1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKN

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Ebat: px
Şu sayfadan göstermeyi başlat:

Download "1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKN"

Transkript

1 1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKN 1.1. Giri, Analog tümdevrelerde CMOS teknolojisinin yeri Ortaya çıktıı ilk yıllarda daha çok sayısal sistemlerin gerçekletirilmesinde yararlanılan CMOS teknolojisi, günümüzde, analog tümdevre yapı bloklarının oluturulmasında gittikçe yaygınlaarak kullanılmakta, literatürde sürekli olarak bu alanda yapılan yeni çalımaları ve gelitirilen yeni devre bloklarını yansıtan yazılarla karılaılmaktadır. Bunun balıca nedeni, gün geçtikçe analog ve sayısal sistemlerin içiçe girmesidir. Teknolojinin gelimesiyle gittikçe küçülen eleman boyutları, CMOS teknolojisinin yüksek younluklu karmaık karma iaret ileme sitemlerinin tümletirilmesinin yolu olarak önem kazanmasının balıca nedeni olmutur. aret ileme uygulamalarının frekans bölgesine daılımı ekil-1.1 de görülmektedir. Yine bu uygulamaların hangi teknolojilerle gerçekletirildikleri de ekil-1.2 de gösterilmitir. aretlerin ilenmesinde sayısal sistemlerin üstünlüünün tartıılmaz olmasına karılık, gerçek dünya analogdur. Bu da analog sistemleri ve analog yapı bloklarını vazgeçilmez kılan en önemli etkendir. Analog yapı blokları ve sistemler, sayısal dünya ile gerçek dünya arasında bir köprü olutururlar. Çounlukla, iaretin analogdan sayısala çevrilmesi yahut bunun tersinin gerçekletirilmesi için gerekli olan presizyonlu kuvvetlendirme, süzme, örnekleme ve tutma, gerilim karılatırma, presizyonlu ikili kod aırlıklı gerilim ve akım üretme vb. analog fonksiyonların gerçekletirilmesine gereksinme duyulmaktadır. Alt sistemlerin eski teknolojide olduu gibi, ayrı ayrı bipolar analog ve MOS sayısal bölümlere ayrılması ise, birçok durumda kılıflama maliyeti, baskılı devre üzerinde kaplanan yer gibi nedenlerle, istenen bir özellik olmamaktadır. Bunun yanı sıra, aynı ilevleri yerine getiren bloklar için MOS teknolojisi ile gerçekletirilmede bipolar tranzistorlara göre çok daha az yonga alanı kullanılmaktadır. Günümüzde, teknolojinin gelimesine paralel olarak MOS tranzistorların boyutları da küçülmü, bu da belli bir yonga alanına çok daha fazla eleman, dolayısıyla çok daha fazla sayıda devre bloku sıdırılmasını salamıtır. 0.35µm, 0.25µm, 65nm gibi CMOS teknolojileri standart teknolojiler haline gelmilerdir ve yaygın olarak kullanılmaktadır. Özellikle, sayısal sistemlerin tasarımında 65nm CMOS teknolojisi yüksek younlukta

2 1.2 tümletirme salamaktadır. 65nm boyutundan daha küçük boyutlu teknolojilerin gelitirilmesi ve kullanılması yönündeki çalımalar da hızla sürdürülmektedir. ekil-1.1. aret ileme uygulamalarında kullanılan frekans bölgeleri ekil-1.2. Günümüz teknolojileriyle ilenebilen frekans bölgeleri

3 1.3 CMOS teknolojisiyle gerçekletirilen bloklarının gittikçe yaygınlatıı dier bir alan da Radyo Frekansı (RF) uygulamalarıdır. Bu alanda gerçekletirilen çalımalar ve yeni uygulamalar artarak ve gittikçe yaygınlaarak literatürde yer almaktadır. Bipolar teknolojisi ile karılatırıldıında, MOS teknolojisinin analog fonksiyonların gerçekletirilmesi açısından yararlı yanları olduu kadar yetmez kalan özellikleri bulunduu söylenebilir. MOS teknolojisinin bipolar tranzistorlara göre önemli sayılabilecek sakıncaları öyle özetlenebilir : 1. Aynı kolektör akımı için bipolar tranzistorların g m geçi iletkenlii MOS tranzistorlara göre kıyaslanamayacak kadar yüksektir. 2. Geçi iletkenliinden ileri gelen bu sakıncayı gidermek üzere, kazanç katlarında büyük deerli dirençler kullanılabilir. Ancak, MOS teknolojisi ile büyük deerli dirençler elde etmek oldukça güçtür. Bu dirençleri elde etmek için kullanılan kırmık alanı da o kadar fazla olmaya balar ki, bunların kullanılması pratik olmaktan çıkar. Bu yüzden, MOS tranzistorlarla çalıılırken büyük kazanç deerleri elde etmek üzere aktif elemanlardan yararlanma zorunluluu bulunmaktadır. 3. MOS tranzistorların frekans cevabı bipolar tranzistorlarınkine göre daha kötüdür. 4. malat sırasında meydana gelen eletirme sorunu yüzünden, ilemsel kuvvetlendiricilerin giri dengesizlik gerilimi daha fazladır. 5. 1/f gürültüsü daha yüksek olmaktadır. Bütün bu sakıncalara ramen, günümüzde CMOS teknolojisi ile gerçekletirilen analog devreler gittikçe yaygınlamaktadır. Bunun nedeni, daha önce de belirtildii gibi, analog ve sayısal sistemlerin gün geçtikçe içiçe girmesidir. Sayısal sistemlerde CMOS teknolojisinin kullanılması, analog sistemlerde de aynı teknolojinin kullanılabilir olması, ekonomik açıdan büyük yararlar salamaktadır. Bunun yanısıra, yüksek giri direnci, çekilen akımın düük olması gibi nedenler de CMOS yapıların saladıkları temel üstünlükler arasında sayılabilir.

4 MOS tranzistoru karakterize eden temel baıntılar Analog tümdevrelerin analizinde kullanılacak temel baıntılara kısaca deinmekte yarar vardır. MOS tranzistorun elektriksel özellikleri aaıdaki baıntılarla verilmektedir: Doymalı bölgede V GS -V T V DS için I 1 W 2. C V V 1. V (1.1) 2 L D OX GS T DS Doymasız bölgede V GS -V T V DS için I 1 W 2. C 2.( V V ). V V 1. V (1.2) 2 L D OX GS T DS DS DS Bu baıntılarda yer alan büyüklüü, kanal boyu modülasyonu parametresi olarak isimlendirilir. büyüklüü, BJT deki Early olayını modelleyen Early gerilimine benzer biçimde tanımlanan bir büyüklüktür. Bu açıdan bakıldıında, MOS tranzistor için bir Early gerilimi tanımlanması halinde kanal boyu modülasyonu parametresinin =1/V A biçiminde ifade edilebilecei açıktır. Bu parametrenin geometrik tanımı ekil-1.3 de görülmektedir. ekil-1.3. Bir NMOS tranzistorun çıkı özerileri üzerinde kanal boyu modülasyonu parametresinin geometrik tanımı.

