Elektronik Güç Trnsformtörünün Tsrımı e nlizi 1. Giriş * 1 Hkn çıköz, Ö.Ftih Keçeioğlu, Mustf Şekkeli * 1 Kilis 7 rlık Üniersitesi, Kilis Meslek Yüksekokulu Elektrik Prormı ölümü, K.Mrş Sütçü İmm Üniersitesi, Mühenislik Fkültesi, ElektrikElektronik Mühenisliği ölümü * 1 hknikoz@kilis.eu.tr, fkeeiolu@ksu.eu.tr, msekkeli@ksu.eu.tr Özet Güç trnsformtörleri enerji iletim e ğıtım sistemlerinin en temel e zeçilmez prçlrınnır. iliniği ii klsik yni 5 Hz lik trnsformtörler üyük ypılrınn olyı elektrik enerji sistemlerinin en ğır e phlı ileşenleriir. Son zmnlr üç elektroniği, mikroişlemiler e yrıiletken mlzemelereki hızlı elişmeyle irlikte üç elektroniği tnlı yeni ir trnsformtör çeşii orty çıkmıştır. u yeni trnsformtörler elektronik üç trnsformtörü (EGT) olrk isimlenirilmekteir. EGT ler için ir çok frklı enetim topolojileri meuttur. u çlışm iriş, izolsyon e çıkış kısmınn oluşn ir EGT ypısı MT/Simulink pket prormı yrımıyl erçekleştirilmiştir. Çlışm u kısımlrn ele eilen sonuçlr erilmiştir. Giriş kısmınki re enişlik moülsyon tnlı (DGM) oğrultuu syesine irim üç fktörü iyileştirilmiş e çıkış kısmınki kımlrın toplm hrmonik ozulumlrı (TH) eğerlenirilmiştir. nhtr Kelimeler: Elektronik Güç Trnsformtörü, Dre Genişlik Moülsyonu, Doğrultuu, Güç Trnsformtörleri, Toplm Hrmonik ozulumu Elektromnyetik inüksiyon yolu ile erilimin ey kımın freknsını eğiştirmeen yükselten ey üşüren hreketli prçsı olmyn elektrik mkinlrın trnsformtör enilmekteir [1]. Trnsformtörler elektrik enerji sistemlerine erilim önüşümü e izolsyon ii temel işleleri erçekleştirmek için yyın ir şekile kullnılmktır. Trnsformtörler üyük ypılrınn olyı enerji iletim e ğıtım sistemlerinin en ğır e phlı prçlrınnır[1]. Tüm u özelliklerine rğmen trnsformtörler, ypısl olrk üyük olmlrı, kplıklrı himlerin fzl olmsı, üretim e tesis eilme urumlrınki zorluklrl irlikte işletim mliyetlerinin yüksek olmsı ii ezntjlr shiptir[1]. iliniği ii trnsformtörlerin oyutlrı eğer kı yoğunluğu sit olrk rsyılırs frekns ile ters orntılıır[5]. Son zmnlr üç elektroniği ere elemnlrınki e yrıiletken mlzemelereki hızlı ilerlemelerle irlikte trnsformtörlerin u özelliğinen fylnılrk yüksek freknslı trnsformtörler üzerine irçok çlışm ypılmy şlnmıştır. u yüksek freknslı trnsformtörlere elektronik üç trnsformtörleri (EGT) enilmekteir []. EGT ler tek ir ere üzerine erilim önüşümü, lnik izolsyon e enerji klitesinin iyileştirilmesini erçekleştirmekteirler[]. EGT ler irçok rştırmı e kemisyenin yoğun ilisini çekmiştir e EGT ler için irçok frklı enetim yöntemine ship oln topolojiler ulunmktır. EGT ler için /D//D/ ii irçok şmy ship oln ereler meuttur. u ypıki sistem iriş, izolsyon e çıkış kısımlrınn oluşmktır. Giriş kısmınki erilim, oğrultuu e kpsitör ile oğrultulrk izolsyon kısmın iletilir. *orresponin uthor: ress: Dept. of Eletril Siene, Kilis Votionl Hih Shool, Kilis 7 rlık Uniersity, 79 Kilis, TURKEY. Emil ress: hknikoz@kilis.eu.tr, Phone: 948 814 6 66
