3. MOS LEMSEL KUVVETLEND R C LER
|
|
- Gözde Bölükbaşı
- 7 yıl önce
- İzleme sayısı:
Transkript
1 3. 3. MOS LEMSEL KUVVETLENDRCLER lemsel kuvvetlendiriciler, enelde, erilim kontrollu erilim kaynaı ilevini yerine etirirler. deal ilemsel kuvvetlendiricide erilim kazancı sonsuz, iri direnci sonsuz, çıkı direnci sıfır, band enilii sonsuzdur; sıcaklıa baımlılık ve distorsiyon sorunları yoktur. Pratikte, bu özelliklere yaklaılmaya çalıılır. MOS teknolojisiyle erçekletirilen ilemsel kuvvetlendirici yapılarında temel özellikler:.kazanç K d = (40dB-00dB).Sınırlı lineerlik bölesi: V O = K d. (V P -V N ) lineer baıntısı V O çıkı eriliminin sınır deerleri arasında, baka bir deyile V DD nin bıraz altı ile -V SS nin biraz üstü arasinda eçerli. 3.denesizlik erilimi MOS yapılarda 5-5 mv mertebesinde, 4. kazanç-band enilii çarpımı - 0 MHz, 5. yükselme eimi - 0 V/sn, 6. çıkı direnci açık çevrimde 0.-5k deerleri arasında, 7. ürültü erilimi 0-50 V (bipolarda 3-5V). 8. besleme kaynaındaki deiimleri bastırma 60-80dB 9. Dinamik aralıı 90dB balıkları altında özetlenebilir. MOS ilemsel kuvvetlendiricilerin performansı klasik bipolar yapılara öre farklılık österir. En önemli temel fark, MOS yapılarda kuvvetlendiricilerin yükünün tam olarak belirlenmi ve kapasitif olmasıdır. Bu kapasitif yük, enelde, birkaç pf mertebesindedir. 3.. CMOS ilemsel kuvvetlendirici Temel CMOS ilemsel kuvvetlendirici yapısı ekil-3.a'da verilmitir. Bu yapı, ekil-3.b'de verilen ve bipolar tekniinden bilinen iki kazanç katlı ilemsel kuvvetlendirici yapısına karı düer. MOS ilemsel kuvvetlendirici tasarımında yapının performansını olumsuz yönde etkileyebilecek temel özellikler:
2 . Kazancın sonlu olması,. Lineerlik bölesinin sonlu olması, 3. denesizlik erilimi, 4. frekans erisi, 5. ürültü alt balıkları altında sıralanabilir. 3. V DD V CC I O I O I O I O V i - T T C C V O V i - T T C C V O T 3 T 4 T 6 T 3 T 4 T 6 -V SS -V EE (a) (b) T 5 V DD T 8 T 7 I O I 7 V O T T I 6 I B T 6 T 3 T -V SS (c) ekil-3.. a) ki kazanç katlı CMOS ilemsel kuvvetlendirici, b) yapının bipolar tekniindeki karılıı, c) erçekletirme devresi Devrenin açık çevrim kazancı, kazanç katları için verilen yöntemle kolayca hesaplanabilir. MOS tranzistorun iri direncinin çok yüksek olması nedeniyle ilk kat ikinci kat tarafından yüklenmez. Gerilim kazancı iki katın kazançları ayrı ayrı hesaplanarak bulunabilir. lk katın erilim kazancı hesaplanırsa
3 K = V m o o (3.) bulunur. Burada m iri tranzistorlarının eimi, O ve O4 de tranzistorların çıkı iletkenlikleridir. Benzer ekilde hareket edilirse, ikinci katın kazancı da m6 K V = - (3.) o6 o7 olarak elde edilir. Toplam kazanç bu iki kazancın çarpımı olur. Bu tür yapılarda birkaç bin mertebesinde erilim kazancı salanması istenir. her bir kat 50 civarında kazanç salar. Bu tür yapılar enellilkle anahtarlanmı kapasiteli süzeçlerde kullanılırlar ve bu civardaki kazanç söz konusu uyulama alanı için yeterli olur CMOS ilemsel kuvvetlendiricilerde denesizlik CMOS ilemsel kuvvetlendiricilerde çıkıı sıfıra etirecek denesizlik eriliminin iki bileeni bulunur. Bunlardan birincisi, uyun olmayan boyut ve kutuplama nedeniyle ortaya çıkan sistematik denesizlik, ikincisi ise imalat toleranslarından kaynaklanan rastele denesizliktir. Sistematik denesizlik T8 T5 T7 VDD T 8 T 5 T 7 V DD IO I7 I O I 7 IB T IO/ T3 T IO/ T4 VO Vi I6 T6 VO -VSS T T IO/ IO/ I B T 6 T 3 T 4 VGS6 VGS3 - - I 6 I G -V SS ekil-3.. CMOS ilemsel kuvvetlendiricide sistematik denesizlik
4 3. 4 MOS ilemsel kuvvetlendiricilerde kat baına salanan erilim kazancı düüktür, dolayısıyla ikinci kat da denesizlik üzerine etkilidir. lk katın irileri ekil-3.'de österilen biçimde referans noktasına balansın, yani topraklansın. T - T 5 tranzistorları ile kurulmu olan iri fark kuvvetlendiricisi asimetrik çıkılı, yapının T 6 -T 7 tranzistorlarıyla kurulmu bulunan çıkı katı da yine asimetrik çıkılıdır ve T 7 tranzistoru aktif yük örevini üstlenmektedir. deal durumda her iki iri ucunun da toprak potansiyelinde bulunması nedeniyle, V O çıkı erilimin ve buna balı olarak I G akımının sıfır, dolayısıyla da T 6 ve T 7 tranzistorlarının savak akımlarının I 6 = I 7 olması erekir. Yapıda, aynı eçit-kaynak erilimi altında aynı savak akımı aktıından, T 4 tranzistorunun savaındaki erilim T 3 tranzistorunun savak erilimine eit olur. Dolaysıyla her iki tranzistorun V DS erilimleri aynıdır. Bu erilim ise T 6 tranzistorunun V GS eçit-kaynak erilimine eittir. Oysa, T 6 tranzistorunun çıkı erilimini sıfır yapmak üzere ereksinme österdii eçit erilimi bundan farklı olabilir. Bu nedenle,t 3, T 4 ve T 6 nın akım younlukları, bu üç elemanda aynı olacak biçimde W/L oranlarının seçilmesi zorunlu olur. Devrede dene durumunda olduundan tüm akım ve erilimler simetriktir. ise (W / L ) = (W / L ) ve (W / L ) = (W / L ) 3 4 olur. Bu art yerine elmiyorsa V V = V DS 3 DS 4 = V GS 3 GS 6 I 6 = I 7,I G = 0 ve V DS 6= 0 ( V SS) =V I G 0 olur ve bir denesizlik oluur. Bu denesizlik sistematik denesizlik olarak isimlendirilir.v GS6 'nın çıkıı sıfıra etiren deerini V GS6M ile österelim. Böylece iri denesizlik erilimi SS
5 V OS = V - V K 3. 5 GS 6 GS 6 M GS 3 GS 6 M d = V - V K biçiminde ifade edilebilir. Bu baıntıda K d iri katının fark iaret kazancını östermektedir. Elemanların doymada oldukları varsayılır ve kanal boyu modülasyonu da ihmal edilirse d V GS3 =V DS3 =V GS4 =V DS4 =V TN I O. kn'.(w/l ) 3 yazılabilir. Benzer ekilde T 6 için V GS 6 =V TN.I 6 k n '.(W/L ) 6 elde edilir. I 6 = I 7 ve V GS6 = V GS3 olması erektiinden V GS 3 =V TN.I 7 k n '.(W/L ) 6 olur. Böylece (W / L ) (W / L ) 3 6 = ( I O / ) I artı elde edilir. T 5 ve T 7 tranzistorlarının eçit-kaynak erilimleri birbirine eittir. Kanal boyu modülasyonunun da ihmal edilebilecei özönünde tutulursa 7 (W / L ) (W / L ) 5 7 = I I O 7 bulunur. Bütün bunların biraraya etirilmesiyle (W / L ) = (W / L ) = (W / L ) (W / L ).(W / L ) 3 4 (W / L ) artı elde edilir = I O.I 7 (3.3)
6 3. 6 Rastele denesizlik Rastele denesizlik. tranzistorların eik erilimleri ve W/L oranları arasında imalat toleransları nedeniyle ortaya çıkan farklılıktan ileri elir. T - T iri tranzistorlarının ve T 3 -T 4 yük tranzistorlarının eometrisindeki (W/L oranlarındaki) toleranslar nedeniyle aynı kutuplama artları altında bu tranzistorların savak akımları, yahut prosesteki farklılıklar nedeniyle aynı savak akımı için ereken kutuplama erilimleri, dolayısıyla eik erilimleri farklı olabilir. lk önce T 3 -T 4 yük tranzistorlarının akımlarının aynı kutuplama artları altında farklı oldukları varsayılsın. Bu durumda, tranzistorların akımları I = ( - ).I I =.( ).I 3 O 4 O olur. Bu denesizlii düzeltmek için devrenin iriine uyulanması ereken fark iri erilimi.i O V OS = (3.4) mi deerindedir. Giri denesizlik eriliminin V OS bileenini azaltmak üzere iri tranzistorlarının eimlerinin artttırılması yahut I O kutuplama akımının azaltılması erekir. kinci adımda iri elemanlarının boyutları ve eik erilimleri denesiz, yük elemanları ise deneli olsun. Buna öre (W / L ) = ( - ).(W / L ) V T = V T - V T yazılabilir. Eik erilimlerinin denesizliini idermek üzere V T farkı kadar bir denesizlik eriliminin irie uyulanması erekli olur. Böylece iri denesizlik eriliminin bu ikinci bileeni V OS = V Ti (3.5) biçiminde ifade edilebilir. Giri tranzistorlarındaki eometrik denesizlikten ileri elen denesizlik için
7 3. 7 I = -.I = -. k GS T.(V -V ) V OS =.IO 3 (3.6) mi yazılabilir. Baıntıdan fark edilebilecei ibi, V OS3 bileeni, V OS bileeninde olduu ibi, (W/L) oranı arttırılarak veya I O kutuplama akımı azaltılarak küçültülebilir. Her iki etken de (V GS -V T ) farkını azaltacak yönde etkisini österir. V T farkı ise I O kutuplama akımı ve (W/L) oranından baımsızdır. Yük tranzistorlarının eik erilimleri arasında oluacak bir fark da iri denesizlik erilimi üzerine etkili olur. Bu denesizlii düzeltmek için irie uyulanacak denesizlik bileeni V T3-4 m3 V OS 4 = = V T3-4. (3.7) Kd eklinde ifade edilebilir. m Bütün bunların biraraya etirilip düzenlenmesiyle rastele denesizlie ilikin denesizlik erilimi için V OS = V T- V T3-4. m3 m (V -V ) (W / L ) (W / L 3-4 ). - W / L W / L (3.8) GS T baıntısı elde edilir. Bu baıntıda ilk terim iri tranzistorları eik erilimleri arasındaki denesizlii, ikinci terim yük elemanları eik erilimleri arasındaki denesizlii vermektedir. W/L oranlarının uyun seçilip yük tranzistorlarının eimleri iri tranzistorlarının eimlerinden küçük tutulursa, yük elemanlarının eik erilimlerinden ileri elen denesizlik terimi minimize edilebilir. Üçüncü terim ise iri tranzistorları ve yük tranzistorlarına ilikin W/L oranları arasındaki denesizliini vermektedir. Giri tranzistorlarının düük bir (V GS - V T ) farkı ile çalıtırılmasıyla, bu terimi minimize etmek mümkündür. Pratikte (V GS - V T ) farkı 50mV ile 00mV mertebesinde tutulur.
