5. CMOS AKIM TA IYICI. v Y
|
|
- Özge Bal
- 5 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 5. CMOS AKIM TA IICI Akım ta ıyıcı, akımın çok farklı empedans seviyelerindeki iki kapı arasında ta ındı ı üç kapılı aktif bir devre olarak tanımlanabilir. lk akım ta ıyıcı olan birinci ku ak akım ta ıyıcı (CCI) 1968 yılında Smith ve Sedra tarafından ortaya atılmı tır yılında Smith ve Sedra daha kullanı lı bir akım ta ıyıcı devresi olan ikinci ku ak akım ta ıyıcı devresini (CCII) geli tirmi lerdir. Günümüzde, akım ta ıyıcı denildi inde, ikinci ku ak akım ta ıyıcı (CCII) anla ılmaktadır. Aktif eleman olarak akım ta ıyıcının kullanılmasıyla çe itli türden aktif devre yapılarını gerçekle tirmek mümkündür. Bu yapılara örnek olarak, aktif süzgeç ve osilatör devreleri verilebilir. v v i CCII + Z iz v v i CCII - Z iz (a) (b) ekil-5.1. Evirmeyen (CCII+) ve eviren (CCII-) türden ikinci ku ak akım ta ıyıcıların devre sembolleri : a) evirmeyen türden akım ta ıyıcı, b) eviren türden akım ta ıyıcı. Evirmeyen (CCII+) ve eviren (CCII-) türden ikinci ku ak akım ta ıyıcıların devre sembolleri ekil-5.1 de görülmektedir. CCII, a a ıda verilen ba ıntılarla tanımlanan üç uçlu bir devredir. v = v i = 0 i Z = i (5.1) Bu ba ıntılarda v, v büyüklükleri ve uçlarındaki gerilimlerin, i, i ve i Z büyüklükleri de, ve Z uçlarına ili kin akımların toplam ani de erini göstermektedir. i Z = i ise CCII pozitif akım ta ıyıcı adını alır ve CCII+ sembolü ile gösterilir. i Z = -i ise CCII negatif akım ta ıyıcı olarak isimlendirilir ve CCIIsembolü ile belirtilir. (5.1) ba ıntısından anla ılaca ı gibi, ve Z için küçük i aret uç empedansları büyük, x için ise küçük olmalıdır.
2 5.2 CCII'nin gerçekle tirilmesi için i lemsel kuvvetlendiriciler ve bipolar tranzistorlarla devre kurulmasına dayanan tasarım yöntemleri bulunmaktadır. Bu yöntemler, ilkesel olarak tümle tirilmeye elveri li olsalar bile, özellikle i lemsel kuvvetlendiricilerden yararlanılmasına yönelik olanlar, gerçekle tirilme açısından ekonomik de ildirler. Bunun ba lıca nedeni, her i lemsel kuvvetlendirici için kırmık üzerinde ayrı bir alana gereksinme duyulmasıdır. Karma ık yapıdaki sistemlerin küçük boyutta gerçekle tirilmesini sa layan CMOS teknolojisinin hızlı geli imi sonucunda, son yıllarda, analog fonksiyonları gerçekle tiren ve akım ta ıyıcıları da kapsayan CMOS devrelerin geni çapta tümle tirilebilmesi mümkün kılınmı tır. Bu bölümde, CMOS tekni i ile gerçekle tirilebilen iki ayrı akım ta ıyıcı yapısı ele alınacaktır CMOS CCII+ devresi T 3 T 4 T 5 T 6 + DD T 1 T 2 i i Z v +v Z +v R I 1 I 2 T 7 T 8 - SS ekil-5.2. Pozitif (evirmeyen) türden akım ta ıyıcı yapısı. CMOS tekni i ile gerçekle tirilen bir pozitif akım ta ıyıcı devresi ekil- 5.2'de verilmi tir. T 3 -T 6 PMOS tranzistorları ile T 7 -T 8 NMOS tranzistorları akım aynası olarak görev yapmaktadır. I 1 akım kayna ı devre için gerekli olan kutuplama akımını sa lar. Tranzistorların e, akım aynalarının birim kazançlı oldukları ve tüm tranzistorların doyma bölgesinde çalı tıkları varsayılsın. Devrenin çalı ması a a ıdaki biçimde açıklanabilir:
3 5.3 T 3 -T 4 tranzistorları T 1 ve T 2 tranzistorlarından birbirine e akımların akmasını sa larlar. Böylece GS1 = GS2 olur ki, bu da v = v olmasını sa lar. R direncinden akan i akımı T 2 tranzistorundan ve T 3 -T 4 akım aynasından da akar. > 0 olması durumunda i = v /R akımı x ucundan dı arıya do ru akacak, dolayısıyla T 3 -T 4 akım kayna ının akımı I 1 + i olacaktır. Bu akım, T 5 tranzistoru ve T 7 -T 8 akım aynası ile ucuna yansıtılarak T 1 tranzistorunun kaynak akımındaki de i imi kompanze eder, böylece i y daima sıfır olur. Aynı zamanda, T 6 tranzistoru I 1 + i x akımını Z ucuna yansıtacaktır. Bu durumda, I 1 = I 2 yapılırsa, Z ucundan dı arıya do ru i Z = i akımı akar. Fark edilebilece i gibi, i Z akımının yönü i akımı ile aynıdır. Bu nedenle, devre, pozitif (evirmeyen türden) akım ta ıyıcı (CCII+) olarak isimlendirilir Negatif akım ta ıyıcı (CCII-) T 3 T 4 T 5 T 6 + DD T 1 T 2 +v v I 1 i I i 2 Z +v Z T T 8 T 9 T 10 7 ekil-5.3. Negatif (faz döndüren türden) akım ta ıyıcı yapısı. - SS Negatif akım ta ıyıcı yapısı ekil-5.3'de verilmi tir. Bu devre, ekil- 5.2'deki devreden türetilmi tir. apıda, T 9 ve T 10 tranzistorları I 1 + i akımını Z ucuna yansıtırlar. I 2 = I 1 yapılması durumunda, z ucundan içeriye do ru bir i Z = i akımı akar Akım ta ıyıcının performansı Buraya kadar yapılan incelemelerde bütün tranzistorların e oldukları ve doyma bölgesinde çalı tıkları varsayılmı tır. Pratikte ise, tranzistorların birbirine