5 1.5 Gövde-Etkisi MOS tranzistorlarda etkili olan dier bir özellik de gövde etkisidir. Bir NMOS da kaynak ile savak arasındaki n tipi kanal ile p tipi katkılı gövde bir pn jonksiyonu gibi düünülebilir. Kaynak-gövde ve savak-gövde jonksiyonlarından hiçbirinin iletim yönünde kutuplanmaması için, gövde ucu en düük potansiyele balanmalıdır. Dolayısıyla, kanal ve gövde arasındaki jonksiyon tıkama yönünde kutuplanmı olur. Tıkama yönünde kutuplanmı bir jonksiyonun iki yanında oluan fakirlemi bölge artan tıkama yönü gerilimiyle geniler. Buna göre, sabit geçit gerilimi altında akan I D akımı, gövde potansiyelinin deitirilmesiyle kontrol edilebilir. Bu olay, JFET lerde savak akımının geçit gerilimiyle kontrol edilmesine benzemekle birlikte, MOS tranzistorlar için istenmeyen bir durumdur. Zira, gövde etkisi I D akımını azaltacak yönde etki etmektedir. Akımdaki bu azalmayı dengelemek üzere, geçit gerilimini arttırmak gerekir. Bu açıdan bakıldıında, gövde etkisinin V T eik gerilimini arttırdıı söylenebilir. Eik gerilimindeki bu artma, V SB kaynak-gövde gerilimi ve C de deeri 0.5 ile 2 arasında deien, gövde katkılama oranına balı bir sabit olmak üzere V T C V (1.3) SB baıntısı ile verilmektedir. Gövde etkisinin MOS tranzistorun eik gerilimine etkisi V T V V 2 (1.4) T 0 BS 2 F F baıntısıyla verilir. Bu baıntıda büyüklüü gövde etkisi faktörü, V T0 büyüklüü V BS = 0 ikenki eik gerilimi, F de Fermi potansiyelidir. MOS küçük iaret modeli MOS tranzistorun küçük iaret modeli ekil-1.4 de görülmektedir. Analog uygulamalarda MOS tranzistorlar hemen hemen sadece doyma kullanıldıklarından, verilen model doyma bölgesi için geçerlidir. Modeldeki g m geçi iletkenlii (1.1) baıntısından türev alınarak bulunabilir. Böylece g. C W L V V (1.5) m OX GS T yahut g C W L I m 2. OX D (1.6)

6 1.6 ekil-1.4. MOS tranzistorun küçük iaret modeli g m V 2I GS D V T (1.7) olur. Bu baıntılardan yararlanılarak MOS ile bipolar tranzistorlar karılatırılabilir. Bipolar tranzistorlarda kolektör akımı belli olduktan sonra I C gm (1.8) kt q baıntısıyla mutlak olarak belirlenmi olur. MOS tranzistorlarda ise eim I D doyma bölgesi savak akımı dıında tranzistorun geometrisine, yani (W/L) oranına da balı olmaktadır. g mb iletkenlii gövde etkisini gösteren bir büyüklüktür ve gövde etkisi V BS gerilimi ile arttıından, I D /V BS eklinde ifade edilir. Bu türev alındıında b (1.9) 2 V 2 BS F olmak üzere g. g (1.10) mb b m baıntısı elde edilir.

7 1.7 Devre hesaplarında b katsayısından çok 1 b 1 b (1.11) baıntısıyla tanımlanan gövde etkisi faktörü kullanılmaktadır. Baıntının çıkartılıına daha sonra deinilecektir. r ds (yahut r o ) çıkı direnci kanal boyu modülasyonundan ileri gelmekte ve V r DS 1 ds I D V sabit. I D GS (1.12) baıntısıyla verilmektedir. r ds direncinin deeri megaohmlardan birkaç kiloohm mertebesine kadar deiebilir. C gs geçitten kaynaa ve kanalın kısılmamı kısmına ilikin kapasitedir. Bu kapasitenin deeri birim yüzey kapasitesi C OX ile geçit oksidi ile kaynak ve kanal arasında kalan alanın çarpıma balıdır ve 2 C gs WLC OX (1.13) 3 baıntısıyla tanımlanır. Bu bileenin yanısıra, C gs kapasitesinin geçitin kaynak bölgesine ilikin bindirme kapasitesi nedeniyle sabit deerli bir parazitik bileeni daha bulunmaktadır. Bu bileenin de (1.13) baıntısıyla verilen bileene eklenmesi gerekir. C gd büyüklüü, geçit ile savak arasında kalan bölgeden ileri gelen kapasitedir. Dier kapasiteler için de benzer düünceler ileri sürülebilir. Doyma bölgesinde çalımada bu kapasite geçitin savak bölgesine ilikin bindirme kapasitesinden oluur ve çok küçük deerlidir. Ancak, kuvvetlendirici devrelerinde Miller etkisi nedeniyle bu küçük deerli C gd kapasitesi en önemli kapasite olmaktadır. Edeer devrede yer alan Csb ve Cdb kapasiteleri, savak ve kaynak bölgeleri ile taban arasındaki tıkama yönünde kutuplanmı jonksiyonlara ilikin kapasitelerdir. Bu jonksiyon kapasiteleri Csbo C sb (1.14) 1/ 2 V 1 SB 0

8 1.8 Cdbo C db (1.15) 1/ 2 V 1 DB 0 eklinde tanımlanmılardır. Bu baıntılarda C sbo ve C dbo büyüklükleri ilgili jonksiyonlara ilikin sıfır kutuplama kapasiteleri, V SB kaynak taban gerilimi, V DB savak taban gerilimi, 0 büyüklüü de jonksiyonlara ilikin potansiyel seddidir. Geçit ve taban arasında yer alan C gb kapasitesi geçit malzemesi ile tabanın aktif eleman bölgesi dıında kalan kısmı arasında oluan parazitik oksit kapasitesidir. KAYNAKLAR [1] H. Kuntman, Analog tümdevre tasarımı, Birsen Yayınları, stanbul, [2] P.R. Gray, P. J. Hurst, S. H. Lewis, R.G. Meyer, Analysis and design of analog integrated circuits, John Wiley, [3] W. Sansen, Analog Design Essentials, Springer, [4] P.E. Allen and D.R. Holberg, CMOS analog circuit design, Oxford University Press, New York, [5] B. Rezavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Mc Graw Hill, [6] M. Steyaert, A. H.M. van Roermund, J. H. Huijsing, Analog Circuit Design RF Circuits: Wide band, Front-Ends, DAC's,Design Methodology and Verification for RF and Mixed-Signal Systems, Low Power and Low Voltage, Springer, 2006 [7] F. Riedel, MOS Analogtechnik, Oldenburg Verlag, Wien, [8] P. Antognetti, G. Massobrio, Semiconductor device modeling with SPICE, Mc Graw Hill, [9] A.B. Grebene, Bipolar and MOS analog integrated circuit design, John Wiley, [10] R. Gregorian, G.C. Temes, Analog MOS integrated circuits for signal processing, John Wiley, 1986.