8 3. 8 0lo K VO 0lo / 3... Frekans kompanzasyonu db -0dB/dek -40dB/dek 0lo / 0-90 o -80 o -70 o s p s p s p3-60db/dek ekil-3.3. lemsel kuvvetlendiricinin açik çevrim kazanç-frekans ve faz-frekans karakteristii. lemsel kuvvetlendiriciler, enellikle, neatif eribesleme uyulanarak çalıtırılırlar. Neatif eribesleme ile çalımada en önemli sorun kararlılık sorunudur. deal ilemsel kuvvetlendiricide band eniliinin sonsuz ve bu nedenle kuvvetlendiriciye osilasyon tehlikesi olmaksızın istenildii kadar neatif eribesleme uyulanabilmesine karılık, erçek bir ilemsel kuvvetlendiricide durum deiiktir. Gereçek ilemsel kuvvetlendiricinin frekans band enilii sonsuz deildir ve açık çevrimde çalımada transfer fonksiyonunun yüksek frekanslar bölesinde kutupları vardır. Gerçek ilemsel kuvvetlendiricinin enlik-frekans ve faz frekans erileri ekil-3.3'de örülmektedir. Uyulanan bir neatif eribeslemenın frekans erisini ne ekilde etkileyecei, yine ekil-3.3 üzerinde österilmitir. kadar bir eribesleme uyulanması durumunda.k >> ise eribeslemeli durumdaki kazanç / olur. Devrenin kararlı kalabilmesi için uyulanan neatif eribeslemenin hiçbir ekilde pozitife dönmemesi, baka bir deyile kazanç 0 db deerine ulaana kadar hiç bir frekansta faz dönmesinin 80 o olmaması ereklidir. Kazanç 0 db deerini aldıında faz dönmesini 80 o deerine tamamlayan deere faz payı adı verilir. Faz dönmesinin 80 o olduu frekansta kazancın 0dB ile olan farkına da kazanç payı
9 3. 9 ismi verilmektedir. Sistemin kararlı kalabilmesi için bu iki büyüklüün de pozitif olması ereklidir. kadar bir eribesleme uyulanması durumunda, ekilden de fark edilebilecei ibi, faz dönmesi 80 o den az olur ve devre kararlı kalır. kadar bir eribesleme uyulanması durumunda ise kesim frekansında faz dönmesi 80 o den büyük olur ve devre osilasyon yapar, yani kararsız olur..k V çarpımına sistemin çevrim kazancı adı verilir. Devrenin kararlı olabilmesi için çevrim kazancının faz payının arttırılması erekir. Bu ileme frekans kompanzasyonu adı verilir. Kompanzasyon yapılmadan, devrenin kazancı K Vf < / X yapılamaz, kuvvetlendirici osilasyon yapar. Frekans kompanzasyonu için en basit yöntem yapının band eniliini daraltmaktır. Bunun için transfer fonksiyonuna bir düük frekanslı bir baskın kutup yerletirilir, böylece çevrim kazancı.k V = iken faz kaymasının 80 o C'den küçük tutulması salanmı olur. En zor durum = durumudur ki, bu durumda çevrim kazancı devre kazancına eit olur. Kompanzasyonlu devre için elde edilen kazançfrekans ve faz-frekans erileri ekil-3.4'de verilmitir. ekilden örülebilecei ibi, yapılan kompanzasyonla frekans erisinin en düük açık çevrim kutbu frekansı olan P açısal frekansına kadar -0 db/dekat yahut 6 db/okt'lık bir eimle dümekte ve bu bölede faz -90 o olmaktadır. Kompanzasyonlu durumdaki baskın kutup öyle seçilir ki, P de kazanç, yani 0 db, olur. Faz payı 45 o olduundan, sistem kararlı kalır. Buna öre, kompanzasyonlu devrenin açık çevrim baskın kutbu s = pd K. s p (3.9) V biçiminde yazılabilir. Baskın kutbu s PD olacak ekilde kompanze edilmi ve frekans erisi ekil-3.4'deki biçimde deien bir kuvvetlendiriciye K Vf > olacak ekilde eribesleme uyulansın. Bu durumda elde edilecek frekans erisi ekil-3.5'de verilmitir. x açısal frekansında çevrim kazancı olur. Faz payı ise 90 o dir. Devrenin -3dB düme noktası band enilii x olduuna öre, devreye erekenden fazla kompanzasyon uyulanmı ve band eniliinin fazlaca daraltılmı olduu kolayca fark edilebilir. Bunun balıca nedeni, devrenin birim kazanç band eniliine öre kompanze edilmi, ancak daha yüksek
10 3. 0 ekil-3.4. Kompanzasyonlu durumda kazanç-frekans ve faz-frekans erileri. ekil K vf > olması durumu.
11 3. kazançta kullanılıyor olmasıdır. Genel amaçlı ilemsel kuvvetlendiricilerde frekans kompanzasyonu dıarıdan uyulanarak çeitli kazanç deerleri için esneklik salanır. Tümdevre tekniinde ise, özellikle eni çapta tümletirme söz konusu olduunda bu yola bavurma olanaı bulunmamaktadır; zira dıarıdan eleman balanması söz konusu deildir. Daha etkin bir yöntem, önceki yapılarda yapıldıı ibi devrenin orijinal kutuplarına dokunulmadan transfer fonksiyonuna baskın kutup eklenmesi yerine, en düük açık çevrim kutbu s P 'in devreye eklenecek bir ek kondansatör yardımıyla düük frekanslar bölesine kaydırılması yöntemidir. Bunun için s P kutbunun hani elemanlar tarafından belirlendiinin bilinmesi erekmektedir. Daha yüksek frekanslı s P ve s P3 kutupları ise yapılan ilemden etkilenmezler. Kullanılacak kompanzasyon kondansatörü de enellikle bir MOS kapasite olarak kolaylıkla erçekletirilebilir. Bu durumda frekans erisi kompanzasyonsuz haldeki ikinci kutba, s P kutbuna, kadar -0dB/dek yahut - 6dB/okt'lık bir eimle dümekte ve bu kutba ulaıldıında kazanç deerini, faz payı ise 45 o deerinin almaktadır. Bu durumda elde edilen frekans ve faz erileri ekil-3.6'da verilmitir. ekilden fark edilebilecei ibi, bu yöntemin uyulanmasıyla, önceki duruma öre daha büyük bir band enilii elde edilmektedir. Daha büyük band eniliine ereksinme duyulması durumunda ise, ileride ele alınacak olan özel ve yüksek performanslı ilemsel kuvvetlendirici yapılarından yararlanılmaktadır. ekil-3.6. Kutup kaydırma yöntemi.
12 3. Genel amaçlı kullanılmada frekans kompanzasyonu için bavurulan en yayın yol, frekans erisinin en düük açık çevrim kutbuna kadar -0dB/dek'lık eimle dümesini salamaktır. Bunun için enellikle ikinci kazanç katının iri ve çıkı uçları arasına bir kompanzasyon kapasitesi balanır. Böylece, neatif kazançlı bu ikinci kazanç katı bir interatöre dönütürülmü olur. Yapı Miller interatörü oluturduundan, bu kompanzasyon Miller kompanzasyonu olarak isimlendirilmektedir. C C V P V V O R C R C V N m.v m.v V = V P - V N ekil-3.7. ki kazanç katlı ilemsel kuvvetlendiricinin küçük iaret edeer devresi. Ele alınan iki katlı ilemsel kuvvetlendirici yapısının frekans analizi küçük iaret edeer devresi yardımıyla yapılabilir. Küçük iaret edeer devresi ekil-3.7' de verilmitir. Devrenin yüksek frekanslar bölesinde iki kutbu ve sa yarı düzlemde bir sıfırı vardır. Sıfır ve kutuplar s = m s 0 = C C s= CC - (.R ).C.R C m C - m C C C C C C C (3.0) (3.) (3.) eklindedir. Bu sonuç bipolar tranzistorlu devreler için de eçerlidir. Ancak, eleman özellikleri açısından ele alındıında, iki yapı arasında belirin farklar ortaya çıkar. Bipolar yapıda s P ve s O nun deerleri, eimin yüksek olmasının bir sonucu olarak, yüksektir ve bunların etirdii faz kayması ilemsel kuvvetlendiricinin birim kazanç band enilii frekansında ihmal edilebilir. MOS tranzistorlu devrelerde ise böyle
13 3. 3 deildir. MOS tranzistorun eiminin düük olması nedeniyle sorun çıkar. s P ve s O ilemsel kuvvetlendiricinin = m /C C birim kazanç band eniliine daha yakın olurlar. C << C C ve C artı altında s = - m.c.c s0 m = C m m olur. Sa yarıdüzlemdeki sıfır birim kazanç band eniliine iki katın eimlerinin oranıyla balıdır. Fiziksel olarak kompanzasyon kapasitesi yüksek frekanslarda dorudan doruya ileri yönde bir iaret yolu oluturur ve ikinci kat tranzistorunun eçidi ile savak ucunu kısa devre ederek bu tranzistoru diyot balı tranzistora dönütürür. C ve C nin etkisi ihmal edilirse, alçak frekanslarda interatör ilevini yerine etiren ikinci kat tranzistoru, yüksek frekanslarda kompanzasyon kapasitesinin etkisiyle diyot balı tranzistor biçiminde ilk kata yük olarak elir. Bunun direnci / m olduundan, yüksek frekanslarda kazanç m / m biçimini alır. Bu kazancın iareti alçak frekanslardaki kazancınkinin tersidir; bu nedenle,uyulanan kompanzasyon, herhani bir neatif eribeslemeyi pozitif eribeslemeye çevirir. Sorunu idermek üzere bir yaklaım, çıkıtan eriye doru kompanzasyon kapasitesi yolu üzerine bir kaynak izleyici koymak, böylece ileri yönde eçii enellemektir. Ancak, bu yöntem fazla eleman ve kutuplama akımı erektirir. Böyle bir yapı örnei ekil-3.8'de verilmitir. Daha basit bir yöntem, kompanzasyon kapasitesine seri bir sıfırlama direnci etirmektir. Bu yöntemin uyulanması, ekil-3.9'da österilmitir. Bu durumda devrenin sıfırı s 0 = C C. - RZ m (3.3) baıntısıyla verilmektedir. Bu baıntıya öre, R Z = / m yapıldıında, sıfır sonsuza kayar ve etkisi iderilir. R Z daha da arttırılırsa, sıfır sol yarıdüzleme kayar ve kuvvetlendiricinin faz payını iyiletirir.
14 3. 4 C C V P V V O R C R C V N m.v m.v V = V P - V N ekil-3.8. Kompanzasyon yolu üzerine kaynak izleyici yerletirilmesi. Dier bir sorun kapasitif yüklenme sorunudur. Bu durumda baskın olmayan kutup ikinci katın eiminin ilk katın eimine oranına ve yük kapasitesinin kompanzasyon kapasitesine oranına balıdır. ÿlk ve ikinci kat eimleri benzer ve yük kapasitesi ile kompanzasyon kapasitesi aynı mertebede ise, birim kazançta faz payı azalır. C C RZ VP V VO R C R C VN m.v V= VP - VN m.v ekil-3.9a. Sıfırlama direnci.