4 5.4 tam olarak e olmamalarından ileri gelen bir hatanın ortaya çıkaca ı ve bu hatanın, yapının performansında ideal performansa göre bazı sapmalara neden olaca ı açıktır. ekil-5.2'deki devre ele alınsın. I 1 akım kayna ının çıkı direnci sonsuz kabul edilsin. Bu durumda, küçük i aretler için v y ve v x arasındaki ili ki Rx g ( g g m2 m4 d - g g 1 m3 d ) 4 1 = (5.2) R g g g + g g + g g olmak üzere x m2 m3 d 4 m2 d 2 m3 d 4 v x = v y.(1-1) (5.3) biçiminde yazılabilir. (5.2) ba ıntısında g mi ve g di büyüklükleri sırasıyla T i (i =...) tranzistorunun geçi iletkenli ini ve savak iletkenli ini, R ise ucuna ba lanan direnci göstermektedir. 1 << 1 ise ucundaki gerilim ucuna yüksek do rulukta aktarılacaktır, ba ka bir deyi le ucundaki gerilim ucundaki gerilimi iyi bir ekilde izleyecektir. Örnek olarak, R = 1k, g m2 = 2.51 x 10-4 A/, g m3 = 1.93 x 10-4 A/, g d1 = g d2 = 1.01 x 10-7 A/ ise 1 =0.05% olur. ucundan içeriye do ru bakıldı ında görülen küçük i aret direnci a a ıdaki biçimde yazılabilir: 1 m4 d 5 m8 d 1 r x = g. g g + g g (5.4) g m2.( g + g ) m4 m8 d 5 Sayısal bir örnek verilirse, g m8 =2.52x10-4 A/, g d5 = 1.02 x 10-7 A/ de erleri için r x = 3.7 bulunur ki, bu direncin de eri istenen özellikleri sa layacak kadar küçüktür. ucundaki küçük i aret direnci hesaplanırsa r = y 1+ g g g d7 d 1 m3 (5.5) ba ıntısı elde edilir. g d7 = 1.02 x 10-7 A/ için r y = 9.8 M bulunur ki, bu da yeteri kadar büyük bir direnç de eridir ve bu ucun gösterece i giri direnci sonsuz kabul edilebilir. Z ucundaki uç direnci yakla ık olarak T 3 -T 6 akım aynasının çıkı direnciyle I 2 akım kayna ının çıkı direncinin paralel e de erine e ittir ve 1 r z = (5.6) g + g d 6 di 2
5 5.5 biçiminde ifade edilebilir. (5.6) ba ıntısındaki g di2 büyüklü ü I 2 akım kayna ının savak iletkenli idir. r z direncinin de eri tipik olarak birkaç M mertebesindedir. Bu direnç Wilson akım aynası yahut kaskod akım kayna ı kullanılarak arttırılabilir. Devrenin yüksek frekanslardaki davranı ını inceleyelim. üksek frekanslarda baskın kutup x ucuna ba lanan e de er direnç ve kapasitelerden ileri gelir. Bu kutup Rx g g m2 m4 f x = (5.7) 2 ( R g C + C ) x m3 1 3 biçiminde ifade edilebilir. Bu ba ıntıdaki C 3 ve C 1 kapasiteleri C 3 = (C gs 3 + C gs 4 + C gs 5 + C gs 6 ) ve C 1 = Cgs 1 eklinde tanımlanmı lardır. kinci kutup T 3 -T 6 akım aynasından ileri gelmekte ve gm3 f m = 2 C 3 (5.9) ba ıntısıyla verilmektedir. Bu kutup frekansı, yukarıdaki sayısal de erler için 5 MHz civarında olur. x ve y gerilimleri arasındaki dengesizlik de OS =( T 1 T 2 2( 1-2 ) 1 )-. I /2 (5.9) ba ıntısı ile verilebilir. (5.9) ba ıntısında Ti ve i büyüklükleri, sırasıyla, T i tranzistorunun e ik gerilimini ve geçi iletkenli i parametresini göstermektedir. OS dengesizlik geriliminde birinci terim T 1 ve T 2 tranzistorlarının e ik gerilimlerinin farklı olmasından ileri gelmektedir. Modern CMOS prosesinde bu bile en birkaç m mertebesinde olur. kinci bile en ise geometrideki sapmalardan ileri gelir. Ba ıntıdan fark edilebilece i gibi, bu bile eni azaltmak için W/L oranı azaltılabilir, yahut I 1 akım küçültülebilir.
6 5.6 I R 1 R 2 R 3 R 3 >R 2 > R 1 ekil-5.4a. Farklı R de erleri için DC geçi e risi (lineer de i im bölgesi gösterilmi tir.) / R 3 >R 2 > R 1 1 R 3 R 2 R 1 Frekans, log ekil-5.4b. Farklı R de erleri için frekans e rileri. CCII nin farklı R de erleri için elde edilen DC geçi karakteristi i ve frekans e risi ekil-5.4a ve ekil-5.4b'de gösterilmi tir. ekil-5.4'den görülebilece i gibi, devre, verilen bir gerilimi geni bir aralık içerisinde pozitif ve negatif akımlara yüksek bir do rulukla çevirebilmektedir. CCII+ ve CCII- devrelerini farklı topolojilerle gerçekle tirmek mümkündür. CMOS tekni i ile gerçekle tirilen üç farklı devre topolojisi ekil-5.5, ekil-5.6 ve ekil-5.7 de görülmektedir.
7 5.7 T5 T6 T9 T10 DD T3 T4 M11 T12 i z =i x v x Z T1 T2 i x R v z y I I R x B B IB bias1 bias2 T7 T8 T15 T13 T14 T16 SS DD T5 T6 T9 T10 T17 T21 T3 T4 T11 T12 T18 T22 I B v x i x i z T1 T2 R x Z R z v y I B I B I B B1 T7 T13 T14 T19 T23 B2 T8 T15 T16 T20 T24 ekil-5.5. CMOS tekni i ile gerçekle tirilen CCII+ ve CCII- yapıları, Örnek-1. - SS
8 5.8 T14 T5 T7 T15 T16 DD T12 T8 T10 I bias in- in+ T1 T2 T13 M9 T11 Z i z = i x R z R x ix R bias C c T3 T4 T6 T17 T18 SS T14 T5 T7 T15 M16 DD T21 T12 T8 T10 T19 I bias in- in+ T1 T2 T13 T9 T11 Z i =-i z x R z R x ix R bias C c T3 T4 T6 T17 T18 T22 T20 SS ekil-5.6. CMOS tekni i ile gerçekle tirilen CCII+ ve CCII- yapıları, Örnek-2.