1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ

1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ 1. ANALOG MOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ 1.1. Giriş, Analog tümdevrelerde MOS teknolojisinin yeri Son zamanlara kadar daha çok dijital sistemlerin gerçekleştirilmesinde kullanılan MOS teknolojisi, günümüzde, analog

Detaylı

6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER

6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER 6. 1 6. MOS ANALOG ÇARPMA DEVRELER Analog çarpma devreleri, giri gerilimlerinin çarpımıyla orantılı çıkı gerilimi veren düzenlerdir ve aradaki iliki V O =.V.V Y (6.1) eklindedir. büyüklüü çarpma devresinin

Detaylı

1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ

1. ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ . ANALOG CMOS TÜMDEVRE TEKNİĞİ.. Giriş, Analog tümdevrelerde CMOS teknolojisinin yeri Ortaya çıktığı ilk yıllarda daha çok sayısal sistemlerin gerçekleştirilmesinde yararlanılan CMOS teknolojisi, günümüzde,

Detaylı

4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G

4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi = R R G 34 ENDÜSTYEL ELEKTNK 4.3. Enstrümantasyon kuvvetlendiricisi Enstrümantasyon ve dönütürücü uygulamalarında µvlar mertebesinde fark iaret gerilimleri ve bunlarla birlikte bulunan büyük deerli ortak iaret

Detaylı

3. 27 I C C' C C (V B ' C ') C DC. EM1 Modeli I B C E (V B ' E ') E' r E ' I E

3. 27 I C C' C C (V B ' C ') C DC. EM1 Modeli I B C E (V B ' E ') E' r E ' I E 3. 27 3.2.2. EM2 Modeli EM2 modeli, bir bipolar tranzistordaki yük birikimi olaylarının temsil edildii birinci dereceden bir modeldir. Bu model, kısıtlı da olsa, frekans domeni ve geçici hal analizlerinin

Detaylı

7. MOS OS LATÖR DEVRELER

7. MOS OS LATÖR DEVRELER 7. MOS OSLATÖ DEVELE aret üreten devreler, genel olarak, osilatör olarak isimlendirilirler. Osilatörler, doru akım gücünü periyodik dalga ekilli bir iarete çeviren devrelerdir. Osilatör yapıları, akortlu

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU Doç. Dr. Mutlu AVCI ADANA,

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I T.C. ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK MİMARLIK FAKÜLTESİ ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER LABORATUVARI I DENEY 7: MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER Ortak Kaynaklı MOSFET li kuvvetlendirici

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEY-2 BJT E MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI DENEYİN AMACI: Bipolar jonksiyonlu transistör (BJT) ve MOS transistörün DC (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik

Detaylı

2. TEMEL YAPITA LARI

2. TEMEL YAPITA LARI . TEMEL YAPITALARI Bu bölümde temel NMOS ve CMOS yapıblokları olan akım kaynakları, gerilim referansları, temel kazanç katları genel özellikleri açısından ele alınacaktır... Diyot balı NMOS tranzistor

Detaylı

BÖLÜM 5 MOS TRANZ STOR MODELLER. 5.1. MOS teknolojisine bakı.

BÖLÜM 5 MOS TRANZ STOR MODELLER. 5.1. MOS teknolojisine bakı. BÖLÜM 5 MOS TRANZSTOR MODELLER 5.1. MOS teknolojisine bakı. MOS teknolojisi geni çapta tümletirilmi sayısal devrelerin ve mikroilemci devrelerinin temelini oluturur. VLSI devreler için MOS teknolojisinin

Detaylı

9. EŞİKALTI BÖLGESİNDE ÇALIŞAN ANALOG YAPI BLOKLARI

9. EŞİKALTI BÖLGESİNDE ÇALIŞAN ANALOG YAPI BLOKLARI 9. EŞİKALT BÖLGESİNDE ÇALŞAN ANALOG YAP BLOKLAR Son yıllarda, eşikaltında çalışan MOS tranzistorların kullanıldığı analog devre yapıları gittikçe önem kazanmaktadır. Bunun başlıca nedeni, hasta üzerine

Detaylı

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c)

3. 2 +V DD I O2 + C C V O - T 1 T 6 T 3 -V SS T 5 T 8 I 7 I O. (c) . Kazancın sonlu olması,. Lineerlik bölgesinin sonlu olması, 3. dengesizlik gerilimi, 4. frekans eğrisi, 5. gürültü alt başlıkları altında sıralanabilir. 3. V DD V CC I O I O I O I O V i - T T C C V O

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#9 Alan Etkili Transistörlü Kuvvetlendiriciler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015

Detaylı

OTA. lemsel kuvvetlendiricinin gerilim kontrollu gerilim kayna ı özelli i göstermesi, çıkı direncinin çok küçük olması ve kazancın G =

OTA. lemsel kuvvetlendiricinin gerilim kontrollu gerilim kayna ı özelli i göstermesi, çıkı direncinin çok küçük olması ve kazancın G = 4. CMOS GEÇ LETKENL KUVVETLENDRCS, OTA lemsel kuvvetlendiricinin erilim kontrollu erilim kaynaı özellii östermesi, çıkı direncinin çok küçük olması ve kazancın V O K V = (4.) V I -V I baıntısıyla tanımlanmasına

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I MOSFET YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ Yrd. Doç. Dr. Özhan ÖZKAN MOSFET: Metal-Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistor (Geçidi Yalıtılmış

Detaylı

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I

T.C. ULUDAĞ ÜNĠVERSĠTESĠ MÜHENDĠSLĠK FAKÜLTESĠ ELEKTRĠK - ELEKTRONĠK MÜHENDĠSLĠĞĠ BÖLÜMÜ ELEKTRONĠK DEVRELER LABORATUVARI I T.. ULUDAĞ ÜNĠVRSĠTSĠ MÜHNDĠSLĠK FAKÜLTSĠ LKTRĠK - LKTRONĠK MÜHNDĠSLĠĞĠ ÖLÜMÜ LKTRONĠK DVRLR LAORATUVARI I DNY 3: ĠPOLAR TRANZĠSTÖR (JT) KARAKTRĠSTĠKLRĠ Tranzistörün giriş karakteristiği Tranzistörün çıkış

Detaylı

BAS T VE KULLANI LI B R AKIM LEMSEL KUVVETLEND R C S TASARIMI

BAS T VE KULLANI LI B R AKIM LEMSEL KUVVETLEND R C S TASARIMI BAST VE KULLANILI BR AKIM LEMSEL KUVVETLENDRCS TASARIMI Atilla UYGUR Hakan KUNTMAN, Elektronik ve Haberleme Mühendislii Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi stanbul Teknik Üniversitesi, 34469, Maslak,