15 3. 5 Im artan RZ RZ = 0 Re ekil-3.9b. Sıfırlama direncinin sıfıra etkisi Kompanze edilmi CMOS lemsel kuvvetlendiricinin eçici hal cevabı, yükselme eimi _ C C m.v in V O ekil-3.0. Yükselme eimini incelemek için kullanılan model. lemsel kuvvetlendirici, kompanzasyonlu durumda, PD << << P aralıında çalıtırılsın. Bu aralıkta kuvvetlendiricinin iri katı frekanstan baımsız bir erilim kontrollu akım kaynaı, ikinci kat ise C C kompanzasyon kapasitesi iri ile çıkı uçları arasına balanmı ve davranıı frekanstan baımsız olan ideal bir kuvvetlendirici ile temsil edilerek modellenebilir. Bu yoldan hareket edilerek oluturulan model, ekil-3.0 da verilmitir. Devreden hareket edilirse V O çıkı erilimi için
16 V (s) = O mi s.c C IN 3. 6.V (s) (3.4) baıntısı elde edilir. j domenine eçilirse, devrenin kazancının modülü mi K V (j ) = j C olur. s p >> artı altında birim kazanç band enilii C (3.5) mi = (3.6) C C olur. Yapının transfer fonksiyonu KO K V (s) = - s s p (3.7) biçiminde ifade edilebilir. Bu ekilde modellenen ilemsel kuvvetlendirici evirici yapısı içine alınarak yükselme eimi incelensin. Devrenin iriine v in(t) = V.u(t) eklinde bir basamak erilimi uyulansın. Bu durumda elde edilecek çıkı iareti v o (t)= -V.u(t).K O t. - exp (- ) (3.8) olur. Baıntıdan fark edilebilecei ibi, irie küçük enlikli bir basamak iareti uyulanması durumunda çıkı iareti üstel bir deiim östermektedir. Girie büyük enlikli bir iaret uyulanması durumunda ise dorusal (sabit eimli) bir yükselme ve düme elde edilir. Baka bir deyile, çıkı iaretinin deiim hızının alabilecei maksimum bir deer bulunmaktadır ve çıkı iareti en fazla bu hızla deiebilir. Çıkı iaretinin maksimum deiim hızı yükselme eimi olarak isimlendirilir. Çıkı iaretinin küçük ve büyük enlikli iri iaretleri için ne ekilde deiecei ekil- 3. 'de österilmitir. Yükselme eimi, ilemsel kuvvetlendiricinin çalıtırıldıı devre yapısına öre farklılık österebilir. Bu bölümde, iki kazanç katlı kuvvetlendirici yapısının faz döndüren kuvvetlendirici ve erilim izleyici olarak çalıtırılması durumları ele alınacaktır.
17 3. 7 R V in R _ V O V in kücük iaret V O büyük iaret V O t t t t yükselme eimi ekil-3.. Çıkı iaretinin küçük ve büyük enlikli iaretler için deiimi. R V DD C C R T 3 T 4 I O V in T T I O _ kesimde V O 0 V IO 0 -V -V SS ekil-3.. Faz döndüren kuvvetlendirici. Faz döndüren kuvvetlendirici yapısı içinde yer alan ilemsel kuvvetlendirici bloku ekil-3.'de verilmitir. V IN iri erilimi 0 iken T ve T tranzistorları eit
18 3. 8 erilimlerle kutuplanmılardır, bu nedenle bu tranzistorların akımları da birbirine eit ve I O / deerinde olurlar. Girie ekilde österilen yönde büyük enlikli bir basamak iareti uyulandıı varsayılsın. Bu durumda T tranzistoru iyice iletime sürülür ve I O akımının tümünü akıtır. T tranzistoru ise kesime sürülür ve akımı sıfır olur. T tranzistorundan akan I O akımı diyot balı T 3 tranzistorundan ve akım aynası dolayısıyla yansıyarak T 4 tranzistorundan da akar ve C C kondansatörünü doldurur. Sabit akımla dolan kondansatörün uçlarındaki erilim zamanla lineer olarak, yani sabit eimle, artar. Kompanzasyon kapasitesi, neatif kazançlı ikinci kazanç katı ile birlikte bir interal alıcı devre oluturduundan, çıkı iaretinin yükselme eimi SR = dv dt O maks = I C olur. Bilindii ibi, kompanzasyon kapasitesinin deeri mi C C = O C (3.9) (3.0) baıntısıyla, iri tranzistorlarının eimi ve seçilmi olan birim kazanç band enilii cinsinden ifade edilmektedir. Giri katının eimi =.C. W L.I (3.) mi OX O olduundan, çıkı iaretinin yükselme eimi SR = I O. mi =. I O.C. W OX L (3.) olur. Faz döndüren kuvvetlendirici yapısının yükselme eimi, baıntıdan fark edilebilecei ibi, birim kazanç band enilii arttırılarak, iri katının kutuplama akımı arttırılarak, yahut iri tranzistorlarının (W/L) oranları azaltılarak arttırılabilir. MOS tranzistorlarda eimin deeri bipolar tranzistorlara öre çok düüktür. Salanacak kazanç ve denesizlik ibi olaylar ele alındıında, bu durum önemli bir sakınca oluturmaktadır. Ancak, yükselme eimi dikkate alındıında, MOS yapılarda elde edilebilecek yükselme eiminin, aynı özellikteki bipolar ilemsel kuvvetlendiricidekinden daha yüksek deerler elde edilebilecei örülür. Bunun balıca nedeni, verilen belirli bir birim kazanç band enilii için (3.6) baıntısı uyarında, eimin düük olmasından ötürü, bulunacak C C kompanzasyon kapasitesi deerinin daha küçük olmasıdır.
19 3. 9 Benzer bir inceleme, neatif yönde uyulanacak iri basamak iaretleri için de yapılabilir. Yükselme eimi olur. SR = I O CC (3.3) Gerilim izleyici (faz döndürmeyen kuvvetlendirici) için yükselme eimi V in V V in - _ V O V O V ekil-3.3. Gerilim izleyici ve basamak yanıtı. t t Gerilim izleyici yapısı ve bunun basamak iaretine cevabı ekil-3.3 'de verilmitir. ekilden kolayca izlenebilecei ibi, iri iaretinin yükselen kenarına karı düen çıkı iaretinde ilk önce basamak eklinde bir yükselme, daha sonra ise rampa biçimli sabit eimli bir yükselme ile karılaılmaktadır. Giri iaretinin düen kenarına karı düen çıkı iareti ise, yükselen kenardakinden farklı olarak, yava ve sabit eimli bir deiim izlemektedir. Bu iki durum ayrı ayrı ele alınsın. Faz döndürmeyen kuvvetlendiricinin, ekil-3.4'deki ibi, bir iri katı ve interatör olarak ele alınmı ikinci kazanç katı modeliyle temsil edildii varsayılsın. Pozitif yöndeki iri basamaına cevabı inceleyelim. I O akım kaynaına elen edeer daılmı kapasite oldukça büyük deerlidir. T ve T tranzistorlarının kaynakları bunların kendi tabanlarına balıdır. Baka bir deyile, bunlar p kuyulu olarak erçekletirilmilerdir ve her birinin kendi tabanı bulunmaktadır. Bu ekilde oluturulan tranzistorlarda kuyu ve esas taban arasında büyük deerli bir kapasitif etki ortaya çıkar. Öte yandan irie uyulanan basamak biçimli erilim sıçraması v i (t) = V.u(t) biçiminde birim basamak fonksiyonu
20 3. 0 cinsinden verilebilir. Bu durumda T ve T 3 tranzistorları kesimde, T tranzistoru iletimde olduundan,t tranzistorundan I O i w deerinde bir akım akar. Ortak kaynak noktasında C w daılmı kapasitesi ve I O akım kaynaının oluturduu empedans, T tranzistorunun kaynaından içeriye doru bakıldıında örülen / m empedansından çok büyük olur. Bu nedenle v (t) = v (t) w in V DD C C T 3 T 4 I O i w I Oi w _ T T V O V in i w C W I O T, T 3, T 4 kesimde -V SS T iletimde V DD C C T 3 T 4 I O - i w I O - i w IO - iw _ V in T T V O i w C W I O T, T 3, T 4 iletimde -V SS T kesimde ekil Gerilim izleyicinin pozitif ve neatif erilim sıçramaları için modellenmesi
21 3. yazılabilir. Böylece C w kapasitesinden akan ı w akımı i (t) = C w w dv w(t) dt in = C dv w dt biçiminde ifade edilebilir. Girie uyulanan basamak iaretine karı düen çıkı iareti deiimi v (t) = o C t C 0 ( I i )dt O w t v o(t) = I C t C C CC 0 O w dv dt in dt O w v o(t) = I C t C C CC V u(t) (3.4) olur. Bu baıntıdaki ilk terim zamanla lineer deien bir yükselme, ikinci terim ise ilk bata izlenen basamak biçimli yükselmeyi verir. Kuvvetlendiriciye neatif bir erilim sıçraması uyulandıında, T tranzistoru kesime, T, T 3 ve T 4 tranzistorları ise iletime sürülürler. Bu durumda iletime sürülen tranzistorlardan I O - ı w akımı akar. C C nin bir ucu örünürde toprak potansiyelinde, C w ise V w potansiyeli ile toprak arasında olur. Bu durumda çıkı iaretinin deiim hızı dv dt o O w dv dt = I - i = - i CC C Cw i w = I O C C o C c I O = - C C w w w w (3.5) biçiminde ifade edilebilir. Neatif yöndeki yükselme eimi, yapının edeerinde C w daılmı kapasitesinin bulunması nedeniye, I O /C C deerinden I O /(C C C w ) deerine dümekte, yani C w /C C oranında azalmaktadır.
22 CMOS ilemsel kuvvetlendiricilerde ürültü CMOS ilemsel kuvvetlendiricilerde ürültü, yapıda iaret yolu üzerindeki tranzistorların her biri için ürültü erilimi kaynaı da dikkate alınarak incelenebilir. ki kazanç katlı ilemsel kuvvetlendirici yapısı için elde edilen ürültü edeeri ekil-3.5'de verilmitir. Böyle bir yapıda, ürültü, edeer bipolar yapıdakine öre 0 kat daha yüksektir. Yapıda yer alan üç kat, kat iriine indirenmi edeer ürültü erilimi yaknaı ve ürültüsüz kuvvetlendirici cinsinden ayrı ayrı modellenmitir. T 5 akım kaynaı tranzistorundan ileri elen ürültü ise, ilemsel kuvvetlendiricinin CMRR ortak iareti bastırma miktarı oranında bastırılır ve etkisiz kılınır. V DD v n3 v n4 T 3 T 4 v n V A A v n v T T in v n6 T 6 v n8 v n9 T 8 v o T 5 v n7 T 7 T 9 V B -V SS v i _ K A B d K S K O v nd v ns v no v o ekil-3.5.ki kazanç katlı ilemsel kuvvetlendiricide ürültü edeeri.
