme görüü aalizi ile ilgili bir problem olup görüü işlemei göserim ve aılama aşamalarıa görüüyü hazırlama işlemidir.

Detaylı

Bölüm 5: Hareket Kanunları

Bölüm 5: Hareket Kanunları Bölüm 5: Hareket Kauları Kavrama Soruları 1- Bir cismi kütlesi ile ağırlığı ayımıdır? 2- Ne zama bir cismi kütlesi sayısal değerce ağırlığıa eşit olur? 3- Eşit kollu terazi kütleyi mi yoksa ağırlığı mı

Detaylı

MATEMATİK ÖĞRETMENİ ALIMI AKADEMİK BECERİ SINAVI ÇÖZÜMLERİ

MATEMATİK ÖĞRETMENİ ALIMI AKADEMİK BECERİ SINAVI ÇÖZÜMLERİ MTEMTİK ÖĞRETMENİ LIMI KDEMİK EERİ SINVI ÇÖZÜMLERİ SÜLEYMNİYE EĞİTİM KURUMLRI MTEMTİK ÖĞRETMENİ LIMI KDEMİK EERİ SINVI ÇÖZÜMLERİ SORULR. li ile etül ü de içide buluduğu 4 erkek ve 6 bayada oluşa bir grupta

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

A dan Z ye FOREX. Invest-AZ 2014

A dan Z ye FOREX. Invest-AZ 2014 A da Z ye FOREX Ivest-AZ 2014 Adres Telefo E-mail Url : Büyükdere Caddesi, Özseze ş Merkezi, C Blok No:126 Esetepe, Şişli, stabul : 0212 238 88 88 (Pbx) : bilgi@ivestaz.com.tr : www.ivestaz.com.tr Yap

Detaylı

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU

Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi. Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU Makine Mühendisliği İçin Elektrik-Elektronik Bilgisi Ders Notu-5 AKTİF DEVRE ELEMANLARI Hazırlayan: Yrd. Doç. Dr. Ahmet DUMLU DİYOTLAR Diyot tek yöne elektrik akımını ileten bir devre elemanıdır. Diyotun

Detaylı

TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALARI LABORATUARI II

TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALARI LABORATUARI II TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ Elektrik Elektroik Mühedisliği Bölümü ELEKTRİK MAKİNALAR LABORATUAR Öğretim Üyesi : rof. Dr. Gügör BAL Deeyi Adı : Asekro Makia Deeyleri Öğrecii Adı Soyadı : Numarası : Tarih: M-1 ÜÇ-FAZ

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. Sümeyye

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7

T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 T.C. DÜZCE ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ BİLGİSAYAR MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ BMT103 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ DERSİ LABORATUVARI DENEY NO: 7 KONDANSATÖRLER VE BOBİNLER Doç. Dr. İbrahim YÜCEDAĞ Arş. Gör. M.

Detaylı

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI

4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALCI 4. Bölüm: Çift Jonksiyonlu Transistörler (BJT) Doç. Dr. Ersan KABALC 1 Transistör Yapısı İki tip transistör vardır: pnp npn pnp Transistörün uçları: E - Emiter B - Beyz C - Kollektör npn 2 Transistör Yapısı

Detaylı

Süzgeç. Şekil 4.1 Süzgeçlemedeki temel fikir

Süzgeç. Şekil 4.1 Süzgeçlemedeki temel fikir Deey 4: ayısal üzgeçler Amaç Bu deeyi amacı solu dürtü yaıtlı (FIR) ve sosuz dürtü yaıtlı (IIR) sayısal süzgeçleri taıtılması ve frekas yaıtlarıı icelemesidir. Giriş iyal işlemede süzgeçleme bir siyali

Detaylı

DİKDÖRTGEN SPİRAL ANTENLER ÜZERİNE BİR İNCELEME

DİKDÖRTGEN SPİRAL ANTENLER ÜZERİNE BİR İNCELEME DİKDÖRTGEN SPİRAL ANTENLER ÜZERİNE BİR İNCELEME Uğur SAYNAK ve Alp KUŞTEPELİ Elektrik-Elektroik Mühedisliği Bölümü İzmir Yüksek Tekoloji Estitüsü, 35430, Urla, İZMİR e-posta: ugursayak@iyte.edu.tr e-posta:

Detaylı

NİĞDE İLİ RÜZGAR ENERJİSİ POTANSİYELİ WIND ENERGY POTENTIAL OF NIGDE PROVINCE

NİĞDE İLİ RÜZGAR ENERJİSİ POTANSİYELİ WIND ENERGY POTENTIAL OF NIGDE PROVINCE Niğde Üiersitesi Mühedislik Bilimleri Dergisi, Cilt 1, Sayı, (1), 37-47 NİĞDE İLİ RÜZGAR ENERJİSİ POTANSİYELİ Uğur YILDIRIM 1,* Yauz GAZİBEY, Afşi GÜNGÖR 1 1 Makie Mühedisliği Bölümü, Mühedislik Fakültesi,

Detaylı

Üç Boyutlu Bilgisayar Grafikleri

Üç Boyutlu Bilgisayar Grafikleri 1. Üç Boyutlu Nese Taımlama Yötemleri Bilgisayar grafikleride üç boyutlu eseleri taımlamak içi birçok yötem geliştirilmiştir. Hagi taımlama yötemi avatajlı olduğu üç boyutlu uygulamaı amaç ve gereksiimleri,

Detaylı

ISF404 SERMAYE PİYASALARI VE MENKUL KIYMETYÖNETİMİ

ISF404 SERMAYE PİYASALARI VE MENKUL KIYMETYÖNETİMİ 8. HAFTA ISF404 SERMAYE PİYASALARI VE MENKUL KIYMETYÖNETİMİ PORTFÖY YÖNETİMİ II Doç.Dr. Murat YILDIRIM muratyildirim@karabuk.edu.tr Geleeksel Portföy Yaklaşımı, Bu yaklaşıma göre portföy bir bilim değil,

Detaylı

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ

GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ GERİLİM REGÜLATÖRLERİ DENEYİ Regüleli Güç Kaynakları Elektronik cihazlar harcadıkları güçlere göre farklı akımlara ihtiyaç duyarlar. Örneğin; bir radyo veya amplifikatörün hoparlöründen duyulan ses şiddetine

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

Yataklı vanalar (PN16) VF 2-2 yollu vana, flanşlı VF 3-3 yollu vana, flanşlı

Yataklı vanalar (PN16) VF 2-2 yollu vana, flanşlı VF 3-3 yollu vana, flanşlı Tekik föy Yataklı vaalar (PN16) VF 2-2 yollu vaa, flaşlı VF 3-3 yollu vaa, flaşlı Açıklama Özellikler: Sızdırmaz tasarım AMV(E) 335, AMV(E) 435 ile kolay mekaik bağlatı 2 ve 3 yollu vaa Ayırma uygulamaları

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ

7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ 7. ÜNİTE AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ KONULAR 1. AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ 2. AKIM BİRİMİ, ASKATLARI VE KATLARI 3. GERİLİM BİRİMİ ASKATLARI VE KATLARI 4. DİRENÇ BİRİMİ VE KATLARI 7.1. AKIM, GERİLİM VE DİRENÇ

Detaylı

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I

Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi * Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Anabilim Dalı * Elektronik Laboratuarı I FET KARAKTERİSTİKLERİ 1. Deneyin Amacı JFET ve MOSFET transistörlerin

Detaylı

KYM411 AYIRMA ĠġLEMLERĠ SIVI-SIVI EKSTRAKSİYONU - 2. Prof.Dr.Hasip Yeniova

KYM411 AYIRMA ĠġLEMLERĠ SIVI-SIVI EKSTRAKSİYONU - 2. Prof.Dr.Hasip Yeniova KYM4 AYIRMA ĠġEMERĠ SII-SII EKSTRAKSİYOU - 2 Prof. SII-SII EKSTRAKSĠYO PROSESERĠDE KUAIA EKĠPMAAR Distilaso ile aırma proseside gördüğüüz gibi, sıvı-sıvı ekstraksiou ile aırma iģlemide de FAZARI BĠRBĠRĠYE

Detaylı

Analiz II Çalışma Soruları-2

Analiz II Çalışma Soruları-2 Aaliz II Çalışma Soruları- So gücelleme: 04040 (I Aşağıdaki foksiyoları (ilgili değişkelere göre türevlerii buluuz 7 cos π 8 log (si π ( si ta e 9 4 5 6 + cot 0 sec sit t si( e + e arccos ( e cos(ta (II