Detaylı

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I

ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I ELEKTRONİK DEVRE TASARIM LABORATUARI-I BİPOLAR JONKSİYON TRANSİSTOR (BJT) YARI İLETKEN DEVRE ELEMANININ DAVRANIŞININ İNCELENMESİ YRD.DOÇ.DR. ÖZHAN ÖZKAN BJT: Bipolar Jonksiyon Transistor İki Kutuplu Eklem

Detaylı

2. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLEND R C LER N L NEER UYGULAMALARI. 2.1. Akım Kaynakları

2. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLEND R C LER N L NEER UYGULAMALARI. 2.1. Akım Kaynakları . BÖLÜM LEMSEL KUVVETLENDCLEN LNEE UYGULAMALA lemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik uygulamaları açısından büyük önem taıyan bir yapı grubudur. lemsel kuvvetlendiriciler, endüstriyel elektronik

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM22 Elektronik- Laboratuvarı Deney Föyü Deney#0 BJT ve MOSFET li Kuvvetlendiricilerin Frekans Cevabı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü

Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü Akım Modlu Çarpıcı/Bölücü (Novel High-Precision Current-Mode Multiplier/Divider) Ümit FARAŞOĞLU 504061225 1/28 TAKDİM PLANI ÖZET GİRİŞ AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ DEVRE ÖNERİLEN AKIM MODLU ÇARPICI/BÖLÜCÜ

Detaylı

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI

DENEY-2 BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI ENEY-2 JT E MOSFET İN ÖZELLİKLERİNİN ÇKARTLMAS ENEYİN AMA: ipolar jonksiyonlu transistör (JT) ve MOS transistörün (doğru akımda) çalışma bölgelerindeki akım-gerilim ilişkilerinin teorik ve pratik olarak

Detaylı

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR

ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖR ALAN ETKİLİ TRANİTÖR Y.oç.r.A.Faruk BAKAN FET (Alan Etkili Transistör) gerilim kontrollu ve üç uçlu bir elemandır. FET in uçları G (Kapı), (rain) ve (Kaynak) olarak tanımlanır. FET in yapısı ve sembolü

Detaylı

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri

Şekil 1. n kanallı bir FET in Geçiş ve Çıkış Özeğrileri DENEY NO : 3 DENEYİN ADI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin Karakteristikleri DENEYİN AMACI : FET - Elektriksel Alan Etkili Transistör lerin karakteristiklerini çıkarmak, ilgili parametrelerini

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM212 Elektronik-1 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#8 Alan Etkili Transistör (FET) Karakteristikleri Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA,

Detaylı

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek.

Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. DENEY 6 TRANSİSTOR KARAKTERİSTİKLERİ Deneyin Amacı Bipolar Transistörlerin çalışmasını teorik ve pratik olarak öğrenmek. Malzemeler ve Kullanılacak Cihazlar 1 adet BC547 transistör, 1 er adet 10 kω ve

Detaylı

Elektrik Devre Lab

Elektrik Devre Lab 2010-2011 Elektrik Devre Lab. 2 09.03.2011 Elektronik sistemlerde işlenecek sinyallerin hemen hepsi düşük genlikli, yani zayıf sinyallerdir. Elektronik sistemlerin pek çoğunda da yeterli derecede yükseltilmiş

Detaylı

3. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLEND R C LER N L NEER OLMAYAN UYGULAMALARI

3. BÖLÜM LEMSEL KUVVETLEND R C LER N L NEER OLMAYAN UYGULAMALARI 3. BÖLÜM LEMSEL KUETLENDCLEN LNEE LMAYAN UYGULAMALA lemsel kuvvetlendiriciler ve yarıiletken diyotlar, bipolar tranzistor gibi devre elemanlarının birlikte kullanılmasıyla, karakteristikleri lineer olmayan

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#6 İşlemsel Kuvvetlendiriciler (OP-AMP) - 2 Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY

Detaylı

BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR.

BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR. BU NOTLAR PROF. DR. AYTEN KUNTMAN TARAFINDAN 11.03.2009 TARĐHĐNDE YAYINLANAN NOTLARIN YENĐDEN DÜZENLENMĐŞ HALĐDĐR. 1 TÜMDEVRE TASARIM ĐLKELERĐ 1.GĐRĐŞ 2.TÜMDEVRE TASARIMI VE ÜRETĐMĐ AŞAMALARI 2.1. Maske

Detaylı

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B

DENEY RAPORU BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI. Alican Uysal. İlay Köksal Bilgisayar Mühendisliği B DENEY RAPORU Deney Adı BJT VE MOSFET İN DC ÖZELLİKLERİNİN ÇIKARTILMASI Deneyi Yaptıran Ar. Gör. Raporu Hazırlayan (İsim / Numara / Bölüm) Grup Numarası ve Deney Tarihi Alican Uysal İlay Köksal 150130051

Detaylı

PSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR

PSpice Simülasyonu. Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR PSpice Simülasyonu Hazırlayan : Arş. Gör. Cenk DİNÇBAKIR Ekim 2005 1. Giriş Bilgisayarla devre simülasyonu, elektronik devrelerin ve sistemlerin tasarımında en önemli adımlardan biridir. Devre ve tümdevre

Detaylı

1) Yarıiletken teknolojisini anlamak. 1,2,4 1

1) Yarıiletken teknolojisini anlamak. 1,2,4 1 DERS BİLGİLERİ Ders Adı Kodu Yarıyılı T+U Saati Ulusal Kredisi AKTS Elektroniğe Giriş BIL241 3 3+0 3 5 Ön Koşul Dersleri Yok Dersin Dili Dersin Seviyesi Dersin Türü Türkçe Lisans Zorunlu / Yüz Yüze Dersin

Detaylı

Optik Modülatörlerin Analizi ve Uygulamaları Analysis of the Optical Modulators and Applications

Optik Modülatörlerin Analizi ve Uygulamaları Analysis of the Optical Modulators and Applications Optik Modülatörlerin Analizi ve Uygulamaları Analysis of the Optical Modulators and Applications Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ

RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RF MİKROELEKTRONİK GÜRÜLTÜ RASTGELE BİR SİNYAL Gürültü rastgele bir sinyal olduğu için herhangi bir zamandaki değerini tahmin etmek imkansızdır. Bu sebeple tekrarlayan sinyallerde de kullandığımız ortalama

Detaylı

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI

SAYISAL ELEMANLARIN İÇ YAPILARI Sayısal Devreler (ojik Devreleri) SYIS EEMNIN İÇ YPII Sayısal tümdevrelerin gerçeklenmesinde çeşitli tipte tranzistorlar kullanılır. İlk olarak bipolar tipteki tranzistorlar tanıtılacaktır. ipolar Tranzistor:

Detaylı

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI

6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler. Doç. Dr. Ersan KABALCI 6. Bölüm: Alan Etkili Transistörler Doç. Dr. Ersan KABALCI 1 FET FETler (Alan etkili transistörler) BJTlere çok benzer yapıdadır. Benzerlikleri: Yükselteçler Anahtarlama devreleri Empedans uygunlaştırma

Detaylı

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir.

DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY NO: 9 MOSFET Lİ KUVVETLENDİRİCİLER DENEYİN AMACI: Bu deneyde MOS kuvvetlendiricilerden ortak kaynaklı ve ortak akaçlı devreler incelenecektir. DENEY MALZEMELERİ MOSFET: 1x4007 Kondansatör: 3x1 µf,

Detaylı

Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302)

Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302) Maltepe Üniversitesi Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik II (ELK 302) GENEL DERS BİLGİLERİ Öğretim Elemanı : Yrd. Doç. Dr. Serkan Topaloğlu Ofis : MUH 314 Ofis Saatleri : Pazartesi: 14.00-16.00;

Detaylı

DENEY-3. FET li Yükselticiler

DENEY-3. FET li Yükselticiler DENEY-3 FET li Yükselticiler Deneyin Amacı: Bir alan etkili transistor ün (FET-Field Effect Transistor) kutuplanması ve AF lı bir kuvvetlendirici olarak incelenmesi. (Ayrıca azaltıcı tip (Depletian type)

Detaylı

Eleco 2014 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, 27 29 Kasım 2014, Bursa

Eleco 2014 Elektrik Elektronik Bilgisayar ve Biyomedikal Mühendisliği Sempozyumu, 27 29 Kasım 2014, Bursa Güç MOSFET lerinde Elektriksel Sabit Yorma Kaynaklı Kapasite Değişimlerinin Analog Uygulamalara Etkileri The Effect of Electrical Constant Stress Induced Power MOSFET Capacitance Changes to Analog Applications

Detaylı

DEÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ FEN VE MÜHENDİSLİK DERGİSİ Cilt: 10 Sayı: 2 sh. 13-22 Mayıs 2008

DEÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ FEN VE MÜHENDİSLİK DERGİSİ Cilt: 10 Sayı: 2 sh. 13-22 Mayıs 2008 DEÜ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ FEN VE MÜHENDİSLİK DERGİSİ Cilt: 10 Sayı: 2 sh. 13-22 Mayıs 2008 AKIM ÇARPMA TEKNİĞİ KULLANILARAK 7-SEVİYELİ AKIM- MODLU ANALOG/SAYISAL DÖNÜŞTÜRÜCÜ TASARIMI (7-BIT CURRENT-MODE

Detaylı

3. 47. Belirli bir sıcaklıkta statik karakteristikler açısından modelin getirdiği düzeltmeler

3. 47. Belirli bir sıcaklıkta statik karakteristikler açısından modelin getirdiği düzeltmeler 3. 47 3.. 3. EM3 Modeli EM3 modeli, bipolar tranzistoru temsil etmek üzere geliştirilen, daha yüksek seviyeden nonlineer bir modeldir. Daha önce ele alınan modellerden EMl modeli sadece basit bir D modeliydi,

Detaylı

YÜKSEK BAŞARIMLI İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI

YÜKSEK BAŞARIMLI İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARIMI VE UYGULAMALARI YÜKSEK BAŞARML İŞLEMSEL KUVVETLENDİRİCİ TASARM VE UYGULAMALAR Gaye GÜNGÖR Hakan KUNTMAN Sem ÇİFTÇİOĞLU 3, 3 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Elektrik-Elektronik Fakültesi İstanbul Teknik Üniversitesi,

Detaylı

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi

Deney 2: FET in DC ve AC Analizi Deneyin Amacı: Deney 2: FET in DC ve AC Analizi FET in iç yapısının öğrenilmesi ve uygulamalarla çalışma yapısının anlaşılması. A.ÖNBİLGİ FET (Field Effect Transistr) (Alan Etkili Transistör) FET yarıiletken

Detaylı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı

MOSFET. MOSFET 'lerin Yapısı MOSFET MOSFET 'lerin Yapısı JFET 'ler klasik transistörlere göre büyük bir gelişme olmasına rağmen bazı limitleri vardır. JFET 'lerin giriş empedansları klasik transistörlerden daha fazla olduğu için,

Detaylı

Yarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi

Yarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi Prof. Dr. H. Hakan Kuntman 21. 12. 2005 Yarıiletken Elemanların ve Düzenlerin Modellenmesi (Yılsonu Projesi) a- Tabloda belirtilen i lemsel kuvvetlendirici için SPICE simülasyon programında kullanılmak

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuarı Deney Föyü Deney#8 I-V ve V-I Dönüştürücüler Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 8 I-V ve

Detaylı

2. Bölgesel Kalkınma ve Yönetiim Sempozyumu 25-26 Ekim 2007, zmir

2. Bölgesel Kalkınma ve Yönetiim Sempozyumu 25-26 Ekim 2007, zmir Yönetiim, Bölgesel Kalkınma ve Kalkınma Ajansları: Çukurova Kalkınma Ajansı Uygulaması A. Celil Öz 1 1- Giri Son çeyrek yüzyılda küresellemenin ve uluslar arası ve uluslar üstü kurumların da etkisiyle

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR

ANALOG ELEKTRONİK BİPOLAR TRANSİSTÖR ANALOG LKTONİK Y.Doç.Dr.A.Faruk AKAN ANALOG LKTONİK İPOLA TANSİSTÖ 35 Yapısı ve Sembolü...35 Transistörün Çalışması...35 Aktif ölge...36 Doyum ölgesi...37 Kesim ölgesi...37 Ters Çalışma ölgesi...37 Ortak

Detaylı

KONTROL SSTEMLER LABORATUARI

KONTROL SSTEMLER LABORATUARI YILDIZ TEKNK ÜNVERSTES ELEKTRK-ELEKTRONK FAKÜLTES KONTROL ve OTOMASYON MÜHENDSL BÖLÜMÜ KONTROL SSTEMLER LABORATUARI Doç.Dr. Haluk GÖRGÜN Ar.Gör. brahim ALIKAN Ar.Gör. Yavuz EREN STANBUL - 2010-1 - DiGiAC

Detaylı

3. MOS LEMSEL KUVVETLEND R C LER

3. MOS LEMSEL KUVVETLEND R C LER 3. 3. MOS LEMSEL KUVVETLENDRCLER lemsel kuvvetlendiriciler, enelde, erilim kontrollu erilim kaynaı ilevini yerine etirirler. deal ilemsel kuvvetlendiricide erilim kazancı sonsuz, iri direnci sonsuz, çıkı

Detaylı

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET)

Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü Elektronik Laboratuarı I DENEY-2 TEMEL YARI ĐLETKEN ELEMANLARIN TANIMLANMASI (BJT, FET, MOSFET) 2.1. eneyin amacı: Temel yarıiletken elemanlardan BJT ve FET in tanımlanması, test edilmesi ve temel karakteristiklerinin incelenmesi. 2.2. Teorik bilgiler: 2.2.1. BJT nin özelliklerinin tanımlanması:

Detaylı

MOS translineer çevrimli yüksek doğruluklu akım modlu çarpıcı/bölücü devre

MOS translineer çevrimli yüksek doğruluklu akım modlu çarpıcı/bölücü devre itüdergisi/d mühendislik Cilt:7, Sayı:6, 59-68 Aralık 008 MOS translineer çevrimli yüksek doğruluklu akım modlu çarpıcı/bölücü devre Serdar MENEKAY *, Hakan KUNTMAN İTÜ Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektronik

Detaylı

Sahada Programlanabilir Kapı Dizileri (FPGA) Sayısal CMOS Tümdevre Tasarımı Y. Fırat Kula

Sahada Programlanabilir Kapı Dizileri (FPGA) Sayısal CMOS Tümdevre Tasarımı Y. Fırat Kula Sahada Programlanabilir Kapı Dizileri (FPGA) Sayısal CMOS Tümdevre Tasarımı Y. Fırat Kula Programlanabilir Lojik Basit Programlanabilir Lojik Cihazlar (Simple Programmable Logic Device - SPLD) ** PAL (Programmable

Detaylı

CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA GÜVENİLİRLİĞİ

CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA GÜVENİLİRLİĞİ CMOS OTA EŞİK ALTI ÇALIŞMA ÜVENİLİRLİĞİ Yasin ÖZCELEP 1 Ayten KUNTMAN Hakan KUNTMAN 3 1, İstanbul Üniversitesi,Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü,3430, Avcılar, İstanbul 3 Elektronik ve Haberleşme

Detaylı

N-MOS TRANZİSTÖRLERDE SICAK TAŞIYICILARIN TABAN AKIMI ÜZERİNE ETKİSİNİN İNCELENMESİ

N-MOS TRANZİSTÖRLERDE SICAK TAŞIYICILARIN TABAN AKIMI ÜZERİNE ETKİSİNİN İNCELENMESİ N-MOS TRANZİSTÖRLERDE SICAK TAŞIYICILARIN TABAN AKIMI ÜZERİNE ETKİSİNİN İNCELENMESİ Fırat KAÇAR 1 Ayten KUNTMAN 2 Hakan KUNTMAN 3 1,2 Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü Mühendislik Fakültesi, İstanbul

Detaylı

Elektrik Devre Temelleri

Elektrik Devre Temelleri Elektrik Devre Temelleri Yrd. Doç. Dr. Sibel ÇİMEN Elektronik ve Haberleşeme Mühendisliği Kocaeli Üniversitesi Ders Kitabı Fundamentals of Electric Circuits, by Charles K. Alexander and Matthew N. O. Sadiku,

Detaylı

DEVRE VE SİSTEM ANALİZİ ÇALIŞMA SORULARI

DEVRE VE SİSTEM ANALİZİ ÇALIŞMA SORULARI DEVRE VE SİSTEM ANALİZİ 01.1.015 ÇALIŞMA SORULARI 1. Aşağıda verilen devrede anahtar uzun süre konumunda kalmış ve t=0 anında a) v 5 ( geriliminin tam çözümünü diferansiyel denklemlerden faydalanarak bulunuz.

Detaylı

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ

SAYISAL UYGULAMALARI DEVRE. Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ SAYISAL DEVRE UYGULAMALARI Prof. Dr. Hüseyin EKİZ Doç. Dr. Özdemir ÇETİN Arş. Gör. Ziya EKŞİ İÇİNDEKİLER ŞEKİLLER TABLOSU... vi MALZEME LİSTESİ... viii ENTEGRELER... ix 1. Direnç ve Diyotlarla Yapılan

Detaylı

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir.

Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım kaynakları incelenecektir. DENEY 7 AKIM KAYNAKLARI VE AKTİF YÜKLER DENEY 1 DİYOT KARAKTERİSTİKLERİ 7.1 DENEYİN AMACI Bu deneyde kuvvetlendirici devrelerde kullanılan entegre devre beslemesi ve aktif yük olarak kullanılabilen akım

Detaylı

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği

Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği Çukurova Üniversitesi Biyomedikal Mühendisliği BMM309 Elektronik-2 Laboratuvarı Deney Föyü Deney#10 Analog Aktif Filtre Tasarımı Doç. Dr. Mutlu AVCI Arş. Gör. Mustafa İSTANBULLU ADANA, 2015 DENEY 10 Analog

Detaylı

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER

BÖLÜM 1 RF OSİLATÖRLER BÖÜM RF OSİATÖRER. AMAÇ. Radyo Frekansı(RF) Osilatörlerinin çalışma prensibi ve karakteristiklerinin anlaşılması.. Osilatörlerin tasarlanması ve gerçeklenmesi.. TEME KAVRAMARIN İNEENMESİ Osilatör, basit

Detaylı

TIQ TABANLI 8 BİT FOLDING A/D DÖNÜŞTÜRÜCÜ TASARIMI

TIQ TABANLI 8 BİT FOLDING A/D DÖNÜŞTÜRÜCÜ TASARIMI TIQ TABANLI 8 BİT FOLDING A/D DÖNÜŞTÜRÜCÜ TASARIMI M. Fatih TEKİN 1 Ali TANGEL 2 Oktay AYTAR 3 Anıl ÇELEBİ 4 1,2,3,4 Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Mühendislik Fakültesi Kocaeli Üniversitesi,

Detaylı

Deneyle İlgili Ön Bilgi:

Deneyle İlgili Ön Bilgi: DENEY NO : 4 DENEYİN ADI :Transistörlü Akım ve Gerilim Kuvvetlendiriciler DENEYİN AMACI :Transistörün ortak emetör kutuplamalı devresini akım ve gerilim kuvvetlendiricisi, ortak kolektörlü devresini ise

Detaylı

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ

14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ 14. SİNÜSOİDAL AKIMDA DİRENÇ, KAPASİTE, İNDÜKTANS VE ORTAK İNDÜKTANSIN ÖLÇÜLMESİ Sinüsoidal Akımda Direncin Ölçülmesi Sinüsoidal akımda, direnç üzerindeki gerilim ve akım dalga şekilleri ve fazörleri aşağıdaki

Detaylı

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER

DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEY 3 TRANZİSTORLU KUVVETLENDİRİCİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde BJT ve MOS kuvvelendiriciler incelenecek ve elde edilecek veriler yardımıyla her iki kuvvelendiricinin çalışma özellikleri gözlemlenecekir.