23 3. 3 Giri tranzistorlarına ilikin v n ve v n ürültü kaynaklarından A noktasına yansıyan ürültü, v A v A m K d = = = (3.6) vn vn o o4 ürültü kazancı ile ifade edilebilir. Benzer ekilde hareket edilerek, T 3 ve T 4 tranzistorlarına ilikin v n3 ve v n4 ürültü kaynaklarından A noktasına kadar ürültü kazancı da tanımlanabilir. v n3 ürültü eriliminden yansıyan akım bileeni i =.v m3 n3 olur. Bu bileen T 4 tranzistoru ile aynalanır. Böylece v = A.v m3 n3 o o4 elde edilir. Benzer ekilde, T 4 tranzistoruna ilikin v n4 ürültü erilimi için A A m K v = v = v 3 = v v n3 n4 o o4 (3.7) yazılabilir. Bütün bu ürültü kaynaklarının A noktasında oluturacaı ürültü ücü dikkate alınır ve bu ürültüyü oluturan erilim fark kuvvetlendiricisinin iriine indirenirse A olduundan d v = K.(v v ) K.(v v ) n n v n3 n4 v nd = v m4 n vn. v n3 vn4 m (3.8) elde edilir. Baıntıdan fark edilebilecei ibi, v nd 'yi minimize etmek için n ve v n 'nin etkilerinin düük tutulması, ve m4 << m artının salanması erekli olmaktadır. Bu artlardan ilkinin yerine elebilmesi için T -T çiftini oluturan tranzistorların W.L yüzeyi ile bunların m eiminin büyük tutulması erekir. Bu ise kırmık üzerinde yer kaybı ve ek üç harcaması anlamına elmektedir. m4 <<
24 3. 4 m arının salanması için kutuplamanın elverdii oranda yük tranzistorlarının L kanal boyu arttırılmalıdır. Bu ise, iri ve yük tranzistorları için ayrılan yüzeyin belli olduu varsayımı altında, T - T çiftine ayrılan alan büyük, T 3 -T 4 çiftine ayrılan alanın kiçik tutulacaı anlamına elir. Bir NMOS tranzistordaki /f ürültüsü, bir p kanallı tranzistordakine öre 3 defa kadar daha yüksek olur. ki kazanç katı arasında seviye öteleme amacıyla yerletirilmi olan ve T 6 - T 7 tranzistorları ile kurulan kaynak izleyici için benzer yoldan hareket edilerek edeer ürültü erilimi hesaplanırsa elde edilir. Bu edeer erilim, aaıdaki biçimde ilemsel kuvvetlendiricinin iriine de indirenebilir: olduundan v nd = v ns v = v m n6 7.vn7 (3.9) m6 ns v n = v nd v K d m4 n vn. v n3 vn4 m v n6 d m7 n7 K m6.v (3.30)) elde edilir. Baıntıdan kolayca fark edilebilecei ibi, K d >> artının salandıı alçak frekanslarda v ns kolayca ihmal edilebilir. Kazancın dütüü yüksek frekanslarda ise durum böyle deildir. Bu ürültü etkisini düük düzeyde tutabilmek üzere m6 eiminin büyük tutulması erekecei kolayca fark edilebilir. kinci kazanç katından ileri elen ürültü ise önemli deildir ve edeer iri ürültü erilimine katkısı ihmal edilebilir.
25 Yüksek baarımlı ilemsel kuvvetlendiriciler Buraya kadar ele alınan basit iki kazanç katlı ilemsel kuvvetlendirici yapıları, daha çok, sc süzeci yapılarına uyun topolojilerdir. Yüksek frekanslı aktif süzeç yapıları, yüksek doruluklu ve hızlı D/A ve A/D çeviriciler, enstrümantasyon kuvvetlendiricileri ibi uyulamalar söz konusu olduunda, bu tür basit yapılar yetersiz kalırlar. Standart iki katlı yapının en önemli sakıncası, bu tür yapılarda kazancın düük olmasıdır. lemsel kuvvetlendiricinin kazancı, kat kazançlarının çarpımı ile belirlenir. Ele alınmı olan iki katlı yapılarda açık çevrim kazancı 80dB kadar olur. Yapıya ek katlar yerletirilerek kazancın arttırılması yoluna idilmesi uyun bir çözüm deildir; zira, ek katlarla beraber transfer fonksiyonunun kutup sayısı da artar ve frekans kompanzasyonu zorlaır. Bu nedenle, kazancın yükseltilmesi için yapıda deiiklikler yapılması erekli olur. Bunun yanısıra, bazı uyulamalarda, band eniliinin büyük olması da erekebilir. Yüksek performanslı ilemsel kuvvetlendiriciler, yüksek deerde birim kazanç band enilii (kazanç-band enilii çarpımı) ve yükselme eimi elde etmek üzere kullanılan yapılardır. Bu tür ilemsel kuvvetlendiriciler enellikle daha fazla üç harcarlar. daha önce de belirtildii ibi, ilemsel kuvvetlendiriciler enellikle iki rupta incelenebilir: Bunlardan birincisi, eçi iletkenlii kuvvetlendiricisi, ya da kısa adıyla OTA dır. Bu tür yapıların çıkı direnci oldukça yüksektir. kinci rup ise, çıkı direnci düük olan ilemsel kuvvetlendirici yapılarıdır. Yüksek çıkı dirençli ilemsel kuvvetlendirici yapıları için tamponlanmamı (ayırıcı çıkı katı kullanılmamı) ilemsel kuvvetlendiriciler deyimi de kullanılmaktadır. lemsel kuvvetlendiricilere ilikin bölümde buraya kadar ele alınan yapılar tamponlanmamı ilemsel kuvvetlendirici yapılarıdır. Tamponlanmamı ilemsel kuvvetlendiriciler düük deerli yükleri süremezler. Bu nedenle, bazı özel uyulamalar için kapasitif yükleri ve düük empedanslı yükleri sürmek üzere yararlanılabilecek yöntemlerin aratırılması erekir.
26 3. 6 Yukarıda bahsedilen iki rup ilemsel kuvvetlendirici arasındaki temel fark, yüksek performanslı ilemsel kuvvetlendiricilerde kullanılan çıkı katı yapılarından ileri elir. Bu çıkı katları sadece MOS tranzistorlarla kurulabilecei ibi, MOS tranzistorlar ve CMOS teknolojisinde bulunan bipolar tranzistorlardan yararlanılarak da oluturulabilir. Devreye çıkı katı eklenmesi, açık çevrim transfer fonksiyonuna ek kutuplar elmesine neden olur ki, bunun da frekans kompanzasyonunu zorlatıracaı açıktır. Bazı uyulamalarda düük ürültülü ilemsel kuvvetlendiricilere ereksinme duyulabilir. Düük ürültülü ilemsel kuvvetlendirici elde etmek üzere,kuvvetlendiricinin iri katında PMOS tranzistorlar kullanılır. Bu bölümde yüksek performanslı ilemsel kuvvetlendirici yapıları ele alınarak incelenecektir Ortak kaynak-ortak eçitli kuvvetlendirici ile ilemsel kuvvetlendirici erçekletirilmesi Bir çok uyulamada kat kazancının yeteri kadar büyük deerli olması, tek bir ortak kaynak-ortak eçitli kuvvetlendirici kullanılarak salanabilir. (ekil- 3.6). Böyle bir çözümün yararı, tek bir kat ile daha iyi bir frekans erisi elde edilebilmesidir. Alçak frekanslarda çalımada, devrenin saladıı kazanç, iki katlı kuvvetlendiricinin saladıı kazançla aynı olur. Ancak, yapıda çıkı düümünün empedansı, iki katlı yapının çıkı empedansına öre m.r o oranında yükseltilmitir. Devrenin erilim kazancı ise iri tranzistorlarının eimi ile çıkı düümü empedansının çarpımıdir. Bu yapının saladıı önemli bir yarar, baskın kutbun C L yük kapasitesi ile belirlenmesi, baka bir deyile, bu kapasitenin aynı zamanda kompanzasyon kapasitesi ilevini yerine etirmesidir. ki kazanç katlı yapıda ise, daha önceki bölümlerde österildii ibi, durum böyle deildir. ki katlı kuvvetlendiricide yük kapasitesinin arttırılması baskın olmayan kutbu etkiler ve faz payını azaltır. Burada ele alınan tek katlı yapıda ise yük kapasitesinin arttırılması faz payını iyiletirmektedir. Yapının transfer donksiyonunda T 3 ve T 4 kaskod tranzistorlarının ve akım kaynaı tranzistorlarının eçit-kaynak kapasitelerinden ileri elen baskın olmayan kutup bulunur. Bunun frekansı tranzistorların eçi frekansı mertebesindedir.
27 3. 7 V DD V K I O ' I O ' V I - T 0 A B I O / I O / T T T I T 7 T 8 C I D V K3 V O I O T 5 T 6 C L T 9 V K T 3 T 4 -V SS ekil-3.6. Ortak kaynak- ortak eçitli kuvvetlendirici yapısı ile ilemsel kuvvetlendirici erçekletirilmesi. MOS tranzistorlarda eçi frekansı m f T = C s eklinde ifade edilir. Etkin kanal uzunluunun 4m, (V GS -V T ) farkının birkaç yüz milivolt mertebesinde olması durumunda, baskın olmayan kutup birkaç yüz MHz mertebesinde olur. Giri tranzistorlarının eimlerinin uyun seçilmeleri durumunda, iyi bir faz payı ile yüksek deerli bir kapalı çevrim band enilii elde edilebilir. Ancak, kaskod devrenin etkisiyle, çıkı iaretinin dalalanma aralıının iki kazanç katlı yapıya öre biraz daha düük olacaını belirtmekte yarar vardır. ekil-3.6'daki yapıda T 3 -T 8 tranzistorlarıyla oluturulan blok, kompozit yükü oluturur. Bu yük katlanmı yüktür; baka bir deyile, elenik tranzistorlar kullanılmasıyla yük V DD eriliminden ayrılmı ve -V SS erilimine ötürülmütür. Sükunet durumunda, I O akımı T -T tranzistorlarına e olarak paylatırılmaktadır.
28 3. 8 ' T 0 - T tranzistorları V K erilimi ile I O akımını akıtacak biçimde kutuplanırlar. Böylece, I akımı I = I O ' olur. Girie bir V ın erilimi uyulansın. Bu durumda savak akımları I O = ' m.v in / kadar deiir. I O akımı sabit kalır. Bu nedenle, I akımları da ±I kadar deiir. T 3 -T 6 tranzistorları kaskod bir akım aynası olutururlar. Böylece, T 3 -T 5 deki deiim, T 4 -T 6 koluna yansıtılmı olur. Böylece, ilemsel kuvvetlendiricinin çıkı erilimi deiimi ve kazancı da - I O v =.R. v o m O in olur. Yapının çıkı direnci ise K v = - m.ro (3.3)) R = O o.r m6 o6 o o ( ).r m8 o8 (3.3)) biçiminde ifade edilebilir. R O.C L zaman sabiti transfer fonsiyonunun baskın kutbunu belirler: s p C R o m6 o6 m8 o8 = (3.33)) L O.r ( C L o 8.r o ) Baskın olmayan kutuplar, A, B, C düümlerindeki düük empedans deerlerinin daılmı kapasitelerle yüklenmeleriyle belirlenir. A düümündeki etkin direnç / m7, B düümündeki etkin direnç / m8, C düümündeki etkin direnç ise / m6 / m4 deerindedir. Buna öre p p s, s p3, s p4 s olur. s p ve K VO açık çevrim kazancına balı olarak ilemsel kuvvetlendirici kararsız olabilir.