9 5.9 T3 T4 T5 T6 DD v y T1 T12 T11 M17 M2 i x v x T9 Rx T10 T16 T18 Z T13 i z =i x R z T7 T8 T15 T14 SS ekil-5.7. CMOS tekni i ile gerçekle tirilen CCII+ ve CCII- yapıları, Örnek-3.
10 Elektronik olarak kontrol edilebilen akım ta ıyıcı (ECCII) + DD T 4 T 5 T 5 ' T 4 ' I 1 I 1 I O I 2 I 2 I A I 2 T 3 T 6 T 2 ' T 3 ' I B +i I B -i T T 2 T 6 ' 1 T 1 ' ref T 8 T 7 - SS ekil-5.8. Elektronik olarak kontrol edilebilen akım ta ıyıcı hücresi. Elektronik olarak kontrol edilebilen akım ta ıyıcı yapısı, akım transfer oranı bir akım ya da bir gerilimle de i tirilebilen bir akım ta ıyıcı düzenidir. ECCII'nin tanım ba ıntıları i = 0 v = v (5.10) i = h i Z 32 biçimindedir. (5.10) ba ıntısındaki h 32 büyüklü ü, de eri elektronik yoldan kontrol edilebilen akım transfer oranıdır. ECCII yapısı ekil-5.8'de verilmi tir. Bu devrede T 1, T 2 ve T 3 tranzistorlarından olu an yapı grubu ile T 1 ', T 2 ' ve T 3 ' den olu an yapı grubu, kare alan birer devre olarak davranırlar. T 7, T 8 tranzistorları ve I A akım kayna ı, T 3 ve T 3 ' tranzistorlarına kutuplama gerilimi sa layan akım kontrollu bir gerilim referansı devresi olu tururlar. Bütün tranzistorların doymada çalı tıkları ve T 5 ile T 5 ' dı ındaki tranzistorların tümünün e it W/L oranlarına sahip oldukları kabul edilsin. Bu art altında
11 5.11 olmak üzere, devrenin çıkı akımı 2 B I 1 = 2 I A + ( I +i ) 8 I A 2 ( I B - i ) I 2= 2 I A+ 8 I A I + i 4 I B i o = n I 2 I A (5.11) biçiminde ifade edilebilir. (5.11) ba ıntısından fark edilebilece i gibi, küçük i aret akımı, de eri elektronik yoldan de i tirilebilen bir k çarpanıyla çarpılarak çıkı a yansımaktadır. (5.11) ba ıntısı, aynı zamanda, n büyüklü ünün kazancın de i im aralı ını da belirleyen bir faktör oldu unu göstermektedir. B A.i I + i 4 I B artı uyarınca, kazancı arttırmak üzere I B büyüklü ü istenildi i kadar büyütülemez. Örne in, n=1 için k çarpanının maksimum de eri 2 ile sınırlanır. Buna göre k maks < 2n yazılabilir. Devrenin tümü ekil-5.9'da verilmi tir. Bu yapıda T 9 'dan T 13 'e kadar olan tranzistorlar gerilimden akıma dönü türücü olarak çalı ırlar. Bu yapıda T 9 -T 10, T 11 -T 12, T 17, T 18, T 15 -T 20 tranzistorlarının e, akım kaynaklarının yansıtma oranlarının 1 olduklarını ve tüm tranzistorların doymada çalı tıklarını kabul edelim. MOS tranzistorların giri direnci çok yüksek oldu undan, i y akımı i y = 0 alınabilir. T 9 'dan T 12 'ye kadar olan tranzistorlar ve I C akım kayna ı birlikte bir gerilim izleyici olu tururlar ve ucundaki gerilimin ucundaki gerilimi izlemesini sa larlar. T 13 tranzistoru, akım izleyici i levinin yerine getirilmesinin yanısıra, ucunun dü ük empedanslı olmasını da sa lar. ucundan küçük bir i akımının akması durumunda, akım izleyici T 13 tranzistorunun savak akımını I B + i de erine kadar arttırır. T 15 tranzistoru, bu akımı akım kuvvetlendiricisinin A ucuna yansıtırken, T 16 tranzistoru da aynı akımı T 17 -T 20 tranzistorlarından olu an akım kayna ının giri ine getirir. 2I B sabit akım kayna ı nedeniyle T 17 ve T 19 tranzistorlarının savak akımları (I B - i) de erini alırlar. Bu akım da, akım kuvvetlendiricisinin B ucuna yansıtılır. Böylece, z ucundan dı arıya do ru bir i z = k.i çıkı akımı akar. i z akımı i x akımı ile aynı yönde oldu undan, bu devre A
12 5.12 ECCII+ olarak isimlendirilmektedir. T 15 tranzistorunun B ucuna, T 20 tranzistorunun da A ucuna ba lanması durumunda ECCII- elde edilebilece i gösterilebilir. + DD T T T 14 T 15 T 16 T 17 T 18 I B +i T 9 T 10 T 13 I T 19 T 20 I B -i 2I B - SS + DD I C I B Z I Z Z I A ref A B - SS ekil-5.9. Elektronik olarak kontrol edilebilen akım ta ıyıcı yapısı. Devrenin ideal davranı ından sapmasının ba lıca nedenleri, tranzistorların g m geçi iletkenliklerinin sonlu olması ve tranzistorlar arasındaki dengesizliklerdir. Akım kaynaklarının çıkı dirençleri sonsuz kabul edilirse, devredeki gerilim-akım çeviricinin geçi iletkenli i hatası g g m m g d 10 g + g m10 d (5.12) biçiminde yüzde olarak ifade edilebilir. Bu ba ıntıdan hareketle g m10 = 2.51 x 10-4 A/, g d10 = g d12 = 1.02 x 10-7 A/ de erleri için geçi iletkenli i hatası hesaplanırsa g m /g m =%0.08 bulunur. x ve y uçlarından içeriye do ru bakıldı ında görülen giri empedansları
13 5.13 m9 m10 d 10 d 12 r x = ( g + g ).( g + g ) g g g m9 m10 m13 (5.13) r = z g 1 + g d 5 d 6 (5.14) biçiminde ifade edilebilirler. g m6 = g m10 = 2.51 x 10-4 A/ ve g m3 = 3.3x10-4 A/ için r x = 4.9 Ohm bulunur. ine, g d5 = g d6 = 1.02 x 10-7 A/v için r z = 4.9 MOhm elde edilir. Wilson veya kaskod akım kaynaklarının kullanılmasıyla bu son de er daha da büyütülebilir. x ucundaki dengesizlik gerilimi 9-10 I D 9 + I D10 OS =( T 9 - T 10 )-. (5.15) + ( ) ba ıntısıyla ifade edilebilir. (5.15) ba ıntısındaki birinci terim e ik gerilimlerinin farklı olmasından ileri gelir. kinci dengesizlik bile eni ise geometrideki sapmalardan kaynaklanır. Farklı n de erleri için ı z /i x akım kazancının I B /I A oranıyla ne ekilde de i ece i ekil-5.10'da gösterilmi tir. 1/2 i z /i x n = 5 n = 3 n = 1 I B /I A ekil Farklı n de erleri için (i z /i x ) akım transfer oranının (I B /I A ) oranına ba ımlılı ı.