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY iliniği ii enetimsiz oğrultuulr yni iyot kullnılrk oluşturuln oğrultuulr şeekeen çekilen kımlr yüksek hrmonik ozulum shiptir e irim üç fktörlerie üşüktür [4]. Diyot oğrultuulrın u olumsuz e istenilmeyen özelliğinen olyı re enişlik moülsyon (DGM) tnlı oğrultuu kullnılrk irim üç fktörü iyileştirileilir.[4]. İzolsyon kısmın ise D erilim yüksek freknslı erilime önüştürülür e yüksek freknslı trnsformtörün önüştürme ornın öre sekoner kısmın yüksek freknslı ir erilim ele eilir. u erilim çıkış kısmın tekrrn oğrultulur e inerter syesine e yüke uyulnır. Diğer ir EGT eresi ise hem primer hem e sekoner kısmının mtris çeirii ile oluğu ereir. Mtris çeiriiler, herhni ir D ry ihtiyç uymn sit erilim e frekns ship ir kynğı oğrun yrlnilir enlik e freknst kynğ önüştüreilirler. Mtris çeiriilerle oluşturuln EGT lerin en üyük ntjı ise D kpsitörlere ihtiyı olmığınn hem oyut hem e fiyt çısınn üyük ir ntj oluşturmktır. yrı çıkış kısmınki oğrultuu çıkışın kullnıln filtre elemnı oln konnstör; fiyt, sınırlı çlışm ömrü e him çısınn ir şk ezntjır [5]. EGT ler için litertüre irçok frklı çlışm meuttur e u çlışmlrn zılrı; 1986 yılın MMurry trfınn eliştirilen ilk EGT irekt frekns çeiriileren oluşmktır []. MMurry ın öneriği EGT nin hem primer hem e sekoner kısmın oğrun frekns çeiriiler ulunmktır. öylee primer trfınki üşük freknstki erilim oğrun çeiriilerle yüksek frekns önüştürülerek yüksek freknslı trnsformtöre iletilir e sekoner kısmın ulunn oğrun frekns çeiriiyle e tekrrn üşük freknslı ir erilim ele eilmesi prensiine ynmktır. Surmny Srm e K.S.R njneyulu Dlink kpsitörlü EGT için yeni ir ypılnırmyı önerilmişlerir. Yüksek erim ele etmek için /D e D/ önüştürüüleri tek ir önüştürüü içerisine entere etmişlerir. u topolojinin üç fktörü üzeltme, erilim reülsyonu, erilim üşmesi e yükselmesini ortn klırılığı örülmekteir [6]. H.ImnEini e rkşlrı moüler ir EGT ypısı erçekleştirmişlerir. EGT nin moüler ypısı, frklı freknslr ltınki frklı erilim sistemlerine koly e hızlı ptsyonu rnti ettiği e eleneksel trnsformtörlerle krşılştırılığın, EGT lerin h hfif, küçük himli, enişletilmiş işleselliğe ship oluğunu nltmışlrır. EGT, u işlelerinin ynı sır irkç üç fktörü fonksiyonlrını tek ir ihzın içerisine entere etmekteir. u ise erilim üşmesi, yükselmesi e llnmsını zltır e primer ey sekoner trfınki üç fktörü üzeltmesini erçekleştirir [7]. M.R nei e E. Slry ise Dlink kpsitörlü EGT e oğrusl olmyn yüklü prlel işleyişi inelenmişlerir. Trnsformtörler elektrik üç sistemine yyın olrk kullnılmktır e EGT ler üç klitesini eliştirmekle irlikte irinil fonksiyonlrı oln erilim önüşümü e izolsyonunu erçekleştirmekteir. Ek olrk, u çlışm Dlink kpsitörlü EGT nin prlel işleyişi kullnılrk kım hrmonikleri eneleme, rektif üç e oğrusl olmyn yüklerin kım enesizliği österilmiştir. enzetim çlışmsı sonuçlrı ise önerilen ypıki zı ntjlrı östermekteir [8]. M.R nei e E. Slry D/ önüştürüünün yeni ir ypılnırmsını önermişlerir. Önerilen topoloji h z nhtr e kpı sürüü erelerine ereksinim uymktır e un ek olrk u önüştürüüe Dlink kpsitörü yoktur. u yüzen, önerilen topoloji EGT nin üyüklüğünün e mliyetinin zlmsın yol çmkl irlikte enetim sistemini h se hle etirir [9]. hen in e rkşlrı ğıtım sistemine