29 Wilson (veya kaskod) akım kaynaı kullanılması VDD T3 T T4 T I Iref V -VSS ekil-3.7. Wilson akım kaynaının yük olarak kullanılması. Kazancı arttırmanın dier bir yolu, Wilson (veya kaskod) akım kaynaı devrelerinden yararlanmaktır. Kaskod akım kaynaının yük olarak kullanılıı ekil- 3.7'de verilmitir. Kaskod akım kaynaının çıkı direnci o3 m3 m R O = r o. m. o biçiminde ifade edilir. Bu baıntıda r O = / O büyüklüü I ref akım kaynaının çıkı direncini östermektedir. Yapıda ro., m RO o3 o olur. V eriliminin alabilecei en büyük deerde T tranzistoru doymada kalmalıdır. Buna öre maks DD GS TP v = V -. V V 3
30 3. 30 olur. Kaskod akım kaynaının bir ilemsel kuvvetlendirici yapısında kullanılıı ekil-3.8'de österilmitir. T 3 -T 6 tranzistorları, yine kaskod devre olarak düzenlenmi olan fark kuvvetlendiricisinin yükünü olutururlar. Bu yapıda (W / L ) = (W / L ), (W / L ) = (W / L ) 3 4 (W / L ) = (W / L ), (W / L ) = (W / L ) olarak seçilir. Fark kuvvetlendiricisinin çıkı direnci R = O o4.r m6 o6 o.r m8 o3 (3.34) baıntısıyla ifade edilebilir. V DD T 3 T 4 T V K T 5 T 6 T T 7 T 8 T 4 T0 V K C C V O - T T V K3 T 9 T 3 -V SS ekil-3.8. Wilson akım kaynaının ilemsel kuvvetlendirici yapısında kullanılması. m6.r o6 ve m8.r o8 olması durumunda çıkı direnci R O olur. Fark kuvvetlendiricisinin saladıı kazanç o4 o
31 3. 3 K V = - m.ro (3.35) biçiminde yazılabilir. kinci kat ise kaynak izleyici olarak düzenlenmitir. Yapıdaki T 4 tranzistoru kompanzasyon kondansatörüne seri olarak balanmıtır. Direnç bölesinde çalıan bu tranzistor R Z sıfırlama direnci örevini üstlenmektedir. R Z sıfırlama direncinin MOS tümdevre tekniinde daima bu ekilde çalıan bir tranzistorla erçekletirildiini belirtmekte yarar vardır. Yapıda ek elemanlar kullanıldıı için, bu tür bir ilemsel kuvvetlendiricinin rastele denesizlii enellikle büyük olur. Yapıda, fark kuvvetlendiricisinin arkasına bir seviye öteleyici ve çıkı katı bloku balanmıtır. Seviye öteleyici ve C L yük kapasitesi nedeniyle devrenin transfer fonksiyonunda ek kutuplar ortaya çıkar; bu kutuplar baskın kutup deildir, ancak yapının band eniliini sınırlayan birer etken olarak kendilerini österirler. C C = C L olması durumunda, band enilii C L ile sınırlanır Tamponlanmı ilemsel kuvvetlendirici yapıları Basit iki kazanç katlı kuvvetlendirici yapısına bir çıkı katı eklenerek, devrenin sadece büyük deerli kapasitif yükleri deil, aynı zamanda düük empedanslı yükleri sürmesi de salanabilir. Böyle bir devrenin blok eması ekil-3.9 da verilmitir. lk yapı, tamponlanmamı ilemsel kuvvetlendirici yapısını oluturmaktadır. kinci kat ise birim kazançlı bir çıkı katıdır. V I - _ V V O tamponlanmamı birim kazanclı ilemsel kuvvetlendirici çıkı katı ekil-3.9. Yüksek performanslı ilemsel kuvvetlendirici yapısı.
32 3. 3 Tamponlanmamı ilemsel kuvvetlendiricinin iki kazanç katı olduu düünülecek olursa, eldeki üç katlı yapının nasıl kompanze edileceinin belirlenmesi erekir. Kompanzasyonsuz durumda ilemsel kuvvetlendiricinin açık çevrim kazancı VO ( s) KVO (3.36) VI ( s) s s s s p' sp ' sp3' eklindedir. Burada s p ve s p büyüklükleri, tamponlanmamım ilemsel kuvvetlendiricini kompanze edilmemi durumdaki kutuplarını, s p3 ise çıkı katının kutbunu östermektedir. Burada s p < s p <s p3 olduu kabul edilecektir. Yapıda C L yük kapasitesi arttıkça s p3 azalacak, R L arttıkça s p3 artacaktır. s p j s p3 ' s p ' s p ' s p3 (a) j s p3 '=s p3 s p ' s p (b) ekil-3.0. a) kinci ve üçüncü kata, b) ikinci kata Miller kompanzasyonu uyulanması durumunda ilemsel kuvvetlendiricinin kutuplarının yer erileri.
33 3. 33 kinci ve üçüncü kata Miller kompanzasyonu uyulanırsa, ekil-3.0a da örülen yeni kutuplar elde edilir. C C kapasitesinin deeri arttıkça, ikinci ve üçüncü kutuplar j eksenine doru bükülürler. Bu ise faz payının düük olmasına neden olur. Miller kompanzasyonu sadece ikinci kata uyulanırsa, bu yeni durumda ekil-3.0b deki kutuplar elde edilir. Böylece kutupların j eksenine doru bükülmeleri ortadan kaldırılmı olur. Ancak, çıkı katının kutbu ise daha önceki yerinde kalır. Bu iki yaklaımdan hanisinin seçilecei, faz payı için önörülen deere balıdır. ekil-3. de yukarıda blok eması verilen yapının açık devre eması örülmektedir. ekildeki ilemsel kuvvetlendirici üç kattan olumaktadır. Giri katı bir fark kuvvetlendiricisidir. Bu katın çıkıına bir ara kuvvetlendirici ile bir çıkı katı balanmıtır. T,T 3 ve T,T 4 eviricileri ara kuvvetlendiriciyi olutururlar. Bu katın örevi kazancı ve kompanzasyonu salamak, ayrıca T 5 ve T 6 tranzistorlarını sürmektir. Çıkı katı ise birim kazanç salamak üzere düzenlenmi bir eçi iletkenlii katıdır. Devredeki iki eviricinin iri-çıkı karakteristikleri ekil-3. de örülmektedir. ekildeki a ve b erileri sırasıyla T, T 3 ve T,T 4 eviricilerine ilikin karakteristiklerdir ve bunlar T 5 ile T 6 tranzistorlarını sürmek üzere kullanılmaktadır. ekilde belirtilen eçi erilimi V V V C B A eklinde tanımlanmıtır. V A ve V B büyüklükleri, T 5 ve T 6 yı kesime sürecek olan evirici iri erilimleridir. Güç harcamasının düük olabilmesi için V C eriliminin sıfırdan büyük olması erekir; ancak, kabul edilemeyecek mertebedeki eçi distorsiyonundan kaçınmak için, V C eriliminin çok büyük tutulmaması erekir. Bu kriter, eviricilerin uyun boyutlandırılmasıyla yerine etirilebilir. Böylece, V C eriliminin sıfırdan büyük, ancak yeterince küçük olması da salanmı olur. Çıkı katı B sınıfında çalıtırıldıından, her bir evirici için ayrı bir frekans kompanzasyonu erekli olur. MOS çıkı katı kullanan CMOS ilemsel kuvvetlendiricilere dier bir örnek ekil-3.3 de örülmektedir. Bu devre tamponlanmamı ilemsel kuvvetlendirici ile neatif eribeslemeli çıkı katı kombinezonundan oluur.
34 3. 34 T 7 T 3 T 4 T 6 V DD I ref C VO iri katı _ C R L T T T 5 -V SS ekil-3.. Düük empedanslı yükleri sürmeye elverili CMOS ilemsel kuvvetlendirici. V O V DD T -T 3 eviricisi T AKTF T DOYMADA T -T 4 eviricisi a T DOYMADA b T AKTF V A V B V I ekil-3.. ekil-3.. deki eviricilere ilikin iri-çıkı karakteristikleri. Devredeki tamponlanmamı ilemsel kuvvetlendiricinin çıkı katı, T 6 ve T 7 eviricilerini sürmek amacıyla kullanılmıtır. Devrede yer alan tamponlanmamı ilemsel kuvvetlendirici enellikle aktif yüklü bir fark kuvvetlendiricisidir. T 6 ve T 7 tranzistorları ise evirici katını olutururlar. A kuvvetlendiricisi ile T 6 tranzistoru, çıkıtaki erilim dalalanmasının pozitif yarıperiyodu için birim
35 3. 35 kazanç salar. A ile T 6A ise aynı ilemi neatif yarıperiyotta erçekletirir. Çıkı katı AB sınıfında çalıtıından, devrenin neatif yarıperiyodu, pozitif yarıperiyodunun simetrii olur. T 6 T 6 T 4 T 9 V DD _ C D A - -V OS V O T 8A T 0 V K T 8 V K - A T 7 T 3 T 6A T T 5 ekil-3.3. MOS çıkı katı kullanan dier bir CMOS ilemsel kuvvetlendirici yapısı Yüksek hızlı-yüksek frekanslı ilemsel kuvvetlendiriciler -V SS Bu bölümde, hızı ve kazanç-band enilii çarpımı iyiletirilmi ilemsel kuvvetlendirici yapıları ele alınarak incelenecektir. Burada hız kelimesiyle, devrenin iriine bir darbe uyulanması durumunda cevap verebilmesi için ereken minimum süre kastedilmektedir. Bu art, yüksek bir yükselme eimi deeri ve yerleme zamanını (settlin time) minimize etmek için iyi bir faz payı özelliini erekli kılar. Bu tür ilemsel kuvvetlendiricilerin yükselme eimleri 00V/sn den fazla ve büyük deerli kapasitif ve rezistif yükler için kazanç-band enilii çarpımı da 0MHz den büyük olmalıdır. Böyle bir yüksek performans özellii salayabilmek üzere, enellikle çıkı erilimi dalalanma aralıından fedakarlık yapılır. Yüksek performanslı bir ilemsel kuvvetlendirici yapısı ekil-3.4 de verilmitir. Bu yapıdaki çıkı katı, iki taban (kuyu) npn tranzistoru ile erçekletirilen ve Darlinton çifti olarak çalıan A sınıfı bir kuvvetlendiriciden olumaktadır. Yapıda bu tür bir Darlinton çiftinin kullanılmasının amacı,
36 3. 36 çıkıta yer alan edeer bipolar tranzistorun akım kazancını arttırmak, böylece çıkı akımının yüksek deerli olmasını salamaktır. Bu devrenin çıkıından alınabilecek en büyük erilim deeri V DD -.V BE olur. lemsel kuvvetlendiricinin çıkı direncini bulmak üzere ekil- 3.5a daki edeer yapı kullanılabilir. Bu yapıya ilikin edeer devre de ekil- 3.5b de örülmektedir. Edeer devre yardımıyla çıkı direnci hesaplanırsa R O ( ds6 G).( m ). ' Rds6. G.( ' ) ( ' ).( ). R ds6 m ds6 m m m V DD (3.37) T 0 T T 3 T 4 T 6 T 8 T 9 T T 3 V T T R R R 3 R EXT V T 5 C V O T 7 V ref dier iki kat için -V SS ekil-3.4. Bipolar tranzistorlu çıkı katlı ilemsel kuvvetlendirici yapısı. R r ds6 R T T V O r R p r p V - ds6 V m(v -V ) m(v O-V ) V O - ekil-3.5. ekil-3.4 deki yapının çıkı direncinin hesaplanması için yararlanılan devre ve bu devrenin edeeri.