14 Akım ta ıyıcılarda ideal olmama etkilerinin modellenmesi deal bir akım ta ıyıcıda, giri ve çıkı empedansları sonsuz, band geni li i sonsuz, ucundan içeriye do ru bakıldı ında görülen empedans sıfırdır. ucundan akacak akımla ve Z uçlarındaki gerilimler için herhangi bir dalgalanma sınırı söz konusu de ildir. Gerçek bir akım ta ıyıcıda, ideal akım ta ıyıcıdan farklı olarak, giri () ve çıkı (Z) empedansları sonlu, ucundan görülen empedans sıfırdan büyük, v x /v y ve i z /i x geçi fonksiyonlarının band geni li i sonlu olmaktadır. Bunun yanısıra, ucundaki akım ve gerilim I i ( t) I min maks v ( t) min maks sınırları arasında, Z ucundaki gerilim de Z min vz ( t) Zmaks sınırları arasında de i mekte, bu sınırlar zorlandı ında, devre karakteristiklerinde doyma bölgesi ortaya çıkmaktadır. Bu bölümde, söz konusu idealsizlikleri modellemek üzere, basit yapılı ve yüksek do ruluklu bir akım ta ıyıcı makromodeli verilecektir. Makromodel + E1 I R C C O R O D 1 D 2 R R E1 C1 - C1 D R 6 C1 - C1 + OFF h. I DD + -SS + DD D L 5 P R C D P P 3 k 3 r1 + k 2 R E1 r 1 ekil Akım ta ıyıcı makromodeli. E Z Z - SS r2 + k D k 4 r1 I
15 5.15 Akım ta ıyıcının lineer ve lineer olmayan davranı ını modelleyen makromodel ekil-5.11 de görülmektedir. Makromodel olu turulurken, akım ta ıyıcının giri çıkı karakteristiklerinden ve frekans e rilerinden yararlanılmı, model bu karakteristikleri aslına uygun bir biçimde verecek ve az sayıda lineer olmayan eleman içerecek biçimde düzenlenmi tir. Bunun için - ve Z - gerilim geçi e rilerinin, I - ve I Z - akım geçi e rilerinin,, ve Z uçlarından içeriye do ru bakıldı ında görülen Z, Z ve Z O empedanslarının frekansla de i im e rilerinin ölçü yoluyla yahut simülasyonla çıkartılması gerekmektedir. Model parametreleri, yukarıda de inilen karakteristiklerden yararlanılarak kolayca bulunabilmektedir. Kurulan lineer olmayan e de er devre dokuz R elemanı, üç C elemanı, bir L elemanı, be ba ımlı kaynak, be ba ımsız gerilim kayna ı ve 6 diyot elemanı içermektedir. Bu elemanlar yardımıyla yapının gerilim ve akım izleme karakteristikleri, giri ve çıkı empedansları, akım ve gerilim sınırlama özellikleri yeteri kadar do ru olarak modellenebilmektedir. ucuna ili kin özellikleri temsil etmek için bir ba ımsız gerilim kayna ı, bir R ve bir de C elemanı kullanılmı tır. ucuna ili kin giri empedansının, akım ve gerilim sınırlama özelliklerinin modellenmesi için be R elemanı, bir C elemanı, bir L elemanı, iki ba ımlı gerilim kayna ı, dört ba ımsız gerilim kayna ı ve dört de diyot elemanı öngörülmü tür. ucundan içeriye do ru bakıldı ında, ikinci dereceden bir empedans fonksiyonu ile ifade edilebilen bir empedans karakteristi i elde edilir. Rezonans karakteristi i biçimindeki bu davranı ı modellemek üzere, e de er devreye L elemanı eklenmi tir. Z ucuna ili kin çıkı empedansı ve gerilim sınırlama özelliklerinin temsil edilmesi için de bir ba ımlı akım kayna ı, üç R elemanı, bir C elemanı, iki ba ımsız gerilim kayna ı ve iki diyot elemanı kullanılmı tır. Gerçek akım ta ıyıcı ve makromodel karakteristikleri Makromodelin do rulu unu göstermek üzere, ekil-5.5 de verilen CMOS akım ta ıyıcı için SPICE 2. DÜZE MOS modeli kullanılarak gerçek devre için elde edilen simülasyon sonuçlarıyla önerilen makromodel ile elde edilen SPICE simülasyonu sonuçları kar ıla tırılmı tır. Örnek olarak seçilen CMOS akım ta ıyıcıya ili kin makromodel parametreleri Tablo-5.1 de verilmi tir.