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY 1 uyulnn yeni ir EGT sistemini önermişlerir. Giriş kısmı üç fzlı, üçseiyeli PWM oğrultuun oluşmktır. İzolsyon kısmın yüksek freknslı erilimler ele etmek için primer trfın tek fzlı inerter e sekoner trfın ise oğrultuu eresi meuttur. Çıkış kısmın ise üçfzlı ikiseiyeli inerter istenilen erilim e üü yüke ermekteir. enzetim sonuçlrı e eneysel sonuçlr, iriş kımlrı e çıkış erilimlerinin profillerinin çok üzün oluğunu östermekteir [4]. F.N. Mzr e rkşlrı EGT için pullpush çeirii kullnrk yeni ir ypı tsrlmışlrır. Sonuç olrk u ypı öneki ypıyl krşılştırılığın h z üç nhtrı kullnılmktır. enzetim çlışmlrı u ypının üç klitesinin iyileştirilmesi konusun etkili oluğunu östermekteir [1]. Hkims Moh Hnfi e rkşlrı tek fzlı ir mtris çeirii ile oluşturuln ir EGT ypısını erçekleştirmişlerir. u ypı hem primer hem e sekoner kısmın mtris çeirii kullnrk u ypı için oluşturuln mtris çeiriinin nhtrlm topolojisi nltılmktır[11].. EGT lerin Moellenmesi e Denetim ilkeleri Trnsformtörler elektrik enerji sistemlerinin en temel e en önemli prçlrınnır. u kımn trnsformtörlerin etkinliklerini rtırmk e zı ezntjlrınn kurtulmk için EGT ler orty çıkmıştır. Yüksek freknslı trnsformtörün oyutu ( p ) şğıki enklem ile ulunilir [48]. p 4. K 1 P 1 f. K w.. J. f m (1) ur, Po trnsformtörün sekoner V üünü, η erimi (%9599), K f siti ise kre e sinüs l şekline öre sırsıyl 1 e 1.1 ir. m mnyetik kı yoğunluğunu (mt), f freknsı (Hz), J kım yoğunluğunu (/mm ), K w ise penere enişliği sitini (..) temsil etmekteir. Denklem 1 en örülüğü ii trnsformtörün oyutu frekns ile ters orntılıır. Şekil 1 e / önüşümüne ship mtris çeiriilerle oluşturuln ir EGT ypısı österilmekteir. Şekilen e örülüğü ii EGT ypısın kpsitörler ulunmığınn irekt olrk / önüşüm mtris çeiriiler trfınn ypılmktır. Şekil e / çeiriinin iriş kısmınki 5 Hz freknslı erilim ile çıkışınki 1 Hz lik yüksek freknslı erilim österilmekteir. / çeiriieki yrıiletken elemnlrl uyun nhtrlm ypılrk istenilen freknst erilim ele eileilir [69]. Giriş Çıkış Yüksek Freknslı Trnsformtör Şekil 1. / önüşümlü EGT lok iyrmı
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY 4 4 Gerilim (Volt) 1 1 Gerilim (Volt) 1 1 4.5.1.15..5..5.4 Zmn (sn) 4.5.1.15..5..5.4 Zmn (sn) () () Şekil. 5 Volt erilim ) 5 Hz lik iriş erilimi ) 1 Hz lik çıkış erilimi Giriş D ink D ink Çıkış Yüksek Freknslı Trnsformtör Şekil. /D//D/ önüşüm ypısın ship EGT önüşüm loğu Şekil ise /D//D/ önüşümlerine ship oln EGT sistemini östermekteir. Şekilen e örülüğü ii iriş erilimi oğrultuu e D kpsitör ile oğrulutulup yüksek freknslı kre l hline etirilir e yüksek freknslı trnsformtöre iletilir. Trnsformtörün önüştürme ornın öre sekoner kısmın yüksek freknslı kre l enetimsiz oğrultuu trfınn oğrultulrk inertere iletilir. u çlışm önerilen topoloji /D//D/ önüşümlerini tek ir eree ypn ir EGT ypısıır..1. DGM Tnlı Doğrultuu Tsrımı e Denetimi Teknolojik elişmeyle irlikte son yıllr elektronik ihzlrın kullnımı hızl rtmıştır. u ihzlrın üyük ir ölümü e oğru kım kullnk şekile tsrlnmıştır. Şeeke trfı oluğu için u erilimin oğrultulmsı erekmekteir. iliniği ii iyot enetimli oğrultuulrın irim üç fktörleri üşüktür [1]. Şekil 4 te ltı nhtr ship yükseltii tip DGM tnlı ir oğrultuu eresi erilmiştir. u ypıy ship oln DGM tnlı oğrultuuki oinler yükseltme işlemi için kullnılırlr. D ht trfınki kpsite ise D erilimeki slınımı zltmk için kullnılır. u tip oğrultuulr, irim üç fktörlerinin yüksek olmsınn olyı irçok uyulm e sisteme sıkç kullnılmktır [11]. u enetim yöntemi üç fzlı eğişkenlerin iki fzlı eğişkenlere inirenerek enetlenme ilkesine ynır. u oğrultuunun enel mtemtiksel moelleri urn referns eksenine çıkrılır. Dh sonr, e αβ koorintlrınki moellemeleri ypılır [,,15]. Şeeke kım e erilimleri, enklem 4 eki ii tnımlnır.