37 3. 37 elde edilir. Devrede örülen 3k luk direnç, T tranzistorunun kutuplamasını karalı hale etirmek üzere kullanılmıtır. Bu direnç nedeniyle çıkı direnci, basit Darlinton çiftindekine öre daha büyük olur. T 6 T T T 5 T 4 T 3 ekil-3.6. Çıkı direncinin küçültülmesi. ekil-3.6 da österilen yapının kullanılmasıyla, çıkı direncini daha da küçültmek mümkündür. Bu devrenin çıkı direnci hesaplanırsa R O Ri ( ).( ) F F (3.38) elde edilir. Bu baıntıdaki R i direnci, T tranzistorunun bazından içeriye doru bakıldıında örülen dirençtir. Bu tür ilemsel kuvvetlendirici yapılarıyla 00MHz e kadar kazanç-band enilii çarpımı ve 300V/sn lik yükselme eimi deerleri elde edilebilir. Devreyle C L = 00 pf mertebesinde yük kapasitelerini sürmek mümkündür. Açık çevrim çıkı direnci 00 Ohm ve faz payı da 45 o mertebesinde olur. Yüksek hızlı ilemsel kuvvetlendirici tasarımında kullanılabilecek dier bir yaklaım, çıkı katında pu-pul kaynak izleyici kullanmaktır. ekil-3.7 de örülen yapı düük bir çıkı direnci elde edilmesini salamaktadır. Çıkı katı T 7 den T ye kadar numaralanmı olan tranzistorlarla kurulmutur. Tamponlanmamı ilemsel kuvvetlendiricinin iri katı bir eçi iletkenlii kuvvetlendiricisi, ikinci katı ise bir akım kuvvetlendiricisi olarak oluturulmutur. Gerilim kazancı, T 7, T, T 8 ve T 9 tranzistorlarının birletii
38 3. 38 düümdeki yüksek direnç deeri ile salanır. Tamponlanmamı kuvvetlendiricinin frekans cevabı oldukça iyidir; çünkü yukarıda sözü edilen düüm dıındaki tüm düümler düük empedanslıdır. C L yük kapasitesi ek bir kutup oluturarak kuvvetlendiricinin kompanze edilmesini salar. Çıkı katı, düük çıkı direnci elde etmek üzere kullanılmaktadır. Devrenin küçük iaret çıkı direnci R O m m (3.39) eklindedir. Çıkı katındaki elemanların boyutlarına ve kutuplama akımına balı olarak, çıkı direnci için kohm dan küçük deerler elde edilebilir. V DD T8 T9 T5 T4 T3 T6 T7 T8 V DD T5 T7 CL I K VI T T V O T9 T6 T T4 T3 T0 T T0 T -V SS ekil-3.7. Düük çıkı dirençli bir CMOS ilemsel kuvvetlendirici yapısı. T 7 ve T 0 tranzistorları, T 8 ve T 9 tranzistorlarını kutuplarlar ve bunlar T ve T tranzistorlarının elenik tranzistorlarıdır. dealde T 8 ve T ile T 9 ve T tranzistorlarının eçit erilimleri birbirlerini kompanze ederler; dolayısıyla sıfır iri erilimi için çıkı erilimi sıfır olur.
39 Düük ürültülü ilemsel kuvvetlendiriciler lemsel kuvvetlendiricilerin düük ürültülü olması, birçok bakımdan önem taır. Analo CMOS yapı bloklarının uyulamalarının önemli bir kısmı, iaret-ürültü oranının büyük önem taıdıı haberleme alanındadır. Gürültü ne kadar düük olursa, iaret ürültü oranı da o kadar iyi olur. Düük ürültülü bir ilemsel kuvvetlendirici elde etmek için yararlanılabilecek iki yol bulunmaktadır. Gürültü ile MOS elemanın boyutları ve proses karakteristikleri arasındaki ilikileri kullanmak, Yapıyı kırpıcı ile stabilize etmek. T 0 T 5 T 7 V DD - T T C C V O VK T T 8 T 9 V K T 6 T 3 T 4 -V DD ekil-3.8. Düük ürültülü CMOS ilemsel kuvvetlendirici. ekil-3.8. düük ürültülü bir CMOS ilemsel kuvvetlendirici yapısını östermektedir. kaskod balı T8 ve T9 tranzistorları, üç kaynaından ileri elebilecek ürültüyü (PSRR) azaltmak amacıyla kullanılmılardır. Girite PMOS tranzistorların kullanılmasının nedeni, bu tranzistorların ürültü performanslarının NMOS tranzistorlara öre daha iyi olmasıdır. ekil-3.9, ekil-3.8 deki devrenin ürültü modelini östermektedir. yapıdaki doru akım
40 3. 40 kaynaklarının ürettii ürültü ihmal edilmitir. Bunun nedeni, MOS tranzistorların eçitlerinin düük empedanslı noktalara balı olmasıdır. T8 ve T9 tranzistorlarının kaynak uçlarından bakıldıında örülen direncin büyük olması nedeniyle, T8 ve T9 un eçitlerindeki ürültü kaynakları, T ve T nin eçitlerindeki ürültü kaynakları yanında ihmal edilebilir. Böylece toplam çıkı ürültü erilimi spektral younluu v R v R ( v v v v ) no m6 n6 m n m n m3 n3 m4 n4 (3.40) eklinde ifade edilebilir. Edeer iri ürültü erilimi spektral younluu ise (3.40) ifadesini ilemsel kuvvetlendiricinin fark iaret kazancına bölünmesiyle elde edilir: v v n m3 vn3 vn R v m m. (3.4) n 6 eq V DD I I v n v n T T v no T 6 v n6 T 3 T 4 v n3 v n4 -V SS ekil-3.9. Düük ürültülü ilemsel kuvvetlendirici yapısının ürültü modeli. Bu eitlikten de fark edilebilecei ibi, ikinci kattan ileri elen ürültü, ilk kattan ileri elen ürültüye ifadeye katılabilir. Bu nedenle, bu ürültü ihmal edilebilmektedir. ekil-3.8 deki devrenin ürültüsünü minimize etmek için,
41 3. 4 (3.4) baıntısının minimize edilmesi erektii açıktır. m >> m3 artının salanmasıyla (3.4) baıntısı minimize edilebilir. Bu durumda, iri ürültüsünün baskın bileeni iri tranzistorları tarafından üretilen ürültü olur. Daha önce de belirtildii ibi, irite PMOS tranzistorların kullanılmasının nedeni, PMOS tranzistorların ürültü performanslarının daha iyi olmasıdır. Gürültünün sıcaklıa balı bileeninin azaltılması için, iri tranzistorunun eçi iletkenlii arttırılabilir. Bunu salamak üzere de tranzistorların savak akımları ve/veya W/L oranları arttırılabilir. Devrenin iriindeki elemanların ürettii /f yürültü bileeninin azaltılması için de W veya L deerleri arttırılabilir. BJT ler için köe frekansı (/f ürültüsü ile sıcaklıa balı ürültü daha düüktür. Dolayısıyla, düük frekanslarda ( khz den daha küçük frekasnlarda) ürültüye önem veriliyorsa, MOS tranzistor yerine bipolar tranzistor kullanılması yelenebilir. KAYNAKLAR [] H. Kuntman, Analo tümdevre tasarımı, Sistem yayınları, stanbul, 99. [] H. Kuntman, Analo MOS tümdevre tasarımı (Endüstri Semineri Notu), TÜ leri Elektronik Teknolojileri Aratırma Gelitirme Vakfı (ETA), Uyulamaya özü tümdevre teknolojileri yaz okulu notları, stanbul,993. [3] H. Kuntman, leri analo tümdevre tasarımı: Analo devreler, (Endüstri Semineri Notu), TÜ leri Elektronik Teknolojileri Aratırma Gelitirme Vakfı (ETA), stanbul,994. [4] P.R. Gray, R.G. Meyer, Analysis and desin of analo interated circuits, John Wiley, 984. [5] R. Greorian, G.C. Temes, Analo MOS interated circuits for sinal processin, John Wiley, 986. [6] A.B. Grebene, Bipolar and MOS analo interated circuit desin, John Wiley, 984. [7] F. Riedel, MOS Analotechnik, Oldenbur Verla, Wien, 988. [8] P.E. Allen and D.R. Holber, CMOS analo circuit desin, Holt, Rinehart and Winston Inc., New York, 987.
3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c)
. Kazancın sonlu olması,. Lineerlik bölgesinin sonlu olması, 3. dengesizlik gerilimi, 4. frekans eğrisi, 5. gürültü alt başlıkları altında sıralanabilir. 3. V DD V CC I O I O I O I O V i - T T C C V O
Detaylı4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G
34 ENDÜSTYEL ELEKTNK 4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi Enstrümantasyon ve dönütürücü uygulamalarında µvlar mertebesinde fark iaret gerilimleri ve bunlarla birlikte bulunan büyük deerli ortak iaret
Detaylı6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER
6. 1 6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER Analog çarpma devreleri, giri gerilimlerinin çarpımıyla orantılı çıkı gerilimi veren düzenlerdir ve aradaki iliki V O =.V.V Y (6.1) eklindedir. büyüklüü çarpma devresinin
DetaylıOTA. lemsel kuvvetlendiricinin gerilim kontrollu gerilim kayna ı özelli i göstermesi, çıkı direncinin çok küçük olması ve kazancın G =
4. CMOS GEÇ LETKENL KUVVETLENDRCS, OTA lemsel kuvvetlendiricinin erilim kontrollu erilim kaynaı özellii östermesi, çıkı direncinin çok küçük olması ve kazancın V O K V = (4.) V I -V I baıntısıyla tanımlanmasına
DetaylıENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI
ENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER UYGULAMALAR HAKAN KUNTMAN 03-04 EĞİTİM-ÖĞRETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik alanında çeşitli ölçü ve kontrol düzenlerinin
Detaylı7. MOS OS LATÖR DEVRELER
7. MOS OSLATÖ DEVELE aret üreten devreler, genel olarak, osilatör olarak isimlendirilirler. Osilatörler, doru akım gücünü periyodik dalga ekilli bir iarete çeviren devrelerdir. Osilatör yapıları, akortlu
Detaylı3. 27 I C C' C C (V B ' C ') C DC. EM1 Modeli I B C E (V B ' E ') E' r E ' I E
3. 27 3.2.2. EM2 Modeli EM2 modeli, bir bipolar tranzistordaki yük birikimi olaylarının temsil edildii birinci dereceden bir modeldir. Bu model, kısıtlı da olsa, frekans domeni ve geçici hal analizlerinin
Detaylı1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKN
1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKN 1.1. Giri, Analog tümdevrelerde CMOS teknolojisinin yeri Ortaya çıktıı ilk yıllarda daha çok sayısal sistemlerin gerçekletirilmesinde yararlanılan CMOS teknolojisi, günümüzde,
Detaylı2. TEMEL YAPITA LARI
. TEMEL YAPITALARI Bu bölümde temel NMOS ve CMOS yapıblokları olan akım kaynakları, gerilim referansları, temel kazanç katları genel özellikleri açısından ele alınacaktır... Diyot balı NMOS tranzistor
Detaylı1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ
1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ 1.1. Giriş, Analog tümdevrelerde MOS teknolojisinin yeri Son zamanlara kadar daha çok dijital sistemlerin gerçekleştirilmesinde kullanılan MOS teknolojisi, günümüzde, analog
DetaylıBAS T VE KULLANI LI B R AKIM LEMSEL KUVVETLEND R C S TASARIMI
BAST VE KULLANILI BR AKIM LEMSEL KUVVETLENDRCS TASARIMI Atilla UYGUR Hakan KUNTMAN, Elektronik ve Haberleme Mühendislii Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi stanbul Teknik Üniversitesi, 34469, Maslak,
Detaylı2. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLEND R C LER N L NEER UYGULAMALARI. 2.1. Akım Kaynakları
. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLENDCLEN LNEE UYGULAMALA lemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik uygulamaları açısından büyük önem taıyan bir yapı grubudur. lemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik
Detaylı3. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLEND R C LER N L NEER OLMAYAN UYGULAMALARI
3. BÖLÜM LEMSEL KUETLENDCLEN LNEE LMAYAN UYGULAMALA lemsel kuvvetlendiriciler ve yarıiletken diyotlar, bipolar tranzistor gibi devre elemanlarının birlikte kullanılmasıyla, karakteristikleri lineer olmayan
Detaylı5. CMOS AKIM TA IYICI. v Y
5. CMOS AKIM TA IICI Akım ta ıyıcı, akımın çok farklı empedans seviyelerindeki iki kapı arasında ta ındı ı üç kapılı aktif bir devre olarak tanımlanabilir. lk akım ta ıyıcı olan birinci ku ak akım ta ıyıcı
Detaylı9. EŞİKALTI BÖLGESİNDE ÇALIŞAN ANALOG YAPI BLOKLARI
9. EŞİKALT BÖLGESİNDE ÇALŞAN ANALOG YAP BLOKLAR Son yıllarda, eşikaltında çalışan MOS tranzistorların kullanıldığı analog devre yapıları gittikçe önem kazanmaktadır. Bunun başlıca nedeni, hasta üzerine
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY
DetaylıAREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ
AREL ÜNİVERSİTESİ DEVRE ANALİZİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER DR. GÖRKEM SERBES İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ İşlemsel kuvvetlendirici (Op-Amp); farksal girişi ve tek uçlu çıkışı olan DC kuplajlı, yüksek kazançlı
Detaylı6 İşlemsel Kuvvetlendiricilerin Lineer Olmayan Uygulamaları deneyi
86 Elektronik Devre Tasarım 6 İşlemsel Kuvvetlendiricilerin Lineer Olmayan Uygulamaları deneyi 6. Önbilgi Günümüzde elektroniğin temel yapı taşlarından biri olan işlemsel kuvvetlendiricinin lineer.olmayan
DetaylıPozisyon Kontrol Sistemi Üzerine Karakteristik Yapı Çalı ması: STANBUL - 2010
Pozisyon Kontrol Sistemi Üzerine Karakteristik Yapı Çalıması: Set Üzerinde Kullanılacak Ekipman: 1 Motor sürücü ve çıkı potansiyometresi, 1 Ayarlama amplifikatörü, 1 Türevsel amplifikatör, 1 Toplama amplifikatörü,
DetaylıBÖLÜM Bipolar tranzistorun lineer olmayan davranı ı.