16 5.16 Tablo-5.1. Makromodel parametreleri. Eleman Eleman de eri Eleman Eleman de eri R 1E12 Ohm k 3-9 C pf k r Ohm I S1 1E-14A r x2 400 Ohm I S2 1E-14A C 0.1 pf I S3 1E-14A L P 40 H I s4 1E-14A R P 32kOhm I S5 1E-14A k 1 1 I S6 1E-14A k 2 1 OFF -63 m R O 620 kohm C O.5 pf R C1 10 kohm C2 3.3 C R E2 3 kohm R E1 10 kohm E2 1.2 E1 1.1 h 1 R C Ohm - - Z ucu açık devre, R =1k iken elde edilen - ve Z - gerilim geçi e rileri ekil-5.12 de görülmektedir. ekil-5.13 de R = 0 için eleman modeli ve makromodelle elde edilen I - de i imleri, ba ka bir deyi le ucundaki akımının ile de i imi yer almaktadır. ucunun açık devre edilmesi durumunda bu uçtaki geriliminin gerilimi ile ne ekilde de i ece i eleman modeli ve makromodel ile hesaplanmı, sonuçlar ekil-5.14 de gösterilmi tir. ucundan içeriye do ru akıldı ında görülen Z empedansının frekansla de i im e risi ekil-5.15 de, Z ucundan içeriye do ru bakıldı ında görülen Z O empedansının de i im e risi de ekil-5.16 da verilmi tir. v /v ve v Z /v gerilim geçi e rilerinin frekansla de i imleri ekil-5.17 de gösterilmi tir. ekillerden kolaylıkla fark edilebilece i gibi, verilen model, akım ta ıyıcının lineer ve lineer olmayan davranı ını aslına uygun bir biçimde modellemektedir. Makromodel yardımıyla elde edilen sonuçlar, eleman modelleri yardımıyla elde edilen sonuçlarla iyi bir uyum sa lamaktadır.
17 5.17 ekil R = 5k, R Z = oo için eleman modeli ve makromodel yardımıyla elde edilen - ve Z - de i imleri. ekil ucundan içeriye ve dı arıya do ru akıtılan akımın sınırları.
18 5.18 r. ekil R = için - de i imi. ekil ucundan görülen Z empedansının frekansla de i imi için makromodel ve eleman modeli yardımıyla elde edilen simülasyon sonuçları.
19 5.19 ekil Z ucundan görülen Z O empedansının frekansla de i imi için makromodel ve eleman modeli yardımıyla elde edilen simülasyon sonuçları. ekil v x /v y ve v z /v y gerilim transfer oranlarının frekansla de i imi için makromodel ve eleman modeli yardımıyla elde edilen simülasyon sonuçları.
20 5.20 KANAKLAR [1] K.C. Smith, A. Sedra, The current conveyor - a new circuit building block, IEEE Proc., 56, pp , [2] A. Sedra, K.C.Smith, A second generation current conveyor and its applications, IEEE Trans. on Circuit Theory, CT-17, pp , [3] S.-I. Liu, H.-W. Tsao, J. Wu, T.-K.Lin, MOSFET capacitor filters using unity gain CMOS current conveyors, Electronics Letters, 26, pp , [4] M.C. Chang, C. Toumazou, 3 MOS current conveyor for LSI technology, Electronics Letters, 29, , [5] A.S. Sedra, G.W. Roberts, F.Gohh, The current conveyor: History, Progress and New Results, IEEE Proc., 137, 78-77, [6] W.S. Amptorn,. Riewruja, F. Cheevasuvit, Integrible CMOS-base realization of current conveyors, Int.J. Electronics, 71, , [7] H. Sedef, Akım ta ıyıcı kullanarak aktif devre sentezinde yeni olanaklar, Doktora tezi, TÜ FBE, Elektronik ve Haberle me Mühendisli i ABD. Ocak [8] C.M. Chang, P.-C.Chen, Realization of current-mode transfer function using second-generation current conveyors, Int. J. Electronics, 71, , [9] B. enen, CMOS akım ta ıyıcıların makromodellerinin olu turulması ve akım ta ıyıcılı süzgeçlerin analizi, üksek Lisans Tezi, TÜ FBE, Elektronik ve Haberle me Mühendisli i ABD. Ocak [10] B. enen, N. Tarım, H. Kuntman, Aktif süzgeç simülasyonuna yönelik bir akım ta ıyıcı makromodeli, Elektrik Müh. 6. Ulusal Kongresi Bildiri Kitabı, Cilt 3, , Uluda Üniversitesi, Bursa, Eylül [11] N. Tarım, B. enen and H. Kuntman, Simple and accurate nonlinear currentconveyor macromodel, Melecon 96, Proceedings of 8th Mediterranean Electrotechnical Conference, ol.1, pp , Bari, Italy, May 13-16, [12] H. Tek, F. Anday, oltage transfer function synthesis using current conveyors, Electronics Letters, 25, , 1989.
Hazırlayan. Bilge AKDO AN
Hazırlayan Bilge AKDO AN 504071205 1 Özet Amaç Giri kinci Ku ak Eviren Akım Ta ıyıcı (ICCII) CMOS ile Gerçeklenen ICCII Önerilen ICCII- Tabanlı Osilatörler 1. Tek ICCII- tabanlı osilatörler 2. ki ICCII-
DetaylıYeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII)
Yeni Yüksek Başarımlı CMOS Üçüncü Kuşak Akım Taşıyıcı (CCIII) Shahram MINAEI 1 Merih YILDIZ 2 Hakan KUNTMAN 3 Sait TÜRKÖZ 4 1,2. Doğuş Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği
DetaylıYENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIYICI (MCCIII) YAPISI, KARAKTERİZASYONU VE UYGULAMALARI
ENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIICI () APISI, KARAKTERİZASONU E UGULAMALARI Seçkin BODUR 1 Hakan KUNTMAN 2 Oğuzhan ÇiÇEKOĞLU 3 1, 2 İstanbul Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik
DetaylıYarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi
Prof. Dr. H. Hakan Kuntman 21. 12. 2005 Yarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi (Yılsonu Projesi) a- Tabloda belirtilen i lemsel kuvvetlendirici için SPICE simülasyon programında kullanılmak
Detaylı3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c)
. Kazancın sonlu olması,. Lineerlik bölgesinin sonlu olması, 3. dengesizlik gerilimi, 4. frekans eğrisi, 5. gürültü alt başlıkları altında sıralanabilir. 3. V DD V CC I O I O I O I O V i - T T C C V O
DetaylıENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI
ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALAR HAKAN KUNTMAN 03-04 EĞİTİM-ÖĞRETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik alanında çeşitli ölçü ve kontrol düzenlerinin
DetaylıPSPICE programı yardımıyla
PROBLEMLER 415 30. ekilp.30 daki akım kayna ı devrelerinde referans gerilimleri 1V tur. evreler 1 ma lik çıkı akımı vereceklerdir. Besleme gerilimleri V CC =V EE =15V olarak belirlenmi tir. a) evreyi gerçekle
DetaylıAREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ
AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER DR. GÖRKEM SERBES İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ İşlemsel kuvvetlendirici (Op-Amp); farksal girişi ve tek uçlu çıkışı olan DC kuplajlı, yüksek kazançlı
Detaylı4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G
34 ENDÜSTYEL ELEKTNK 4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi Enstrümantasyon ve dönütürücü uygulamalarında µvlar mertebesinde fark iaret gerilimleri ve bunlarla birlikte bulunan büyük deerli ortak iaret
DetaylıŞekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi
DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.