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY V V V R R R I I S11 S1 S1 I I I R S14 S15 S16 Şekil 4. Üç fzlı DGM tnlı oğrultuu eresi V V V Vm sin () V sin () V m m sin 4 (4) DGM tnlı oğrultuu için şeeke erilim eğerleri ise enklem 57 eki ii ele eilir. ur I,I,I fz kımlrını, r, r, r ise oğrultuu iriş erilimleriir. I V RI r (5) V V I I RI RI Doğrultuu ypısın ulunn nhtrlm elemnlrının D ht trfınki V erilimini ele etmek için uyun ir şekile çılıpkpnmsıyl irlikle r, r, r erilim eğerleri şğıki enklemlerle ulunilir [114]. ur S,S,S nhtrlm fonksiyonlrını östermekteir. u nhtrlm fonksiyonlrı eğer nhtr kplı ise 1 eğerini, nhtr çıks eğerini lır. r r r r r 1 S S S S V (8) 1 S S S S V (9) S 1 S S S V SI SI SI I (11) DGM tnlı oğrultuunun koorint sistemineki mtemtiksel moeli enklem 114 ile ulunilir. u sisteme enklem 15 eki prk önüşümü uyulnırs enklem 1618 ele eilir. (6) (7) (1) I RI S S S (1)
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY 4 P I I os sin 1 RI S S S S S S (1) RI (14) I I os sin 1 RI RI S I I I S I os 4 sin 4 1 u u R r r (15) (16) (17) (18) ur; u r =S. e u r =S. ir. yrı S, S e u r, u r ise sırsıyl eksenineki nhtrlm fonksiyonlrı e oğrultuu iriş erilimleriir. Dönüşümler için erekli oln çı eğeri(θ) mtl/simulink prormın hzır lok olrk ulunn P (fz kilitleme önüsü) ile ulunilir y αβ önüşümü syesine e ele eileilir. P kullnılığın αβ önüşüm ypılmn irek öner referns çerçeee önüşüm ypılmsıyl enetim erçekleştirilir [115]. u çlışm P loğu kullnılmn şğıki enklemler kullnılrk erekli çı eğerleri ulunmuştur. os sin sin os sin os u u u u u u (19) () (1) Şekil 5 te erilen ypı ölçülen D erilim (V ), referns V * ile krşılştırılıktn sonr rki frk ilisi PI erilim enetleyii syesine ktif ileşene (I * ) önüştürülmekteir. Rektif üün enetlenmesi için I * = olrk yrlnmlıır. Şeeke erilim e kımlrının /αβ önüşümlerinen I e I ileşenleri ele eilikten sonr I * e I * kımlrıyl krşılştırılır. rki frk PI kım enetleyii rılığıyl V e V erilim eğerlerine önüştürülür.