ÖLÜM 3 POLAR RANZSOR (J) MODLLR 31 ipolar tranzistorun lineer olmayan davranıı Küçük iaretler söz konusu olduunda h ve y parametreleri edeer devreleri yardımıyla lineer bir elemanmı gibi temsil edilen
Detaylı1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ
. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ.. Giriş, Analog tümdevrelerde CMOS teknolojisinin yeri Ortaya çıktığı ilk yıllarda daha çok sayısal sistemlerin gerçekleştirilmesinde yararlanılan CMOS teknolojisi, günümüzde,
DetaylıKONTROL SSTEMLER LABORATUARI
YILDIZ TEKNK ÜNVERSTES ELEKTRK-ELEKTRONK FAKÜLTES KONTROL ve OTOMASYON MÜHENDSL BÖLÜMÜ KONTROL SSTEMLER LABORATUARI Doç.Dr. Haluk GÖRGÜN Ar.Gör. brahim ALIKAN Ar.Gör. Yavuz EREN STANBUL - 2010-1 - DiGiAC
DetaylıPSPICE programı yardımıyla
PROBLEMLER 415 30. ekilp.30 daki akım kayna ı devrelerinde referans gerilimleri 1V tur. evreler 1 ma lik çıkı akımı vereceklerdir. Besleme gerilimleri V CC =V EE =15V olarak belirlenmi tir. a) evreyi gerçekle
DetaylıTRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME
TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERDE GERİBESLEME Amaç Elektronikte geniş uygulama alanı bulan geribesleme, sistemin çıkış büyüklüğünden elde edilen ve giriş büyüklüğü ile aynı nitelikte bir işaretin girişe gelmesi
DetaylıSCHMITT TETİKLEME DEVRESİ
Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Lab. SCHMITT TETİKLEME DEVRESİ.Ön Bilgiler. Schmitt Tetikleme Devreleri Schmitt tetikleme devresi iki konumlu bir devredir.
DetaylıĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER
K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral
DetaylıRF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ
RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama
DetaylıDeneyle İlgili Ön Bilgi:
DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,
DetaylıOp-Amp Uygulama Devreleri
Op-Amp Uygulama Devreleri Tipik Op-amp devre yapıları şunları içerir: Birim Kazanç Arabelleği (Gerilim İzleyici) Evirici Yükselteç Evirmeyen Yükselteç Toplayan Yükselteç İntegral Alıcı Türev Alıcı Karşılaştırıcı
DetaylıOTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ. DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ
OTOMATİK KONTROL SİSTEMLERİ DİNAMİK SİSTEMLERİN MODELLENMESİ ve ANALİZİ 1) İdeal Sönümleme Elemanı : a) Öteleme Sönümleyici : Mekanik Elemanların Matematiksel Modeli Basit mekanik elemanlar, öteleme hareketinde;
DetaylıSADECE AKTİF ELEMAN KULLANARAK SÜZGEÇ TASARIMI VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ
SADECE AKTİF ELEMAN KULLANARAK SÜZGEÇ TASARIMI VE GERÇEKLEŞTİRİLMESİ Sinem ÇİFTÇİOĞLU Hakan KUNTMAN Nil TARIM Oğuzhan ÇİÇEKOĞLU 4,, Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü ElektrikElektronik Fakültesi
DetaylıELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ
ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış
DetaylıŞekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi
DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM333 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#1 BJT'li Fark Kuvvetlendiricisi Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2017 DENEY 1 BJT'li
DetaylıBölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri
Bölüm 14 Temel Opamp Karakteristikleri Deneyleri 14.1 DENEYİN AMACI (1) Temel OPAMP karakteristiklerini anlamak. (2) OPAMP ın ofset gerilimini ayarlama yöntemini anlamak. 14.2 GENEL BİLGİLER 14.2.1 Yeni
DetaylıKISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM)
İÇİNDEKİLER KISIM 1 ELEKTRONİK DEVRELER (ANALİZ TASARIM - PROBLEM) 1. BÖLÜM GERİBESLEMELİ AMPLİFİKATÖRLER... 3 1.1. Giriş...3 1.2. Geribeselemeli Devrenin Transfer Fonksiyonu...4 1.3. Gerilim - Seri Geribeslemesi...5
DetaylıEEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I
EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku
DetaylıT.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I
T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici
DetaylıDENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI
DENEY-4 İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN DOĞRUSAL UYGULAMALARI DENEYİN AMACI: Bu deneyde işlemsel kuvvetlendiricinin doğrusal uygulamaları incelenecek ve işlemsel kuvvetlendirici kullanılarak çeşitli matematiksel
DetaylıAkım Modlu Çarpıcı/Bölücü
Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü (Novel High-Precision Current-Mode Multiplier/Divider) Ümit FARAŞOĞLU 504061225 1/28 TAKDİM PLANI ÖZET GİRİŞ AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ DEVRE ÖNERİLEN AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ
DetaylıDENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı lineer kuvvetlendirme Yükselme Süresi Gecikme Çınlama Darbe üst eğilmesi
DENEY NO:2 BJT Yükselticinin Darbe Cevabı Yükselticini girişine uygulanan işaretin şeklini bozmadan yapılan kuvvetlendirmeye lineer kuvvetlendirme denir. Başka bir deyişle lineer darbe kuvvetlendirmesi,
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#3 Güç Kuvvetlendiricileri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 3 Güç Kuvvetlendiricileri
DetaylıHazırlayan. Bilge AKDO AN
Hazırlayan Bilge AKDO AN 504071205 1 Özet Amaç Giri kinci Ku ak Eviren Akım Ta ıyıcı (ICCII) CMOS ile Gerçeklenen ICCII Önerilen ICCII- Tabanlı Osilatörler 1. Tek ICCII- tabanlı osilatörler 2. ki ICCII-
DetaylıÇukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği
Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015
DetaylıŞekil 1. Geri beslemeli yükselteçlerin genel yapısı
DENEY 5: GERİ BESLEME DEVRELERİ 1 Malzeme Listesi Direnç: 1x82K ohm, 1x 8.2K ohm, 1x12K ohm, 1x1K ohm, 2x3.3K ohm, 1x560K ohm, 1x9.1K ohm, 1x56K ohm, 1x470 ohm, 1x6.8K ohm Kapasite: 4x10uF, 470 uf, 1nF,4.7uF
DetaylıBÖLÜM X OSİLATÖRLER. e b Yükselteç. Be o Geri Besleme. Şekil 10.1 Yükselteçlerde geri besleme
BÖLÜM X OSİLATÖRLER 0. OSİLATÖRE GİRİŞ Kendi kendine sinyal üreten devrelere osilatör denir. Böyle devrelere dışarıdan herhangi bir sinyal uygulanmaz. Çıkışlarında sinüsoidal, kare, dikdörtgen ve testere
DetaylıBÖLÜM 2 İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER
BÖLÜM İKİNİ DEEEDEN FİLTELE. AMAÇ. Filtrelerin karakteristiklerinin anlaşılması.. Aktif filtrelerin avantajlarının anlaşılması.. İntegratör devresi ile ikinci dereceden filtrelerin gerçeklenmesi. TEMEL
DetaylıT.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU
T.C. ONDOKUZ MAYIS ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK LABORATUVARI-II DENEY RAPORU İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLER ADI SOYADI: ÖĞRENCİ NO: GRUBU: Deneyin
DetaylıELM 331 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY FÖYÜ
ELM 33 ELEKTRONİK II LABORATUAR DENEY ÖYÜ DENEY 2 Ortak Emitörlü Transistörlü Kuvvetlendiricinin rekans Cevabı. AMAÇ Bu deneyin amacı, ortak emitörlü (Common Emitter: CE) kuvvetlendiricinin tasarımını,
DetaylıKüçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.
Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma
DetaylıDENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER
DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde temel lojik kapılar incelenecek; çift kararlı ve tek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecektir. ÖN HAZIRLIK Temel lojik
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-2 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıBÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER
BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit
DetaylıAlgılayıcılar (Sensors)
Algılayıcılar (Sensors) Sayısal işlem ve ölçmeler sadece elektriksel büyüklüklerle yapılmaktadır. Genelde teknik ve fiziksel büyüklükler (sıcaklık, ağırlık kuvveti ve basınç gibi) elektrik dalından olmayan
DetaylıELEKTRONİK DEVRELER-II LABORATUVARI
İSTANBUL ÜNİVESİTESİ ELEKTİK ELEKTONİK MÜHENDİSLİĞİ ELEKTONİK DEVELE-II LABOATUVAI DENEY-1 İşlemsel Kuvvetlendirici 1 DENEY-1 İŞLEMSEL KUVVETLENDİİCİ ÖN HAZILIK 1. TL081 ve OP07C işlemsel kuvvetlendiricilerin
DetaylıT.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1
T.C. ERCİYES ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK SİSTEMLER LABORATUVARI 1 OPAMP DEVRELERİ-1 DENEY SORUMLUSU Arş. Gör. Memduh SUVEREN MART 2015 KAYSERİ OPAMP DEVRELERİ
DetaylıDeney 3: Opamp. Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi.