DetaylıAkım Modlu Çarpıcı/Bölücü
Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü (Novel High-Precision Current-Mode Multiplier/Divider) Ümit FARAŞOĞLU 504061225 1/28 TAKDİM PLANI ÖZET GİRİŞ AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ DEVRE ÖNERİLEN AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ
DetaylıMAKROMODELLER. diyot, tranzistor gibi lineer olmayan
MAKROMODELLER Makromodeller, herhangi bir elemanın veya devrenin lineer ve lineer olmama özelliklerini aslına olabildiğince ğ uygun modellemek üzere, lineer elemanlar, bağımlı ve bağımsız kaynaklar ve
Detaylı9. EŞİKALTI BÖLGESİNDE ÇALIŞAN ANALOG YAPI BLOKLARI
9. EŞİKALT BÖLGESİNDE ÇALŞAN ANALOG YAP BLOKLAR Son yıllarda, eşikaltında çalışan MOS tranzistorların kullanıldığı analog devre yapıları gittikçe önem kazanmaktadır. Bunun başlıca nedeni, hasta üzerine
DetaylıBÖLÜM 6 MAKROMODELLER
BÖLÜM 6 MAKROMODELLER 6.1. Giri, makromodel kavramı Makromodeller, herhangi bir elemanın veya devrenin lineer ve lineer olmama özelliklerini aslına olabildi ince uygun modellemek üzere, lineer elemanlar,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıBAS T VE KULLANI LI B R AKIM LEMSEL KUVVETLEND R C S TASARIMI
BAST VE KULLANILI BR AKIM LEMSEL KUVVETLENDRCS TASARIMI Atilla UYGUR Hakan KUNTMAN, Elektronik ve Haberleme Mühendislii Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi stanbul Teknik Üniversitesi, 34469, Maslak,
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
Detaylı1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ
1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ 1.1. Giriş, Analog tümdevrelerde MOS teknolojisinin yeri Son zamanlara kadar daha çok dijital sistemlerin gerçekleştirilmesinde kullanılan MOS teknolojisi, günümüzde, analog
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,
DetaylıBÖLÜM 2: REZONANS DEVRELERI
BÖLÜM 2: REZONANS DEVRELERI Giriş (kaynak) ile çıkış (yük) arasında seçilen frekansların iletilmesi ya da süzülmesi için kullanılan iki kapılı devrelere rezonans devreleri adı verilir. İdeal seri ve paralel
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıDENEY DC Gerilim Ölçümü
DENEY DC Gerilim Ölçümü DENEY N AMACI 1. DC gerilimin nas l ölçüldü ünü ö renmek. 2. KL-22001 Deney Düzene ini tan mak. 3. Voltmetrenin nas l kullan ld n ö renmek. GENEL B LG LER Devre eleman üzerinden
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıDENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ
DENEY 9: JFET KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ 9.1. Deneyin Amacı Bir JFET transistörün karakteristik eğrilerinin çıkarılıp, çalışmasının pratik ve teorik olarak öğrenilmesi 9.2. Kullanılacak Malzemeler ve Aletler
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
DetaylıDEVRELER VE ELEKTRONİK LABORATUVARI
DENEY NO: 1 DENEY GRUBU: C DİRENÇ ELEMANLARI, 1-KAPILI DİRENÇ DEVRELERİ VE KIRCHHOFF UN GERİLİMLER YASASI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 10 Ω direnç 1 adet 2. 100 Ω direnç 3 adet 3. 180 Ω direnç 1 adet 4.
DetaylıDENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI. Malzeme ve Cihaz Listesi:
1 DENEY NO: 7 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ VE UYGULAMALARI Malzeme ve Cihaz Listesi: 1. 70 direnç 1 adet. 1 k direnç adet. 10 k direnç adet 4. 15 k direnç 1 adet 5. k direnç 1 adet. 47 k direnç adet 7. 8 k
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,
DetaylıVoltage Mode Second Order Filters Design with Inverting Current Conveyor
ELECO ' Elektrik - Elektronik ve Bilgisayar Mühendisliği Sempozyumu, 9 Kasım - Aralık, Bursa erilim Modlu Eviren Akım Taşıyıcılı İkinci Derece Süzgeç Tasarımları Voltage Mode Second Order Filters Design
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER. ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010
TRANSİSTÖRLÜ KUVVETLENDİRİCİLER ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-II Özhan Özkan / 2010 Transistörlü Kuvvetlendiricilerde Amaç: Giriş Sinyali Kuvvetlendirici Çıkış sinyali Akım kazancı sağlamak Gerilim
Detaylı6 İşlemsel Kuvvetlendiricilerin Lineer Olmayan Uygulamaları deneyi
86 Elektronik Devre Tasarım 6 İşlemsel Kuvvetlendiricilerin Lineer Olmayan Uygulamaları deneyi 6. Önbilgi Günümüzde elektroniğin temel yapı taşlarından biri olan işlemsel kuvvetlendiricinin lineer.olmayan
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıEEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I
EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku
DetaylıDENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI
DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik
DetaylıCMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA GÜVENİLİRLİĞİ
CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA ÜVENİLİRLİĞİ Yasin ÖZCELEP 1 Ayten KUNTMAN Hakan KUNTMAN 3 1, İstanbul Üniversitesi,Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü,3430, Avcılar, İstanbul 3 Elektronik ve Haberleşme
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıDENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ
DENEY: 1.1 EVİREN YÜKSELTECİN DC DA ÇALIŞMASININ İNCELENMESİ HAZIRLIK BİLGİLERİ: Şekil 1.1 de işlemsel yükseltecin eviren yükselteç olarak çalışması görülmektedir. İşlemsel yükselteçler iyi bir DC yükseltecidir.
DetaylıELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.
ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıDENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI
DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI DENEYİN AMACI: Bu deneyde işlemsel kuvvetlendiricinin doğrusal uygulamaları incelenecek ve işlemsel kuvvetlendirici kullanılarak çeşitli matematiksel
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
Detaylı6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER
6. 1 6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER Analog çarpma devreleri, giri gerilimlerinin çarpımıyla orantılı çıkı gerilimi veren düzenlerdir ve aradaki iliki V O =.V.V Y (6.1) eklindedir. büyüklüü çarpma devresinin
DetaylıPSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR
PSpice Simülasyonu Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR Ekim 2005 1. Giriş Bilgisayarla devre simülasyonu, elektronik devrelerin ve sistemlerin tasarımında en önemli adımlardan biridir. Devre ve tümdevre
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıFırat Kaçar 1, Hakan Kuntman 2. Mühendislik Fakültesi, İstanbul Üniversitesi, 34320, Avcılar, İstanbul
Yüksek Başarımlı CMOS Farksal Akımlı Geçiş İletkenliği Kuvvetlendiricisi Tasarımı Design of High Performance CMOS Current Differencing Transconductance Amplifier Fırat Kaçar, Hakan Kuntman 2 Elektrik-Elektronik
DetaylıREZONANS DEVRELERİ. Seri rezonans devreleri bir bobinle bir kondansatörün seri bağlanmasından elde edilir. RL C Rc
KTÜ, Elektrik Elektronik Müh. Böl. Temel Elektrik aboratuarı. Giriş EZONNS DEVEEİ Bir kondansatöre bir selften oluşan devrelere rezonans devresi denir. Bu devre tipinde selfin manyetik enerisi periyodik
DetaylıKOMPANZASYON ve HARMONİK FİLTRE SİSTEMLERİ
KOMPANZASYON ve HARMONİK FİLTRE SİSTEMLERİ Bahadır Yalçın ECT Mühendislik Ltd. Şti. Sabit Bey Sokak No : 1/9 Koşuyolu Kadıköy İSTANBUL 0 216 327 14 80 0 216 428 50 40 ectmuh @superonline.com ÖZET Bu bildiride,enerji
Detaylı1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ
. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ.. Giriş, Analog tümdevrelerde CMOS teknolojisinin yeri Ortaya çıktığı ilk yıllarda daha çok sayısal sistemlerin gerçekleştirilmesinde yararlanılan CMOS teknolojisi, günümüzde,
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER
K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral
DetaylıHARİCİ DİRENÇ KULLANMADAN KONTROL EDİLEBİLEN AKIM TAŞIYICI İLE TÜMGEÇİREN SÜZGEÇ TASARIMI
HARİCİ DİRENÇ KULLANMADAN KONROL EDİLEBİLEN AKM AŞYC İLE ÜMGEÇİREN SÜZGEÇ ASARM Serhan YAMAÇL Sadri ÖZCAN Elektronik ve Bilgisayar Eğitimi Bölümü Mersin Üniversitesi arsus eknik Eğitim Fakültesi, arsus-mersin
DetaylıKISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM)
İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM) 1. BÖLÜM GERİBESLEMELİ AMPLİFİKATÖRLER... 3 1.1. Giriş...3 1.2. Geribeselemeli Devrenin Transfer Fonksiyonu...4 1.3. Gerilim - Seri Geribeslemesi...5
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıYÜKSEK BAŞARIMLI İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI
YÜKSEK BAŞARML İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARM VE UYGULAMALAR Gaye GÜNGÖR Hakan KUNTMAN Sem ÇİFTÇİOĞLU 3, 3 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi İstanbul Teknik Üniversitesi,
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II
ALTERNATİF AKIM KÖPRÜLERİ 1. Hazırlık Soruları Deneye gelmeden önce aşağıdaki soruları cevaplayınız ve deney öncesinde rapor halinde sununuz. Omik, kapasitif ve endüktif yük ne demektir? Açıklayınız. Omik
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıOp-Amp Uygulama Devreleri
Op-Amp Uygulama Devreleri Tipik Op-amp devre yapıları şunları içerir: Birim Kazanç Arabelleği (Gerilim İzleyici) Evirici Yükselteç Evirmeyen Yükselteç Toplayan Yükselteç İntegral Alıcı Türev Alıcı Karşılaştırıcı
DetaylıDeney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.
Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)
DetaylıYÜKSEKÖĞRETİM KURULU PROFESÖR : MARMARA EĞİTİM KÖYÜ MALTEPE İSTANBUL
AHMET FUAT ANDAY ÖZGEÇMİŞ YÜKSEKÖĞRETİM KURULU PROFESÖR 05.02.2015 Adres : MARMARA EĞİTİM KÖYÜ 34857 MALTEPE İSTANBUL Telefon : 2166261050-2382 E-posta Doğum Tarihi : 27.08.1941 : fuatanday@maltepe.edu.tr
DetaylıDENEY 3 : TRANSİSTÖR KARAKTERİSTİKLERİ. Amaç : Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
Ön Hazırlık: Deneyde yapılacaklar kısmının giriş aşamasındaki 1. adımda yapılacakları; multisim, proteus gibi simülasyon programı ile uygulayınız. Simülasyonun ekran çıktısı ile birlikte yapılması gerekenleri
DetaylıDairesel Dalga Kılavuzlarının 2 Boyutlu FDTD Yöntemi le Modellenmesi
Dairesel Dalga Kılavuzlarının 2 Boyutlu FDTD Yöntemi le Modellenmesi Yavuz EROL, Hasan H. BALIK Fırat Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisli i Bölümü 23119 Elazı yerol@firat.edu.tr, hasanbalik@gmail.com
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem
Detaylıİşlemsel Yükselteçler
İşlemsel Yükselteçler Bölüm 5. 5.1. Giriş İşlemsel yükselteçler aktif devre elemanlarıdır. Devrede gerilin kontrollü gerilim kaynağı gibi çalışırlar. İşlemsel yükselteçler sinyalleri toplama, çıkarma,
DetaylıDENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları
Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir
DetaylıElektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)
2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:
Detaylı6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ
6. TRANSİSTÖRÜN İNCELENMESİ 6.1. TEORİK BİLGİ 6.1.1. JONKSİYON TRANSİSTÖRÜN POLARMALANDIRILMASI Şekil 1. Jonksiyon Transistörün Polarmalandırılması Şekil 1 de Emiter-Beyz jonksiyonu doğru yönde polarmalandırılır.