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY 5 u erilimler y /αβ önüşümü ile y / önüşümü ile DGM loğun önerilerek yrı iletken nhtr elemnlrın sürülmesi için erekli sinyller üretilir [6,9,14]. Şekil 5 te DGM tnlı oğrultuu için erekli önüşümlerin ulunuğu lok ypısı erilmiştir. V Rs s V V Rs Rs s s V, V, V I, I, I αβ αβ V V* Vα Vβ Iα Iβ αβ θ αβ θ αβ PI I I V PI V PI I I I* I*= Şekil 5. DGM tnlı oğrultuu için önüşümlerinin ulunuğu lok ypısı.. Uzy Vektör Dre Genişlik Moülsyonlu İnerter Ypısı Uzy ektör re enişlik moülsyon (SVPWM) tekniğine temel olrk üç kollu ir inerter eresineki ltı nhtrın her kolu için mümkün iki urum 1 y olmk üzere üç kol için ( ) toplm sekiz et urum, oluşn üç fzlı erilimlerin iki eksenli ir koorint sistemineki izüşümleri kullnılır. SVPWM tekniğine referns lınn ektör her ir nhtrlm periyoun referns ektöre komşu sekiz ektören ikisi e sıfır eğerlikli iki ektör kullnılrk ele eilir. ur uzy ektörü senkron hızl önen eksen tkımınki ir üyüklüğün urn αβ eksen tkımın inirenmesi ile ele eilen V ref uzy ektörüür. Şekil 6 üç fzlı iki seiyeli inerter loğu erilmiştir. u ypı önüşümünen sonr referns eğerleri ile krşılştırılıp PI enetleyiilerle enetlenikten sonr tekrrn tersine ir önüşümle DGM nin inerter için uyun nhtrlm sinyllerini üretmesi sğlnır e öylee inerter istenilen erilimi e üü yüke ktrır [4]. u erilim filtreen eçirilerek fzlı yük erilimi ele eilir. İNVERTER YÜK V, V, V SVPWM θ Vα Vβ V V αβ PI PI V* V* Şekil 6. SVPWM inerter ypısı
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY 6. enzetim Çlışmsı Sonuçlrı u ölüme EGT için enzetim çlışmsı erçekleştirilmiştir e u ypı şekil 7 e erilmiştir. DGM tnlı EGT ypısının enzetim çlışmsın MT/Simulink loklrı kullnılmıştır. u moel için hzırlnn enzetim moeli, oğrultuu, yüksek freknslı trnsformtör e inerter ypısınn oluşmktır. Çlışm DGM tnlı oğrultuu Vrms şeeke erilimi ile eslenmiştir e oğrultuunun çıkışınn 6 V luk ir D erilim ele eilmiştir. u ypıy it D erilim şekil 8 e erilmiştir. Oluşturuln DGM tnlı oğrultuunun şeekeen çektiği kım e erilim ilişkisi şekil 9 erilmiştir. Şekilen e örülüğü kım e erilim ynı fzır e kım profile e sinüse çok enzemekteir. Ele eilen u D erilim tek fzlı inerter yrımıyl yüksek freknslı kre l hline etirilerek yüksek freknslı trnsformtöre iletilir. Trnsformtörün önüştürme ornın öre sekoner kısmın yüksek freknslı ir erilim ele eilir. u ypılr it şekiller sırsıyl şekil 1 e 11 e erilmiştir. Kre l, iyot oğrultuu ile oğrultulrk inertere erekli erilim eğeri erilikten sonr yük erilimi, yük kımı e inerter V erilimi şekil 114 te österilmiştir. Yük kımının TH si ise %1.1 ir. Çlışm kullnıln elemnlrın eğerleri ise; şeeke erilimi Vrms, R=.1Ω, =5mH, 1 =5µF, =5µF trnsformtörün önüştürme ornı : e freknsı ise 5KHz ir. Pulses V I [V] [I] NOT Pulses Vlo [Vyuk] [V] V [V] E E N Şeeke V I [I] R DGM Doğrultuu 1 E E Vp 1 Primer Yüksek Freknslı Trnsformtör Vs Sekoner İnerter M1 Yük Şekil 7. EGT Mtl/simulink moeli 7 4 6 5 D Gerilim (V) 4 Gerilim (V) kim (V) 1 1 1 Referns.1...4.5.6.7.8.9 1 Zmn (sn) Şekil 8. DGM tnlı oğrultuu D erilimi D Gerilim 4.5.55.6.65.7.75.8.85.9.95 1 Zmn (sn) Şekil 9. kımerilim ilişkisi
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY 7 8 6 6 4 4 Gerilim (V) Gerilim (V) 4 6 4 8.1.11.1.1.14.15.16.17.18.19.11 Zmn (sn) Şekil 1. Yüksek freknslı kre l (primer) 6.1.11.1.1.14.15.16.17.18.19.11 Zmn (sn) Şekil 11. Yüksek freknslı kre l (sekoner) 15 1 8 1 6 5 4 Gerilim (Volt) kım (mper) 5 4 1 6 8 15.8.8.84.86.88.9.9.94.96.98 1 Zmn (sn) Şekil 1. fzlı yük erilimi 1.8.8.84.86.88.9.9.94.96.98 1 Zmn (sn) Şekil 1. fzlı yük kımı 5 4 Gerilim (Volt) 1 1 4 5.8.8.84.86.88.9.9.94.96.98 1 Zmn (sn) Şekil 14. İnerter V erilimi 4. SONUÇR u çlışm üç fzlı DGM yöntemi uyulnn oğrultuu tnlı EGT ypısı etylı ir şekile çıklnmıştır. EGT lerin eleneksel trnsformtörlerle krşılştırılığın, h hfif, küçük himli e irçok işlei tek ir eree erçekleştireiliğinin üzerine urulmuştur. Önerilen EGT ypısı üç kısımn oluşmktır. u kısımlrn ele eilen enzetim çlışmsı sonuçlrı erilmiştir. Oluşturuln EGT ypısınki irim üç fktörü yklşık.98 olrk hesplnmıştır. EGT ypısı şeeke kımının TH sini %1.1 seiyesine tuttuğu e u eğerine istenilen ir eğer oluğu elirlenmiştir. Giriş kısmın DGM tnlı oğrultuu kullnılmsıyl üç klitesi iyileştirilmiş e D erilim ise erilim üşmesine ey yükselmesine referns eğere sitleneilmekteir.