Deneyin Amacı: Deney 3: Opamp Opamp ın (işlemsel yükselteç) çalışma mantığının ve kullanım alanlarının öğrenilmesi, uygulamalarla pratik bilginin pekiştirilmesi. A.ÖNBİLGİ İdeal bir opamp (operational-amplifier)
DetaylıYENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIYICI (MCCIII) YAPISI, KARAKTERİZASYONU VE UYGULAMALARI
ENİ BİR BİPOLAR DEĞİŞTiRİLMİŞ ÜÇÜNCÜ KUŞAK AKIM TAŞIICI () APISI, KARAKTERİZASONU E UGULAMALARI Seçkin BODUR 1 Hakan KUNTMAN 2 Oğuzhan ÇiÇEKOĞLU 3 1, 2 İstanbul Teknik Üniversitesi, Elektrik-Elektronik
DetaylıDENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler
RF OSİLATÖRLER VE İKİNCİ DERECEDEN FİLTRELER (1.DENEY) DENEY NO : 1 DENEY ADI : RF Osilatörler ve İkinci Dereceden Filtreler DENEYİN AMACI : Radyo Frekansı (RF) osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerini
DetaylıBÖLÜM 5. Gerilim Azaltan Dönü türücünün Kal Durum Devre Analizi
BÖÜM 5 DC-DC DÖNÜTÜRÜCÜER A. Deneyin Amac DC-DC erilim azaltan dönütürücü (buck converter) ve DC-DC erilim artran dönütürücü (boost converter) devrelerinin davranlar incelemek. Bu deneyde erilim azaltan
DetaylıBeyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyzi Ortak Bağlantının Statik Giriş Direnci. Giriş, direncini iki yoldan hesaplamak mümkündür:
Beyzi Ortak Yükselteç (BOB) Beyz 'i ortak bağlantılı (kısaltılmışı BOB) yükselteç devresinde, transistörün beyz 'i giriş ve çıkışta ortaktır. Giriş, emiter ile beyz uçları arasından, çıkış ise, kollektör
DetaylıŞekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri
DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini
DetaylıANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR
ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak
DetaylıBÖLÜM 2: REZONANS DEVRELERI
BÖLÜM 2: REZONANS DEVRELERI Giriş (kaynak) ile çıkış (yük) arasında seçilen frekansların iletilmesi ya da süzülmesi için kullanılan iki kapılı devrelere rezonans devreleri adı verilir. İdeal seri ve paralel
DetaylıBÖLÜM 5 MOS TRANZ STOR MODELLER. 5.1. MOS teknolojisine bakı.
BÖLÜM 5 MOS TRANZSTOR MODELLER 5.1. MOS teknolojisine bakı. MOS teknolojisi geni çapta tümletirilmi sayısal devrelerin ve mikroilemci devrelerinin temelini oluturur. VLSI devreler için MOS teknolojisinin
DetaylıDers İçerik Bilgisi. Dr. Hakan TERZİOĞLU Dr. Hakan TERZİOĞLU 1
Dr. Hakan TERZİOĞLU Ders İçerik Bilgisi PID Parametrelerinin Elde Edilmesi A. Salınım (Titreşim) Yöntemi B. Cevap Eğrisi Yöntemi Karşılaştırıcı ve Denetleyicilerin Opamplarla Yapılması 1. Karşılaştırıcı
DetaylıDENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri
DENEY NO : 4 DENEY ADI : Darbe Genişlik Demodülatörleri DENEYİN AMACI :Darbe Genişlik Demodülatörünün çalışma prensibinin anlaşılması. Çarpım detektörü kullanarak bir darbe genişlik demodülatörünün gerçekleştirilmesi.
DetaylıENDÜSTRİYEL ELEKTRONİK İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİLERİN LİNEER OLMAYAN UYGULAMALARI HAKAN KUNTMAN EĞİTİM-ÖĞRETİM YILI
ENDÜSTİYEL ELEKTNİK İŞLEMSEL KUETLENDİİCİLEİN LİNEE LMAYAN UYGULAMALA HAKAN KUNTMAN 0304 EĞİTİMÖĞETİM YL İşlemsel kuvvetlendiriciler ve yarıiletken diyotlar, bipolar tranzistor gibi devre elemanlarının
DetaylıYarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi
Prof. Dr. H. Hakan Kuntman 21. 12. 2005 Yarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi (Yılsonu Projesi) a- Tabloda belirtilen i lemsel kuvvetlendirici için SPICE simülasyon programında kullanılmak
DetaylıÖğrenci No Ad ve Soyad İmza DENEY 3. Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci
Öğrenci No Ad ve Soyad İmza Masa No DENEY 3 Tümleşik Devre Ortak Source Yükselteci Not: Solda gösterilen devre Temel Yarı İletken Elemanlar dersi laboratuvarında yaptığınız 5. deneye ilişkin devre olup,
DetaylıBölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları
Bölüm 12 İşlemsel Yükselteç Uygulamaları DENEY 12-1 Aktif Yüksek Geçiren Filtre DENEYİN AMACI 1. Aktif yüksek geçiren filtrenin çalışma prensibini anlamak. 2. Aktif yüksek geçiren filtrenin frekans tepkesini
Detaylı#$% &'#(# Konular. Binary Tree Structures. Binary Search Trees AVL Trees Internal Path Reduction Trees Deerlendirme
!" #$% &'#(# Konular Binary Search Trees Deerlendirme Binary Search Trees Bir binary search tree üzerindeki her node hem data saklar hemde dier node lara ulaılırken yön belirler Bir binary search tree
DetaylıSAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI
Sayısal Devreler (ojik Devreleri) SYIS EEMNIN İÇ YPII Sayısal tümdevrelerin gerçeklenmesinde çeşitli tipte tranzistorlar kullanılır. İlk olarak bipolar tipteki tranzistorlar tanıtılacaktır. ipolar Tranzistor:
DetaylıBÖLÜM 2 D YOTLU DO RULTUCULAR
BÖLÜ 2 DYOTLU DORULTUCULAR A. DENEYN AACI: Tek faz ve 3 faz diyotlu dorultucularn çalmasn ve davranlarn incelemek. Bu deneyde tek faz ve 3 faz olmak üzere tüm yarm ve tam dalga dorultucular, omik ve indüktif
DetaylıALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR
ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü
DetaylıMühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
HAZIRLIK ÇALIŞMALARI İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER VE UYGULAMALARI 1. 741 İşlemsel yükselteçlerin özellikleri ve yapısı hakkında bilgi veriniz. 2. İşlemsel yükselteçlerle gerçekleştirilen eviren yükselteç, türev
Detaylı6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI
6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma
DetaylıŞekil 5-1 Frekans modülasyonunun gösterimi
FREKANS MODÜLASYONU (FM) MODÜLATÖRLERİ (5.DENEY) DENEY NO : 5 DENEY ADI : Frekans Modülasyonu (FM) Modülatörleri DENEYİN AMACI :Varaktör diyotun karakteristiğinin ve çalışma prensibinin incelenmesi. Gerilim
DetaylıELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler. Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt.
ELK273 Elektrik ve Elektronik Mühendisliğinin Temelleri Ders 8- AC Devreler Yard.Doç.Dr. Ahmet Özkurt Ahmet.ozkurt@deu.edu.tr http://ahmetozkurt.net İçerik AC ve DC Empedans RMS değeri Bobin ve kondansatörün
DetaylıDENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI
DENEY 7 BJT KUVVETLENDİRİCİLERİN FREKANS CEVABI A. Amaç Bu deneyin amacı; BJT kuvvetlendirici devrelerinin girişine uygulanan AC işaretin frekansının büyüklüğüne göre kazancının nasıl etkilendiğinin belirlenmesi,
DetaylıDENEY 5- TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OP-AMP) DEVRELERİ
DENEY 5 TEMEL İŞLEMSEL YÜKSELTEÇ (OPAMP) DEVRELERİ 5.1. DENEYİN AMAÇLARI İşlemsel yükselteçler hakkında teorik bilgi edinmek Eviren ve evirmeyen yükselteç devrelerinin uygulamasını yapmak 5.2. TEORİK BİLGİ
DetaylıKaradeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI
Öğr. Gör. Oğuzhan ÇAKIR 377 42 03, KTÜ, 2010 Karadeniz Teknik Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuvarı I İŞLEMSEL YÜKSELTECİN TEMEL ÖZELLİKLERİ VE UYGULAMALARI 1. Deneyin
DetaylıDENEY 8. OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler
DENEY 8 OPAMP UYGULAMALARI-II: Toplayıcı, Fark Alıcı, Türev Alıcı, İntegral Alıcı Devreler 1. Amaç Bu deneyin amacı; Op-Amp kullanarak toplayıcı, fark alıcı, türev alıcı ve integral alıcı devrelerin incelenmesidir.
DetaylıEEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I
EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku
DetaylıKOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ. Amaç:
KOCAELİ ÜNİVERSİTESİ ELEKTRONİK VE HABERLEŞME MÜHENDİSLİĞİ ELEKTRONİK LAB 1 DERSİ İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ 1 DENEYİ Amaç: Bu laboratuvarda, yüksek giriş direnci, düşük çıkış direnci ve yüksek kazanç özellikleriyle
DetaylıBipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.
DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve
DetaylıMekatronik Mühendisliği Lab1 (Elektrik-Elektronik) Seri ve Paralel RLC Devreleri
YILDIZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ MAKİNA FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRİK-ELEKTRONİK LABORATUARI (LAB I) DENEY 3 Deney Adı: Seri ve Paralel RLC Devreleri Öğretim Üyesi: Yard. Doç. Dr. Erhan AKDOĞAN
DetaylıMOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı
MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,
DetaylıYÜKSEK BAŞARIMLI İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI
YÜKSEK BAŞARML İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARM VE UYGULAMALAR Gaye GÜNGÖR Hakan KUNTMAN Sem ÇİFTÇİOĞLU 3, 3 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi İstanbul Teknik Üniversitesi,
DetaylıBu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.
DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım
DetaylıDeney 5: Osilatörler
Deneyin Amacı: Deney 5: Osilatörler Osilatörlerin çalışma mantığının anlaşılması. Wien köprü osilatörü uygulamasının yapılması. A.ÖNBİLGİ Osilatörler, DC güç kaynağındaki elektrik enerjisini AC elektrik
DetaylıBölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri
Bölüm 10 İşlemsel Yükselteç Karakteristikleri DENEY 10-1 Fark Yükselteci DENEYİN AMACI 1. Transistörlü fark yükseltecinin çalışma prensibini anlamak. 2. Fark yükseltecinin giriş ve çıkış dalga şekillerini
DetaylıANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.
BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V
DetaylıÇ NDEK LER II. C LT KONULAR Sayfa Öz De er Öz Vektör.. 2. Lineer Cebir ve Sistem Analizi...
ÇNDEKLER II. CLT KONULAR 1. Öz Deer Öz Vektör.. 1 Kare Matrisin Öz Deeri ve Öz Vektörleri... 21 Matrisin Karakteristik Denklemi : Cayley Hamilton Teoremi.. 26 Öz Deer - Öz Vektör ve Lineer Transformasyon
Detaylı3 FAZLI SİSTEMLER fazlı sistemler 1
3 FAL SİSTEMLER Çok lı sistemler, gerilimlerinin arasında farkı bulunan iki veya daha la tek lı sistemin birleştirilmiş halidir ve bu işlem simetrik bir şekilde yapılır. Tek lı sistemlerde güç dalgalı
DetaylıPSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR
PSpice Simülasyonu Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR Ekim 2005 1. Giriş Bilgisayarla devre simülasyonu, elektronik devrelerin ve sistemlerin tasarımında en önemli adımlardan biridir. Devre ve tümdevre
DetaylıAX5000 KONTROL PANELLER
AX5000 KONTROL PANELLER ÜRÜN SPESFKASYONU UYGULAMA AX5000 serisi, farklı modellerde kontrol panellerinden oluur. Bazı AX5000 panelleri tek baına ya da bir haberleme aı içinde baka panellerle kullanılabilirler.
DetaylıKARADENİZ TEKNİK ÜNİVERSİTESİ Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü ELK222 TEMEL ELEKTRİK LABORATUARI-II
ALTERNATİF AKIM KÖPRÜLERİ 1. Hazırlık Soruları Deneye gelmeden önce aşağıdaki soruları cevaplayınız ve deney öncesinde rapor halinde sununuz. Omik, kapasitif ve endüktif yük ne demektir? Açıklayınız. Omik
DetaylıEEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular
EEM220 Temel Yarıiletken Elemanlar Çözümlü Örnek Sorular Kaynak: Fundamentals of Microelectronics, Behzad Razavi, Wiley; 2nd edition (April 8, 2013), Manuel Solutions. Bölüm 5 Seçme Sorular ve Çözümleri
Detaylı