DetaylıYükselteçlerde Geri Besleme
Yükselteçlerde Geri Besleme Açık çevrim bir yükseltici yandaki gibi gösterebiliriz. vi A Bu devreyi aşağıdaki gibi kazancı β olan bir geri besleme devresi ile kapalı döngü haline getirebiliriz. A= vo A
DetaylıDoç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü. Ders içeriği
ANTENLER Doç. Dr. Sabri KAYA Erciyes Üni. Müh. Fak. Elektrik-Elektronik Müh. Bölümü Ders içeriği BÖLÜM 1: Antenler BÖLÜM 2: Antenlerin Temel Parametreleri BÖLÜM 3: Lineer Tel Antenler BÖLÜM 4: Halka Antenler
DetaylıT.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ
T.C. SELÇUK ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ AKIM TAŞIYICI TABANLI AKTİF DEVRE ELEMANLARININ İNCELENMESİ Mehmet DEMİRTAŞ YÜKSEK LİSANS TEZİ Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı Haziran-2014
DetaylıTURBOCHARGER REZONATÖRÜ TASARIMINDA SES İLETİM KAYBININ NÜMERİK VE DENEYSEL İNCELENMESİ
7. OTOMOTİV TEKNOLOJİLERİ KONGRESİ, 26 27 MAYIS BURSA TURBOCHARGER REZONATÖRÜ TASARIMINDA SES İLETİM KAYBININ NÜMERİK VE DENEYSEL İNCELENMESİ Özgür Palaz, Eksen Mühendislik opalaz@ex-en.com.tr Burak Erdal,
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıDENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ
DENEY 5: İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ve UYGULAMA DEVRELERİ Amaç: İşlemsel yükselteç uygulamaları Kullanılan Cihazlar ve Devre Elemanları: 1. Dirençler: 1k, 10k, 100k 2. 1 adet osiloskop 3. 1 adet 15V luk simetrik
DetaylıElektrik Devre Temelleri 3
Elektrik Devre Temelleri 3 TEMEL KANUNLAR-2 Doç. Dr. M. Kemal GÜLLÜ Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi ÖRNEK 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini bulun. (KGK) PROBLEM 2.5 v 1 ve v 2 gerilimlerini
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıKIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ
A) Kırpıcı Devreler KIRPICI DEVRELER VE KENETLEME DEVRELERİ Bir işaretteki belli bir gerilim ya da frekans seviyesinin üstündeki veya altındaki parçasını geçirmeyen devrelere kırpıcı devreler denir. Kırpıcı
DetaylıAlgılayıcılar (Sensors)
Algılayıcılar (Sensors) Sayısal işlem ve ölçmeler sadece elektriksel büyüklüklerle yapılmaktadır. Genelde teknik ve fiziksel büyüklükler (sıcaklık, ağırlık kuvveti ve basınç gibi) elektrik dalından olmayan
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıDeğişken Doğru Akım Zaman göre yönü değişmeyen ancak değeri değişen akımlara değişken doğru akım denir.
DC AKIM ÖLÇMELERİ Doğru Akım Doğru akım, zamana bağlı olarak yönü değişmeyen akıma denir. Kısa gösterimi DA (Doğru Akım) ya da İngilizce haliyle DC (Direct Current) şeklindedir. Doğru akımın yönü değişmese
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıDENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP
DENEY 7 DALGALI GERİLİM ÖLÇÜMLERİ - OSİLOSKOP Amaç: Bu deneyin amacı, öğrencilerin alternatif akım ve gerilim hakkında bilgi edinmesini sağlamaktır. Deney sonunda öğrencilerin, periyot, frekans, genlik,
DetaylıELEKTRİK DEVRELERİ-2 LABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ
EEKTRİK DEVREERİ-2 ABORATUVARI VIII. DENEY FÖYÜ SERİ VE PARAE REZONANS DEVRE UYGUAMASI Amaç: Seri ve paralel rezonans devrelerini incelemek, devrelerin karakteristik parametrelerini ölçmek, rezonans eğrilerini
DetaylıProblem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası
Yrd. Doç. Dr. Fatih KELEŞ Problem Çözmede Mühendislik Yaklaşımı İzlenecek Yollar Birimler ve ölçekleme Yük, akım, gerilim ve güç Gerilim ve akım kaynakları Ohm yasası 2 Mühendislik alanında belli uzmanlıklar
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle
Detaylı4. 8 adet breadboard kablosu, 6 adet timsah kablo
ALINACAK MALZEMELER 1. 0.25(1/4) Wattlık Direnç: 1k ohm (3 adet), 100 ohm(4 adet), 10 ohm (3 tane), 1 ohm (3 tane), 560 ohm (4 adet) 33k ohm (1 adet) 15kohm (1 adet) 10kohm (2 adet) 4.7 kohm (2 adet) 2.
DetaylıMOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı
MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,
DetaylıBölüm 1 Temel Lojik Kapılar
Bölüm 1 Temel Lojik Kapılar DENEY 1-1 Lojik Kapı Devreleri DENEYİN AMACI 1. Çeşitli lojik kapıların çalışma prensiplerini ve karakteristiklerini anlamak. 2. TTL ve CMOS kapıların girişi ve çıkış gerilimlerini
Detaylı7. MOS OS LATÖR DEVRELER
7. MOS OSLATÖ DEVELE aret üreten devreler, genel olarak, osilatör olarak isimlendirilirler. Osilatörler, doru akım gücünü periyodik dalga ekilli bir iarete çeviren devrelerdir. Osilatör yapıları, akortlu
DetaylıBÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER
BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Aşağıdaki problemlerde aksi belirtilmedikçe
Detaylıİşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs)
BLM224 ELEKTERONİK DEVRELER Hafta 12 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (Operational Amplifiers: OPAMPs) Opamp Sembolü ve Terminalleri Standart bir opamp; iki adet giriş terminali, bir adet çıkış terminaline
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıŞekil Sönümün Tesiri
LC Osilatörler RC osilatörlerle elde edilemeyen yüksek frekanslı osilasyonlar LC osilatörlerle elde edilir. LC osilatörlerle MHz seviyesinde yüksek frekanslı sinüsoidal sinyaller elde edilir. Paralel bobin
DetaylıELEZ101 Ölçme Tekniği Sunu No: 01. Öğr. Gör. Dr. Barış ERKUŞ
ELEZ101 Ölçme Tekniği Sunu No: 01 Öğr. Gör. Dr. Barış ERKUŞ Elektriksel yük ve akım nedir? 1 Coulomb luk yük 6,24 10 18 adet elektronun yüküne eşittir. İletkenin herhangi bir noktasından 1 saniyede 6,24
Detaylı