Detaylı

Öğretim planındaki AKTS Tümdevre Tasarımı 523000000001333 2 0 0 2 5. Ders Kodu Teorik Uygulama Lab. SİSTEMDEN GELECEK SİSTEMDEN GELECEK

Öğretim planındaki AKTS Tümdevre Tasarımı 523000000001333 2 0 0 2 5. Ders Kodu Teorik Uygulama Lab. SİSTEMDEN GELECEK SİSTEMDEN GELECEK Ders Kodu Teorik Uygulama Lab. Ulusal Kredi Öğretim planındaki AKTS Tümdevre Tasarımı 523000000001333 2 0 0 2 5 Ön Koşullar Önerilen Dersler Dersin Türü Dersin Dili Dersin Seviyesi Dersin Veriliş Biçimi

Detaylı

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER

DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEY-6 LOJİK KAPILAR VE İKİLİ DEVRELER DENEYİN AMACI: Bu deneyde temel lojik kapılar incelenecek; çift kararlı ve tek kararlı ikili devrelerin çalışma prensipleri gözlemlenecektir. ÖN HAZIRLIK Temel lojik

Detaylı

Kocaeli Üniversitesi {kudret.sahin1, oktay, atangel}@kocaeli.edu.tr. Şekil 1: Paralel A / S dönüştürücünün genel gösterimi

Kocaeli Üniversitesi {kudret.sahin1, oktay, atangel}@kocaeli.edu.tr. Şekil 1: Paralel A / S dönüştürücünün genel gösterimi Fırat Üniversitesi-Elazığ 5 BİT- 2.5GS/s PARALEL(FLASH) ANALOG SAYISAL DÖNÜŞTÜRÜCÜ TASARIMI ÖZET Bu çalışmada, 0.18µm TSMC CMOS teknolojisinde yeni bir 1-N kodlayıcı tekniği kullanılarak 5-bit flash A

Detaylı

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV)

BÖLÜM 2. FOTOVOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (PV) BÖLÜM 2. FOTOOLTAİK GÜNEŞ ENERJİ SİSTEMLERİ (P) Fotovoltaik Etki: Fotovoltaik etki birbirinden farklı iki malzemenin ortak temas bölgesinin (common junction) foton radyasyonu ile aydınlatılması durumunda

Detaylı

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir.

Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. Küçük Sinyal Analizi Küçük sinyal analizi transistörü AC domende temsilş etmek için kullanılan modelleri içerir. 1. Karma (hibrid) model 2. r e model Üretici firmalar bilgi sayfalarında belirli bir çalışma

Detaylı

RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA)

RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA) RF MİKROELEKTRONİK DÜŞÜK GÜRÜLTÜLÜ YÜKSELTİCİ (LNA) GÜRÜLTÜ KATSAYISI LNA nın gürültü katsayısı alıcının gürültüsüne direkt olarak eklendiğinden düşük olması elzemdir. Takip eden basamakların gürültü katsayıları

Detaylı

FONKSYONLARI FONKSYONLARA GÖTÜREN FONKSYONLAR ÜZERNDE ANT-MONOTONLUK VE DEMPOTENTLK

FONKSYONLARI FONKSYONLARA GÖTÜREN FONKSYONLAR ÜZERNDE ANT-MONOTONLUK VE DEMPOTENTLK ÖZEL EGE LSES FONKSYONLARI FONKSYONLARA GÖTÜREN FONKSYONLAR ÜZERNDE ANT-MONOTONLUK VE DEMPOTENTLK HAZIRLAYAN ÖRENC: Kıvanç Ararat (10B) DANIMAN ÖRETMEN: Emel Ergönül ZMR 2011 ÇNDEKLER PROJENN ADI 2 PROJENN

Detaylı

Vakko Tekstil ve Hazır Giyim Sanayi letmeleri A.. 30.06.2013 Tarihi tibarıyla Sona Eren Hesap Dönemine likin Yönetim Kurulu Yıllık Faaliyet Raporu

Vakko Tekstil ve Hazır Giyim Sanayi letmeleri A.. 30.06.2013 Tarihi tibarıyla Sona Eren Hesap Dönemine likin Yönetim Kurulu Yıllık Faaliyet Raporu Sayfa No: 1 Vakko Tekstil ve Hazır Giyim Sanayi letmeleri A.. 30.06.2013 Tarihi tibarıyla Sona Eren Hesap Dönemine likin Yönetim Kurulu Yıllık Faaliyet Raporu Sayfa No: 2 Vakko Tekstil ve Hazır Giyim Sanayi

Detaylı

AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ

AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ AFYON KOCATEPE ÜNİVERSİTESİ TEKNİK EĞİTİM FAKÜLTESİ DERS TANITIM FORMU Dersin Kodu / Adı : 088 ATATÜRK İLKELERİ VE İNKILAP TARİHİ I Bölüm / Anabilim Dalı : ELEKTRİK ÖĞRETMENLİĞİ Öğretim Dili : Türkçe Yarıyılı

Detaylı

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I

EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I EEM211 ELEKTRİK DEVRELERİ-I Prof. Dr. Selçuk YILDIRIM Siirt Üniversitesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Kaynak (Ders Kitabı): Fundamentals of Electric Circuits Charles K. Alexander Matthew N.O. Sadiku

Detaylı

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir.

ANALOG ELEKTRONİK - II. Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. BÖLÜM 6 TÜREV ALICI DEVRE KONU: Opampla gerçekleştirilen bir türev alıcı (differantiator) çalışmasını ve özellikleri incelenecektir. GEREKLİ DONANIM: Multimetre (Sayısal veya Analog) Güç Kaynağı: ±12V

Detaylı

Pozisyon Kontrol Sistemi Üzerine Karakteristik Yapı Çalı ması: STANBUL - 2010

Pozisyon Kontrol Sistemi Üzerine Karakteristik Yapı Çalı ması: STANBUL - 2010 Pozisyon Kontrol Sistemi Üzerine Karakteristik Yapı Çalıması: Set Üzerinde Kullanılacak Ekipman: 1 Motor sürücü ve çıkı potansiyometresi, 1 Ayarlama amplifikatörü, 1 Türevsel amplifikatör, 1 Toplama amplifikatörü,

Detaylı

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları

DENEY 6: MOSFET. Şekil 6.1. n ve p kanallı MOSFET yapıları Deneyin Amacı DENEY 6: MOSFET MOSFET (metal oxide semiconductor fieldeffect transistor, metal oksit tabakalı yarıiletken alan etkili transistör) yapısının ve karakteristiğinin öğrenilmesi, MOSFET li bir

Detaylı

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ

ANALOG FİLTRELEME DENEYİ ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG FİLTRELEME DENEYİ Ölçme ve telekomünikasyon tekniğinde sık sık belirli frekans bağımlılıkları olan devreler gereklidir. Genellikle belirli bir frekans bandının

Detaylı

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters

Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Optik Filtrelerde Performans Analizi Performance Analysis of the Optical Filters Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik Üniversitesi gizem.pekkucuk@gmail.com,

Detaylı

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi

Şekil 5.1 Opamp Blok Şeması ve Eşdeğer Devresi DENEY NO :5 DENEYİN ADI :İşlemsel Kuvvetlendirici - OPAMP Karakteristikleri DENEYİN AMACI :İşlemsel kuvvetlendiricilerin performansını etkileyen belli başlı karakteristik özelliklerin ölçümlerini yapmak.