Detaylı

3. Bölüm Paranın Zaman Değeri. Prof. Dr. Ramazan AktaĢ

3. Bölüm Paranın Zaman Değeri. Prof. Dr. Ramazan AktaĢ 3. Bölüm Paraı Zama Değeri Prof. Dr. Ramaza AktaĢ Amaçlarımız Bu bölümü tamamladıkta sora aşağıdaki bilgi ve becerilere sahip olabileceksiiz: Paraı zama değeri kavramıı alaşılması Faiz türlerii öğremek

Detaylı

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ

BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ T.C. MİLLİ EĞİTİM BAKANLIĞI BİLİŞİM TEKNOLOJİLERİ TRANSİSTÖR VE FET 523EO0075 Ankara, 2011 Bu modül, mesleki ve teknik eğitim okul/kurumlarında uygulanan Çerçeve Öğretim Programlarında yer alan yeterlikleri

Detaylı

İleri Diferansiyel Denklemler

İleri Diferansiyel Denklemler MIT AçıkDersSistemi http://ocw.mit.edu 18.034 İleri Diferasiyel Deklemler 2009 Bahar Bu bilgilere atıfta bulumak veya kullaım koşulları hakkıda bilgi içi http://ocw.mit.edu/terms web sitesii ziyaret ediiz.

Detaylı

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri

ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri DENEYİN AMACI ELEKTRONİK-I DERSİ LABORATUVARI DENEY 2: Zener ve LED Diyot Deneyleri Zener ve LED Diyotların karakteristiklerini anlamak. Zener ve LED Diyotların tiplerinin kendine özgü özelliklerini tanımak.

Detaylı

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler)

BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) BÖLÜM 1: JFET ve MOSFET ler (Alan Etkili transistorler) 1- Transistör (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakkında temel bilgi Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akıma göre C (kolektör)-e (emiter) uçlan

Detaylı

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması

Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Metal Oksitli Alan Etkili Transistör (Mosfet) Temel Yapısı ve Çalışması Elektronik alanında çok kullanılan elemanlardan birisi olan Mosfet, bu güne kadar pek çok alanda yoğun bir şekilde kullanılmış ve

Detaylı

BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar:

BÖLÜM 6 KÜÇÜK SİNYAL YÜKSELTEÇLERİ. Konular: Amaçlar: BÖLÜM 6 6 KÜÇÜK İNYAL YÜKELTEÇLERİ Konular: 6.1 Küçük sinyal yükseltme işlemi 6.2 Transistörün ac eşdeğer devreleri 6.3 Ortak emiterli yükselteç 6.4 Ortak beyzli yükselteç 6.5 Ortak kolektörlü yükselteç

Detaylı

MEKANİK TESİSATTA EKONOMİK ANALİZ

MEKANİK TESİSATTA EKONOMİK ANALİZ MEKANİK TESİSATTA EKONOMİK ANALİZ Mustafa ÖZDEMİR İ. Cem PARMAKSIZOĞLU ÖZET Düya çapıda rekabeti ö plaa çıktığı bu gükü şartlarda, e gelişmiş ürüü, e kısa sürede, e ucuza üretmek veya ilk yatırım ve işletme

Detaylı

TEKNOLOJĐK ARAŞTIRMALAR

TEKNOLOJĐK ARAŞTIRMALAR www.tekolojikarastirmalar.com ISSN:34-44 Makie Tekolojileri Elektroik Dergisi 7 () 35-4 TEKNOLOJĐK ARAŞTIRMALAR Makale Polivili Klorür (Pvc) Malzemeleri Sıcaklığa Bağlı Titreşim Özelliklerii Đcelemesi

Detaylı

FİBER BRAGG IZGARA TABANLI OPTİK SENSÖRÜN ANALİZİ

FİBER BRAGG IZGARA TABANLI OPTİK SENSÖRÜN ANALİZİ FİER RAGG IZGARA TAANLI OPTİK SENSÖRÜN ANALİZİ Lale KARAMAN 1 N. Özlem ÜNVERDİ Elektroik ve Haberleşme Mühedisliği ölümü Elektrik-Elektroik Fakültesi Yıldız Tekik Üiversitesi, 34349, eşiktaş, İstabul 1

Detaylı

ISF404 SERMAYE PİYASALAR VE MENKUL KIYMETLER YÖNETİMİ

ISF404 SERMAYE PİYASALAR VE MENKUL KIYMETLER YÖNETİMİ .4.26 5. HAFTA ISF44 SERMAYE PİYASALAR VE MENKUL KIYMETLER YÖNETİMİ Mekul Kıymet Yatırımlarıı Değerlemesi Doç. Dr. Murat YILDIRIM muratyildirim@karabuk.edu.tr 2 Temel Değerleme Modeli Mekul Kıymet Değerlemesi

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ

DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.