H. IKGOZ et l./ ISITES14 Kruk TURKEY 8 REFERNSR [1] hpmn S. J., Elektrik Mkinlrının Temelleri,.skı, İstnul, 1. [] Kn M, Enjeti P N, n Pitel I J. "nlysis n esin of eletroni trnsformers for eletri power istriution system," IEEE Trns on Power Eletronis, 1999, 14(6): 111141 [] MMurry W., Power onerter iruits hin hih freueny link, U.S Ptent 197,,517,, June. [4]. in,. Ge, D. i, n Q. M, n effetie power eletroni trnsformer pplie to istriution system, in Eletril Mhines n Systems (IEMS), 11 Interntionl onferene on, 11. [5] K.K. Mohptr n N. Mohn., Mtrix onerter fe openene power eletroni trnsformer for power system pplition, In Power n Enery Soiety Generl Meetin onersion n Deliery of Eletril Enery in the 1st entury, 8. [6] Surmny S., njneyulu K.S.R., Moelin n Simultion of / Mtrix onerter se Power Eletroni Trnsformer for Power Qulity Improement, Interntionl Journl of Enineerin Reserh & Tehnoloy (IJERT), 1 Vol. 1 Issue 5. [7] H. ImnEini, J. Shnen, Sh. Frhni1, J. rroux, JP. Kere, Power Eletroni se Trnsformer for Feein Sensitie os, Power Eletronis Speilists onferene, 8, PES 8. IEEE. [8] M. R. nei, E. Slry, Power Qulity Improement Usin Prllel Opertion of Power Eletroni Trnsformer, Interntionl Reiew on Moellin n Simultions (I.R.E.M.O.S.), 11, Vol. 4, N. 4. [9] M. R. nei, E. Slry Power Deliery y Noel MultiSte D/ onerter se on Multileel / onerter, Interntionl Reiew of Eletril Enineerin (I.R.E.E.), 11, Vol. 6, No 5. [1] Mzr, F.N. Hh, M.T. ; ei, E., Distriution eletroni power trnsformer with reue numer of power swithes, Power Eletronis n Drie Systems Tehnoloy (PEDST), 1516 Fe. 1. [11] Hnfi, H.M., Shh., Hmzh, M.K., Hmzh, N.R., Moelin of eletroni trnsformer esin with the implementtion of SinlePhse Mtrix onerter usin MT/Simulink, Reserh n Deelopment (SOReD), 9 IEEE Stuent onferene on, 1618 No. 9. [1] Kzmierkowski, M.P., n Mlesni,., urrent ontrol Tehniues for ThreePhse VolteSoure PWM onerters : Surey, IEEE Trnstions on Inustril Eletronis, 1998, 45(5), 6917. [1] Mlinowski, M., et l. Simple iret power ontrol of threephse PWM retifier usin speetor moultion (DPSVM), IEEE Trnstion on Inustril Eletronis, 4, 51(), pp. 447 454. [14]. Yin, R. Orunti, S. K. Pn n. K. S. ht, n OutputPowerontrol Strtey for ThreePhse PWM Retifier uner Unlne Supply onitions, IEEE Trns. In. Eletron., 8, Vol. 55, No. 5, pp. 14151. [15] J. R. Roiues, J. W. Dixon, J. R. Espinoz, J. Pontt n P. ezn, PWM Reenertie Retifiers: Stte of rt, IEEE Trnstions on Inustril Eletronis, 5, Vol. 5, No. 1, pp. 5.