Detaylı

Optik Kuvvetlendiriciler ve Uygulamaları Optical Amplifiers and Applications

Optik Kuvvetlendiriciler ve Uygulamaları Optical Amplifiers and Applications Optik Kuvvetlendiriciler ve Uygulamaları Optical Amplifiers and Applications Gizem Pekküçük, İbrahim Uzar, N. Özlem Ünverdi Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Bölümü Yıldız Teknik Üniversitesi gizem.pekkucuk@gmail.com,

Detaylı

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER

ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER K TÜ Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı ĐŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER Đşlemsel yükselteçler ilk olarak analog hesap makinelerinde toplama, çıkarma, türev ve integral

Detaylı

İşaret ve Sistemler. Ders 1: Giriş

İşaret ve Sistemler. Ders 1: Giriş İşaret ve Sistemler Ders 1: Giriş Ders 1 Genel Bakış Haberleşme sistemlerinde temel kavramlar İşaretin tanımı ve çeşitleri Spektral Analiz Fazörlerin frekans düzleminde gösterilmesi. Periyodik işaretlerin

Detaylı

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ÖDEV-2

ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ ÖDEV-2 ELEKTRİK DEVRE TEMELLERİ 06.05.2015 ÖDEV-2 1. Aşağıdaki şekilde verilen devrenin; a) a-b uçlarının solunda kalan kısmının Thevenin eşdeğerini bulunuz. b) Bu eşdeğerden faydalanarak R L =4 luk yük direncinde

Detaylı

PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ KAREKÖK ORTAM FİLTRELERİNİN DURUM UZAYI GENEL TASARIM YÖNTEMİ VE UYGULAMALARI

PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ KAREKÖK ORTAM FİLTRELERİNİN DURUM UZAYI GENEL TASARIM YÖNTEMİ VE UYGULAMALARI PAMUKKALE ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ KAREKÖK ORTAM FİLTRELERİNİN DURUM UZAYI GENEL TASARIM YÖNTEMİ VE UYGULAMALARI DOKTORA TEZİ Şaziye SURAV YILMAZ Anabilim Dalı : Elektrik-Elektronik Mühendisliği

Detaylı

(BJT) NPN PNP

(BJT) NPN PNP Elektronik Devreler 1. Transistörler 1.1 Giriş 1.2 Bipolar Jonksiyon Transistörler (BJT) 1.2.1 Bipolar Jonksiyon Transistörün Çalışması 1.2.2 NPN Transistörün Yükselteç Olarak Çalışması 1.2.3 PNP Transistörün

Detaylı

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU

YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU YÜZÜNCÜ YIL ÜNİVERSİTESİ ELEKTRİK ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ANALOG ELEKTRONİK DENEY RAPORU DENEY NO : DENEYİN ADI : YAPILIŞ TARİHİ: GRUP ÜYELERİ : 1. 2. 3. DERSİN SORUMLU ÖĞRETİM ÜYESİ: Yrd. Doç.

Detaylı

açık olduğu bir anahtar gibi davranır. Kesim durumu genellikle baz ile emetör arasına VBE uygulanması ile sağlanır, ancak 0.

açık olduğu bir anahtar gibi davranır. Kesim durumu genellikle baz ile emetör arasına VBE uygulanması ile sağlanır, ancak 0. Karadeniz Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Bilgisayar Mühendisliği Bölümü Sayısal Elektronik Laboratuarı LOJİK KAPILAR. Genel Tanıtım Sayısal bilgileri işleyecek şekilde tasarlanmış tümleşik devrelere

Detaylı

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ

GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Teorik Bilgiler ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ GÜÇ ELEKTRONİĞİNDE KULLANILAN ANAHTARLAMA ELEMANLARININ İNCELENMESİ Güç elektroniği devreleri ile güç dönüşümü anahtarlama teknikleri kullanılarak yapılır.

Detaylı

Bölüm 8 FET Karakteristikleri

Bölüm 8 FET Karakteristikleri Bölüm 8 FET Karakteristikleri DENEY 8-1 JFET Karakteristikleri DENEYİN AMACI 1. JFET'in yapısını ve çalışma prensibini anlamak. 2. JFET karakteristiklerini ölçmek. GENEL BİLGİLER JFET in Yapısı ve Karakteristikleri

Detaylı

Elektron tüplerinden tek kırmıkta kamera ya... DRAM yapılarında tek kırmıkta Gigabit devri!..

Elektron tüplerinden tek kırmıkta kamera ya... DRAM yapılarında tek kırmıkta Gigabit devri!.. Elektron tüplerinden tek kırmıkta kamera ya... DRAM yapılarında tek kırmıkta Gigabit devri!.. Mikroişlemciler: yüzmilyonlarca transistor tek kırmıkta... Nereye kadar?.. Nasıl?.. Tümdevre tasarımı artık

Detaylı

LED - FOTODİRENÇ ÇİFTİ İLE TASARLANMIŞ OPTOELEKTRONİK OSİLATÖR (OPTOELECTRONİC OSCILLATOR DESIGNED WITH LED - PHOTORESISTOR PAIRS)

LED - FOTODİRENÇ ÇİFTİ İLE TASARLANMIŞ OPTOELEKTRONİK OSİLATÖR (OPTOELECTRONİC OSCILLATOR DESIGNED WITH LED - PHOTORESISTOR PAIRS) Cilt: 1 Sayı: 2 sh. 59-69 Mayıs 1999 LED - FOTODİRENÇ ÇİFTİ İLE TASARLANMIŞ OPTOELEKTRONİK OSİLATÖR (OPTOELECTRONİC OSCILLATOR DESIGNED WITH LED - PHOTORESISTOR PAIRS) Eldar MUSAYEV, İsmail TEKİN Uludağ

Detaylı

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir.

Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. DENEY 5 - ALAN ETKİLİ TRANSİSTOR(FET- Field Effect Transistor) 5.1. DENEYİN AMACI Bu deneyde alan etkili transistörlerin DC ve AC akım-gerilim karakteristikleri incelenecektir. 5.2. TEORİK BİLGİ Alan etkili

Detaylı

ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU. Sabir RÜSTEMLİ

ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU. Sabir RÜSTEMLİ ELEKTRİK TESİSLERİNDE HARMONİKLERİN PASİF FİLTRE KULLANILARAK AZALTILMASI VE SİMÜLASYONU Sabir RÜSTEMLİ Elektrik tesislerinin güvenli ve arzu edilir bir biçimde çalışması için, tesisin tasarım ve işletim

Detaylı

#$% &'#(# Konular. Bits of Information. Binary Özellikler Superimposed Coding Signature Formation Deerlendirme

#$% &'#(# Konular. Bits of Information. Binary Özellikler Superimposed Coding Signature Formation Deerlendirme !" #$% &'#(# Konular Binary Özellikler Deerlendirme Binary Özellikler Bir binary özellik iki deer alabilir (kapalı veya açık; var veya yok gibi) Bir kiiye ait bilgiler binary olarak aaıdaki gibi gösterilebilir

Detaylı

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler;

Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; 1.. Bölüm: Diyotlar Doç.. Dr. Ersan KABALCI 1 Yarı iletken Maddeler Yarıiletken devre elemanlarında en çok kullanılan maddeler; Silisyum (Si) Germanyum (Ge) dur. 2 Katkı Oluşturma Silisyum ve Germanyumun

Detaylı