Detaylı

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ

6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.

Detaylı

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ Makine Mühendisliği Bölümü

BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ Makine Mühendisliği Bölümü BAŞKENT ÜNİVERSİTESİ Makie Mühedisliği Bölümü 1 STAJLAR: Makie Mühedisliği Bölümü öğrecileri, öğreim süreleri boyuca 3 ayrı staj yapmakla yükümlüdürler. Bularda ilki üiversite içide e fazla 10 iş güü süreli

Detaylı

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ

DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ DENEY 1: DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ Diyot, yalnızca bir yönde akım geçiren devre elemanıdır. Bir yöndeki direnci ihmal edilebilecek kadar küçük, öbür yöndeki dirençleri ise çok büyük olan elemanlardır. Direncin

Detaylı

TEMEL KAVRAMLAR GİRİŞ

TEMEL KAVRAMLAR GİRİŞ TEMEL KAVRAMLAR GİRİŞ İstatistik kelimesii kökei Almaca olup devlet alamıa gelmektedir. İstatistik kelimesi gülük hayatta farklı alamlarda kullaılmaktadır. Televizyoda bir futbol müsabakasıı izleye bir

Detaylı

4.Bölüm Tahvil Değerlemesi. Doç. Dr. Mete Doğanay Prof. Dr. Ramazan Aktaş

4.Bölüm Tahvil Değerlemesi. Doç. Dr. Mete Doğanay Prof. Dr. Ramazan Aktaş 4.Bölüm Tahvil Değerlemesi Doç. Dr. Mee Doğaay Prof. Dr. Ramaza Akaş Amaçlarımız Bu bölümü amamladıka sora aşağıdaki bilgi ve becerilere sahip olabileceksiiz: Tahvillerle ilgili emel kavramları bilmek

Detaylı

ISF404 SERMAYE PİYASALAR VE MENKUL KIYMETLER YÖNETİMİ

ISF404 SERMAYE PİYASALAR VE MENKUL KIYMETLER YÖNETİMİ 4. HAFTA ISF44 SERMAYE PİYASALAR VE MENKUL KIYMETLER YÖNETİMİ PARANIN ZAMAN DEĞERİ VE GETİRİ ÇEŞİTLERİ Doç. Dr. Murat YILDIRIM muratyildirim@karabuk.edu.tr 2 Paraı Zama Değeri Paraı Zama Değeri Yatırım

Detaylı

MIT480/2 Yalıtım test cihazları

MIT480/2 Yalıtım test cihazları MIT480/2 Yalıtım test cihazları MIT480/2 Yalıtım test cihazları El tipi alette 500 V ve 100 GΩ aralığıa kadar yalıtım testi Uç, Halka ve Topraklama bağlatısı içi 3 telli bağlatı (Yei) Yalışlıkla oluşabilecek

Detaylı

LABORATUVARIN İŞ HİJYENİ ÖLÇÜM, TEST VE ANALİZ HİZMETLERİ KAPSAMINDA AKREDİTASYON BELGESİ ALMASI ZORUNLULUĞU OLAN PARAMETRE LİSTESİ

LABORATUVARIN İŞ HİJYENİ ÖLÇÜM, TEST VE ANALİZ HİZMETLERİ KAPSAMINDA AKREDİTASYON BELGESİ ALMASI ZORUNLULUĞU OLAN PARAMETRE LİSTESİ LABORATUVARIN İŞ HİJYENİ ÖLÇÜM, TEST VE ANALİZ HİZMETLERİ KAPSAMINDA AKREDİTASYON BELGESİ ALMASI ZORUNLULUĞU OLAN PARAMETRE LİSTESİ Sıra No Parametre 1 Kişisel Soluabilir Tozları Kosatrasyou 2 İşyeri Ortamı

Detaylı

MATEMATıciN ESTETiCi ÜZERINE ON AESTHETICS OF MATHEMATICS

MATEMATıciN ESTETiCi ÜZERINE ON AESTHETICS OF MATHEMATICS Hacettepe Üiversitesi Eğitim Fakültesi ergisi 22: 130-134 {2002} J. of [ Ed 22 MATEMATıciN ESTETiCi ÜZERINE ON AESTHETICS OF MATHEMATICS Cahit PESEN* ÖZET: Matematik, diziliş ve iç uyum ile karakterize

Detaylı